RU2460172C1 - Transistor based on semiconductor compound and method of its manufacturing - Google Patents
Transistor based on semiconductor compound and method of its manufacturing Download PDFInfo
- Publication number
- RU2460172C1 RU2460172C1 RU2011121833/28A RU2011121833A RU2460172C1 RU 2460172 C1 RU2460172 C1 RU 2460172C1 RU 2011121833/28 A RU2011121833/28 A RU 2011121833/28A RU 2011121833 A RU2011121833 A RU 2011121833A RU 2460172 C1 RU2460172 C1 RU 2460172C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin
- semiconductor wafer
- barrier
- film
- transistor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления.The invention relates to the technology of microelectronics, and in particular to the technology for producing monolithic integrated circuits (MIS) based on semiconductor compounds A III B V , in particular to the creation of a transistor based on a semiconductor compound that does not contain precious metals and the method for its manufacture.
Известен гетеробиполярный транзистор (Патент US 7420227, МПК H01L 29/45, опубл. 02.09.2008 г.), в котором омический контакт к области полупроводника n-типа проводимости выполнен на основе тонких пленок Pd/Ge/WNx/Cu или Pd/Ge/Cu, где слой Pd расположен на поверхности полупроводниковой пластины, омический контакт к области полупроводника р-типа проводимости выполнен на основе тонких пленок Pt/Ti/Pt/Cu, где слой Pt расположен на поверхности полупроводниковой пластины, межэлементные соединения выполнены на основе тонких пленок Ti/Pt/Cu, где слой Ti расположен на поверхности слоя Cu.A heterobipolar transistor is known (US Pat. No. 7,420,227, IPC H01L 29/45, published September 2, 2008), in which the ohmic contact to the region of the n-type semiconductor is made on the basis of thin films Pd / Ge / WN x / Cu or Pd / Ge / Cu, where the Pd layer is located on the surface of the semiconductor wafer, the ohmic contact to the region of the p-type semiconductor is made on the basis of thin Pt / Ti / Pt / Cu films, where the Pt layer is located on the surface of the semiconductor wafer, the interconnects are made on the basis of thin Ti / Pt / Cu films, where the Ti layer is located on the surface of the layer oya Cu.
Недостатком данного транзистора является недостаточно низкая себестоимость его изготовления, обусловленная использованием тонких пленок Pd в составе омического контакта к полупроводнику n-типа проводимости, а также тонких пленок Pt в составе омического контакта к полупроводнику р-типа, проводимости и в межэлементных соединениях, а также низкая термостабильность параметров транзистора.The disadvantage of this transistor is the insufficiently low cost of its manufacture, due to the use of thin Pd films as part of an ohmic contact to an n-type semiconductor, as well as thin Pt films as part of an ohmic contact to a p-type semiconductor, conductivity and in interconnects, as well as low thermostability of the parameters of the transistor.
Известен транзистор на основе полупроводникового соединения (Патент US 7368822, МПК H01L 23/48, опубл. 06.05.2008 г.). Устройство представляет собой полевой транзистор с барьером Шоттки, либо гетероструктурный полевой транзистор с высокой подвижностью электронов, либо гетеробиполярный транзистор, состоящий из омических контактов и воздушных мостов, в которых омические контакты выполнены на основе тонких пленок Pd/Ge/Cu, где тонкая пленка Pd расположена на поверхности полупроводниковой пластины и имеет толщину 5-100 нм, тонкая пленка Ge расположена на поверхности тонкой пленки Pd и имеет толщину 50-1000 нм, а тонкая пленка Сu расположена на поверхности тонкой пленки Ge и имеет толщину 50-1000 нм.Known transistor based on a semiconductor connection (Patent US 7368822, IPC H01L 23/48, publ. 06.05.2008). The device is a Schottky field-effect transistor, or a heterostructured field-effect transistor with high electron mobility, or a heterobipolar transistor consisting of ohmic contacts and air bridges in which the ohmic contacts are based on thin Pd / Ge / Cu films, where a thin Pd film is located on the surface of a semiconductor wafer and has a thickness of 5-100 nm, a thin Ge film is located on the surface of a thin Pd film and has a thickness of 50-1000 nm, and a thin Cu film is located on the surface of a thin film and Ge and has a thickness of 50-1000 nm.
Недостатком известных транзисторов является недостаточно низкая себестоимость изготовления, обусловленная использованием тонких пленок Pd в составе омического контакта, а также низкая термостабильность параметров приборов.A disadvantage of the known transistors is the insufficiently low cost of manufacture due to the use of thin Pd films as part of the ohmic contact, as well as the low thermal stability of the parameters of the devices.
Наиболее близким к заявляемым устройству и способу его изготовления по наибольшему числу существенных признаков являются транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления, выбранные нами за прототип (Е.В.Ерофеев, В.А.Кагадей, С.В.Ишуткин, К.С.Носаева, Е.В.Анищенко, B.C.Арыков/ Разработка бездрагметального GaAs pHEMT транзистора с субмикронным Т-образным затвором // Доклады ТУСУРа, №2 (22), часть 1, с.183-186, декабрь 2010). Устройство представляет собой гетероструктурный полевой транзистор с высокой подвижностью электронов, состоящий из омических контактов истока и стока, а также затвора, в котором омические контакты истока и стока выполнены на основе тонкопленочного соединения Ge и Cu, где тонкая пленка Ge расположена на поверхности полупроводниковой пластины и имеет толщину 78 нм, а тонкая пленка Cu расположена на поверхности пленки Ge и имеет толщину 122 нм, а затвор выполнен на основе тонких пленок Ti/Mo/Cu (20 нм/20 нм/400 нм). В способе изготовления транзистора на поверхности полупроводниковой пластины последовательно формируют двухслойную резистивную маску, затем осаждают тонкие пленки Ge и Cu, удаляют двухслойную резистивную маску и производят вакуумную термообработку при температуре Т=400°С с целью формирования омических контактов истока и стока. После чего на поверхности полупроводниковой пластины последовательно формируют трехслойную резистивную маску и производят осаждение тонких пленок Ti/Mo/Cu (20 нм/20 нм/400 нм), после чего трехслойную резистивную маску удаляют с целью формирования затвора.Closest to the claimed device and method of its manufacture for the largest number of essential features are a transistor based on a semiconductor compound and the method of its manufacture, we have chosen for the prototype (E.V. Erofeev, V.A. Kagadey, S.V. Ishutkin, K. S. Nosaeva, E.V. Anishchenko, BC Arykov / Development of a non-crystalline GaAs pHEMT transistor with a submicron T-shaped gate // Doklady TUSURa, No. 2 (22),
Основным недостатком известной группы технических решений является низкая термостабильность параметров затвора транзистора, обусловленная высокой диффузионной способностью меди, которая, выступая в роли акцепторной примеси, приводит к компенсации проводимости в материале, а также высокое значение приведенного контактного сопротивления омических контактов истока и стока. Кроме того, медь легко окисляется на воздухе, что в итоге усложняет технологию производства МИС и предъявляет особые требования к разработке диффузионных барьеров и пассивирующих покрытий для меди.The main disadvantage of the known group of technical solutions is the low thermal stability of the gate parameters of the transistor, due to the high diffusion ability of copper, which, acting as an acceptor impurity, leads to compensation of conductivity in the material, as well as the high value of the reduced contact resistance of the ohmic contacts of the source and drain. In addition, copper is easily oxidized in air, which ultimately complicates the production technology of MIS and makes special demands on the development of diffusion barriers and passivating coatings for copper.
Основная задача, решаемая группой изобретений, состоит в создании транзистора на основе полупроводникового соединения и способа его изготовления, позволяющих повысить термостабильность параметров затвора транзистора и снизить значения приведенного контактного сопротивления омических контактов истока и стока.The main task solved by the group of inventions is to create a transistor based on a semiconductor compound and a method for its manufacture, which can increase the thermal stability of the gate parameters of the transistor and reduce the reduced contact resistance of the ohmic contacts of the source and drain.
Поставленная задача решается тем, что в транзисторе на основе полупроводникового соединения, содержащем полупроводниковую пластину, канальный и контактный слои, омические контакты истока и стока, выполненные на основе тонкопленочного соединения Ge и Cu, и затвор, включающий послойно расположенные на полупроводниковой пластине тонкие пленки барьерообразующего металла, диффузионного барьера и проводника, согласно предложенному решению, в качестве материала проводника затвора используют тонкопленочное соединение Ge и Cu толщиной 10-1000 нм, с массовым содержанием Ge в диапазоне 20-45%.The problem is solved in that in a transistor based on a semiconductor compound containing a semiconductor wafer, channel and contact layers, ohmic source and drain contacts made on the basis of a thin film connection of Ge and Cu, and a gate including thin films of a barrier-forming metal layered on a semiconductor wafer , diffusion barrier and conductor, according to the proposed solution, a thin-film compound of Ge and Cu with a thickness of 10-1000 nm, s mass content of Ge in the range of 20-45%.
В частном случае, на поверхности полупроводниковой пластины расположен буферный слой, а на поверхности канального слоя - донорный и барьерный слои, причем буферный, канальный, донорный, барьерный и контактный слои представляют собой эпитаксиальную гетероструктуру.In a particular case, the buffer layer is located on the surface of the semiconductor wafer, and the donor and barrier layers are located on the surface of the channel layer, the buffer, channel, donor, barrier, and contact layers being an epitaxial heterostructure.
В частном случае, в тонкопленочном соединении количество чередующихся тонких пленок Ge и Cu не менее двух и кратно двум.In the particular case, in a thin-film compound, the number of alternating thin Ge and Cu films is at least two and a multiple of two.
В частном случае, в состав тонкопленочного соединения Ge и Cu дополнительно введены Au и/или Ga с массовым содержанием в диапазоне 1-15%.In a particular case, Au and / or Ga with a mass content in the range of 1-15% are additionally introduced into the composition of the thin-film Ge and Cu compounds.
Поставленная задача решается также тем, что в способе изготовления транзистора, включающем последовательное формирование двухслойной резистивной маски на поверхности полупроводниковой пластины, осаждение тонких пленок Ge и Cu, удаление двухслойной резистивной маски, термообработку, формирование многослойной резистивной маски на поверхности полупроводниковой пластины, осаждение тонких пленок барьерообразующего металла, диффузионного барьера и проводника на поверхность полупроводниковой пластины и удаление многослойной резистивной маски, согласно предложенному решению, после осаждения тонких пленок Ge и Cu производят обработку полупроводниковой пластины в атмосфере атомарного водорода в течение времени t≥1 мин, при температуре Т=20-120°С и плотности потока атомов водорода на поверхность полупроводниковой пластины, равной 1013-1016 ат. см-2 с-1.The problem is also solved by the fact that in the method of manufacturing a transistor, which includes the sequential formation of a two-layer resistive mask on the surface of a semiconductor wafer, the deposition of thin films of Ge and Cu, the removal of a two-layer resistive mask, heat treatment, the formation of a multilayer resistive mask on the surface of a semiconductor wafer, the deposition of thin films of barrier-forming metal, diffusion barrier and conductor to the surface of the semiconductor wafer and the removal of multilayer resistive mask, according to the proposed solution, after deposition of thin films of Cu and Ge produce processed wafer into atomic hydrogen atmosphere for a period t≥1 minutes at a temperature of T = 20-120 ° C, and the flux density of the hydrogen atoms on the wafer surface of 10 13 -10 16 atm. cm -2 s -1 .
В частном случае, обработку в атмосфере атомарного водорода производят в едином вакуумном цикле с процессом последовательного осаждения тонких пленок Ge и Cu.In the particular case, the treatment in the atmosphere of atomic hydrogen is carried out in a single vacuum cycle with the process of sequential deposition of thin films of Ge and Cu.
Тонкопленочные соединения, выполненные по пунктам формулы изобретения, обеспечивают хорошую межслоевую адгезию, минимизацию диффузионного проникновения материалов тонких пленок в полупроводниковую пластину, минимизацию приведенного контактного сопротивления омических контактов истока и стока и слоевого сопротивления проводника затвора.Thin-film compounds made according to the claims provide good interlayer adhesion, minimizing the diffusion penetration of thin film materials into the semiconductor wafer, minimizing the reduced contact resistance of the ohmic contacts of the source and drain, and the layer resistance of the gate conductor.
Проведенный заявителем анализ уровня техники позволил установить, что аналоги, характеризующиеся совокупностями признаков, тождественными всем признакам заявляемых устройства и способа, отсутствуют.The analysis of the prior art by the applicant made it possible to establish that there are no analogs characterized by sets of features identical to all the features of the claimed device and method.
Результаты поиска известных решений в данной и смежных областях техники с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипов заявляемых изобретений, показали, что они не следуют явным образом из уровня техники.The search results for known solutions in this and related fields of technology in order to identify features that match the distinctive features of the prototypes of the claimed inventions have shown that they do not follow explicitly from the prior art.
Из определенного заявителем уровня техники не выявлена известность влияния предусматриваемых существенными признаками изобретений преобразований на достижение указанного технического результата.From the prior art determined by the applicant, the influence of the transformations provided for by the essential features of the inventions on the achievement of the indicated technical result is not known.
Следовательно, изобретения соответствуют условию патентоспособности «изобретательский уровень».Therefore, inventions comply with the patentability condition “inventive step”.
Заявленные изобретения взаимосвязаны настолько, что образуют единый изобретательский замысел, следовательно, данная группа изобретений удовлетворяет требованию единства изобретения.The claimed inventions are so interconnected that they form a single inventive concept, therefore, this group of inventions satisfies the requirement of unity of invention.
Изобретения поясняются рисунками, где на фиг.1 представлен общий вид заявляемого устройства, на фиг.2 - общий вид гетероструктурного полевого транзистора на основе полупроводникового соединения с высокой подвижностью электронов. На фиг.3 и 4 представлены графики зависимостей электрических параметров гетероструктурных полевых транзисторов на основе полупроводникового соединения с высокой подвижностью электронов, выполненных согласно способу-прототипу (кривая 1) и предлагаемому способу (кривая 2), на постоянном токе и на СВЧ сигнале, соответственно, на фиг.5 и 6 - результаты исследований термостабильности параметров гетероструктурных полевых транзисторов на основе полупроводникового соединения, полученных по предлагаемому способу (кривые 1 и 3) и по способу-прототипу (кривые 2 и 4).The invention is illustrated by drawings, in which Fig. 1 is a general view of the inventive device, and Fig. 2 is a general view of a heterostructured field effect transistor based on a semiconductor compound with high electron mobility. Figure 3 and 4 are graphs of the dependences of the electrical parameters of heterostructured field-effect transistors based on a semiconductor compound with high electron mobility, made according to the prototype method (curve 1) and the proposed method (curve 2), direct current and microwave signal, respectively, figure 5 and 6 are the results of studies of the thermal stability of the parameters of heterostructured field effect transistors based on a semiconductor compound obtained by the proposed method (
Устройство (фиг.1) содержит полупроводниковую пластину 1, канальные 2 и контактные 3 слои, омические контакты истока 4 и стока 5, и затвор 6, который выполнен на основе послойно расположенных на полупроводниковой пластине 1 тонких пленок барьерообразующего металла 7, диффузионного барьера 8 и проводника 9. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе полупроводникового соединения (фиг.2) с высокой подвижностью электронов на поверхности полупроводниковой пластины 1 расположен буферный слой 10, а на поверхности канального слоя 2 расположен донорный 11 и барьерный 12 слои.The device (Fig. 1) contains a
Устройство (фиг.1) работает следующим образом. При подаче напряжения на омические контакты истока 4 и стока 5, через омический контакт истока 4, контактный слой 3, канальный слой 2 и омический контакт стока 5 начинает протекать ток, величина которого увеличивается по мере увеличения разности потенциалов на омических контактах истока 4 и стока 5, вплоть до того момента, когда дрейфовая скорость электронов в электрическом поле достигнет своего максимального значения. Дальнейший рост напряжения на омических контактах истока 4 и стока 5 практически не приводит к росту тока и его величина достигает насыщения. Одновременно с подачей напряжения на омические контакты истока 4 и стока 5, к затвору 6 прикладывается переменное отрицательное напряжение, которое по мере своего роста увеличивает сечение области обеднения под затвором 6 и тем самым уменьшает ток между омическими контактами истока 4 и стока 5, осуществляя модуляцию тока потенциалом, приложенным к затвору 6.The device (figure 1) works as follows. When voltage is applied to the ohmic contacts of the
Высокую термостабильность параметров затвора 6 предлагаемого устройства обеспечивают за счет того, что тонкопленочное соединение Ge и Cu проводника 9, по сравнению с тонкой пленкой чистой меди, использованной в прототипе, имеет пониженные диффузионную способность и химическую активность, а также высокую стойкость к электромиграции и удельное сопротивление, сравнимое с сопротивлением тонкой пленки меди.High thermal stability of the parameters of the
Снижение значения приведенного контактного сопротивления омических контактов истока 4 и стока 5 заявляемого устройства обеспечивают за счет того, что тонкопленочное соединение Ge и Cu, сформированное во время обработки полупроводниковой пластины 1 в атмосфере атомарного водорода, подвергают термообработке.The reduced contact resistance of the ohmic contacts of the
ПримерExample
Пример демонстрирует технический результат, достигаемый при создании предлагаемого устройства относительно устройства, выбранного за прототип.An example demonstrates the technical result achieved when creating the proposed device relative to the device selected for the prototype.
Гетероструктурный полевой транзистор на основе полупроводникового соединения с высокой подвижностью электронов был сформирован на псевдоморфных структурах GaAs/AlGaAs/InGaAs, полученных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. После формирования изоляции устройства с помощью травления меза-структур, на поверхности полупроводниковой пластины 1 формировали двухслойную резистивную маску, в которой вскрывали окна с отрицательным углом наклона стенок. Перед осаждением тонких пленок с целью очистки поверхности полупроводниковой пластины 1 и удаления собственных оксидов мышьяка и галлия полупроводниковую пластину n-GaAs 1 обрабатывали в водном растворе H2SO4 (1:10) в течение 3 минут, а затем промывали в деионизованной воде и сушили в потоке азота. Далее полупроводниковую пластину 1 загружали в вакуумную камеру установки электронно-лучевого испарения металлов и производили осаждение тонких пленок Ge и Cu с толщинами 78 и 122 нм, соответственно. Затем полупроводниковую пластину 1 извлекали из вакуумной камеры и делили на две части (образец №1 и образец №2), вторую часть которой (далее - образец №2) в соответствии с предлагаемым способом подвергали обработке в атмосфере атомарного водорода при давлении молекулярного водорода р=10-4 торр и плотности потока атомов водорода 1015 ат. см-2 с-1 в течение t=5 мин, при температуре Т=22°С. Затем с обоих образцов удаляли резистивную маску, что приводило к формированию топологии омических контактов истока 4 и стока 5. Далее образцы для формирования омических контактов истока 4 и стока 5 подвергали вакуумной термообработке при температуре T=400°С, в течение t=30 минут. После чего на полупроводниковых пластинах 1 образцов №1 и №2 методом центрифугирования формировали трехслойную резистивную маску на основе резистов 950 PMMA/LOR 5B/495 PMMA. Каждый слой резиста наносили методом центрифугирования, с последующей сушкой при температуре Т=180°С в течение t=5 минут. Экспонирование производили с помощью системы электронно-лучевой литографии Raith-150TWO с энергией электронов 30 кэВ. Для травления подзатворной области использовали химический раствор на основе лимонной кислоты. Затем методом электронно-лучевого испарения в вакууме при остаточном давлении атмосферы 5×10-7 торр производили осаждение тонких пленок для формирования затвора 6 для образца №1 на основе Ti/Mo/Cu (20 нм/20 нм/200 нм), а для образца №2 на основе Ti/Mo/Ge/Cu (20 нм/20 нм/78 нм/122 нм). После чего образец №2 дополнительно подвергали обработке в атмосфере атомарного водорода при давлении молекулярного водорода p=10-4 торр и плотности потока атомов водорода 1015 ат. см-2 с-1, в течение t=5 мин, при температуре T=22°С. Затем с образцов №1 и №2 удаляли резистивную маску, что приводило к формированию Т-образного затвора 6.A heterostructured field-effect transistor based on a semiconductor compound with high electron mobility was formed on GaAs / AlGaAs / InGaAs pseudomorphic structures obtained by molecular beam epitaxy. After the insulation of the device was formed by etching the mesa structures, a two-layer resistive mask was formed on the surface of the
Значения приведенного контактного сопротивления омических контактов истока 4 и стока 5 устройств, полученных по способу-прототипу и предлагаемому способу, измеряли методом линий передач.The values of the contact resistance of the ohmic contacts of the
Параметры полученных устройств по постоянному току измеряли с помощью прибора Hewlett Packard 4256A, а исследование 8-параметров производили на приборе Rohde & Shwartz ZVA-40.The parameters of the obtained DC devices were measured using a Hewlett Packard 4256A instrument, and the 8-parameter study was performed on a Rohde & Shwartz ZVA-40 instrument.
Омические контакты истока 4 и стока 5 устройства, полученного по способу-прототипу, обладали величиной приведенного контактного сопротивления 2×10-5 Ом·см2, в то время как омические контакты истока и стока устройства, полученного заявляемым способом, имели значение контактного сопротивления 7×10-6 Ом·см2.The ohmic contacts of the
В таблице приведены измеренные электрические параметры заявляемого устройства и прототипа.The table shows the measured electrical parameters of the claimed device and prototype.
Из данных таблицы видно, что измеренные электрические параметры гетероструктурного полевого транзистора на основе GaAs, полученного предлагаемым способом, выше параметров аналогичного устройства, полученного согласно способу-прототипу. Проведенные исследования термостабильности параметров устройств по постоянному току (фиг.5, 6) показали, что у транзистора, полученного по способу-прототипу, наблюдается деградация барьерных характеристик затвора 6 в процессе проведения термоиспытаний, что обусловлено активной диффузией меди из затвора на основе Ti/Mo/Cu к поверхности полупроводниковой пластины 1 под воздействием термической латеральной диффузии. В предложенном решении - более высокие значения термостабильности параметров устройства, которые практически не деградировали после проведения термоиспытаний.From the table it is seen that the measured electrical parameters of the heterostructured field-effect transistor based on GaAs, obtained by the proposed method, is higher than the parameters of a similar device obtained according to the prototype method. Studies of the thermal stability of the parameters of DC devices (Figs. 5, 6) showed that the transistor obtained by the prototype method exhibits degradation of the barrier characteristics of the
Кроме того, тонкопленочные соединения омических контактов истока 4 и стока 5 и затвора 6 заявляемого устройства не содержат драгоценных металлов, в результате чего снижается себестоимость изготовления заявляемого устройства.In addition, thin-film compounds of the ohmic contacts of the
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011121833/28A RU2460172C1 (en) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | Transistor based on semiconductor compound and method of its manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011121833/28A RU2460172C1 (en) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | Transistor based on semiconductor compound and method of its manufacturing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2460172C1 true RU2460172C1 (en) | 2012-08-27 |
Family
ID=46937952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011121833/28A RU2460172C1 (en) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | Transistor based on semiconductor compound and method of its manufacturing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2460172C1 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7420227B2 (en) * | 2005-06-22 | 2008-09-02 | National Chiao Tung University | Cu-metalized compound semiconductor device |
RU2358355C2 (en) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Field transistor |
JP2009200162A (en) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Kobe Steel Ltd | DISPLAY APPARATUS AND Cu ALLOY FILM USED THEREFOR |
US7884428B2 (en) * | 2007-04-06 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
RU2009130823A (en) * | 2009-08-12 | 2011-02-20 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU) | METHOD FOR MANUFACTURING OMIC CONTACT TO GaAs BASED ON THIN FILMS Ge and Cu |
US7902582B2 (en) * | 2006-08-31 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
-
2011
- 2011-05-30 RU RU2011121833/28A patent/RU2460172C1/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2358355C2 (en) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Field transistor |
US7420227B2 (en) * | 2005-06-22 | 2008-09-02 | National Chiao Tung University | Cu-metalized compound semiconductor device |
US7902582B2 (en) * | 2006-08-31 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
US7884428B2 (en) * | 2007-04-06 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2009200162A (en) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Kobe Steel Ltd | DISPLAY APPARATUS AND Cu ALLOY FILM USED THEREFOR |
RU2009130823A (en) * | 2009-08-12 | 2011-02-20 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU) | METHOD FOR MANUFACTURING OMIC CONTACT TO GaAs BASED ON THIN FILMS Ge and Cu |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Ерофеев Е.В. и др. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT транзистора с субмикронным Т-образным затвором. Доклады ТУСУРа, №2 (22), часть 1, декабрь 2010, с.183-186. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10541315B2 (en) | INP-based transistor fabrication | |
TWI487109B (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US8674409B2 (en) | Heterojunction field effect transistor, method for producing heterojunction field effect transistor, and electronic device | |
US9818838B2 (en) | Semiconductor device | |
CN104766882B (en) | Semiconductor devices | |
US20110233689A1 (en) | Semiconductor device, process for producing semiconductor device, semiconductor substrate, and process for producing semiconductor substrate | |
US8338241B2 (en) | Method of manufacturing high frequency device structure | |
JP2016100450A (en) | Heterojunction field effect transistor and manufacturing method of the same | |
RU2460172C1 (en) | Transistor based on semiconductor compound and method of its manufacturing | |
US20220399458A1 (en) | Semiconductor device and fabrication methods thereof | |
CN112289683B (en) | High electron mobility transistor and method for manufacturing the same | |
CN115084261A (en) | InAs/AlSb heterojunction-based radio frequency field effect transistor device and preparation method thereof | |
TWI508286B (en) | Field effect transistor, semiconductor board, method for making a field effect transistor, and method for making a semiconductor board | |
RU2442243C1 (en) | The transistor on the basis of the semiconducting compound | |
JPH05175244A (en) | Manufacture of gaas mesfet device | |
Oh et al. | Surface treatment for enhancing current gain of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor | |
Chabak et al. | Processing methods for low Ohmic contact resistance in AlN/GaN MOSHEMTs | |
Mistele et al. | Engineering and impact of surface states on AlGaN/GaN-based hetero field effect transistors | |
KR102612031B1 (en) | High-electron-mobility transistor device and method of manufacuring the same | |
US8105925B2 (en) | Method for forming an insulated gate field effect device | |
US20230246100A1 (en) | Enhancement-mode hemt and manufacturing process of the same | |
JP4836334B2 (en) | Compound semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP3407926B2 (en) | Doping method, semiconductor device, resistance layer, method of manufacturing field effect transistor, method of manufacturing semiconductor circuit element, method of manufacturing electric conduction region, method of forming quantum wire, method of forming quantum box, quantum wire transistor, semiconductor integrated circuit Manufacturing method, electron wave interference device | |
CN106876460A (en) | The forming method of the transistor with dissymmetrical structure | |
CN117650172A (en) | Enhanced HEMT device structure and manufacturing method thereof |