RU2480899C1 - Source of reference voltage - Google Patents

Source of reference voltage Download PDF

Info

Publication number
RU2480899C1
RU2480899C1 RU2012101641/08A RU2012101641A RU2480899C1 RU 2480899 C1 RU2480899 C1 RU 2480899C1 RU 2012101641/08 A RU2012101641/08 A RU 2012101641/08A RU 2012101641 A RU2012101641 A RU 2012101641A RU 2480899 C1 RU2480899 C1 RU 2480899C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
output
resistor
collector
base
Prior art date
Application number
RU2012101641/08A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Иванович Старченко
Павел Сергеевич Кузнецов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012101641/08A priority Critical patent/RU2480899C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2480899C1 publication Critical patent/RU2480899C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: source of reference voltage comprises the first transistor, with an emitter connected to a common bus, with a base - to a collector of the second transistor, and with a collector - to a base of the third transistor, emitters of the second and third transistors are connected to the common bus, a control element, with the control input connected to the collector of the third transistor, with the output - to the device output, the first resistor connected between the device output and the collector of the first transistor, the second resistor, the first output connected to the device output, the third resistor, with the first output connected to the collector of the second transistor, and with the second output connected with the second output of the second resistor, the fourth, fifth and sixth resistors and a field transistor, besides, the fourth resistor is connected is connected between the base of the second transistor and a point of connection of the second outputs of the second and third resistors, the fifth resistor is connected between a supply bus and a source of a field transistor, the sixth resistor is connected between a gate of the field transistor and a supply bus, a drain of the field resistor is connected to the collector of the third transistor, and the input of the control element supply is connected to the gate of the field transistor.
EFFECT: increased loading capacity of a source of reference voltage at high temperature stability of output voltage.
1 cl, 9 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области электротехники и может использоваться в стабилизаторах напряжения, аналогово-цифровых преобразователях и других элементах автоматики и вычислительной техники.The present invention relates to the field of electrical engineering and can be used in voltage stabilizers, analog-to-digital converters and other elements of automation and computer technology.

Известен источник опорного напряжения (ИОН), имеющий высокую стабильность, но содержащий в своем составе биполярные транзисторы р-n-р типа и полевые транзисторы с изолированным затвором, что снижает их радиационную стойкость [Haiplik, H.. Voltage Reference Circuit. / US patent No.7626374, Dec. 1, 2009].A known reference voltage source (ION) having high stability, but containing pnp type bipolar transistors and insulated gate field effect transistors, which reduces their radiation resistance [Haiplik, H .. Voltage Reference Circuit. / US patent No.7626374, Dec. 1, 2009].

Наиболее близким техническим решением, принятым за прототип, является ИОН, приведенный в [Yoshida, Y. Constant voltage circuit. US Patent No 5206581, Apr.27, 1993, FIG.11].The closest technical solution adopted for the prototype is the ION given in [Yoshida, Y. Constant voltage circuit. US Patent No. 5206581, Apr. 27, 1993, FIG. 11].

На фиг.1 показана схема прототипа, содержащая первый транзистор, эмиттером подключенный к общей шине, базой - к коллектору второго транзистора, а коллектором - к базе третьего транзистора, эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к общей шине, регулирующий элемент, входом управления подключенный к коллектору третьего транзистора, выходом - к выходу устройства, входом питания подключенный к шине питания, источник тока, включенный между шиной питания и коллектором третьего транзистора, первый резистор, включенный между выходом устройства и коллектором первого транзистора, второй резистор, первым выводом подключенный к выходу устройства, третий резистор, первым выводом подключенный к коллектору второго транзистора, а вторым выводом соединенный со вторым выводом второго резистора и базой второго транзистора.Figure 1 shows a prototype circuit comprising a first transistor connected by an emitter to a common bus, a base to a collector of a second transistor, and a collector to a base of a third transistor, emitters of a second and third transistors connected to a common bus, a control element connected to a control input connected to the collector of the third transistor, the output is to the output of the device, the power input is connected to the power bus, the current source is connected between the power bus and the collector of the third transistor, the first resistor is connected between the output of the the first transistor and the collector of the first transistor, a second resistor connected to the output of the device with a first output, a third resistor connected to the collector of the second transistor by the first output, and connected to the second output of the second resistor and the base of the second transistor by the second output.

Недостатком прототипа является относительно низкая температурная стабильность и низкая нагрузочная способность.The disadvantage of the prototype is the relatively low temperature stability and low load capacity.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение температурной стабильности выходного напряжения и нагрузочной способности ИОН.The task of the invention is to increase the temperature stability of the output voltage and the load capacity of the ion.

Для решения поставленной задачи в источник опорного напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттером подключенный к общей шине, базой - к коллектору второго транзистора, а коллектором - к базе третьего транзистора, эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к общей шине, регулирующий элемент, входом управления подключенный к коллектору третьего транзистора, выходом - к выходу устройства, первый резистор, включенный между выходом устройства и коллектором первого транзистора, второй резистор, первым выводом подключенный к выходу устройства, третий резистор, первым выводом подключенный к коллектору второго транзистора, а вторым выводом соединенный со вторым выводом второго резистора, в устройство введены четвертый, пятый и шестой резисторы и полевой транзистор, причем четвертый резистор включен между базой второго транзистора и точкой соединения вторых выводов второго и третьего резисторов, пятый резистор включен между шиной питания и истоком полевого транзистора, шестой резистор включен между затвором полевого транзистора и шиной питания, сток полевого транзистора подключен к коллектору третьего транзистора, а вход питания регулирующего элемента подключен к затвору полевого транзистора.To solve this problem, a reference voltage source containing a first transistor connected by an emitter to a common bus, a base to a collector of a second transistor, and a collector to a base of a third transistor, emitters of a second and third transistors are connected to a common bus, a control element, a control input connected to the collector of the third transistor, the output to the output of the device, the first resistor connected between the output of the device and the collector of the first transistor, the second resistor connected to the output by the first output to the device, a third resistor connected to the collector of the second transistor by the first output and connected to the second output of the second resistor to the second output, the fourth, fifth and sixth resistors and the field effect transistor are introduced into the device, the fourth resistor being connected between the base of the second transistor and the connection point of the second terminals the second and third resistors, the fifth resistor is connected between the power bus and the source of the field effect transistor, the sixth resistor is connected between the gate of the field effect transistor and the power bus, the drain of the field the anistor is connected to the collector of the third transistor, and the power input of the regulatory element is connected to the gate of the field effect transistor.

Заявляемый ИОН (фиг.2) содержит первый транзистор 1, второй транзистор 2 и третий транзистор 3, эмиттеры которых подключены к общей шине, база первого транзистора 1 соединена с коллектором второго транзистора 2, коллектор первого транзистора 1 соединен с базой третьего транзистора 3, коллектор которого подключен к точке соединения входа управления регулирующего элемента 4 и стока полевого транзистора 5, выход регулирующего элемента подключен к выходу устройства, первый резистор 6 включен между выходом устройства и коллектором первого транзистора 1, второй резистор 7, первым выводом подключенный к выходу устройства, а вторым выводом - к первому выводу третьего резистора 8, второй вывод третьего резистора 8 соединен с коллектором второго транзистора 2, четвертый резистор 9 включен между базой второго транзистора 2 и вторым выводом второго резистора 7, пятый резистор 10, включенный между истоком полевого транзистора 5 и шиной питания, шестой резистор 11, включенный между шиной питания и затвором полевого транзистора 5.The inventive ION (figure 2) contains a first transistor 1, a second transistor 2 and a third transistor 3, the emitters of which are connected to a common bus, the base of the first transistor 1 is connected to the collector of the second transistor 2, the collector of the first transistor 1 is connected to the base of the third transistor 3, the collector which is connected to the connection point of the control input of the regulating element 4 and the drain of the field effect transistor 5, the output of the regulating element is connected to the output of the device, the first resistor 6 is connected between the output of the device and the collector of the first trans torus 1, the second resistor 7, the first output connected to the output of the device, and the second output to the first output of the third resistor 8, the second output of the third resistor 8 is connected to the collector of the second transistor 2, the fourth resistor 9 is connected between the base of the second transistor 2 and the second output of the second a resistor 7, a fifth resistor 10 connected between the source of the field effect transistor 5 and the power bus, a sixth resistor 11 connected between the power line and the gate of the field effect transistor 5.

Работу заявляемого ИОН можно пояснить следующим образом.The operation of the claimed ION can be explained as follows.

Выходное напряжение в схеме заявляемого ИОН, как и во всех ему подобных схемах, в которых выходное напряжение определяется шириной запрещенной зоны кремния, в основном, зависит от суммы напряжений база-эмиттер второго транзистора 2 и падения напряжения на втором резисторе 7. Поскольку падение напряжения на втором резисторе 7 определяется разностью напряжений база-эмиттер первого транзистора 1 и второго транзистора 2, то оно имеет положительный температурный дрейф. Напряжение база-эмиттер, как известно, имеет отрицательный температурный дрейф. Таким образом, при соответствующем выборе параметров элементов температурный дрейф выходного напряжения может быть сведен к нулю, по крайней мере, в одной точке.The output voltage in the circuit of the claimed ION, as in all similar circuits in which the output voltage is determined by the band gap of silicon, mainly depends on the sum of the base-emitter voltages of the second transistor 2 and the voltage drop across the second resistor 7. Since the voltage drop across the second resistor 7 is determined by the voltage difference of the base-emitter of the first transistor 1 and the second transistor 2, then it has a positive temperature drift. The base-emitter voltage, as is known, has a negative temperature drift. Thus, with an appropriate choice of the parameters of the elements, the temperature drift of the output voltage can be reduced to zero at least at one point.

В отличие от схемы прототипа в заявляемом ИОН к выходному напряжению добавляется падение напряжения на четвертом резисторе 9, обусловленное базовым током второго транзистора 2. В этом случае для выходного напряжения заявляемого ИОН можно записать:In contrast to the prototype circuit in the claimed ION, the voltage drop at the fourth resistor 9 is added to the output voltage, due to the base current of the second transistor 2. In this case, for the output voltage of the claimed ION, one can write:

Figure 00000001
Figure 00000001

где I2 - ток коллектора второго транзистора 2; R7 - сопротивление второго резистора 7; UБЭ.2 - напряжение база-эмиттер второго транзистора 2; β2 - коэффициент усиления тока базы второго транзистора 2; ΔUБЭ - разность напряжений база-эмиттер первого транзистора 1 и второго транзистора 2.where I 2 is the collector current of the second transistor 2; R 7 is the resistance of the second resistor 7; U BE.2 - voltage base-emitter of the second transistor 2; β 2 - gain current base of the second transistor 2; ΔU BE is the voltage difference of the base-emitter of the first transistor 1 and the second transistor 2.

Ток коллектора второго транзистора 2 можно определить какThe collector current of the second transistor 2 can be defined as

Figure 00000002
Figure 00000002

где φТ - температурный потенциал; N - отношение площади эмиттера первого транзистора 1 к площади эмиттера второго транзистора 2.where φ T is the temperature potential; N is the ratio of the emitter area of the first transistor 1 to the emitter area of the second transistor 2.

(Справедливость приближения обусловлена тем, что выполняется условие R8>>R9/β2).(The validity of the approximation is due to the condition that R 8 >> R 9 / β 2 is satisfied.)

Подставляя (2) в (1), находим:Substituting (2) in (1), we find:

Figure 00000003
Figure 00000003

Зависимость коэффициента усиления тока базы от температуры можно представить следующим образом [Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesingLab 8.0. - М.: СОЛОН-Р, 2003. С.301]The temperature dependence of the base current gain can be represented as follows [V. Razevig DesingLab 8.0 electronic device end-to-end system. - M .: SOLON-R, 2003. P.301]

Figure 00000004
Figure 00000004

где Т - абсолютная температура; β0 - коэффициент усиления тока базы при комнатной (номинальной) температуре Т0.where T is the absolute temperature; β 0 - gain current base at room (nominal) temperature T 0 .

Таким образом, можно полагать, что коэффициент усиления тока базы с ростом температуры возрастает по закону «трех вторых».Thus, it can be assumed that the base current gain increases with temperature according to the “three second” law.

Из анализа выражения (3) после подстановки в него (4) следует, что наряду с компенсацией линейной составляющей температурного дрейфа напряжения база-эмиттер второго транзистора 2 (второе слагаемое в правой части выражения (3) присутствует квадратичная составляющая (третье слагаемое). Таким образом, падение напряжения на четвертом резисторе 9 можно представить как некую функциюFrom the analysis of expression (3) after substitution into it (4), it follows that along with the compensation of the linear component of the temperature drift of the voltage, the base-emitter of the second transistor 2 (the second term on the right side of the expression (3) contains a quadratic component (third term). Thus , the voltage drop on the fourth resistor 9 can be represented as a certain function

Figure 00000005
Figure 00000005

Поэтому в схеме заявляемого ИОН компенсируется не только линейная составляющая температурного дрейфа, но и квадратичная, что будет показано ниже по результатам компьютерного моделирования.Therefore, in the scheme of the claimed ION, not only the linear component of the temperature drift is compensated, but also the quadratic, which will be shown below by the results of computer simulation.

При изменении тока нагрузки (выходного тока ИОН) приращение тока на вход регулирующего элемента поступает не только как приращение тока коллектора третьего транзистора 3, но и как соответствующее приращение тока стока полевого транзистора 5. Действительно, приращение тока нагрузки приводит к возникновению приращения выходного тока регулирующего элемента и, соответственно, его входного тока. Входной ток регулирующего элемента создает на шестом резисторе 11 приращение напряжения, которое преобразуется в приращение тока стока полевого транзистора 5. Таким образом, приращение входного тока регулирующего элемента возникает за счет приращения тока стока полевого транзистора 5, а не за счет изменения тока коллектора третьего транзистора 3. Можно показать, что если сопротивление шестого резистора 11 выбрано из условия:When the load current (ION output current) changes, the current increment at the input of the regulating element comes not only as the collector current increment of the third transistor 3, but also as a corresponding increment of the drain current of the field effect transistor 5. Indeed, the increment of the load current leads to an increase in the output current of the regulating element and, accordingly, its input current. The input current of the regulating element creates a voltage increment on the sixth resistor 11, which is converted into an increment of the drain current of the field effect transistor 5. Thus, the increment of the input current of the regulating element occurs due to the increment of the drain current of the field effect transistor 5, and not due to a change in the collector current of the third transistor 3 . It can be shown that if the resistance of the sixth resistor 11 is selected from the condition:

Figure 00000006
Figure 00000006

где R10 - сопротивление пятого резистора 10; S0 - крутизна прямой передачи полевого транзистора 5; КРЭ - коэффициент передачи управляющего тока регулирующего элемента.where R 10 is the resistance of the fifth resistor 10; S 0 - the steepness of the direct transmission of the field effect transistor 5; To RE - the transfer coefficient of the control current of the regulatory element.

Следует заметить, что необходимость введения пятого резистора 10 обусловлена тем, что при его отсутствии шестой резистор 11 был бы весьма мал, что затруднило бы его изготовление по интегральной технологии.It should be noted that the need for the introduction of the fifth resistor 10 is due to the fact that in the absence of it the sixth resistor 11 would be very small, which would complicate its manufacture by integrated technology.

Проведем сопоставительное моделирование ИОН, выполненного по схеме прототипа и заявляемого устройства.We will conduct a comparative simulation of the ion made according to the prototype scheme and the claimed device.

На фиг.3 приведена схема прототипа, а на фиг.4 - схема заявляемого ИОН в среде РSpice. В качестве моделей использованы компоненты аналогового базового матричного кристалла (АБМК), выпускаемого Минским НПО «Интеграл» [Дворников, О.В. Аналоговый биполярно-полевой БМК с расширенными функциональными возможностями / О.В.Дворников, В.А.Чеховской // Chip News. - 1999. - №2. - С.21-23]. Транзисторы VT2-VT6 -GC_05_NPN, транзистор VT1 - PNPJF_JFET. Модели резисторов имеют линейный температурный коэффициент 0,15%/°С.Figure 3 shows a diagram of a prototype, and figure 4 is a diagram of the inventive ION in the environment of RSice. As models, the components of the analog base matrix crystal (ABMK) manufactured by the Minsk NPO Integral [Dvornikov, O.V. Analog bipolar-field BMK with advanced functionality / O.V.Dvornikov, V.A. Chekhovskoy // Chip News. - 1999. - No. 2. - S.21-23]. Transistors VT2-VT6 -GC_05_NPN, transistor VT1 - PNPJF_JFET. Resistor models have a linear temperature coefficient of 0.15% / ° C.

Результаты моделирования заявляемого ИОН при изменении температуры приведены на фиг.5, а схемы прототипа - на фиг.6. (Отметим, что элементная база в обоих случаях использована одинаковая и статические режимы элементов схем близки).The simulation results of the claimed ION when the temperature changes are shown in figure 5, and the prototype circuit is shown in figure 6. (Note that the element base in both cases uses the same and static modes of circuit elements are close).

График, приведенный на фиг.5, иллюстрирует зависимость выходного напряжения от температуры (нижний плот) и относительный температурный дрейф выходного напряжения (верхний плот). В данном случае температурный дрейф выходного напряжения не хуже ±2,4 ppm/°C, а максимальное относительное отклонение выходного напряжения во всем диапазоне изменения температуры составляет ±0,0046%.The graph in FIG. 5 illustrates the dependence of the output voltage on temperature (lower raft) and the relative temperature drift of the output voltage (upper raft). In this case, the temperature drift of the output voltage is not worse than ± 2.4 ppm / ° C, and the maximum relative deviation of the output voltage in the entire range of temperature changes is ± 0.0046%.

Как следует из фиг.6, температурный дрейф выходного напряжения в схеме прототипа составляет ±10 ppm/°C, а максимальное относительное отклонение выходного напряжения во всем диапазоне изменения температуры составляет ±0,029%, что позволяет утверждать, что температурные свойства заявляемого ИОН существенно лучше - относительная стабильность в диапазоне температур у заявляемого ИОН в 6 раз лучше, а температурный дрейф в 4 раза меньше.As follows from Fig.6, the temperature drift of the output voltage in the prototype circuit is ± 10 ppm / ° C, and the maximum relative deviation of the output voltage in the entire range of temperature changes is ± 0.029%, which suggests that the temperature properties of the claimed ion is much better - relative stability in the temperature range of the claimed ION is 6 times better, and the temperature drift is 4 times less.

График, приведенный на фиг.7, показывает зависимость изменения выходного напряжения схемы прототипа при изменении тока нагрузки (нижний плот) и его выходное сопротивление (верхний плот).The graph shown in Fig.7 shows the dependence of the change in the output voltage of the prototype circuit when the load current (lower raft) changes and its output resistance (upper raft).

На фиг.8 представлены аналогичные зависимости для схемы заявляемого ИОН: выходное сопротивление заявляемого ИОН (верхний плот) и изменение выходного напряжения схемы заявляемого ИОН при изменении тока нагрузки (нижний плот) в пределах от 0 до 3,5 мА.On Fig presents similar dependencies for the circuit of the claimed ION: the output resistance of the claimed ION (upper raft) and the change in the output voltage of the circuit of the claimed ION when the load current (lower raft) varies from 0 to 3.5 mA.

Из представленных результатов моделирования видно, что выходное сопротивление заявляемого ИОН в сравнении со схемой прототипа в два раза меньше: в схеме прототипа оно составляет 65·10-3 Ом, а в схеме заявляемого ИОН - не более 30·10-3 Ом. Более того, вблизи тока нагрузки 1,3 мА выходное сопротивление заявляемого ИОН близко к нулю.From the presented simulation results it is seen that the output impedance of the claimed ION in comparison with the prototype circuit is half that: in the prototype circuit it is 65 · 10 -3 Ohms, and in the circuit of the claimed ION - no more than 30 · 10 -3 Ohms. Moreover, near the load current of 1.3 mA, the output impedance of the claimed ION is close to zero.

Относительная нестабильность выходного напряжения при изменений тока нагрузки от нуля до 3,5 мА в схеме прототипа составляет 0,011%, а в схеме заявляемого ИОН - 0,001%, то есть на порядок лучше.The relative instability of the output voltage when the load current changes from zero to 3.5 mA in the prototype circuit is 0.011%, and in the circuit of the claimed ION - 0.001%, that is, an order of magnitude better.

Несмотря на наличие участка с отрицательным выходным сопротивлением заявляемый ИОН сохраняет устойчивость даже при работе на емкостную нагрузку, если между входом управления регулирующего элемента и общей шиной включить корректирующую емкость в несколько пикофарад.Despite the presence of a section with negative output impedance, the claimed ION remains stable even when operating on a capacitive load, if a correction capacitance of several picofarads is included between the control input of the regulating element and the common bus.

Результат моделирования схемы заявляемого ИОН при набросе и сбросе тока нагрузки на участке отрицательного выходного сопротивления приведен на фиг.9.The simulation result of the circuit of the claimed ION during the surge and discharge of the load current in the area of negative output resistance is shown in Fig.9.

Таким образом, задача предлагаемого изобретения - повышение нагрузочной способности при одновременном повышении температурной стабильности - решена.Thus, the task of the invention is to increase the load capacity while increasing temperature stability is solved.

Claims (1)

Источник опорного напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттером подключенный к общей шине, базой - к коллектору второго транзистора, а коллектором - к базе третьего транзистора, эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к общей шине, регулирующий элемент, входом управления подключенный к коллектору третьего транзистора, выходом - к выходу устройства, первый резистор, включенный между выходом устройства и коллектором первого транзистора, второй резистор, первым выводом подключенный к выходу устройства, третий резистор, первым выводом подключенный к коллектору второго транзистора, а вторым выводом соединенный со вторым выводом второго резистора, отличающийся тем, что в устройство введены четвертый, пятый и шестой резисторы и полевой транзистор, причем четвертый резистор включен между базой второго транзистора и точкой соединения вторых выводов второго и третьего резисторов, пятый резистор включен между шиной питания и истоком полевого транзистора, шестой резистор включен между затвором полевого транзистора и шиной питания, сток полевого транзистора подключен к коллектору третьего транзистора, а вход питания регулирующего элемента подключен к затвору полевого транзистора. A voltage reference source containing a first transistor connected by a emitter to a common bus, a base to a collector of a second transistor, and a collector to a base of a third transistor, emitters of a second and third transistors connected to a common bus, a control element connected to a collector of a third transistor, output - to the output of the device, the first resistor connected between the output of the device and the collector of the first transistor, the second resistor connected to the output of the device with the first output, the third resistor, ne the first output connected to the collector of the second transistor, and the second output connected to the second output of the second resistor, characterized in that the fourth, fifth and sixth resistors and the field effect transistor are introduced into the device, the fourth resistor connected between the base of the second transistor and the connection point of the second terminals of the second and the third resistor, the fifth resistor is connected between the power bus and the source of the field-effect transistor, the sixth resistor is connected between the gate of the field-effect transistor and the power bus, the drain of the field-effect transistor is connected to the collector of the third transistor, and the power input of the regulatory element is connected to the gate of the field effect transistor.
RU2012101641/08A 2012-01-17 2012-01-17 Source of reference voltage RU2480899C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012101641/08A RU2480899C1 (en) 2012-01-17 2012-01-17 Source of reference voltage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012101641/08A RU2480899C1 (en) 2012-01-17 2012-01-17 Source of reference voltage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2480899C1 true RU2480899C1 (en) 2013-04-27

Family

ID=49153288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012101641/08A RU2480899C1 (en) 2012-01-17 2012-01-17 Source of reference voltage

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2480899C1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2546083C1 (en) * 2014-05-05 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors
RU2547227C1 (en) * 2014-04-30 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Reference voltage source based on double width of silicon inhibited zone
RU2546079C1 (en) * 2014-02-25 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Reference voltage source based on triple width of silicon inhibited zone
RU2754501C1 (en) * 2018-05-29 2021-09-02 Сименс Акциенгезелльшафт Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1374173A2 (en) * 1986-07-07 1988-02-15 Опытно-конструкторское бюро Новгородского политехнического института Former of pulse centre of gravity
US5206581A (en) * 1989-11-02 1993-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Constant voltage circuit
RU2062506C1 (en) * 1991-12-10 1996-06-20 Иван Ильич Елисеев Electronic regulator of temperature
RU2101751C1 (en) * 1995-12-19 1998-01-10 Донская государственная академия сервиса Reference voltage source
RU2322757C1 (en) * 2006-10-10 2008-04-20 Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт точных приборов Device for protecting integration microchips from influence of radiation
RU2334347C1 (en) * 2007-04-19 2008-09-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственная организация "Орион" (ФГУП "НПО "Орион") Duple unregulated voltage converter

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1374173A2 (en) * 1986-07-07 1988-02-15 Опытно-конструкторское бюро Новгородского политехнического института Former of pulse centre of gravity
US5206581A (en) * 1989-11-02 1993-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Constant voltage circuit
RU2062506C1 (en) * 1991-12-10 1996-06-20 Иван Ильич Елисеев Electronic regulator of temperature
RU2101751C1 (en) * 1995-12-19 1998-01-10 Донская государственная академия сервиса Reference voltage source
RU2322757C1 (en) * 2006-10-10 2008-04-20 Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт точных приборов Device for protecting integration microchips from influence of radiation
RU2334347C1 (en) * 2007-04-19 2008-09-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственная организация "Орион" (ФГУП "НПО "Орион") Duple unregulated voltage converter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2546079C1 (en) * 2014-02-25 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Reference voltage source based on triple width of silicon inhibited zone
RU2547227C1 (en) * 2014-04-30 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Reference voltage source based on double width of silicon inhibited zone
RU2546083C1 (en) * 2014-05-05 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors
RU2754501C1 (en) * 2018-05-29 2021-09-02 Сименс Акциенгезелльшафт Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8536844B1 (en) Self-calibrating, stable LDO regulator
RU2480899C1 (en) Source of reference voltage
WO2016181130A1 (en) Reference voltages
US20140159699A1 (en) Bandgap reference circuit
US20140327419A1 (en) Current limiting circuit
US9385584B2 (en) Voltage regulator
US9268348B2 (en) Reference power generating circuit and electronic circuit using the same
RU2461864C1 (en) Source of reference voltage
RU2473951C1 (en) Source of reference voltage
US10461702B2 (en) Amplifier circuit having poly resistor with biased depletion region
RU2439780C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2441316C1 (en) Differential amplifier with low supply voltage
RU2421878C1 (en) Cascode broadband amplifier
US20180167036A1 (en) Source follower
RU2432666C1 (en) Differential operational amplifier with low supply voltage
RU2408975C1 (en) Cascode differential amplifier
CN111555741B (en) Power-on clearing circuit
RU2208833C1 (en) Voltage stabilizer
RU2439649C1 (en) Continuous stabiliser of negative voltage
RU2546079C1 (en) Reference voltage source based on triple width of silicon inhibited zone
RU2420861C1 (en) Differential amplifier with high amplification ratio by voltage
RU2402156C1 (en) Differential operational amplifier with low voltage of zero shift
RU2613842C1 (en) Differential operating amplifier with low power supply voltage
RU2411635C1 (en) Differential amplifier
RU2399151C1 (en) Differential amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140118