Claims (18)
1. Способ изготовления датчика давления, содержащего углеродные нанотрубки, включающий: нанесение первого диэлектрического слоя на поверхность подложки, формирование электрической разводки, нанесение второго диэлектрического слоя, формирование области роста массива углеродных нанотрубок в виде углубления в подложке с использованием литографии, формирование буферного слоя, формирование над буферным слоем функционального слоя, содержащего катализатор роста углеродных нанотрубок, удаление маски резиста, нанесенной в процессе литографии, проведение синтеза углеродных нанотрубок с плазменной стимуляцией процесса роста углеродных нанотрубок.1. A method of manufacturing a pressure sensor containing carbon nanotubes, including: applying a first dielectric layer to a surface of a substrate, forming an electrical wiring, applying a second dielectric layer, forming a growth region of an array of carbon nanotubes in the form of a depression in a substrate using lithography, forming a buffer layer, forming above the buffer layer of the functional layer containing the catalyst for the growth of carbon nanotubes, the removal of the resist mask applied during the lithogra phase, synthesis of carbon nanotubes with plasma stimulation of the growth of carbon nanotubes.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что проведение синтеза углеродных нанотрубок осуществляют путем введения подложки в объем рабочей камеры и помещения ее на поверхность нагретого рабочего стола, подачу газа-носителя, введение в нагретый реактор углеродсодержащего газа, стабилизацию давления, поджиг плазмы.2. The method according to claim 1, characterized in that the synthesis of carbon nanotubes is carried out by introducing a substrate into the volume of the working chamber and placing it on the surface of a heated working table, supplying a carrier gas, introducing a carbon-containing gas into the heated reactor, stabilizing the pressure, igniting the plasma .
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют аргон и/или аммиак, и/или водород, и/или гелий, и/или азот.3. The method according to claim 2, characterized in that argon and / or ammonia and / or hydrogen and / or helium and / or nitrogen are used as the carrier gas.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего газа используют метан и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода.4. The method according to claim 2, characterized in that methane and / or ethylene and / or acetylene and / or carbon monoxide are used as the carbon-containing gas.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что давление в рабочей камере задается в диапазоне от 50 Па до 700 Па.5. The method according to claim 2, characterized in that the pressure in the working chamber is set in the range from 50 Pa to 700 Pa.
6. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура рабочего стола задается в диапазоне от 400°C до 800°C.6. The method according to claim 2, characterized in that the temperature of the desktop is set in the range from 400 ° C to 800 ° C.
7. Способ по п.2, отличающийся тем, что для поджига плазмы в рабочую камеру подается от генератора электромагнитное излучение с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 10 Вт до 200 Вт.7. The method according to claim 2, characterized in that for igniting the plasma, electromagnetic radiation with a frequency of 13.56 MHz and a power in the range from 10 W to 200 W is supplied to the working chamber from the generator.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что углубление в подложке выполняют в виде меандра или прямоугольника или овала.8. The method according to claim 1, characterized in that the recess in the substrate is in the form of a meander or rectangle or oval.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что электрическую разводку выполняют из титана и/или молибдена, и/или золота, и/или платины и/или алюминия, и/или меди, и/или хрома, и/или легированного поликремния толщиной от 0,1 мкм до 5 мкм.9. The method according to claim 1, characterized in that the electrical wiring is made of titanium and / or molybdenum, and / or gold, and / or platinum and / or aluminum, and / or copper, and / or chromium, and / or alloyed polysilicon with a thickness of 0.1 μm to 5 μm.
10. Способ по 1, отличающийся тем, что используют подложку из кварца и/или кремния и/или оксида кремния и/или оксида алюминия и/или нитрида кремния.10. The method according to 1, characterized in that they use a substrate of quartz and / or silicon and / or silicon oxide and / or aluminum oxide and / or silicon nitride.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый и/или второй диэлектрический слой выполняют из оксида кремния, оксида алюминия, нитрида кремния, поликремния или их композиции толщиной от 10 нм до 5 мкм.11. The method according to claim 1, characterized in that the first and / or second dielectric layer is made of silicon oxide, aluminum oxide, silicon nitride, polysilicon or their composition with a thickness of 10 nm to 5 μm.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что углубление в подложке выполняют глубиной от 0,5 мкм до 100 мкм.12. The method according to claim 1, characterized in that the recess in the substrate is performed with a depth of from 0.5 μm to 100 μm.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполняют из титана и/или нитрида титана, и/или оксида кремния толщиной от 1 нм до 200 нм.13. The method according to claim 1, characterized in that the buffer layer is made of titanium and / or titanium nitride and / or silicon oxide with a thickness of 1 nm to 200 nm.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что функциональный слой, содержащий катализатор роста углеродных нанотрубок, содержит железо, и/или кобальт, и/или никель и/или их сплавы.14. The method according to claim 1, characterized in that the functional layer containing the carbon nanotube growth catalyst contains iron and / or cobalt and / or nickel and / or their alloys.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительно формируют верхний герметизирующий слой, по меньшей мере, над массивом углеродных нанотрубок.15. The method according to claim 1, characterized in that it further form the upper sealing layer, at least above the array of carbon nanotubes.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что верхний герметизирующий слой выполняют из оксида кремния, и/или оксида алюминия, и/или нитрида кремния, и/или поликремния толщиной от 0,5 мкм до 200 мкм.16. The method according to p. 15, characterized in that the upper sealing layer is made of silicon oxide and / or aluminum oxide and / or silicon nitride and / or polysilicon with a thickness of 0.5 μm to 200 μm.
17. Способ по п.15, отличающийся тем, что верхний слой соединяют с поверхностью методом сращивания.17. The method according to clause 15, wherein the upper layer is connected to the surface by the method of splicing.
18. Способ по п.15, отличающийся тем, что верхний слой формируют методом осаждения.
18. The method according to clause 15, wherein the upper layer is formed by the deposition method.