RU2446506C1 - Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления - Google Patents

Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2446506C1
RU2446506C1 RU2010128866/07A RU2010128866A RU2446506C1 RU 2446506 C1 RU2446506 C1 RU 2446506C1 RU 2010128866/07 A RU2010128866/07 A RU 2010128866/07A RU 2010128866 A RU2010128866 A RU 2010128866A RU 2446506 C1 RU2446506 C1 RU 2446506C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
particles
emitter layer
dielectric
nanosized
field emission
Prior art date
Application number
RU2010128866/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010128866A (ru
Inventor
Борис Исаакович Горфинкель (RU)
Борис Исаакович Горфинкель
Николай Павлович Абаньшин (RU)
Николай Павлович Абаньшин
Александр Николаевич Якунин (RU)
Александр Николаевич Якунин
Original Assignee
Борис Исаакович Горфинкель
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Борис Исаакович Горфинкель filed Critical Борис Исаакович Горфинкель
Priority to RU2010128866/07A priority Critical patent/RU2446506C1/ru
Publication of RU2010128866A publication Critical patent/RU2010128866A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2446506C1 publication Critical patent/RU2446506C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к автоэлектронным катодам, и может быть использовано в производстве плоских дисплеев. Технический результат - обеспечение активизации существующих и образование дополнительных центров автоэмиссии на проводящих наноструктурных частицах эмиттерного слоя, уменьшение интенсивности нагружения эмиттируемых наноразмерных структур. Достигается тем, что в ячейке с автоэлектронной эмиссией, содержащей две диэлектрические пластины, на одной из двух диэлектрических пластин выполнены, по крайней мере, один катодный электрод с эмиттерным слоем, включающим наноразмерные токопроводящие структуры, один управляющий электрод, эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, при этом гетерогенная структура выполнена в виде дополнительных концентраторов электрического поля в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами эмиттерного слоя, причем в гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и частицами диэлектрического материала. Кроме того, частицы диэлектрического материала выполнены в виде структуры островкового типа. В способе изготовления ячейки с автоэлектронной эмиссией, включающем нанесение на одной из двух диэлектрических пластин, по крайней мере, одного катодного электрода с эмиттерным слоем, нанесение на эмиттерный слой наноразмерной токопроводящей структуры, формирование одного управляющего электрода, осуществляют смешивание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала в определенной пропорции, затем проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к автоэлектронным катодам, и может быть использовано в производстве плоских дисплеев.
Известно устройство плоского дисплея, который содержит автоэмиссионный эмиттер на основе углеродных нанотрубок (см. патент US №7196463, МКИ: H01J 63/04, опубл. 27.03.2007 г.). Плоский дисплей способен работать при низком - от нескольких вольт до нескольких десятков вольт напряжении на управляющих электродах. Дисплей использует углеродные нанотрубки в качестве материала для эмиттеров электронов. Конструкция дисплея выбрана так, что разность между напряженностями поля, при которых достигаются максимальная и минимальная плотности тока эмиссии, не превышает 1 В/мкм, а предпочтительнее не более 0,5 В/мкм. Положительное качество такого устройства - высокая плотность тока и низкая рабочая разность потенциалов между эмиттером и управляющим электродом.
Недостатком этой конструкции является наличие сложной системы эмиттеров: из-за разброса высоты нанотрубок и существования экранировки соседних нанотрубок эмиттер критичен к уровню приложенного ускоряющего напряжения. Устранение этого недостатка и обеспечение однородности эмиссии ведет к необходимости удовлетворения жесткого требования идентичности нанотрубок. Практическая реализация его существенно усложняет технологию изготовления.
Известно устройство дисплея (см. патент JP №3688970, МКИ: H01J 31/12, H01J 9/02, H01J 29/04, опубл. 31.08.2005 г.), в котором электрод для эмиссии электронов формируют путем нанесения одна на другую тонких пленок иридия, платины и золота и выполнения термообработки для получения электрода с неоднородностями, имеющего структуру островков. Островки распределены вперемежку между участками плоской тонкой пленки. Сформированные неоднородности способствуют повышению эффективности полевой эмиссии.
Эффект взаимной экранировки эмитирующих неоднородностей в пределах каждого из островков приводит к подавлению эмиссии в центральной части. Поэтому активная эмиссия существует лишь с периферийной, граничной части каждого островка, что ограничивает эффективность эмиттера в целом.
Недостаток такой эмиссионной композиции для ячейки с автоэлектронной эмиссией заключается в том, что вероятность полевой эмиссии с острий нанотрубок существует для тех из них, которые одновременно удовлетворяют трем условиям: имеют электрический контакт с катодным электродом, пересекают сплошной слой диэлектрика и выходят в рабочее пространство. Остальные нанотрубки, не удовлетворяющие хотя бы одному из перечисленных условий, не эмитируют. Ограничение взаимной экранировки соседних нанотрубок остается в силе и является фактором дополнительного уменьшения автоэмиссионного тока.
Наиболее близким аналогом - прототипом к изобретению является ячейка с автоэлектронной эмиссией, описанная в патенте ЕР №1505621, опубл. 09.02.2005 г., МКИ: H01J 1/304. Эмиссионная композиция для ячейки с автоэлектронной эмиссией, наносимая печатным способом на катодную подложку дисплея, содержит углеродные нанотрубки, связующий материал, стеклянную фритту, диспергатор и органический растворитель, а также 0,1-20% алмаза. Наличие в составе композиции одновременно углеродных нанотрубок и алмаза позволяет получить повышенные плотности тока при таком же напряжении возбуждения и тем самым улучшить эмиссионные свойства. Кроме того, такая ячейка может быть эффективно сформирована способом печати и обеспечивает стабильную эмиссию.
Недостаток устройства заключается в том, что вероятность полевой эмиссии с острий нанотрубок существует лишь для тех из них, которые имеют электрический контакт с катодным электродом, пересекают сплошной слой диэлектрика и выходят в рабочее пространство. Остальные нанотрубки, не удовлетворяющие хотя бы одному из перечисленных условий, не эмиттируют.
Перечисленные недостатки заявленным техническим решением устраняются.
Сущность изобретения заключается в следующем.
Задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение, заключается в обеспечении активизации существующих и образовании дополнительных центров автоэмиссии на проводящих наноструктурных частицах эмиттерного слоя, в уменьшении интенсивности нагружения эмиттируемых наноразмерных структур, в устранении критичности автоэмиссионных структур к разбросу размеров наноразмерных токопроводящих структур и, соответственно, в долговечности и высокой информативности экрана, а также в упрощении технологических процессов при его изготовлении.
Указанный технический результат достигается тем, что в ячейку с автоэлектронной эмиссией, содержащей две диэлектрические пластины, на одной из двух диэлектрических пластин выполнены, по крайней мере, один катодный электрод с эмитерным слоем, включающим наноразмерные токопроводящие структуры, один управляющий электрод, диэлектрическую рамку, герметично соединяющую две диэлектрические пластины, эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, при этом гетерогенная структура выполнена в виде дополнительных концентраторов электрического поля в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами эмиттерного слоя, причем в гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала.
Кроме того, в ячейке с автоэлектронной эмиссией частицы диэлектрического материала образуют структуры островкового типа.
Указанный технический результат в способе изготовления ячейки с автоэлектронной эмиссией, включающем нанесение на одну из двух диэлектрических пластин, по крайней мере, одного катодного электрода с эмиттерным слоем, нанесение на эмиттерный слой наноразмерной токопроводящей структуры, формирование одного управляющего электрода, достигается тем, что осуществляют смешивание наноразмерной токопроводящей структуры и частиц диэлектрического материала в определенной пропорции, затем проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала.
Сущность изобретения поясняется графическими материалами, примером конкретного исполнения и описанием.
На фиг.1 схематично изображена ячейка с автоэлектронной эмиссией.
На фиг.2 изображены отдельные фрагменты ячейки с автоэлектронной эмиссией: а) фрагмент катодного электрода с управляющим электродом; б) подложка с нанесенным катодным электродом и управляющим электродом - в разрезе, вид прямо; с) фрагмент дополнительного концентратора - вид сверху.
На чертежах приняты следующие обозначения:
1 - ячейка с автоэлектронной эмиссией;
2 - диэлектрические пластины (первая и вторая);
3 - управляющий электрод;
4 - катодный электрод;
5 - эмиттерный слой (гетерогенная структура);
6 - наноразмерные токопроводящие структуры;
7 - дополнительные концентраторы;
8 - частицы диэлектрического материала;
9 - наноразмерные зазоры между наноразмерными токопроводящими структурами 6 и частицами диэлектрического материала 8;
10 - диэлектрическая рамка, герметично соединяющая две пластины 2.
В соответствии с настоящим изобретением ячейка с автоэлектронной эмиссией 1 содержит две диэлектрические пластины 2. На одной из двух диэлектрических пластин 2 выполнен управляющий электрод 3 и катодный электрод 4, на котором расположен эмиттерный слой 5. Эмиттерный слой 5 включает наноразмерные токопроводящие структуры 6. Эмиттерный слой 5 содержит дополнительные концентраторы 7 электрического поля, внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала 8. Дополнительные концентраторы 7 в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала 8 в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами 6 эмиттерного слоя 5 образуют гетерогенную структуру. В гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры 9 между наноразмерными токопроводящими структурами 6 и частицами диэлектрического материала 8. Рамка 10, например стеклянная, герметично соединяет две диэлектрические пластины 2.
Пример конкретного исполнения
Была изготовлена ячейка с автоэлектронной эмиссией 1 (см. фиг.1). Ячейка с автоэлектронной эмиссией 1 содержит две диэлектрические пластины 2, герметично соединенные стеклянной рамкой 10. На одной из двух диэлектрических пластин 2 сформировали катодный электрод 4 с эмиттерным слоем 5. При этом эмиттерный слой 5 содержит наноразмерные токопроводящие структуры 6 и управляющий электрод 3. Проводят смешивание наноразмерных токопроводящих структур 6 и частиц диэлектрического материала 8 в определенной пропорции. Проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур 6 и частиц диэлектрического материала 8.
Использование описываемой конструкции ячейки с автоэлектронной эмиссией по сравнению с известными конструкциями ячеек с автоэлектронной эмиссией позволяет получить следующие преимущества:
- используется выявленный эффект локализации электростатического поля в окрестности граничной поверхности нано- и микроразмерных диэлектрических частиц; максимальный коэффициент усиления напряженности внешнего поля составляет 2,0÷3,5 раза при изменении относительной диэлектрической проницаемости в диапазоне 4÷400 и размера диэлектрической частицы в диапазоне 20÷2000 нм. На расстоянии 0,2·d (d - поперечный размер частицы, измеренный в направлении вектора напряженности приложенного внешнего поля) обеспечивается коэффициент усиления внешнего поля не ниже 1,5. Локализация поля в окрестности диэлектрических частиц обеспечивает активацию существующих и образование дополнительных центров автоэмиссии на проводящих наноструктурных частицах эмиттерного слоя;
- одновременно достигается снижение пороговой разности потенциалов для обеспечения требуемого уровня автоэмиссионного тока эмиттера, уменьшение интенсивности нагружения эмитируемых наноразмерных структур, замедляются процессы деградации эмиттера и повышается его долговечность, обеспечивается защита эмитируемых наноразмерных структур от ионной бомбардировки и снижается разрушающее влияние пондеромоторных сил;
- устраняется критичность автоэмиссионных структур к разбросу размеров наноразмерных токопроводящих структур, обеспечивается стабильность автоэмиссиии.

Claims (3)

1. Ячейка с автоэлектронной эмиссией, содержащая две диэлектрические пластины, на одной из двух диэлектрических пластин выполнены, по крайней мере, один катодный электрод с эмиттерным слоем, включающим наноразмерные токопроводящие структуры, один управляющий электрод, диэлектрическую рамку, герметично соединяющую две диэлектрические пластины, отличающаяся тем, что эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, при этом гетерогенная структура выполнена в виде дополнительных концентраторов электрического поля в виде внедренных нано- и/или микроразмерных частиц диэлектрического материала в совокупности с наноразмерными токопроводящими структурами эмиттерного слоя, причем в гетерогенной структуре выполнены наноразмерные зазоры между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и частицами диэлектрического материала.
2. Ячейка с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающаяся тем, что частицы диэлектрического материала выполнены в виде структуры островкового типа.
3. Способ изготовления ячейки с автоэлектронной эмиссией, включающий нанесение на одной из двух диэлектрических пластин, по крайней мере, одного катодного электрода с эмиттерным слоем, нанесение на эмиттерный слой наноразмерной токопроводящей структуры, формирование одного управляющего электрода, отличающийся тем, что осуществляют смешивание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала в определенной пропорции, затем проводят послойное электрофоретическое высаживание наноразмерных токопроводящих структур и частиц диэлектрического материала.
RU2010128866/07A 2010-07-12 2010-07-12 Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления RU2446506C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010128866/07A RU2446506C1 (ru) 2010-07-12 2010-07-12 Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010128866/07A RU2446506C1 (ru) 2010-07-12 2010-07-12 Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010128866A RU2010128866A (ru) 2012-01-20
RU2446506C1 true RU2446506C1 (ru) 2012-03-27

Family

ID=45785250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010128866/07A RU2446506C1 (ru) 2010-07-12 2010-07-12 Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2446506C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2497222C1 (ru) * 2012-06-19 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Зеленоградский инновационно-технологический центр" (ОАО "ЗИТЦ") Гетеропереходная структура
RU2524207C1 (ru) * 2012-11-28 2014-07-27 Николай Павлович Абаньшин Узел электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом
RU2562907C1 (ru) * 2014-03-31 2015-09-10 Николай Дмитриевич Жуков Эмиссионная светодиодная ячейка
RU2575137C2 (ru) * 2012-10-02 2016-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" Гетероструктура для автоэмиттера

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5138237A (en) * 1991-08-20 1992-08-11 Motorola, Inc. Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter
RU2089960C1 (ru) * 1995-09-22 1997-09-10 Саратовский научно-исследовательский институт "Волга" Пленочный планарно-торцевой матричный автоэлектронный катод
RU2141698C1 (ru) * 1993-11-04 1999-11-20 Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов
RU2152662C1 (ru) * 1999-02-23 2000-07-10 Научно-исследовательский институт "Волга" Катодолюминесцентный экран и способ его изготовления
RU2196372C2 (ru) * 2000-12-25 2003-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" Низковольтный катодолюминесцентный экран
EP1505621A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-09 Iljin Diamond Co., Ltd. Emitter composition using diamond method of manufacturing the same and field emission cell using the same
RU2297689C1 (ru) * 2005-08-24 2007-04-20 Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" Катодолюминесцентный экран на основе автоэмиссии

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5138237A (en) * 1991-08-20 1992-08-11 Motorola, Inc. Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter
RU2141698C1 (ru) * 1993-11-04 1999-11-20 Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов
RU2089960C1 (ru) * 1995-09-22 1997-09-10 Саратовский научно-исследовательский институт "Волга" Пленочный планарно-торцевой матричный автоэлектронный катод
RU2152662C1 (ru) * 1999-02-23 2000-07-10 Научно-исследовательский институт "Волга" Катодолюминесцентный экран и способ его изготовления
RU2196372C2 (ru) * 2000-12-25 2003-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" Низковольтный катодолюминесцентный экран
EP1505621A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-09 Iljin Diamond Co., Ltd. Emitter composition using diamond method of manufacturing the same and field emission cell using the same
RU2297689C1 (ru) * 2005-08-24 2007-04-20 Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ" Катодолюминесцентный экран на основе автоэмиссии

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2497222C1 (ru) * 2012-06-19 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Зеленоградский инновационно-технологический центр" (ОАО "ЗИТЦ") Гетеропереходная структура
RU2575137C2 (ru) * 2012-10-02 2016-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" Гетероструктура для автоэмиттера
RU2524207C1 (ru) * 2012-11-28 2014-07-27 Николай Павлович Абаньшин Узел электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом
RU2562907C1 (ru) * 2014-03-31 2015-09-10 Николай Дмитриевич Жуков Эмиссионная светодиодная ячейка

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010128866A (ru) 2012-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6452328B1 (en) Electron emission device, production method of the same, and display apparatus using the same
KR100314094B1 (ko) 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법
EP1113478B1 (en) Triode structure field emission device
US8616931B2 (en) Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element
KR100865384B1 (ko) 전계 방출 장치
US7365482B2 (en) Field emission display including electron emission source formed in multi-layer structure
KR20010039952A (ko) 전계 방출 디바이스
RU2446506C1 (ru) Ячейка с автоэлектронной эмиссией и способ ее изготовления
KR100699800B1 (ko) 전계방출 표시장치 및 그 제조 방법
TWI471890B (zh) 場發射陰極裝置及其驅動方法
JP2003507873A (ja) 電界エミッタおよび装置
KR20020011617A (ko) 탄소나노튜브와 절연물을 이용한 mic형 전계 방출 소자
RU2297689C1 (ru) Катодолюминесцентный экран на основе автоэмиссии
KR101121639B1 (ko) 전자 방출 장치의 음극부 구조
CN1301532C (zh) 平板显示器的制造方法
JPWO2012093628A1 (ja) 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法、電子放出素子の修復方法
JP3663171B2 (ja) Fedパネル及びその製造方法
RU2524207C1 (ru) Узел электровакуумного прибора с автоэмиссионным катодом
KR20050078330A (ko) 전계 방출 표시 소자
KR101084082B1 (ko) 전자 방출 디바이스 및 그 제조방법
US20080238296A1 (en) Electron-emitting device and display apparatus
JP5795330B2 (ja) 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、および電子放出素子の製造方法
JP2010244735A (ja) 電子放出素子及びその製造方法
KR20040102790A (ko) 전계방출소자
JP2012185942A (ja) 電界放出型発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20130123

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130713

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20141027

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160713