RU2494499C1 - Method of making surface acoustic wave resonators - Google Patents
Method of making surface acoustic wave resonators Download PDFInfo
- Publication number
- RU2494499C1 RU2494499C1 RU2012104392/28A RU2012104392A RU2494499C1 RU 2494499 C1 RU2494499 C1 RU 2494499C1 RU 2012104392/28 A RU2012104392/28 A RU 2012104392/28A RU 2012104392 A RU2012104392 A RU 2012104392A RU 2494499 C1 RU2494499 C1 RU 2494499C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resonators
- inert gas
- frequency
- oxygen
- vol
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
Областью применения изобретения является микроэлектроника, а более конкретно, микроэлектроника интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ)-резонаторов, которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах, телекоммуникации и т.д. Важным параметром пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах является долговременная стабильность частоты. Известен способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах, приведенный в работе Sinha B.K. at al., "SAW oscillator frequency stability at high temperatures", IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectric and Frequency Control., Mar. 1990, vol.37, issue 2, pp.85-98., и принятый нами за аналог. Увеличение стабильности частоты по этому способу достигается за счет использования металлизации алюминия с подслоем хрома. Недостатком этого способа является сложность металлизации и наличие подслоя с высоким электрическим сопротивлением. Известен способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах при работе с высокими уровнями мощности (0,032-0,124 Вт), приведенный в патенте США №5039957 по кл.. 310/313A за 1991 г и принятый нами за прототип. Этот способ изготовления интегрального устройства на поверхностных акустических волнах включает операции нанесения металлизации на кварцевую подложку и изготовления структур резонаторов. Увеличение стабильности частоты по этому способу достигается за счет использования металлизации алюминия легированного кремнием, медью и титаном. Недостатком этого способа является сложность оборудования и технологии для металлизации.The scope of the invention is microelectronics, and more specifically, microelectronics of integrated piezoelectric devices based on surface acoustic waves (SAW) -resonators, which are widely used in avionics and on-board systems, telecommunications, etc. An important parameter of piezoelectric devices based on surface acoustic waves is the long-term frequency stability. A known method of manufacturing resonators on surface acoustic waves described in the work of Sinha B.K. at al., "SAW oscillator frequency stability at high temperatures", IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectric and Frequency Control., Mar. 1990, vol. 37, issue 2, pp. 85-98., And adopted by us as an analogue. The increase in frequency stability by this method is achieved through the use of metallization of aluminum with a chromium sublayer. The disadvantage of this method is the complexity of metallization and the presence of a sublayer with high electrical resistance. A known method of manufacturing resonators on surface acoustic waves when working with high power levels (0.032-0.124 W), is shown in US patent No. 5039957 for class. 310 / 313A for 1991 and adopted by us for the prototype. This method of manufacturing an integrated device on surface acoustic waves includes the steps of applying metallization to a quartz substrate and manufacturing resonator structures. The increase in frequency stability by this method is achieved through the use of metallization of aluminum alloyed with silicon, copper and titanium. The disadvantage of this method is the complexity of the equipment and technology for metallization.
Задачей, на решение которой направлено предложенное изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в увеличении долговременной стабильности частоты резонаторов на ПАВ.The problem to which the invention is directed is to achieve a technical result, which consists in increasing the long-term stability of the frequency of the resonators on the surfactant.
Данный технический результат достигается в способе изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающем травление кварцевой подложки, нанесение металлизации на подложку, изготовление структур резонаторов, монтаж резонаторов в корпуса и проведение сухой обработки в две стадии, причем на первой стадии проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси кислорода и инертного газа, при этом в качестве инертного газа используют или гелий, или неон, или аргон при плотности ВЧ-мощности от 0,02 до 0,08 Вт/см и при давлении от 80 до 150 Па, содержании кислорода от 3 до 15 об.%, содержании инертного газа - от 85 до 97 об.%, а на второй стадии проводят процесс настройки частоты резонаторов путем реактивного ионно-лучевого травления во фторсодержащем разряде.This technical result is achieved in a method for manufacturing resonators on surface acoustic waves, including etching a quartz substrate, applying metallization to a substrate, manufacturing resonator structures, mounting resonators in housings and carrying out dry processing in two stages, the first stage of which is the removal of organic residues from the surface resonators in a plasma of a mixture of oxygen and an inert gas, while either helium, or neon, or argon at a high-frequency density are used as an inert gas from 0.02 to 0.08 W / cm and at a pressure of 80 to 150 Pa, an oxygen content of 3 to 15 vol.%, an inert gas content of 85 to 97 vol.%, and in the second stage, the tuning process resonator frequencies by reactive ion-beam etching in a fluorine-containing discharge.
Таким образом, отличительными признаками изобретения являются: проведение сухой обработки в две стадии, причем на первой стадии проводят удаление органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси кислорода и инертного газа, при этом в качестве инертного газа используют или гелий, или неон, или аргон при плотности ВЧ-мощности от 0,02 до 0,08 Вт/см3 и при давлении от 80 до 150 Па, содержании кислорода от 3 до 15 об.%, содержании инертного газа - от 85 до 97 об.%, а на второй стадии проведят настройку частоты резонаторов реактивным ионно-лучевым травлением во фторсодержащем разряде.Thus, the distinguishing features of the invention are: carrying out dry processing in two stages, and in the first stage, organic residues are removed from the surface of the resonators in a plasma of a mixture of oxygen and an inert gas, while either helium, or neon, or argon are used as the inert gas the density of the RF power from 0.02 to 0.08 W / cm 3 and at a pressure of from 80 to 150 Pa, an oxygen content of 3 to 15 vol.%, an inert gas content of 85 to 97 vol.%, and on the second the stages will adjust the frequency of the reactive ion beam resonators etching in fluorine-containing discharge.
Перечисленные отличительные признаки позволяют достичь технического результата, заключающегося в увеличении долговременной стабильности частоты резонаторов на ПАВ.These distinctive features allow you to achieve a technical result, which consists in increasing the long-term stability of the frequency of the resonators on the surfactant.
Предлагаемые процессы удаления органических остатков и настройки проводят на резонаторах, смонтированных в корпус, причем крышки резонаторов на время этих обработок снимают.The proposed processes for the removal of organic residues and settings are carried out on resonators mounted in the housing, and the covers of the resonators are removed for the duration of these treatments.
В ходе проведенных нами экспериментов была установлена зависимость изменения частот резонаторов от типа обработки, которая приведена в таблице 1. В таблице 1 приведены средние значения изменений частот при различных обработках резонаторов. Как видно из данных, приведенных в таблице, резонаторы, которые не прошли обработку ни в кислородсодержащем ни во фторсодержащем газовом разряде (см. п. №1 таблицы) или прошедшие обработку только в кислородсодержащем газовом разряде (см. п. №2 таблицы), имеют стабильности частот почти вдвое меньшую чем у резонаторов, прошедших обработку только во фторсодержащем газовом разряде (см. п. №3 таблицы). Однако, резонаторы, которые не проходили обработку во фторсодержащем разряде (см. п. №2 таблицы) имеют существенный недостаток, заключающийся в том, что их частоты, как правило, не находятся в номинальных значениях. С другой стороны, резонаторы, прошедшие обработку и в кислородсодержащем и во фторсодержащем разряде (см. п. №4 таблицы) имеют номинальные частоты и стабильность частот в 9 раз лучшую, чем у контрольных (см. п. №3 таблицы) резонаторов (прошедших только процесс настройки частоты во фторсодержащем газовом разряде и на которых не проводили процесс удаления остатков органики в плазме).In the course of our experiments, we found the dependence of the change in the frequencies of the resonators on the type of processing, which is shown in Table 1. Table 1 shows the average values of the frequency changes during various treatments of the resonators. As can be seen from the data given in the table, resonators that have not undergone treatment in either an oxygen-containing or a fluorine-containing gas discharge (see paragraph 1 of the table) or processed only in an oxygen-containing gas discharge (see paragraph 2 of the table), they have frequency stability almost half that of resonators that have been processed only in a fluorine-containing gas discharge (see paragraph 3 of the table). However, resonators that did not undergo processing in a fluorine-containing discharge (see paragraph 2 of the table) have a significant drawback, namely, that their frequencies, as a rule, are not in nominal values. On the other hand, resonators that have undergone processing in both an oxygen-containing and a fluorine-containing discharge (see paragraph 4 of the table) have nominal frequencies and frequency stability is 9 times better than control (see paragraph 3 of the table) resonators (passed only the process of adjusting the frequency in a fluorine-containing gas discharge and on which the process of removing organic residues in the plasma was not performed).
Вероятно, механизм процесса удаления органики в плазме выглядит следующим образом. Монтаж резонаторов в корпуса проводят с использованием кремнийорганического клея и во время монтажа пары растворителя вместе с молекулами клея осаждаются по всей поверхности резонатора и корпуса. На этот тонкий гидрофильный слой органики могут адсорбироваться молекулы водяных паров, которые связываются с этим слоем органики посредством достаточно прочных водородных связей (энергия водородной связи - до 50 кДж/моль). Для уменьшения адсорбции паров воды, являющейся причиной нестабильности частоты резонаторов на ПАВ и проводят процесс удаления в плазме органики, обладающей гидрофильными свойствами. В плазме смеси кислорода и инертного газа удаление органики происходит посредством взаимодействия с химически активными частицами кислорода. Однако, присутствие в смеси инертного газа позволяет проводить удаление органики с более высокой степенью очистки, чем если бы оно проходило в плазме чистого кислорода. В связи с тем, что в плазме смеси кислорода и инертного газа количество кислорода в 7-30 раз меньше, чем инертного газа, то вероятность образования радикалов RO и ROO (где R - углеводород) в смеси пропорционально будет ниже по сравнению с плазмой чистого кислорода. Так как на атомах инертного газа гибнут радикалы RO и ROO, которые инициируют образование нелетучих полимеров, то образование нелетучих полимеров также подавляется. Отсутствие в процессе удаления органических остатков осаждения нелетучих полимеров из плазмы является причиной более высокой степени очистки от органики, что уменьшает адсорбцию паров воды на поверхности резонаторов. Следует отметить, что процесс удаления органических остатков имеет увеличенную продолжительность, что можно связать с удалением именно кремнийорганических остатков. Возможно, увеличение долговременной стабильности резонаторов обусловлено также тем, что в процессе настройки частоты резонаторов путем реактивного ионно-лучевого травления во фторсодержащем разряде, происходит замещение более реакционно-способного оксида алюминия металлизации с энергией диссоциации молекулы A10 равной 120 ккал/моль на менее реакционно-способное соединение - фторид алюминия с энергией диссоциации молекулы A1F равной 160 ккал/моль. Совместное последовательное действие процессов удаления органических остатков и настройки частоты резонаторов во фторсодержащем разряде дает синергетический эффект значительного увеличения долговременной стабильности резонаторов.Probably, the mechanism of the process of removing organics in plasma is as follows. The installation of the resonators in the housing is carried out using organosilicon glue and during the installation of the solvent vapor together with the adhesive molecules are deposited over the entire surface of the resonator and the housing. Water vapor molecules can be adsorbed onto this thin hydrophilic layer of organic matter, which bind to this organic layer through sufficiently strong hydrogen bonds (hydrogen bond energy - up to 50 kJ / mol). To reduce the adsorption of water vapor, which is the cause of the instability of the frequency of the resonators on surfactants, the process of removing organics with hydrophilic properties in the plasma is carried out. In a plasma of a mixture of oxygen and an inert gas, the removal of organics occurs through interaction with chemically active oxygen particles. However, the presence of an inert gas in the mixture allows the removal of organics with a higher degree of purification than if it took place in a pure oxygen plasma. Due to the fact that the amount of oxygen in the plasma of a mixture of oxygen and inert gas is 7-30 times less than that of an inert gas, the probability of the formation of the radicals RO and ROO (where R is a hydrocarbon) in the mixture will be proportionally lower compared to a pure oxygen plasma . Since the radicals RO and ROO, which initiate the formation of non-volatile polymers, die on the atoms of inert gas, the formation of non-volatile polymers is also suppressed. The absence of non-volatile polymers from the plasma during the removal of organic residues causes a higher degree of purification from organics, which reduces the adsorption of water vapor on the surface of the resonators. It should be noted that the process of removing organic residues has an increased duration, which can be associated with the removal of organosilicon residues. It is possible that the increase in the long-term stability of the resonators is also due to the fact that in the process of tuning the frequency of the resonators by reactive ion-beam etching in a fluorine-containing discharge, a more reactive metallization alumina is replaced with an A10 molecule dissociation energy of 120 kcal / mol to a less reactive the compound is aluminum fluoride with an dissociation energy of the A1F molecule of 160 kcal / mol. The combined sequential action of the processes of removing organic residues and tuning the frequency of the resonators in the fluorine-containing discharge gives a synergistic effect of a significant increase in the long-term stability of the resonators.
При содержании в газовой смеси кислорода менее 3 об.% скорость удаления органики мала, а при содержании в ней кислорода более 15 об.% происходит образование и осаждение из плазмы нелетучих полимеров. При проведении процесса при плотности ВЧ-мощности менее 0.02 Вт/см3 мала скорость удаления органики, а при плотности ВЧ-мощности более 0.08 Вт/см3 рост скорости удаления органики замедляется. При проведении процесса при давлении менее 80 Па скорость удаления органики мала, а при давлении более 150 Па происходит образование нелетучих полимеров. Проведенные патентные исследования показали, что совокупность признаков патентуемого способа является новой и патентуемое изобретение соответствует критерию новизны.When the oxygen mixture contains less than 3 vol.% Oxygen in the gas mixture, the organic removal rate is low, and when the oxygen content in it is more than 15 vol.%, Non-volatile polymers are formed and deposited from the plasma. When carrying out the process at an RF power density of less than 0.02 W / cm 3 , the organic removal rate is low, and at an RF power density of more than 0.08 W / cm 3, the growth of the organic removal rate slows down. When carrying out the process at a pressure of less than 80 Pa, the rate of removal of organics is small, and at a pressure of more than 150 Pa, the formation of non-volatile polymers occurs. The patent studies showed that the combination of features of the patented method is new and the patented invention meets the criterion of novelty.
Примеры реализации способа.Examples of the method.
Пример 1.Example 1
Изготавливают, применяя обратную литографию, ПАВ-резонаторы на подложке монокристаллического кварца ST-cpeзa (yxl/42°45'). Шаг между встречно-штыревыми преобразователями и толщина алюминиевой металлизации соответствует центральной частоте резонатора 0,5-1,1 ГГц. Изготовленные структуры ПАВ-резонаторов монтируют, применяя кремнийорганический клей СИЭЛ, в корпуса TO-39, размещают эти корпуса со снятыми крышками внутри плазмохимического реактора на металлическом держателе и проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси 8 об.% кислорода и 92 об.% гелия при плотности ВЧ-мощности 0,03 Вт/см3 при давлении 120 Па в течение 16 мин. Затем проводят процесс настройки частоты резонатора, применяя реактивное ионно-лучевое травление во фторсодержащем газовом разряде, и процесс герметизации резонаторов. Долговременную стабильность определяли по изменению центральной частоты при старении герметизированных резонаторов при температуре 125°C в течение времени, в ходе которого происходит эквивалентное старение резонаторов, возникающее при температуре 60°C в течение года. Согласно проведенным измерениям на анализаторе характеристик четырехполюсников фирмы Agilent Technology эти резонаторы имеют долговременную стабильность частоты не менее чем в 9 раз большую, чем у контрольных резонаторов (прошедших только процесс настройки частоты во фторсодержащем газовом разряде и на которых не проводили процесс удаления остатков органики в плазме).Surfactant resonators are manufactured using reverse lithography on a ST-cut single-crystal quartz substrate (yxl / 42 ° 45 '). The step between the interdigital transducers and the thickness of the aluminum metallization corresponds to the center frequency of the resonator 0.5-1.1 GHz. The fabricated structures of SAW resonators are mounted using SIEL silicone glue in TO-39 housings, these housings are placed with the covers removed inside the plasma chemical reactor on a metal holder, and the process of removing organic residues from the resonator surface in a plasma of a mixture of 8 vol.% Oxygen and 92 vol. % helium at an RF power density of 0.03 W / cm 3 at a pressure of 120 Pa for 16 minutes Then, the resonator frequency tuning process is carried out using reactive ion-beam etching in a fluorine-containing gas discharge, and the process of sealing the resonators. Long-term stability was determined by the change in the center frequency during aging of the sealed resonators at a temperature of 125 ° C during the time during which the equivalent aging of the resonators occurs at a temperature of 60 ° C during the year. According to measurements performed on an Agilent Technology four-port characteristics analyzer, these resonators have a long-term frequency stability of at least 9 times greater than that of control resonators (which underwent only the frequency tuning process in a fluorine-containing gas discharge and which did not carry out the process of removing organic residues in the plasma) .
Пример 2.Example 2
Изготавливают, применяя обратную литографию, ПАВ-резонаторы на подложке монокристаллического кварца среза 37°. Шаг между встречно-штыревыми преобразователями соответствует центральной частоте резонатора 1,2-1,4 ГГц.Surfactant resonators on a substrate of single-crystal quartz slice 37 ° are made using reverse lithography. The step between the interdigital converters corresponds to the center frequency of the resonator 1.2-1.4 GHz.
Изготовленные структуры ПАВ-резонаторов монтируют, применяя кремнийорганический клей СИЭЛ, в корпуса, размещают эти корпуса со снятыми крышками внутри плазмохимического реактора на металлическом держателе и проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси 3 об.% кислорода и 97 об.% неона при плотности ВЧ-мощности 0,08 Вт/см3 при давлении 150 Па в течение 12 мин. Затем проводят процесс настройки частоты резонатора, применяя реактивное ионно-лучевое травление во фторсодержащем газовом разряде, и процесс герметизации резонаторов. Согласно проведенным измерениям эти резонаторы имеют долговременную стабильность частоты не менее чем в 9 раз большую, чем у контрольных резонаторов.The fabricated structures of SAW resonators are mounted using SIEL silicone glue in the housings, these housings are placed with the covers removed inside the plasma chemical reactor on a metal holder and the process of removing organic residues from the surface of the resonators in the plasma of a mixture of 3 vol.% Oxygen and 97 vol.% Neon at an RF power density of 0.08 W / cm 3 at a pressure of 150 Pa for 12 minutes Then, the resonator frequency tuning process is carried out using reactive ion-beam etching in a fluorine-containing gas discharge, and the process of sealing the resonators. According to measurements, these resonators have a long-term frequency stability of at least 9 times greater than that of the control resonators.
Пример 3.Example 3
Изготавливают, применяя обратную литографию, ПАВ-резонаторы на подложке монокристаллического кварца среза 37°. Шаг между встречно-штыревыми преобразователями соответствует центральной частоте резонатора 1,5-1,7 ГГц. Изготовленные структуры ПАВ-резонаторов монтируют, применяя кремнийорганический клей СИЭЛ, в корпуса, размещают эти корпуса со снятыми крышками внутри плазмохимического реактора на металлическом держателе и проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси 15 об.% кислорода и 85 об.% аргона при плотности ВЧ-мощности 0,02 Вт/см3 при давлении 80 Па в течение 10 мин. Затем проводят процесс настройки частоты резонатора, применяя реактивное ионно-лучевое травление во фторсодержащем газовом разряде, и процесс герметизации резонаторов. Согласно проведенным измерениям эти резонаторы имеют долговременную стабильность частоты не менее чем в 9 раз большую, чем у контрольных резонаторов.Surfactant resonators on a substrate of single-crystal quartz slice 37 ° are made using reverse lithography. The step between the interdigital converters corresponds to the center frequency of the resonator 1.5-1.7 GHz. The fabricated structures of SAW resonators are mounted using SIEL silicone glue in the housings, these housings are placed with the covers removed inside the plasma chemical reactor on a metal holder, and the process of removing organic residues from the surface of the resonators in the plasma of a mixture of 15 vol.% Oxygen and 85 vol.% Argon at an RF power density of 0.02 W / cm 3 at a pressure of 80 Pa for 10 minutes Then, the resonator frequency tuning process is carried out using reactive ion-beam etching in a fluorine-containing gas discharge, and the process of sealing the resonators. According to measurements, these resonators have a long-term frequency stability of at least 9 times greater than that of the control resonators.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104392/28A RU2494499C1 (en) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Method of making surface acoustic wave resonators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104392/28A RU2494499C1 (en) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Method of making surface acoustic wave resonators |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012104392A RU2012104392A (en) | 2013-08-20 |
| RU2494499C1 true RU2494499C1 (en) | 2013-09-27 |
Family
ID=49162425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012104392/28A RU2494499C1 (en) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Method of making surface acoustic wave resonators |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2494499C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2643501C1 (en) * | 2017-05-29 | 2018-02-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Resonator on surface acoustic waves |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2235533A (en) * | 1989-08-11 | 1991-03-06 | Stc Plc | Piezoelectric sensor device |
| US5039957A (en) * | 1990-05-07 | 1991-08-13 | Raytheon Company | High power surface acoustic wave devices having copper and titanium doped aluminum transducers and long-term frequency stability |
| SU1228722A3 (en) * | 1984-08-24 | 1994-02-28 | Алейникова Елизавета Абрамовна | Method of manufacturing surface-acoustic wave resonators |
| RU1762727C (en) * | 1990-03-11 | 1994-03-30 | Кислякова Ольга Васильевна | Method of manufacture of ground acoustical wave resonators |
| SU1762726A1 (en) * | 1990-03-11 | 1997-02-10 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Method of fine tuning of acoustical surface-wave resonator center frequency |
| US20040189146A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
| JP2006246538A (en) * | 2006-05-31 | 2006-09-14 | Fujitsu Media Device Kk | Surface acoustic wave device |
-
2012
- 2012-02-09 RU RU2012104392/28A patent/RU2494499C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1228722A3 (en) * | 1984-08-24 | 1994-02-28 | Алейникова Елизавета Абрамовна | Method of manufacturing surface-acoustic wave resonators |
| GB2235533A (en) * | 1989-08-11 | 1991-03-06 | Stc Plc | Piezoelectric sensor device |
| RU1762727C (en) * | 1990-03-11 | 1994-03-30 | Кислякова Ольга Васильевна | Method of manufacture of ground acoustical wave resonators |
| SU1762726A1 (en) * | 1990-03-11 | 1997-02-10 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Method of fine tuning of acoustical surface-wave resonator center frequency |
| US5039957A (en) * | 1990-05-07 | 1991-08-13 | Raytheon Company | High power surface acoustic wave devices having copper and titanium doped aluminum transducers and long-term frequency stability |
| US20040189146A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
| JP2006246538A (en) * | 2006-05-31 | 2006-09-14 | Fujitsu Media Device Kk | Surface acoustic wave device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2643501C1 (en) * | 2017-05-29 | 2018-02-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Resonator on surface acoustic waves |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012104392A (en) | 2013-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102433349B1 (en) | Composite substrate, surface acoustic wave device and manufacturing method of composite substrate | |
| Okano et al. | Preparation of c-axis oriented AlN thin films by low-temperature reactive sputtering | |
| JP2019096888A (en) | High-selectivity and low-stress carbon hard mask by pulsed low-frequency rf power | |
| KR102519924B1 (en) | Lithium tantalate single crystal substrate, bonded substrate thereof, manufacturing method, and surface acoustic wave device using the substrate | |
| EP1612857B1 (en) | Cvd apparatus and method for cleaning cvd apparatus | |
| KR102221064B1 (en) | Method of Depositing Silicon Dioxide Films | |
| JP2006319679A (en) | Compound piezoelectric substrate | |
| CN111123665A (en) | Plasma photoresist removing method for surface acoustic wave device | |
| WO2021225102A1 (en) | Method for manufacturing composite substrate provided with piezoelectric single crystal film | |
| CN104862659A (en) | Medium-frequency magnetron reactive sputtering method for aluminum nitride film | |
| CN109302159B (en) | Composite substrate and method for manufacturing film bulk acoustic resonator by using same | |
| JP2000201050A (en) | Substrate for surface acoustic wave device and manufacture of the same | |
| RU2494499C1 (en) | Method of making surface acoustic wave resonators | |
| EP3920417A2 (en) | Composite substrate for surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
| JP2019097145A (en) | Composite substrate for surface acoustic wave element, and manufacturing method thereof | |
| JP2005039004A (en) | System and method for plasma etching | |
| JP5912468B2 (en) | Etching method and thin film transistor manufacturing method | |
| JP4037154B2 (en) | Plasma processing method | |
| CN102122936A (en) | Aluminum nitride piezoelectric membrane for surface acoustic wave (SAW) device and preparation method thereof | |
| Omar et al. | FTIR spectroscopy characterization of Si-C bonding in SiC thin film prepared at room temperature by conventional 13.56 MHz RF PECVD | |
| JPH08195635A (en) | Manufacture of surface acoustic wave device | |
| RU2452079C1 (en) | Method of tuning resonator on surface acoustic waves | |
| JP2004292228A (en) | Method of manufacturing potassium niobate single crystal thin film, surface acoustic wave element, frequency filter, frequency oscillator, electronic circuit and electronic appliance | |
| Ralib et al. | Dependence of preferred c-axis orientation on RF magnetron sputtering power for AZO/Si acoustic wave devices | |
| KR20230011032A (en) | Method for substrate processing apparatus and substrate processing method |