RU2459311C2 - Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц - Google Patents

Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц Download PDF

Info

Publication number
RU2459311C2
RU2459311C2 RU2010145191/28A RU2010145191A RU2459311C2 RU 2459311 C2 RU2459311 C2 RU 2459311C2 RU 2010145191/28 A RU2010145191/28 A RU 2010145191/28A RU 2010145191 A RU2010145191 A RU 2010145191A RU 2459311 C2 RU2459311 C2 RU 2459311C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nanoparticles
chalcogenide nanoparticles
salts
reaction
organic
Prior art date
Application number
RU2010145191/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010145191A (ru
Inventor
Юрий Александрович Миргород (RU)
Юрий Александрович Миргород
Сергей Геннадьевич Емельянов (RU)
Сергей Геннадьевич Емельянов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ)
Priority to RU2010145191/28A priority Critical patent/RU2459311C2/ru
Publication of RU2010145191A publication Critical patent/RU2010145191A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2459311C2 publication Critical patent/RU2459311C2/ru

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к получению полупроводниковых наноматериалов. Сущность изобретения: в способе получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц из соли металла подгруппы цинка, элементного халькогена и органического восстановительного активатора, в качестве органического активатора используют s-алкилизотиурониевые соли. Изобретение обеспечивает расширение ассортимента исходных реагентов, устраняет использование дурнопахнущих реагентов, обеспечивает стабилизацию дисперсной системы. 2 з.п. ф-лы.

Description

Изобретение относится к получению полупроводниковых наноматериалов. Такие материалы применяются в электронике для создания оптических фильтров, в химии для разложения воды под действием света, в медицине в виде «квантовых точек» для диагностики онкологических заболеваний. Химические формулы халькогенов АIIBIV, где АII - металл подгруппа цинка (Zn, Cd, Hg), ВIV - халькоген (S, Se, Te). Наночастицы этих полупроводников, соизмеримые с длиной волны Де-Бройля, называют квантовыми точками из-за особых квантово-размерных эффектов.
Известно получение халькогенидных наночастиц путем обменной реакции в системе обратных мицелл (Робинсон и др. Синтез и выделение икрочастиц в системе обратных мицелл. В сборнике «Структура и реактивность в обратных мицеллах», под ред. Пилени, Токио, 1989, с.198). Получаемые данным способом наночастицы имеют непродолжительное время существования в углеводородных растворителях. Для стабилизации дисперсных систем в реакционную смесь добавляют лиганды, ПАВ, тиолы (Губин С.П., Катаева Н.А., Хомутов Г.В. // Изв. АН. Сер. хим. 2005. №4. С.811).
Наиболее близким к предлагаемому способом по техническому решению является синтез халькогенидных наночастиц в системе гидразингидрат-щелочь (Патент РФ 2366541 (13) С2, B22F 9/24 (2006.01), Леванова Е.П. и др. Полифункциональные материалы и нанотехнологии. Сборник статей /под ред. Г.Е. Дунаевского и др. -Томск, 2008. Том 1. - С.262).
Известный способ получения халькогенидных наночастиц состоит из реакции соли металла (МеХ2, где Me - Zn2+, Cd2+, Hg2+, a X - Сl-, Br-, NO3-, СН3СОО-) c элементным халькогеном (S, Se, Те) и одновременно органическим дихалькогенидом R2Y (Y- S, Se, Те; R - органический радикал) в системе гидразингидрат - щелочь. В этой системе наблюдается восстановительная активация халькогена и дихалькогенида, например диалкилдисульфида R-S-S-R
Figure 00000001
Figure 00000002
Полученные гомогенные растворы объединяют и добавляют к водному раствору соли МеХ2
Figure 00000003
R=СН3, С2Н5, НОСН2СН2-, n-C8H17 и др. n=10-30, m=8-24.
В результате образуются частицы следующего строения MenYm(YR)6 размером от 5 до 30 нм. На поверхности наночастиц находятся органические радикалы.
Недостаток способа - использование дурнопахнущих органических дихалькогенидов, что удорожает способ получения в связи с ужесточением охраны труда, малой скорости реакции (2) вследствие плохой растворимости дихалькогенидов в воде.
Технической задачей изобретения является расширение ассортимента исходных реагентов, замена дурнопахнущих дихалькогенидов. Кроме того, при использовании предлагаемых реагентов сохраняется лучшая стабилизация дисперсной системы.
Указанная выше задача решается тем, что в известном способе получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц из соли металла подгруппы цинка, элементного халькогена, органического дихалькогенида в системе гидразингидрат-щелочь вместо органических дихалькогенов используют s-алкилизотиурониевые соли RSC(NH2)2Cl (AT-соли). АТ-соли получают из соответствующих алкилгалогенидов и тиомочевины (селеномочевины) при кипячении в среде этилового спирта. Соли представляют собой белые кристаллические вещества, без запаха. С алкильным радикалом до С10 они хорошо растворяются в воде.
Дихалькогениды, например низкомолекулярный диметилдисульфид, в воде растворяются плохо. Такое свойство дихалькогенидов уменьшает скорость реакции (2). Предлагаемый способ осуществляют следующим образом. В системе гидразингидрат - щелочь наблюдается восстановительная активация халькогенида (серы) и АТ-соли
Figure 00000004
Figure 00000005
Количество добавляемой АТ-соли подбирается экспериментальным путем в зависимости от ее связывания на поверхности полупроводникового халькогенида. Максимум соответствует плотному мономолекулярному слою. Поверхность наночастицы определяют по ее диаметру. Например, наночастица с диаметром 3 нм имеет поверхность 9,42·10-14 см2. По площади всех частиц и площади, занимаемой АТ-солью, можно рассчитать требуемое количество AT в реакции (5).
Полученные гомогенные растворы объединяют и добавляют к водному раствору соли металлов подгруппы цинка.
Figure 00000006
Реакция (5) происходит быстрее, чем реакция (2), так как RSC(NH2)+Cl-, например, s-бензилизотиуроний хлорид (БТХ) хорошо растворяется в воде и все реагенты реакции (5) образуют гомогенную систему. (CdS)n(SR)m представляет собой наночастицу из n молекул CdS, которая окружена связанными посредством связи S-C m бензильными радикалами. Благодаря гидрофобизации поверхности наночастицы выпадают в осадок из гомогенной водной среды после реакции (6). Порошок отделяют от водного слоя с помощью центрифуги, промывают водой. Определяют размер наночастиц на просвечивающем электронном микроскопе. Наличие стабилизирующей органической фазы подтверждают методом спектроскопии комбинационного рассеивания.
В способе получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц могут использоваться s-алкиларилизотиурониевые соли, а также соли с ионами хлора, брома, йода.
Предлагаемый способ иллюстрируется примером. В 50 мл стеклянный стакан с магнитной мешалкой загружают 4 мл 2М раствора КОН, 4 мл 0,5М раствора N2H4·H2O и 0,13 г порошка серы. Смесь перемешивают до окончания реакции (1), что определяют по исчезновению частичек серы и прекращению выделения пузырьков азота (реакция (2)). В другой 50 мл стеклянный стакан с магнитной мешалкой загружают 4 мл 2М раствора КОН, 4 мл 0,5М раствора N2H4·H2O и 0,4 г кристаллического БТХ. Раствор перемешивают до прекращения выделения пузырьков газа реакции (5). В третьем 50 мл стакане растворяют 0,36 г CdCl2 в 6 мл H2O. Предварительно сливают друг с другом водные растворы первого и второго стаканов и добавляют полученную смесь к раствору CdCl2 третьего раствора. Перемешивают. В зависимости от чистоты серы, БТХ, CdCl2 образуются разные по цвету флуоресцирующие растворы. Получают наночастицы сульфида кадмия, покрытые бензильными радикалами. Для выделения наночастиц к водному раствору добавляют 10 мл изооктана и перемешивают до перехода наночастиц в углеводородный растворитель. Далее каплю углеводородной дисперсии переносят на углеродную подложку с медной сеточкой и определяют размер наночастиц в просвечивающем электронном микроскопе 5,6±0,4 нм.
Таким образом, с помощью изобретения решается задача расширения ассортимента восстановительного активатора, улучшение их растворимости, а значит увеличение скорости реакции (5) по сравнению с реакцией (2) при получении полупроводниковых наночастиц халькогенидов металлов подгруппы цинка.

Claims (3)

1. Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц из соли металлов подгруппы цинка, элементного халькогена и органического восстановительного активатора, отличающийся тем, что в качестве активаторов используют s-алкилизотиурониевые соли.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют s-алкиларилизотиурониевые соли.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют соли с ионами хлора, брома, йода.
RU2010145191/28A 2010-11-03 2010-11-03 Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц RU2459311C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010145191/28A RU2459311C2 (ru) 2010-11-03 2010-11-03 Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010145191/28A RU2459311C2 (ru) 2010-11-03 2010-11-03 Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010145191A RU2010145191A (ru) 2012-05-10
RU2459311C2 true RU2459311C2 (ru) 2012-08-20

Family

ID=46311994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010145191/28A RU2459311C2 (ru) 2010-11-03 2010-11-03 Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2459311C2 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7563430B2 (en) * 2007-06-01 2009-07-21 International Business Machines Corporation Inorganic metal chalcogen cluster precursors and methods for forming colloidal metal chalcogenide nanoparticles using the same
RU2366541C2 (ru) * 2007-10-15 2009-09-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ИрГУПС) Способ получения наночастиц халькогенидных полупроводниковых материалов
KR20090108826A (ko) * 2008-04-14 2009-10-19 삼성전기주식회사 금속 칼코게나이드 나노입자 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7563430B2 (en) * 2007-06-01 2009-07-21 International Business Machines Corporation Inorganic metal chalcogen cluster precursors and methods for forming colloidal metal chalcogenide nanoparticles using the same
RU2366541C2 (ru) * 2007-10-15 2009-09-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ИрГУПС) Способ получения наночастиц халькогенидных полупроводниковых материалов
KR20090108826A (ko) * 2008-04-14 2009-10-19 삼성전기주식회사 금속 칼코게나이드 나노입자 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010145191A (ru) 2012-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dey et al. State of the art and prospects for halide perovskite nanocrystals
EP3102649B1 (en) Quantum dot nanoparticles having enhanced stability and luminescence efficiency
CN107338048B (zh) InP/GaP/ZnS核壳量子点及其制备方法
JP5519091B2 (ja) 硫黄前駆体としてチオール化合物を用いた硫化金属ナノ結晶の製造方法
JP4994599B2 (ja) InP微粒子の製造方法およびその方法で得られたInP微粒子分散液
JP5162742B2 (ja) 半導体ナノ粒子及びその製造方法
JP6975988B2 (ja) アミン‐金属錯体と硫黄徐放性前駆体を使用した発光2d層状材料の合成
US9129720B2 (en) Synthesis of uniform nanoparticle shapes with high selectivity
JP2012515138A (ja) コロイドナノ結晶の低温合成
RU2459311C2 (ru) Способ получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц
KR20190074182A (ko) 금속 할로겐 페로브스카이트 나노입자 제조방법 및 금속 할로겐 페로브스카이트 나노입자 분산액
JP2009013019A (ja) ウルツ鉱型ナノ結晶の製造方法
JP7475839B2 (ja) 亜鉛含有ナノ粒子の合成方法
RU2366541C2 (ru) Способ получения наночастиц халькогенидных полупроводниковых материалов
González et al. Aqueous-phase synthesized CdTe quantum dots: an insight into nanoparticle architecture-quantum yield relationship, characterization, and computational study of small clusters
KR100927700B1 (ko) 유기 금속 착물 및 칼코겐 원소를 이용하여 나노크기의금속 칼코게나이드를 제조하는 방법
JP7475840B2 (ja) ウルツ鉱型硫化物ナノ粒子の合成方法
RU2417863C1 (ru) Способ получения наночастиц халькогенидов металлов
Hoang Metal halide perovskite nanocrystals: From synthesis to applications
Liu Synthesis, Self-assembly and Regrowth of Lead Halide Perovskite Nanocrystals
Lu Synthesis and characterization of metal thiocarboxylates: Potential single-source precursors for metal sulfides

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20121104