RU2467430C1 - Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона - Google Patents

Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона Download PDF

Info

Publication number
RU2467430C1
RU2467430C1 RU2011122284/07A RU2011122284A RU2467430C1 RU 2467430 C1 RU2467430 C1 RU 2467430C1 RU 2011122284/07 A RU2011122284/07 A RU 2011122284/07A RU 2011122284 A RU2011122284 A RU 2011122284A RU 2467430 C1 RU2467430 C1 RU 2467430C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
unit
output
probe
ion
outputs
Prior art date
Application number
RU2011122284/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Богдан Николаевич Казьмин (RU)
Богдан Николаевич Казьмин
Иван Васильевич Трифанов (RU)
Иван Васильевич Трифанов
Людмила Ивановна Оборина (RU)
Людмила Ивановна Оборина
Александр Валерьевич Сутягин (RU)
Александр Валерьевич Сутягин
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ)
Priority to RU2011122284/07A priority Critical patent/RU2467430C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2467430C1 publication Critical patent/RU2467430C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике ионно-лучевой обработки изделий. Технический результат - обеспечение возможности ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона и контроля качества обрабатываемых поверхностей. Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона, содержащее источник ионов имплантируемого металла, который герметично скреплен с торцом обрабатываемого объекта, внутрь которого помещен зонд, который с помощью скрещенных электрических полей, создаваемых электродами: фокусирующим, управляющими и тормозящим, соединенными с соответствующими блоками фокусирующего напряжения управляющего напряжения и плюсовой клеммой блока питания, направляет катионы имплантируемого металла на обрабатываемые поверхности объекта. Зонд движется вдоль объекта с помощью управляемого электропривода пошагового перемещения. Количество имплантируемых катионов контролируют путем измерения в блоке эквивалентного заряда катионов адгезируемых с обрабатываемой поверхностью и сравнивают в блоке с количеством, заданным электронной программой обработки блока. 2 ил.

Description

Изобретение относится к ионно-лучевым приборам и устройствам, применяемым для обработки объектов, в частности для нанесения электропроводящего покрытия из благородных металлов на внутренние поверхности объектов, например волноводов миллиметрового диапазона, в которых толщина скин-слоя должна быть 3-5 мкм.
Известно «Устройство для импульсной обработки материалов пучками заряженных частиц» [Авторское свидетельство SU №1567020, H01J 37/30]. Сущность этого устройства заключается в обработке объектов пучком ионов, создаваемым источником ионов. Недостатком данного устройства являются его большие размеры (порядка 1 м), что не дает возможности поместить его внутрь объекта для обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона.
Прототипом предлагаемого изобретения является «Электронная пушка с разрядом в скрещенных E×H полях для обработки внутренних полостей цилиндрических изделий» [Авторское свидетельство SU №1119100, H01J 37/30]. Сущность прототипа заключается в том, что внутрь объекта помещают источник ионов в виде «электронной пушки», который фокусирует и направляет магнитным полем пучок ионов на обрабатываемую поверхность объекта.
Недостатками прототипа являются невозможность обработки внутренних поверхностей объектов миллиметровых размеров, т.к. источник ионов имеет большие размеры (порядка 0,5 м) из-за применения фокусирующих и направляющих пучок ионов магнитов и его невозможно поместить внутрь объекта миллиметрового диапазона, а также в процессе обработки не контролируется качество обрабатываемой поверхности объекта.
Задачей предлагаемого устройства является ионно-лучевая обработка внутренних поверхностей объекта, размеры которого составляют единицы миллиметров, а также обеспечение контроля качества обрабатываемых поверхностей.
Сущность предлагаемого устройства для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона заключается в том, что источник ионов, создающий пучок ионов из катионов имплантируемого металла, герметично скрепляют с торцом обрабатываемой полости объекта, в которую помещен зонд, выполненный на изоляционном термостойком основании, содержащий фокусирующий электрод, горизонтальные и вертикальные управляющие электроды и тормозящий электрод. Герметично закрывающий другой торец обрабатываемого объекта фланец снабжен герметичным вакуумным уплотнением, в котором скользит шток, механически соединяющий зонд с управляемым электроприводом пошагового перемещения зонда. Вход управления электроприводом соединен с выходом полного совпадения блока сравнения, программные входы которого соединены с выходом блока электронной программы обработки, измерительные входы блока сравнения соединены с выходом измерителя эквивалентного заряда, а выходы горизонтального, вертикального и полного совпадения блока сравнения соединены с соответствующими входами блока управляющего напряжении, его вход питания соединен с минусовым выходом блока питания, а выходы напряжения соединены с горизонтальными и вертикальными управляющими электродами, выходы временных интервалов блока управляющего напряжения соединены с входами временных интервалов измерителя эквивалентного заряда, дифференциальный вход которого соединен с измерительным резистором, включенным между обрабатываемыми поверхностями объекта и минусовым потенциальным выходом блока питания, минусовой фокусирующий выход которого соединен с входом блока фокусирующего напряжения, управляющий вход которого соединен с выходом полного совпадения блока сравнения, выход блока фокусирующего напряжения соединен с фокусирующим электродом, а плюсовой выход блока питания соединен с тормозящим электродом зонда.
Схема предлагаемого устройства для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона представлена на фигуре 1, на фигуре 2 - сечение зонда.
Устройство содержит источник ионов 1, создающий пучок ионов 2, состоящий из катионов имплантируемого металла, источник ионов закрепляют на торце обрабатываемого объекта 3, внутрь которого помещен зонд 4, выполненный на изоляционном термостойком основании 5, содержащий фокусирующий электрод 6, горизонтальные управляющие электроды 7, вертикальные управляющие электроды 8, выполненные в виде сетки, и тормозящий электрод 9, фланец 10, закрывающий другой торец обрабатываемого объекта, снабжен вакуумным уплотнением 11, в котором скользит шток 12, механически соединяющий зонд 4 с управляемым электроприводом 13 пошагового перемещения, управляющий вход которого соединен с выходом полного совпадения блока сравнения 15, программные входы которого соединены с выходами блока электронной программы обработки 14, измерительные входы блока 15 соединены с выходами измерителя эквивалентного заряда 17, выходы горизонтального, вертикального и полного совпадения блока сравнения 15 соединены с соответствующими входами блока управлявшего напряжения 16, а его вход питания соединен с минусовым выходом блока питания 19, выходы напряжения блока 16 соединены с горизонтальными 7 и вертикальными 8 управляющими электродами зонда, выходы временных интервалов блока 16 соединены с входами временных интервалов измерителя эквивалентного заряда 17, дифференциальный вход которого соединен с измерительным резистором 18, включенным между обрабатываемыми поверхностями объекта 3 и минусовым потенциальным выходом блока питания 19, минусовый фокусирующий выход которого соединен с входом блока фокусирующего напряжения 20, а его управляющий вход соединен с выходом полного совпадения блока сравнения 15, выход блока 20 соединен с фокусирующим электродом 6, а плюсовой выход блока питания 19 соединен с тормозящим электродом 9 зонда.
Работает устройство следующим образом. Торец обрабатываемого объекта 3 герметично скрепляют с источником ионов 1, а другой торец объекта 3 закрывают фланцем 10, снабженным вакуумным уплотнением 11, в котором скользит шток 12, перемещающий зонд 4 с помощью управляемого электропривода 13 вдоль обрабатываемых поверхностей объекта 3. Зонд 4 устанавливают в начало обрабатываемого объекта 3 и вводят требуемую программу обработки в блок электронной программы 14. В образованном герметичном объеме создают разряжение порядка 10-6 кг/см2. Подают в обрабатываемую полость от источника ионов 1 пучок ионов 2, состоящий из катионов имплантируемого металла, и фокусируют пучок методом «ионной пушки» электрическим полем фокусирующего электрода 6, на который подают напряжение с блока 20, пропорциональное расстоянию между источником ионов 1 и зондом 4, чтобы напряженность поля ионного пучка в зонде не изменялась при изменении расстояния между источником ионов 1 и зондом 4 в процессе обработки поверхностей объекта 3. Тормозящее электрическое поле, создаваемое электродом 9, соединенным с плюсовым выходом блока питания 19, рассеивает катионы пучка 2 в зонде 4. Горизонтальные управляющие электроды 7 и вертикальные управляющие электроды 8, выполненные в виде сетки, соединенные с минусовым выходом блока питания 19, через блок управляющего напряжения 16, вырабатывающего две последовательности импульсов напряжения, длительность которых пропорциональна ширине обрабатываемой стороны объекта 3, а амплитуды импульсов пропорциональны расстоянию от оси пучка катионов до обрабатываемой стороны объекта 3, чтобы напряженность управляющего поля в зонде 4 была, в первом приближении, одинаковой в процессе обработки горизонтальных и вертикальных сторон объекта 3.
Под действием скрещенного с полем фокусирующего электрода 6 электрического поля (Е), создаваемого горизонтальными 7 и вертикальными 8 управляющими электродами, катионы рассеиваемого в зонде 4 пучка 2 устремляются на обрабатываемые поверхности объекта 3, на которые подается отрицательный потенциал (в 2-3 раза превышающий потенциал выхода электронов из материала объекта 3) с минусового выхода блока питания 19 через измерительный резистор 18, по которому идет ионный ток катионов, адгезируемых обрабатываемыми поверхностями объекта 3. Напряжение с измерительного резистора 18, пропорциональное катионному току, подают на дифференциальный вход измерителя эквивалентного заряда 17, в котором сила катионного тока умножается на временной интервал длительности импульсов управляющего напряжения, подаваемого с блока 16 на управляющие электроды 7 и 8. В результате на выходе измерителя 17 получаем сигналы, пропорциональные количеству катионов, имплантируемых на обрабатываемые поверхности объекта 3. Эти сигналы сравниваются в блоке сравнения 15 с сигналами электронной программы обработки блока 14. При равенстве значений электронной программы обработки и имплантированных катионов на горизонтальные или вертикальные стороны объекта 3 подается команда из блока сравнения 15 в блок управляющего напряжения 16 на остановку подачи напряжения на управляющие электроды, обрабатываемые стороны напротив которых адгезировали требуемое количество катионов. При равенстве значений электронной программы и имплантированных катионов на горизонтальные и вертикальные стороны из блока сравнения 15 подается команда в управляемый электропривод пошагового перемещения 13 на перемещение штоком 12 зонда 4 на один шаг. Одновременно с этим поступает команда в блок 16 на подачу напряжений на управляющие электроды 7 и 8 и команда в блок 20 на соответствующие изменения напряжения на фокусирующем электроде 6, пропорционально изменению расстояния между источником ионов 1 и зондом 4.
Малые размеры зонда позволяют помещать его внутри объекта миллиметрового диапазона и обрабатывать его внутренние поверхности по всей длине путем пошагового перемещения зонда вдоль обрабатываемого объекта. Контроль количества имплантируемых ионов в процессе обработки дает возможность повысить качество обработанных поверхностей, которое будет соответствовать качеству, заданному электронной программой обработки.

Claims (1)

  1. Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона, содержащее источник ионов имплантируемого металла, отличающееся тем, что источник ионов герметично скреплен с торцом обрабатываемого объекта, в который помещен зонд, выполненный на изоляционном термостойком основании, содержащий фокусирующий электрод, горизонтальные и вертикальные управляющие электроды и тормозящий электрод, герметично закрывающий другой торец обрабатываемого объекта, фланец снабжен вакуумным уплотнением, в котором скользит шток, посредством которого зонд соединен с управляемым электроприводом пошагового перемещения, вход управления которым соединен с выходом полного совпадения блока сравнения, программные входы которого соединены с выходами блока электронной программы обработки, измерительные входы блока сравнения соединены с выходами измерителя эквивалентного заряда, а выходы горизонтального, вертикального и полного совпадения блока сравнения соединены с соответствующими входами блока управляющего напряжения, вход питания которого соединен с минусовым выходом блока питания, а выходы напряжения блока управляющего напряжения соединены с горизонтальными и вертикальными управляющими электродами, выходы временных интервалов блока управляющего напряжения соединены с входами временных интервалов измерителя эквивалентного заряда, дифференциальный вход которого соединен с измерительным резистором, включенным между обрабатываемыми поверхностями объекта и минусовым потенциальным выходом блока питания, минусовой фокусирующий выход которого соединен с входом блока фокусирующего напряжения, управляющий вход которого соединен с выходом полного совпадения блока сравнения, выход блока фокусирующего напряжения соединен с фокусирующим электродом, а плюсовой выход блока питания соединен с тормозящим электродом зонда.
RU2011122284/07A 2011-06-01 2011-06-01 Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона RU2467430C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011122284/07A RU2467430C1 (ru) 2011-06-01 2011-06-01 Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011122284/07A RU2467430C1 (ru) 2011-06-01 2011-06-01 Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2467430C1 true RU2467430C1 (ru) 2012-11-20

Family

ID=47323386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011122284/07A RU2467430C1 (ru) 2011-06-01 2011-06-01 Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2467430C1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1984004110A1 (en) * 1983-04-18 1984-10-25 Battelle Development Corp HARD LAYER FORMED BY INCORPORATING NITROGEN INTO Mo OU W METAL AND METHOD FOR OBTAINING THIS LAYER
EP0132398A1 (en) * 1983-07-20 1985-01-30 Konica Corporation A method and apparatus for ion beam generation
RU2132887C1 (ru) * 1997-02-25 1999-07-10 Уфимский государственный авиационный технический университет Способ восстановления поверхностных слоев деталей из сплавов на основе титана при помощи цикла ионно-лучевых обработок
RU2277934C1 (ru) * 2005-01-18 2006-06-20 Общество с ограниченной ответственностью "Роскардиоинвест" Устройство для ионно-лучевой обработки изделий медицинской техники
RU2281194C1 (ru) * 2005-03-04 2006-08-10 Открытое акционерное общество "Московское машиностроительное предприятие им. В.В. Чернышева" Способ восстановления эксплуатационных свойств деталей машин

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1984004110A1 (en) * 1983-04-18 1984-10-25 Battelle Development Corp HARD LAYER FORMED BY INCORPORATING NITROGEN INTO Mo OU W METAL AND METHOD FOR OBTAINING THIS LAYER
EP0132398A1 (en) * 1983-07-20 1985-01-30 Konica Corporation A method and apparatus for ion beam generation
RU2132887C1 (ru) * 1997-02-25 1999-07-10 Уфимский государственный авиационный технический университет Способ восстановления поверхностных слоев деталей из сплавов на основе титана при помощи цикла ионно-лучевых обработок
RU2277934C1 (ru) * 2005-01-18 2006-06-20 Общество с ограниченной ответственностью "Роскардиоинвест" Устройство для ионно-лучевой обработки изделий медицинской техники
RU2281194C1 (ru) * 2005-03-04 2006-08-10 Открытое акционерное общество "Московское машиностроительное предприятие им. В.В. Чернышева" Способ восстановления эксплуатационных свойств деталей машин

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7642521B2 (en) Laser irradiated hollow cylinder serving as a lens for ion beams
DE112011100403B4 (de) Ultraschnelle Elektronenbeugungsvorrichtung und Verfahren zur ultraschnellen Elektronenbeugung
CN112067391B (zh) 用于材料显微表征的辉光放电溅射样品制备的装置及方法
Seidl et al. Irradiation of materials with short, intense ion pulses at NDCX-II
Busch et al. Ion acceleration with ultrafast lasers
Kohno et al. New dual-ion irradiation station at the University of Tokyo
RU2467430C1 (ru) Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона
Mondal et al. Ultrafast plasma electron dynamics: A route to terahertz pulse shaping
Kashiwagi et al. Development of a laser ion source for production of high-intensity heavy-ion beams
KR100933010B1 (ko) 펄스 반복률 변조를 이용한 빔 조사량 조절 장치 및 조절 방법
JP2013253916A (ja) 荷電粒子ビームのノズル、生成方法、および生成システム
RU187849U1 (ru) Устройство для определения профиля распределения плотности ионов в пучках
Baker Secondary electron emission from dielectrics
RU168791U1 (ru) Диэлектрический рельефный дефлектор пучка электронов
Boriskin et al. Monitoring of the electron beam position in industrial linacs
Apollonov et al. Multi charged ions in accelerators
RU2666766C1 (ru) Способ имплантации ионов вещества
Ananyev et al. Simulation of the dynamics of the PF-3 device's plasma
Hyun et al. Prototype development of soft x-ray online beam position monitoring detector for PAL-XFEL
Yamamoto et al. RFQ linac commissioning and carbon4+ acceleration for ag15+ acceleration via direct plasma injection scheme
Di Capua et al. A beam pulser at the TTT-3 tandem accelerator of the university of naples
Numata et al. Dielectric characteristic evaluation of proton beam irradiated polyimide films
Shang Study of the Impact of X-ray on Negative Needle-Plane Corona Discharge in Atmospheric Air
Korneev et al. Optical generation of quasi-stationary plasma electromagnetic structures for particle collimation with PetaWatt picosecond laser
Costa et al. Electrical and magnetic spectrometry of ions emitted from laser-generated plasma at 10 10 W/cm 2 intensity

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160602