RU2501122C2 - Близкорасположенный коллиматор для сид - Google Patents
Близкорасположенный коллиматор для сид Download PDFInfo
- Publication number
- RU2501122C2 RU2501122C2 RU2011103456/28A RU2011103456A RU2501122C2 RU 2501122 C2 RU2501122 C2 RU 2501122C2 RU 2011103456/28 A RU2011103456/28 A RU 2011103456/28A RU 2011103456 A RU2011103456 A RU 2011103456A RU 2501122 C2 RU2501122 C2 RU 2501122C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- collimator
- substrate
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 24
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004830 Super Glue Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Abstract
Согласно изобретению предложен способ изготовления светоизлучающего устройства (СИД). Данный способ содержит этапы: обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и; установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм. Упомянутый коллиматора присоединяют к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал. Также предложено устройство, изготовленное согласно описанному способу. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления СИД. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, содержащему, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, расположенный на подложке, и коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, для коллимации света, испускаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом. Настоящее изобретение дополнительно касается способа изготовления светоизлучающего устройства.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Светоизлучающие устройства согласно вышеуказанной области техники, к которой относится изобретение, общеизвестны. Они используются в качестве источников света, среди прочего, в панелях задней подсветки в дисплейных устройствах, например, для телевизоров и мониторов. Такие устройства особенно подходят для применения в качестве источников света при подсветке неизлучающих дисплеев, таких как жидкокристаллические дисплейные устройства, также называемые ЖК-панелями, которые применяются в (портативных) компьютерах или (портативных) телефонах.
Такие устройства также используются в качестве источников света в светильниках для целей общего освещения или для освещения магазинов, например, освещения окон магазинов или освещения (прозрачных или полупрозрачных) пластин из стекла или (прозрачных) пластин из стекла или (прозрачной) синтетической смолы, на которых выставлены предметы, например, ювелирные украшения. Такие устройства также используются в качестве источников света для оконных стекол, например, чтобы заставить стеклянную стенку испускать свет при определенных условиях или снижать, или блокировать видимость сквозь окно посредством света. Дополнительным альтернативным применением является использование пакетов таких устройств в качестве источников света для освещения рекламных щитов. Кроме того, данные пакеты устройств могут использоваться для внутреннего освещения, в частности, для бытового освещения.
Светоизлучающее устройство данного типа описано в публикации WO 2005/109529, где светоизлучающий диод располагается на подложке и внутри коллиматора из керамического материала.
Метод, раскрытый в WO 2005/109529, однако, обычно требует, чтобы СИД-кристалл устанавливался в предварительно сформированной керамической коллиматорной структуре на подложке.
Следовательно, существует необходимость в усовершенствованном светоизлучающем устройстве, которое легче в изготовлении.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Целью настоящего изобретения является, по меньшей мере, частично преодолеть данную проблему и обеспечить светоизлучающее устройство, в котором коллимирующая структура может легко устанавливаться после того, как светоизлучающий диод размещается на подложке.
В первом аспекте настоящее изобретение касается способа изготовления светоизлучающего устройства, содержащего этапы:
- обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод;
- установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, путем присоединения упомянутого коллиматора к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал.
При использовании предлагаемого способа коллиматор может устанавливаться после установки СИД, что облегчает установку СИД.
В вариантах осуществления настоящего изобретения самоудерживающийся, преобразующий длину волны элемент оптически и физически присоединяют к светоизлучающей поверхности упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.
СИД с преобразующими длину волны пластинами испускает большую часть света в направлениях с высоким углом к нормали подложки. Следовательно, использование коллиматора является очень выгодным для таких применений.
В вариантах осуществления настоящего изобретения этап присоединения такого коллиматора к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке содержит размещение предшественника связующего материала и его упрочнение с образованием связующего материала.
Жидкий связующий материал может легко распределяться и т.д., позволяя определенную степень движения, например, подстройки положения коллиматора.
В варианте осуществления настоящего изобретения упомянутый коллиматор располагается на расстоянии от 10 до 200 мкм, в плоскости упомянутой подложки, от упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.
Коллиматор преимущественно располагается близко к СИД, чтобы поддерживать или минимизировать потерю светосилы светоизлучающего диода.
В вариантах осуществления данного изобретения упомянутый коллиматор формируют из металлического материала.
Коллиматоры, сделанные из металлического материала, могут быть изготовлены очень тонкими, в то же время имеющими высокую отражательную эффективность. Следовательно, они подходят для использования в подходе, где коллиматор приклеивают к подложке.
В вариантах осуществления настоящего изобретения коллиматор образуют с помощью, по меньшей мере, одного самоудерживающегося стенного элемента с толщиной материала в диапазоне от 100 до 500 мкм.
Во втором аспекте настоящее изобретение касается светоизлучающего устройства, содержащего, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, расположенный на подложке, и коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, для коллимации света, испускаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом. Данный коллиматор присоединен к упомянутой подложке и к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду посредством первого пропускающего связующего материала. Дополнительно следует заметить, что настоящее изобретение касается всех возможных комбинаций пунктов формулы изобретения.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ФИГУР ЧЕРТЕЖЕЙ
Эти и другие аспекты настоящего изобретения будут теперь описаны более подробно со ссылкой на приложенные чертежи, показывающие предпочтительный в настоящее время вариант осуществления данного изобретения.
Фиг.1 схематично изображает способ изготовления светоизлучающего устройства.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
Иллюстративный вариант осуществления устройства настоящего изобретения показан на фиг.1. Светоизлучающее устройство 100 этого варианта осуществления содержит кристалл 101 светоизлучающего диода (СИД), размещенный на подложке 102. Самоудерживающееся, преобразующее длину волны тело 105 оптически и физически присоединено к светоизлучающей поверхности 106 диода 101 с помощью пропускающего связующего материала 107.
Светоизлучающий диод 101 испускает свет, главным образом через его светоизлучающую поверхность, с первой длиной волны (или с первым интервалом длин волн с первой интенсивностью пика).
Преобразующее длину волны тело 105 приспособлено принимать и поглощать, по меньшей мере, часть света, испускаемого диодом 101, и преобразовывать поглощенный свет в свет со второй, большей длиной волны (или со вторым интервалом длин волн с интенсивностью пика при большей длине волны). Преобразование длины волны происходит благодаря преобразующим длину волны материалам, таким как флуоресцентные и/или фосфоресцентные материалы, содержащиеся в преобразующем длину волны теле.
СИД-кристалл 101 обычно присоединяется к проводящим линиям (не показаны) для движения СИД кристалла.
Свет, испускаемый СИД и/или преобразованный преобразующим длину волны материалом, сводится коллиматором 103, который установлен сбоку, окружая СИД 101. Коллиматор 103 представляет собой отражающую поверхность, обращенную к СИД 101, и имеет воронкообразную форму с площадью сечения, которая увеличивается с расстоянием от подложки. Следовательно, стенки коллиматора выступают от СИД 101.
Коллиматор 103 физически присоединяется к СИД 101 и подложке 102 с помощью прозрачного отвержденного связующего материала 104, такого как клей.
Чтобы сохранить силу света от СИД как можно больше, существенно, что стенки коллиматора расположены близко к боковым сторонам СИД 101. В предпочтительном варианте осуществления, показанном на фиг. 1, стенки расположены на расстоянии менее 100 мкм от боковой поверхности СИД.
Здесь считается, что светоизлучающий диод или СИД относится к любому типу светоизлучающих диодов, известных специалистам в данной области техники, и включает в себя обычные СИД на неорганической основе, а также СИД на органической основе (ОСИД) и СИД на полимерной основе.
СИД кристалл предпочтительно имеет тип "перевернутого кристалла", где оба вывода расположены на одной стороне кристалла. Эта конструкция облегчает размещение преобразующего длину волны тела на светоизлучающей поверхности данного устройства. Однако другие типы кристаллов СИД также подходят для использования в настоящем изобретении.
СИД для использования в настоящем изобретении может испускать свет любого цвета от УФ диапазона до ИК диапазона, включая диапазон видимого света. Однако, так как преобразующие длину волны материалы обычно преобразуют свет путем красного смещения, часто желательно использовать СИД, излучающий свет в УФ/синем диапазоне, так как такой свет может быть преобразован, по существу, в любой другой цвет.
Преобразующий длину волны материал для использования в настоящем изобретении предпочтительно представляет собой флуоресцентный и/или фосфоресцентный материал, который возбуждается не преобразованным светом и испускает свет при релаксации.
В предпочтительном в настоящее время варианте осуществления преобразующее длину волны тело формируют в самоудерживающееся, преобразующее длину волны тело 105, содержащее или состоящее из преобразующего длину волны материала.
В одном варианте осуществления самоудерживающееся, преобразующее длину волны тело может быть образовано из прессованного керамического материала, по существу, из преобразующего длину волны материала или размерно-устойчивого матричного материала, такого как ПММА (полиметилметакрилат) или другие материалы, но не ограничиваясь ими, который может быть легирован частицами и содержать введенные, преобразующие длину волны частицы. В другом варианте осуществления самонесущее, преобразующее длину волны тело может содержать керамический материал, имеющий плотность больше чем 97% от теоретической плотности твердого тела.
Примеры люминофоров, которые могут быть сформированы в люминесцентные керамические слои, включают в себя гранатные люминофоры с общей формулой (Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:CeaPrb, где 0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0,1, 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1, такие как Lu3Al5O12:Ce3+ и Y3Al5O12:Ce3+, которые испускают свет в желто-зеленом диапазоне; и (Sr1-x-yBaxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz 2+, 0≤a<5, 0<x≤1, 0≤y≤1 и 0<z≤1, такие как Sr2Si5N8:Eu2+, которые испускают свет в красном диапазоне. Подходящие Y3Al5O12:Ce3+ керамические заготовки могут быть заказаны от Baikowski International Corporation of Charlotte, N.C. Другие зеленые, желтые или красные излучающие люминофоры также могут быть пригодными, включая (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua 2+ (a=0,002-0,2, b=0,0-0,25, c=0,0-0,25, x=1,5-2,5, z=1,5-2,5), включая, например, SrSi2N2O2:Eu2+; (Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+, включая, например, SrGa2S4:Eu2+; Sr1-xBaxSiO4:Eu2+; и (Ca1-xSrx)S:Eu2+, где 0<x≤1, включая, например, CaS:Eu2+ и SrS:Eu2+. Кроме того, материалы, подобные SSONe, CeCAS, также могут быть использованы.
Самонесущее, преобразующее длину волны тело обычно формируют в плоскую пластину или куполообразное тело (имеющее плоскую поверхность в направлении СИД), или любую другую форму, которая может подходить применению данного устройства. Преобразующее длину волны тело в форме плоской пластины для использования в настоящем изобретении обычно имеет толщину от 10 до 1000 мкм, например, приблизительно от 100 до 500 мкм, например, около 250 мкм.
Связующий материал 107 для использования при оптическом и физическом присоединении самоудерживающегося, преобразующего длину волны тела 105 к СИД предпочтительно является, по существу, пропускающим, по меньшей мере, для не преобразованного света с первой длиной волны.
Примеры связующих материалов, которые пригодны для использования, зависят от приложения, материала светоизлучающей поверхности СИД, материала преобразующего длину волны тела и от температур, которым должен подвергаться связующий материал.
Примеры связующих материалов включают в себя, например, низкоплавкое стекло, эпоксидные материалы, пропускающие полимеры, цианакрилатные адгезивы, УФ-отверждаемые адгезивы и силоксаны, такие как ПДМС.
Коллиматор 103 обычно содержит один или несколько самонесущих стенных элементов из высокоотражающего материала, такого как металлический материал, обычно металлическая фольга, такого как серебро, золото, алюминий, титан и т.д.
Один пример такого высокоотражающего материала представляет собой Miro® от Alanod.
Предпочтительно, стенные элементы представляют собой тонкие стенки, обычно имеющие толщину приблизительно от 100 до 500 мкм, или твердое тело с внутренней отражающей камерой.
Высота коллиматора и угол, образуемый внутренними стенками коллиматора по отношению к нормали к поверхности, зависит от приложения и желаемой степени коллимации света.
Стенные элементы могут быть прямыми или изогнутыми, образуя коллиматор V-образной или U-образной формы. Коллиматор уменьшает углы источника и смешивает свет у выходного окна до однородного распределения света. В случае проекционных дисплеев, выходное окно может отображаться с помощью линзы-расширителя и полевой линзы непосредственно на дисплей, где обычно требуются смешивающие стержни, интеграторы или другие гомогенизаторы.
Обычно высота коллиматора (считая от поверхности подложки) составляет приблизительно от 5 до 15 мм.
Обычно угол, образуемый внутренними стенками коллиматора по отношению к нормали к подложке, составляет от 5 до 15°.
Коллиматор 103 физически присоединяется к СИД 101 и подложке 102 с помощью прозрачного связующего материала 104. Связующий материал 104 является оптически пропускающим, помогая выходить свету, генерируемому в СИД-кристалле.
Связующий материал 104 предпочтительно является затвердевшим, по существу, жестким и не гибким материалом, образованным путем затвердевания in situ, такого как отверждение, материала предшественника. Примеры связующих материалов для использования в настоящем изобретении включают в себя материалы на основе кремния, такие как силиконовые материалы (например, ПДМС), и эпоксидные материалы, например, Shin-etsu.
Кроме того, связующий материал 104 может инкапсулировать СИД 101 и, возможно, и если присутствует, преобразующую длину волны пластину 105, чтобы защищать эту сборку от внешних воздействий, таких как удар или царапанье.
Согласно настоящему изобретению светоизлучающий диод 100 может быть изготовлен, как описано ниже.
СИД 101, возможно обеспеченный преобразующим длину волны телом 105, как описано выше, размещают на подложке 102.
Коллиматор 103 затем размещают на подложке, окружая боковые стороны СИД, путем использования связующего материала. Коллиматор 103 может быть предварительно сформированным, или, альтернативно, коллиматор 103 формируют на подложке 102, размещая два или больше стенных элементов, совместно формирующих коллиматор. Коллиматор размещают на подложке до, после или одновременно с отложением предшественника связующего материала. Предшественник связующего материала осаждают так, что он находится в контакте с СИД 101, подложкой 102 и коллиматором 103.
Затем материал предшественника связующего материала затвердевает, например отверждается, в связующий материал 104, физически присоединяя коллиматор 103 к подложке и физически и оптически присоединяя коллиматор 103 к СИД 101. Необязательно, связующий материал также находится в контакте с преобразующим длину волны телом 105.
Специалист в данной области техники поймет, что настоящее изобретение никоим образом не ограничивается предпочтительными вариантами осуществления, описанными выше. Напротив, много модификаций и вариаций возможны внутри объема приложенной формулы изобретения. Например, больше чем один, например, два или больше, светоизлучающих диодов могут располагаться в одной и той же коллимирующей структуре. Кроме того, больше чем один, например, два или больше, светоизлучающих диодов могут присоединяться к одному и тому же самоудерживающемуся, преобразующему длину волны телу. Кроме того, следует отметить, что, хотя вышеприведенное описание главным образом касается преобразующего длину волны материала, содержащегося в самоудерживающемся, преобразующем длину волны теле, настоящее изобретение не ограничивается этим, и преобразующий длину волны материал может, например, осаждаться напылением в виде порошка на светоизлучающую поверхность СИД.
Claims (10)
1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы, согласно которым:
- обеспечивают подложку, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод;
- устанавливают коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм, путем того, что
присоединяют упомянутый коллиматор к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и/или упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал.
- обеспечивают подложку, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод;
- устанавливают коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм, путем того, что
присоединяют упомянутый коллиматор к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и/или упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал.
2. Способ по п.1, в котором самонесущий, преобразующий длину волны элемент оптически и физически присоединяют к светоизлучающей поверхности упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.
3. Способ по п.1, в котором на этапе присоединения упомянутого коллиматора к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и/или упомянутой подложке размещают предшественник связующего материала и упрочняют указанный предшественник, образуя связующий материал.
4. Способ по п.1, в котором упомянутый коллиматор располагают на расстоянии от 10 до 200 мкм, в плоскости упомянутой подложки, от упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.
5. Способ по п.1, в котором упомянутый коллиматор формируют из металлического материала.
6. Светоизлучающее устройство (100), содержащее, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, расположенный на подложке, и коллиматор, по меньшей мере, частично окружающий сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, для коллимации света, испускаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом, при этом упомянутый коллиматор содержит, по меньшей мере, один самонесущий элемент стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм, присоединенный к упомянутой подложке и к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду посредством первого пропускающего связующего материала.
7. Светоизлучающее устройство по п.6, в котором самонесущий, преобразующий длину волны элемент оптически и физически присоединен к светоизлучающей поверхности упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.
8. Светоизлучающее устройство по п.6, где упомянутый коллиматор сформирован с помощью металлического материала.
9. Светоизлучающее устройство по п.6, в котором расстояние в плоскости упомянутой подложки между упомянутым коллиматором и упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом находится в диапазоне от 10 до 100 мкм.
10. Светоизлучающее устройство по п.6, в котором упомянутый коллиматор имеет воронкообразную форму с площадью сечения, которая постепенно увеличивается с расстоянием вдоль нормали к упомянутой подложке от упомянутой подложки.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP08159402 | 2008-07-01 | ||
| EP08159402.0 | 2008-07-01 | ||
| PCT/IB2009/052718 WO2010001309A1 (en) | 2008-07-01 | 2009-06-24 | Close proximity collimator for led |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011103456A RU2011103456A (ru) | 2012-08-10 |
| RU2501122C2 true RU2501122C2 (ru) | 2013-12-10 |
Family
ID=41210907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011103456/28A RU2501122C2 (ru) | 2008-07-01 | 2009-06-24 | Близкорасположенный коллиматор для сид |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110095328A1 (ru) |
| EP (1) | EP2294635A1 (ru) |
| JP (1) | JP5770084B2 (ru) |
| KR (1) | KR101582522B1 (ru) |
| CN (1) | CN102084508B (ru) |
| RU (1) | RU2501122C2 (ru) |
| TW (1) | TWI570950B (ru) |
| WO (1) | WO2010001309A1 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110116262A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Phoseon Technology, Inc. | Economical partially collimating reflective micro optical array |
| DE102010008605A1 (de) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauteil |
| WO2019027952A1 (en) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | Lumileds Llc | METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE |
| CN113972235A (zh) * | 2020-07-22 | 2022-01-25 | 群创光电股份有限公司 | 制造发光装置的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2220478C2 (ru) * | 2001-11-23 | 2003-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" | Источник света |
| WO2005109529A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting-diode chip package and a collimator |
| EP1794491A1 (en) * | 2004-09-20 | 2007-06-13 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Led collimator element with an asymmetrical collimator |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856483A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| US7351470B2 (en) * | 1998-02-19 | 2008-04-01 | 3M Innovative Properties Company | Removable antireflection film |
| JP2000183407A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置 |
| AU2003238234A1 (en) * | 2002-06-13 | 2003-12-31 | Cree, Inc. | Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor |
| US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
| US20050133808A1 (en) * | 2003-09-11 | 2005-06-23 | Kyocera Corporation | Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus |
| JP4773048B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-09-14 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| JP4289144B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2009-07-01 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| WO2005083805A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ｌｅｄ光源 |
| US20050225222A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Joseph Mazzochette | Light emitting diode arrays with improved light extraction |
| DE102004053116A1 (de) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material |
| KR100674831B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-01-25 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP4845370B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-12-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
| JP2008545269A (ja) * | 2005-07-01 | 2008-12-11 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | 白色発光ダイオード及びダイオードアレイを有する照明装置、それらの製造方法及び製造装置 |
| KR100637476B1 (ko) * | 2005-11-09 | 2006-10-23 | 알티전자 주식회사 | 측면발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2007194522A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとその製造方法 |
| JP4891626B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-03-07 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP4828248B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-11-30 | 新光電気工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US7682850B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-03-23 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | White LED for backlight with phosphor plates |
| US7626210B2 (en) * | 2006-06-09 | 2009-12-01 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Low profile side emitting LED |
| WO2008015617A2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light- combining and collimating device |
| CN101529308A (zh) * | 2006-10-20 | 2009-09-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有准直结构的发光设备 |
| CN100555691C (zh) * | 2007-09-11 | 2009-10-28 | 东南大学 | 提高功率型发光二极管出光效率的封装结构 |
-
2009
- 2009-06-24 KR KR1020117002477A patent/KR101582522B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-24 US US13/000,038 patent/US20110095328A1/en not_active Abandoned
- 2009-06-24 RU RU2011103456/28A patent/RU2501122C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-06-24 EP EP09772969A patent/EP2294635A1/en not_active Ceased
- 2009-06-24 CN CN200980125659.7A patent/CN102084508B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 JP JP2011515705A patent/JP5770084B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 WO PCT/IB2009/052718 patent/WO2010001309A1/en active Application Filing
- 2009-06-29 TW TW098121907A patent/TWI570950B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2220478C2 (ru) * | 2001-11-23 | 2003-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" | Источник света |
| WO2005109529A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting-diode chip package and a collimator |
| EP1794491A1 (en) * | 2004-09-20 | 2007-06-13 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Led collimator element with an asymmetrical collimator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201004001A (en) | 2010-01-16 |
| EP2294635A1 (en) | 2011-03-16 |
| JP2011526740A (ja) | 2011-10-13 |
| CN102084508B (zh) | 2016-01-20 |
| KR101582522B1 (ko) | 2016-01-06 |
| KR20110026002A (ko) | 2011-03-14 |
| RU2011103456A (ru) | 2012-08-10 |
| US20110095328A1 (en) | 2011-04-28 |
| JP5770084B2 (ja) | 2015-08-26 |
| WO2010001309A1 (en) | 2010-01-07 |
| TWI570950B (zh) | 2017-02-11 |
| CN102084508A (zh) | 2011-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2162925B1 (en) | Illumination device with a wavelength converting element held by a support structure having an aperture | |
| JP5926957B2 (ja) | 制御された角度の非一様性を備えるｌｅｄを有する装置及びその方法 | |
| TWI766032B (zh) | 發光裝置及發光裝置之製造方法 | |
| RU2538100C2 (ru) | Осветительное устройство с корпусом, заключающим в себе источник света | |
| KR101156096B1 (ko) | 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 및 그 제조방법 | |
| TWI447450B (zh) | 導光板結構、背光模組及其製造方法 | |
| US10184619B2 (en) | Light emitting device | |
| KR20110139154A (ko) | 반도체 발광 장치 | |
| US20130181243A1 (en) | Solid State Lighting Device | |
| JP2011511445A (ja) | ディスプレイを背面照明するための照明装置および同照明装置を備えたディスプレイ | |
| RU2501122C2 (ru) | Близкорасположенный коллиматор для сид | |
| JP2020057756A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP5811770B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| US20210336098A1 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the light-emitting device | |
| KR101878270B1 (ko) | 광여기 판을 포함하는 조명 장치 및 광여기 테이프 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20170331 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200625 |