RU2471269C1 - Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия - Google Patents

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия Download PDF

Info

Publication number
RU2471269C1
RU2471269C1 RU2011149937/02A RU2011149937A RU2471269C1 RU 2471269 C1 RU2471269 C1 RU 2471269C1 RU 2011149937/02 A RU2011149937/02 A RU 2011149937/02A RU 2011149937 A RU2011149937 A RU 2011149937A RU 2471269 C1 RU2471269 C1 RU 2471269C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
temperature
aluminium
aluminum
sample
metal
Prior art date
Application number
RU2011149937/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Сергеевич Сидоров
Андрей Вячеславович Пальниченко
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)
Priority to RU2011149937/02A priority Critical patent/RU2471269C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2471269C1 publication Critical patent/RU2471269C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл - оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Способ включает окисление поверхности металлического алюминия в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 10 мл/мин при температуре 650°С в течение 1 часа и последующую выдержку полученного алюминия с поверхностным оксидом алюминия при температуре 700°С в ампуле в вакууме 5×10-4 Торр в течение 3 минут. Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза. 1 ил., 1 пр.

Description

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных сверхпроводников в системе металл - оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами.
В практике физических исследований известны высокотемпературные сверхпроводники, полученные в различных системах металл - оксид металла. Хотя имеются физические предпосылки к обнаружению таких сверхпроводников и в системе алюминий - оксид алюминия, однако в научной литературе сведений об исследованиях этой системы обнаружить не удалось. До сих пор не ясно, возможно ли вообще получение высокотемпературных сверхпроводников в этой системе.
Из уровня техники известен способ получения сверхпроводника оксида индия с пониженным содержанием кислорода по сравнению со стехиометрическим составом (In2Oх). Образцы In2Oх получали выдержкой In2O3 в вакууме или инертной атмосфере при температуре 90-100°С в течение 3-4 часов. Температура перехода в сверхпроводящее состояние составляла около 1К [V.F.Gantmakher et al., "Superconductivity and negative magnetoresistance in amorphous In2Oх films", Pisma v GhETF, 1995, v.61, N7, pp.593-598]. Недостатком соединений, полученных с помощью использованного метода, является низкая температура перехода в сверхпроводящее состояние. Известен способ получения сверхпроводника в системе висмут - оксид висмута [М. Tian et al., "Superconductivity and quantum oscillations in crystalline Bi nanowire", Nano Letters, 2009, v.9, N9, pp.3196-3202]. По этому способу сначала получали висмутовую проволоку диаметром 72 нм, поверхность которой окисляли на воздухе при комнатной температуре. Переход в сверхпроводящее состояние обнаружен при температуре 1,3 К, что является основным недостатком этого способа, поскольку переход данного объекта в сверхпроводящее состояние происходит при температуре ниже температуры жидкого гелия (4,2 К). Кроме того, процесс окисления образца таких малых размеров практически неуправляем и зависит от множества факторов - объема образца, времени выдержки, температуры окисления, влажности воздуха и др.
Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза.
Решение поставленной задачи достигается тем, что используется способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия, включающий окисление поверхности образца металлического алюминия в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 10 мл/мин при температуре 650°С в течение 1 часа, выдержку полученного образца алюминия с поверхностным слоем оксида алюминия при температуре 700°С в ампуле в вакууме 5×10-4 Торр в течение 3 мин и охлаждение до комнатной температуры.
В предлагаемом способе реализуется идея, состоящая в окислении части образца металлического алюминия в атмосфере кислорода с последующей выдержкой образца металлического алюминия, поверхность которого покрыта пленкой оксида алюминия, в вакууме при температуре, которая выше температуры плавления алюминия 660°С. Благодаря реализации этой идеи удается получить температуру сверхпроводящего перехода, равную 45 К.
Способ получения высокотемпературного сверхпроводника осуществляется следующим образом. Образец металлического алюминия помещают в кварцевый трубчатый реактор, через который пропускают осушенный от следов влаги кислород со скоростью 10 мл/мин. Окисление образца металлического алюминия ведут при температуре 650°С в течение 1 часа. При этом происходит окисление поверхности металлического алюминия на глубину до 10 мкм. Затем образец алюминия с поверхностным оксидом алюминия извлекают из реактора и помещают в ампулу, которую откачивают до остаточного давления 5×10-4 Торр. Ампулу помещают в печь, нагретую до температуры 700°С, т.е. до температуры, которая выше температуры плавления металлического алюминия 660°С. Образец отжигают в печи в течение 3 мин, охлаждают и проводят измерение магнитной восприимчивости в переменном магнитном поле с целью обнаружения сверхпроводящего перехода.
Пример реализации способа.
В качестве исходного материала использовали металлический алюминий чистотой 99,99%. Образец алюминия, имеющий форму сплюснутого шара диаметром ~3 мм, помещали в реактор, через который пропускали кислород со скоростью 10 мл/мин, осушенный от следов влаги с целью предотвращения образования гидрооксида алюминия при окислении образца металлического алюминия. Окисление проводили при температуре 650°С в течение 1 часа. Рентгенофазовый анализ поверхностного слоя образца алюминия выявил наличие только одного оксида алюминия, а именно Al2О3. Образец алюминия с поверхностным оксидом алюминия извлекали из реактора и помещали в ампулу, которую вакуумировали до остаточного давления 5×10-4 Торр. Ампулу помещали в печь, нагретую до температуры 700°С, превышающую температуру плавления металлического алюминия 660°С. Образец алюминия с поверхностным оксидом алюминия выдерживали при этой температуре в течение 3 минут, после чего ампулу с образцом извлекали из печи, охлаждали до комнатной температуры и проводили измерение магнитной восприимчивости в переменном магнитном поле. Результаты измерения динамической магнитной восприимчивости образца алюминий - оксид алюминия показали (фиг.1), что переход полученного образца в сверхпроводящее состояние происходит при 45 К.

Claims (1)

  1. Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия, включающий окисление поверхности образца металлического алюминия в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 10 мл/мин при температуре 650°С в течение 1 ч, выдержку полученного образца алюминия с поверхностным оксидом алюминия при температуре 700°С в ампуле под вакуумом 5·10-4 Торр в течение 3 мин и охлаждение до комнатной температуры.
RU2011149937/02A 2011-12-07 2011-12-07 Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия RU2471269C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011149937/02A RU2471269C1 (ru) 2011-12-07 2011-12-07 Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011149937/02A RU2471269C1 (ru) 2011-12-07 2011-12-07 Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2471269C1 true RU2471269C1 (ru) 2012-12-27

Family

ID=49257589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011149937/02A RU2471269C1 (ru) 2011-12-07 2011-12-07 Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2471269C1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990012408A1 (en) * 1989-03-31 1990-10-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide superconductor wire, method of producing the same and article produced therefrom
RU2124772C1 (ru) * 1997-06-10 1999-01-10 Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад. А.А.Бочвара Способ получения длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих изделий
EP0736914B1 (en) * 1995-04-07 2002-05-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide superconducting wire and method of preparing the same
WO2004059752A1 (fr) * 2002-12-30 2004-07-15 Tsinghua University Procede d'amelioration de surface utilise dans la fabrication de dispositifs supraconducteurs a haute temperature
EP1052707B1 (en) * 1999-05-10 2009-07-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Manufacturing process of superconducting wire and retainer for heat treatment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990012408A1 (en) * 1989-03-31 1990-10-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide superconductor wire, method of producing the same and article produced therefrom
EP0736914B1 (en) * 1995-04-07 2002-05-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide superconducting wire and method of preparing the same
RU2124772C1 (ru) * 1997-06-10 1999-01-10 Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад. А.А.Бочвара Способ получения длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих изделий
EP1052707B1 (en) * 1999-05-10 2009-07-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Manufacturing process of superconducting wire and retainer for heat treatment
WO2004059752A1 (fr) * 2002-12-30 2004-07-15 Tsinghua University Procede d'amelioration de surface utilise dans la fabrication de dispositifs supraconducteurs a haute temperature
US20060172892A1 (en) * 2002-12-30 2006-08-03 Zhenghe Han Surface improvement method in fabricating high temperature superconductor devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
El‐Shanshoury et al. Polymorphic behavior of thin evaporated films of zirconium and hafnium oxides
Zeng et al. Hydrothermal synthesis of hierarchical flower-like SnO2 nanostructures with enhanced ethanol gas sensing properties
CN103985479B (zh) 一种高温超导涂层导体带材的制备方法
Li et al. Microstructure optimization and gas sensing improvement of ZnO spherical structure through yttrium doping
Hou et al. Significant room-temperature ferromagnetism in porous ZnO films: The role of oxygen vacancies
Li et al. Gas sensing selectivity of oxygen-regulated SnO2 films with different microstructure and texture
CN106248735A (zh) 一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法
Roura et al. Thermal analysis of metal organic precursors for functional oxide preparation: thin films versus powders
Zeng et al. Synthesis of multifarious hierarchical flower-like SnO2 and their gas-sensing properties
Shibata et al. Ultrathin MgB2 films fabricated by molecular beam epitaxy and rapid annealing
CN111115590B (zh) 一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器
Kaur et al. Selective H2S detection by CuO functionalized ZnO nanotetrapods at room temperature
Yadav et al. Morphological and humidity sensing investigations on niobium, neodymium, and lanthanum oxides
Emanuela et al. Room temperature facile synthesis of CuO nanostructures by resistive heating
RU2471268C1 (ru) Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе магний-оксид магния
RU2471269C1 (ru) Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия
RU2441933C1 (ru) Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе натрий-оксид натрия
Koparan et al. Artificial pinning centers created by Fe2O3 coating on MgB2 thin films
Han et al. Microstructures and room temperature ferromagnetism of ordered porous ZrO2 thin films sputter deposited onto porous anodic alumina substrates
CN110085738B (zh) 一种有机单晶自旋阀及其制备方法与应用
Wu et al. Effect of the firing process on the critical current density of YBa2Cu3O7-x films derived from the sol-gel method
WO2015043104A1 (zh) 一种高灵敏度的热电子热辐射探测计及其制备方法
Hatch et al. Investigating the source of deep-level photoluminescence in ZnO nanorods using optically detected x-ray absorption spectroscopy
RU2441934C1 (ru) Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе натрий - теллурид натрия
Liu et al. Effect of etch-treatment upon the intensity and peak position of photoluminescence spectra for anodic alumina films with ordered nanopore array

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20171208