RU2446506C1 - Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления - Google Patents
Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2446506C1 RU2446506C1 RU2010128866/07A RU2010128866A RU2446506C1 RU 2446506 C1 RU2446506 C1 RU 2446506C1 RU 2010128866/07 A RU2010128866/07 A RU 2010128866/07A RU 2010128866 A RU2010128866 A RU 2010128866A RU 2446506 C1 RU2446506 C1 RU 2446506C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- particles
- emitter layer
- dielectric
- nanosized
- field emission
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к автоэлектронным катодам, и может быть использовано в производстве плоских дисплеев. Технический результат - обеспечение активизации существующих и образование дополнительных центров автоэмиссии на проводящих наноструктурных частицах эмиттерного слоя, уменьшение интенсивности нагружения эмиттируемых наноразмерных структур. Достигается тем, что в ячейке с автоэлектронной эмиссией, содержащей две диэлектрические пластины, на одной из двух диэлектрических пластин выполнены, по крайней мере, один катодный электрод с эмиттерным слоем, включающим наноразмерные токопроводящие структуры, один управляющий электрод, эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, при этом гетерогенная структура выполнена в виде дополнительных концентраторов электрического поля в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами эмиттерного слоя, причем в гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и частицами диэлектрического материала. Кроме того, частицы диэлектрического материала выполнены в виде структуры островкового типа. В способе изготовления ячейки с автоэлектронной эмиссией, включающем нанесение на одной из двух диэлектрических пластин, по крайней мере, одного катодного электрода с эмиттерным слоем, нанесение на эмиттерный слой наноразмерной токопроводящей структуры, формирование одного управляющего электрода, осуществляют смешивание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала в определенной пропорции, затем проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к автоэлектронным катодам, и может быть использовано в производстве плоских дисплеев.
Известно устройство плоского дисплея, который содержит автоэмиссионный эмиттер на основе углеродных нанотрубок (см. патент US №7196463, МКИ: H01J 63/04, опубл. 27.03.2007 г.). Плоский дисплей способен работать при низком - от нескольких вольт до нескольких десятков вольт напряжении на управляющих электродах. Дисплей использует углеродные нанотрубки в качестве материала для эмиттеров электронов. Конструкция дисплея выбрана так, что разность между напряженностями поля, при которых достигаются максимальная и минимальная плотности тока эмиссии, не превышает 1 В/мкм, а предпочтительнее не более 0,5 В/мкм. Положительное качество такого устройства - высокая плотность тока и низкая рабочая разность потенциалов между эмиттером и управляющим электродом.
Недостатком этой конструкции является наличие сложной системы эмиттеров: из-за разброса высоты нанотрубок и существования экранировки соседних нанотрубок эмиттер критичен к уровню приложенного ускоряющего напряжения. Устранение этого недостатка и обеспечение однородности эмиссии ведет к необходимости удовлетворения жесткого требования идентичности нанотрубок. Практическая реализация его существенно усложняет технологию изготовления.
Известно устройство дисплея (см. патент JP №3688970, МКИ: H01J 31/12, H01J 9/02, H01J 29/04, опубл. 31.08.2005 г.), в котором электрод для эмиссии электронов формируют путем нанесения одна на другую тонких пленок иридия, платины и золота и выполнения термообработки для получения электрода с неоднородностями, имеющего структуру островков. Островки распределены вперемежку между участками плоской тонкой пленки. Сформированные неоднородности способствуют повышению эффективности полевой эмиссии.
Эффект взаимной экранировки эмитирующих неоднородностей в пределах каждого из островков приводит к подавлению эмиссии в центральной части. Поэтому активная эмиссия существует лишь с периферийной, граничной части каждого островка, что ограничивает эффективность эмиттера в целом.
Недостаток такой эмиссионной композиции для ячейки с автоэлектронной эмиссией заключается в том, что вероятность полевой эмиссии с острий нанотрубок существует для тех из них, которые одновременно удовлетворяют трем условиям: имеют электрический контакт с катодным электродом, пересекают сплошной слой диэлектрика и выходят в рабочее пространство. Остальные нанотрубки, не удовлетворяющие хотя бы одному из перечисленных условий, не эмитируют. Ограничение взаимной экранировки соседних нанотрубок остается в силе и является фактором дополнительного уменьшения автоэмиссионного тока.
Наиболее близким аналогом - прототипом к изобретению является ячейка с автоэлектронной эмиссией, описанная в патенте ЕР №1505621, опубл. 09.02.2005 г., МКИ: H01J 1/304. Эмиссионная композиция для ячейки с автоэлектронной эмиссией, наносимая печатным способом на катодную подложку дисплея, содержит углеродные нанотрубки, связующий материал, стеклянную фритту, диспергатор и органический растворитель, а также 0,1-20% алмаза. Наличие в составе композиции одновременно углеродных нанотрубок и алмаза позволяет получить повышенные плотности тока при таком же напряжении возбуждения и тем самым улучшить эмиссионные свойства. Кроме того, такая ячейка может быть эффективно сформирована способом печати и обеспечивает стабильную эмиссию.
Недостаток устройства заключается в том, что вероятность полевой эмиссии с острий нанотрубок существует лишь для тех из них, которые имеют электрический контакт с катодным электродом, пересекают сплошной слой диэлектрика и выходят в рабочее пространство. Остальные нанотрубки, не удовлетворяющие хотя бы одному из перечисленных условий, не эмиттируют.
Перечисленные недостатки заявленным техническим решением устраняются.
Сущность изобретения заключается в следующем.
Задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение, заключается в обеспечении активизации существующих и образовании дополнительных центров автоэмиссии на проводящих наноструктурных частицах эмиттерного слоя, в уменьшении интенсивности нагружения эмиттируемых наноразмерных структур, в устранении критичности автоэмиссионных структур к разбросу размеров наноразмерных токопроводящих структур и, соответственно, в долговечности и высокой информативности экрана, а также в упрощении технологических процессов при его изготовлении.
Указанный технический результат достигается тем, что в ячейку с автоэлектронной эмиссией, содержащей две диэлектрические пластины, на одной из двух диэлектрических пластин выполнены, по крайней мере, один катодный электрод с эмитерным слоем, включающим наноразмерные токопроводящие структуры, один управляющий электрод, диэлектрическую рамку, герметично соединяющую две диэлектрические пластины, эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, при этом гетерогенная структура выполнена в виде дополнительных концентраторов электрического поля в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами эмиттерного слоя, причем в гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала.
Кроме того, в ячейке с автоэлектронной эмиссией частицы диэлектрического материала образуют структуры островкового типа.
Указанный технический результат в способе изготовления ячейки с автоэлектронной эмиссией, включающем нанесение на одну из двух диэлектрических пластин, по крайней мере, одного катодного электрода с эмиттерным слоем, нанесение на эмиттерный слой наноразмерной токопроводящей структуры, формирование одного управляющего электрода, достигается тем, что осуществляют смешивание наноразмерной токопроводящей структуры и частиц диэлектрического материала в определенной пропорции, затем проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала.
Сущность изобретения поясняется графическими материалами, примером конкретного исполнения и описанием.
На фиг.1 схематично изображена ячейка с автоэлектронной эмиссией.
На фиг.2 изображены отдельные фрагменты ячейки с автоэлектронной эмиссией: а) фрагмент катодного электрода с управляющим электродом; б) подложка с нанесенным катодным электродом и управляющим электродом - в разрезе, вид прямо; с) фрагмент дополнительного концентратора - вид сверху.
На чертежах приняты следующие обозначения:
1 - ячейка с автоэлектронной эмиссией;
2 - диэлектрические пластины (первая и вторая);
3 - управляющий электрод;
4 - катодный электрод;
5 - эмиттерный слой (гетерогенная структура);
6 - наноразмерные токопроводящие структуры;
7 - дополнительные концентраторы;
8 - частицы диэлектрического материала;
9 - наноразмерные зазоры между наноразмерными токопроводящими структурами 6 и частицами диэлектрического материала 8;
10 - диэлектрическая рамка, герметично соединяющая две пластины 2.
В соответствии с настоящим изобретением ячейка с автоэлектронной эмиссией 1 содержит две диэлектрические пластины 2. На одной из двух диэлектрических пластин 2 выполнен управляющий электрод 3 и катодный электрод 4, на котором расположен эмиттерный слой 5. Эмиттерный слой 5 включает наноразмерные токопроводящие структуры 6. Эмиттерный слой 5 содержит дополнительные концентраторы 7 электрического поля, внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала 8. Дополнительные концентраторы 7 в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала 8 в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами 6 эмиттерного слоя 5 образуют гетерогенную структуру. В гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры 9 между наноразмерными токопроводящими структурами 6 и частицами диэлектрического материала 8. Рамка 10, например стеклянная, герметично соединяет две диэлектрические пластины 2.
Пример конкретного исполнения
Была изготовлена ячейка с автоэлектронной эмиссией 1 (см. фиг.1). Ячейка с автоэлектронной эмиссией 1 содержит две диэлектрические пластины 2, герметично соединенные стеклянной рамкой 10. На одной из двух диэлектрических пластин 2 сформировали катодный электрод 4 с эмиттерным слоем 5. При этом эмиттерный слой 5 содержит наноразмерные токопроводящие структуры 6 и управляющий электрод 3. Проводят смешивание наноразмерных токопроводящих структур 6 и частиц диэлектрического материала 8 в определенной пропорции. Проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур 6 и частиц диэлектрического материала 8.
Использование описываемой конструкции ячейки с автоэлектронной эмиссией по сравнению с известными конструкциями ячеек с автоэлектронной эмиссией позволяет получить следующие преимущества:
- используется выявленный эффект локализации электростатического поля в окрестности граничной поверхности нано- и микроразмерных диэлектрических частиц; максимальный коэффициент усиления напряженности внешнего поля составляет 2,0÷3,5 раза при изменении относительной диэлектрической проницаемости в диапазоне 4÷400 и размера диэлектрической частицы в диапазоне 20÷2000 нм. На расстоянии 0,2·d (d - поперечный размер частицы, измеренный в направлении вектора напряженности приложенного внешнего поля) обеспечивается коэффициент усиления внешнего поля не ниже 1,5. Локализация поля в окрестности диэлектрических частиц обеспечивает активацию существующих и образование дополнительных центров автоэмиссии на проводящих наноструктурных частицах эмиттерного слоя;
- одновременно достигается снижение пороговой разности потенциалов для обеспечения требуемого уровня автоэмиссионного тока эмиттера, уменьшение интенсивности нагружения эмитируемых наноразмерных структур, замедляются процессы деградации эмиттера и повышается его долговечность, обеспечивается защита эмитируемых наноразмерных структур от ионной бомбардировки и снижается разрушающее влияние пондеромоторных сил;
- устраняется критичность автоэмиссионных структур к разбросу размеров наноразмерных токопроводящих структур, обеспечивается стабильность автоэмиссиии.
Claims (3)
1. Ячейка с автоэлектронной эмиссией, содержащая две диэлектрические пластины, на одной из двух диэлектрических пластин выполнены, по крайней мере, один катодный электрод с эмиттерным слоем, включающим наноразмерные токопроводящие структуры, один управляющий электрод, диэлектрическую рамку, герметично соединяющую две диэлектрические пластины, отличающаяся тем, что эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, при этом гетерогенная структура выполнена в виде дополнительных концентраторов электрического поля в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами эмиттерного слоя, причем в гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и частицами диэлектрического материала.
2. Ячейка с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающаяся тем, что частицы диэлектрического материала выполнены в виде структуры островкового типа.
3. Способ изготовления ячейки с автоэлектронной эмиссией, включающий нанесение на одной из двух диэлектрических пластин, по крайней мере, одного катодного электрода с эмиттерным слоем, нанесение на эмиттерный слой наноразмерной токопроводящей структуры, формирование одного управляющего электрода, отличающийся тем, что осуществляют смешивание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала в определенной пропорции, затем проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010128866/07A RU2446506C1 (ru) | 2010-07-12 | 2010-07-12 | Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010128866/07A RU2446506C1 (ru) | 2010-07-12 | 2010-07-12 | Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010128866A RU2010128866A (ru) | 2012-01-20 |
RU2446506C1 true RU2446506C1 (ru) | 2012-03-27 |
Family
ID=45785250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010128866/07A RU2446506C1 (ru) | 2010-07-12 | 2010-07-12 | Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2446506C1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2497222C1 (ru) * | 2012-06-19 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Зеленоградский инновационно-технологический центр" (ОАО "ЗИТЦ") | Гетеропереходная структура |
RU2524207C1 (ru) * | 2012-11-28 | 2014-07-27 | Николай Павлович Абаньшин | Узел электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом |
RU2562907C1 (ru) * | 2014-03-31 | 2015-09-10 | Николай Дмитриевич Жуков | Эмиссионная светодиодная ячейка |
RU2575137C2 (ru) * | 2012-10-02 | 2016-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" | Гетероструктура для автоэмиттера |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138237A (en) * | 1991-08-20 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter |
RU2089960C1 (ru) * | 1995-09-22 | 1997-09-10 | Саратовский научно-исследовательский институт "Волга" | Пленочный планарно-торцевой матричный автоэлектронный катод |
RU2141698C1 (ru) * | 1993-11-04 | 1999-11-20 | Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн | Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов |
RU2152662C1 (ru) * | 1999-02-23 | 2000-07-10 | Научно-исследовательский институт "Волга" | Катодолюминесцентный экран и способ его изготовления |
RU2196372C2 (ru) * | 2000-12-25 | 2003-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" | Низковольтный катодолюминесцентный экран |
EP1505621A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-09 | Iljin Diamond Co., Ltd. | Emitter composition using diamond method of manufacturing the same and field emission cell using the same |
RU2297689C1 (ru) * | 2005-08-24 | 2007-04-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" | Катодолюминесцентный экран на основе автоэмиссии |
-
2010
- 2010-07-12 RU RU2010128866/07A patent/RU2446506C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5138237A (en) * | 1991-08-20 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter |
RU2141698C1 (ru) * | 1993-11-04 | 1999-11-20 | Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн | Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов |
RU2089960C1 (ru) * | 1995-09-22 | 1997-09-10 | Саратовский научно-исследовательский институт "Волга" | Пленочный планарно-торцевой матричный автоэлектронный катод |
RU2152662C1 (ru) * | 1999-02-23 | 2000-07-10 | Научно-исследовательский институт "Волга" | Катодолюминесцентный экран и способ его изготовления |
RU2196372C2 (ru) * | 2000-12-25 | 2003-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" | Низковольтный катодолюминесцентный экран |
EP1505621A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-09 | Iljin Diamond Co., Ltd. | Emitter composition using diamond method of manufacturing the same and field emission cell using the same |
RU2297689C1 (ru) * | 2005-08-24 | 2007-04-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" | Катодолюминесцентный экран на основе автоэмиссии |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2497222C1 (ru) * | 2012-06-19 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Зеленоградский инновационно-технологический центр" (ОАО "ЗИТЦ") | Гетеропереходная структура |
RU2575137C2 (ru) * | 2012-10-02 | 2016-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" | Гетероструктура для автоэмиттера |
RU2524207C1 (ru) * | 2012-11-28 | 2014-07-27 | Николай Павлович Абаньшин | Узел электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом |
RU2562907C1 (ru) * | 2014-03-31 | 2015-09-10 | Николай Дмитриевич Жуков | Эмиссионная светодиодная ячейка |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2010128866A (ru) | 2012-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6452328B1 (en) | Electron emission device, production method of the same, and display apparatus using the same | |
KR100314094B1 (ko) | 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법 | |
EP1113478B1 (en) | Triode structure field emission device | |
US8616931B2 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element | |
KR100865384B1 (ko) | 전계 방출 장치 | |
US7365482B2 (en) | Field emission display including electron emission source formed in multi-layer structure | |
KR20010039952A (ko) | 전계 방출 디바이스 | |
RU2446506C1 (ru) | Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления | |
KR100699800B1 (ko) | 전계방출 표시장치 및 그 제조 방법 | |
TWI471890B (zh) | 場發射陰極裝置及其驅動方法 | |
JP2003507873A (ja) | 電界エミッタおよび装置 | |
KR20020011617A (ko) | 탄소나노튜브와 절연물을 이용한 mic형 전계 방출 소자 | |
RU2297689C1 (ru) | Катодолюминесцентный экран на основе автоэмиссии | |
KR101121639B1 (ko) | 전자 방출 장치의 음극부 구조 | |
CN1301532C (zh) | 平板显示器的制造方法 | |
JPWO2012093628A1 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法、電子放出素子の修復方法 | |
JP3663171B2 (ja) | Fedパネル及びその製造方法 | |
RU2524207C1 (ru) | Узел электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом | |
KR20050078330A (ko) | 전계 방출 표시 소자 | |
KR101084082B1 (ko) | 전자 방출 디바이스 및 그 제조방법 | |
US20080238296A1 (en) | Electron-emitting device and display apparatus | |
JP5795330B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、および電子放出素子の製造方法 | |
JP2010244735A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
KR20040102790A (ko) | 전계방출소자 | |
JP2012185942A (ja) | 電界放出型発光装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20130123 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130713 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20141027 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160713 |