RU2436187C1 - Способ изготовления фланцев - Google Patents

Способ изготовления фланцев Download PDF

Info

Publication number
RU2436187C1
RU2436187C1 RU2010134744/28A RU2010134744A RU2436187C1 RU 2436187 C1 RU2436187 C1 RU 2436187C1 RU 2010134744/28 A RU2010134744/28 A RU 2010134744/28A RU 2010134744 A RU2010134744 A RU 2010134744A RU 2436187 C1 RU2436187 C1 RU 2436187C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
flange
flanges
coefficient
linear expansion
thermal linear
Prior art date
Application number
RU2010134744/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Андреевич Кожевников (RU)
Владимир Андреевич Кожевников
Тамара Ивановна Бражникова (RU)
Тамара Ивановна Бражникова
Олег Васильевич Марченко (RU)
Олег Васильевич Марченко
Олег Николаевич Пахомов (RU)
Олег Николаевич Пахомов
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Priority to RU2010134744/28A priority Critical patent/RU2436187C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2436187C1 publication Critical patent/RU2436187C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов. Изобретение направлено на исключение прогиба фланцев, изготовленных из псевдосплава медь-молибден, которое возникает в процессе пайки корпусов высокотемпературным припоем, и обеспечение контакта всей площади фланцев с теплоотводом для повышения энергетических параметров и надежности транзисторов. Сущность изобретения: при изготовлении фланца корпуса мощного СВЧ транзистора из псевдосплава медь-молибден при вырубке фланцы ориентируют по отношению к направлению проката листа псевдосплава МД-40 таким образом, чтобы длинная сторона фланца была параллельна направлению проката. В результате анизотропии псевдосплава коэффициент термического линейного расширения вдоль фланца находится в пределах 7,6÷8,4×10-6 1/°С, что соответствует коэффициенту термического линейного расширения бериллиевой керамики 7,6×10-6 1/°С, которую напаивают на фланец. Коэффициент термического линейного расширения поперек фланца составляет 9,1÷9,9×10-6 1/°С. Так как длина фланца значительно превосходит его ширину, то несоответствие коэффициента термического линейного расширения псевдосплава и керамики сконцентрировано исключительно на малых поперечных размерах, в результате чего прогиб фланцев в процессе пайки корпусов и эксплуатации транзисторов отсутствует. 3 ил., 1 табл.

Description

Предлагаемое изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов.
Корпус ВЧ и СВЧ транзистора состоит из металлического фланца (теплоотвода), металлизированного керамического держателя из окиси бериллия (кристаллодержателя) и выводной пластины из никеля (полосковые выводы). Элементы корпуса соединяются между собой методом пайки высокотемпературным серебросодержащим припоем ПСр-72 при температуре 830÷880°С в среде водорода (фиг.1).
Известна конструкция металлокерамического корпуса мощного СВЧ транзистора, в котором фланец изготовлен из псевдосплава, содержащего в определенных весовых пропорциях медь и молибден. Практическое применение из ряда псевдосплавов имеет псевдосплав МД-40, состоящий из 40% меди и 60% молибдена [1, 2]. Его широкое использование в производстве корпусов обусловлено оптимальным сочетанием таких физико-механических свойств, как электропроводность, коэффициент термического линейного расширения и ковкость. Свойство ковкости важно учитывать при изготовлении фланцев методом штамповки (вырубки), который широко используется в производстве как наиболее технологичный и экономически выгодный. Псевдосплавы с большим содержанием меди обладают большей пластичностью, но при этом фланцы из этих материалов больше деформируются как при вырубке, так и в процессе сборки корпусов. С другой стороны, при увеличении в псевдосплаве содержания молибдена утрачивается его пластичность, материал становится хрупким, что затрудняет изготовление фланцев методом штамповки.
В процессе пайки фланца с бериллиевой керамикой, коэффициент термического линейного расширения которой составляет 7,6×10-6 1/°С, возникают механические напряжения из-за разности значений коэффициента термического линейного расширения фланца и керамики. Эти напряжения приводят к изгибу фланца с образованием вогнутости со стрелой прогиба более 50 мкм. Причем, чем длиннее фланец, тем стрела прогиба больше (фиг.1). Корпуса мощных транзисторов имеют сравнительно большие геометрические размеры, поэтому стрела прогиба достигает порядка 100 мкм и более. В вышеприведенной конструкции корпуса фланец является общим электродом и служит как для крепления транзистора к теплоотводу, так и для отвода тепла от кристалла к теплоотводу и должен контактировать с теплоотводом всей площадью. Неплоскостность фланца отрицательно влияет на его равномерный электрический и тепловой контакт с теплоотводом, снижая рассеиваемую мощность и, как следствие, надежность транзистора при его эксплуатации. Специфика конструкции корпусов мощных СВЧ транзисторов заключается в том, что толщина фланца не может быть определена произвольным образом, ее значение оптимизируется в процессе проектирования транзистора, в связи с чем нельзя повысить жесткость фланца, увеличивая его толщину, так как это повлияет на электрические характеристики транзисторов, а также на габариты и массу аппаратуры, которая комплектуется данными транзисторами. Поэтому устранение неплоскостности фланцев является актуальным техническим решением.
Известен способ изготовления фланцев из псевдосплава на основе вольфрама и меди, используемый за рубежом. Фланцы, изготовленные этим методом, сохраняют свою плоскостность как при сборке корпусов, так и во время эксплуатации транзисторов. Однако этот метод экономически нецелесообразен, так как отличается большой трудоемкостью и дороговизной [1]. Кроме того, фланцы на основе вольфрама при тех же габаритных размерах обладают большей массой, чем фланцы из псевдосплава МД-40. В связи с этим были предприняты различные способы устранения прогиба фланцев из псевдосплава МД-40, такие как шлифовка фланцев после пайки корпусов, использование низкотемпературных припоев. Однако эти приемы не дают положительных результатов [1].
Технический эффект предлагаемого изобретения - исключение прогиба фланца в процессе пайки корпусов и обеспечение контакта всей площади фланца с теплоотводом.
Данный технический эффект достигается за счет изменения ориентации фланцев на листе псевдосплава в процессе вырубки. Псевдосплав получают прессованием и прокаткой смеси порошков меди и молибдена. При прокатке листов в псевдосплаве формируется структура материала с анизотропией величины коэффициента термического линейного расширения. Так, для МД-40 коэффициент термического линейного расширения составляет в направлении проката 7,6÷8,4×10-6 1/°С, а поперек проката 9,1÷9,9×10-6 1/°С. Исходя из оптимального раскроя листов, фланцы для корпусов вырубаются таким образом, что длинная сторона фланца перпендикулярна направлению проката (фиг.2), поэтому коэффициент термического линейного расширения вдоль фланца значительно больше, чем поперек, соответственно 9,1÷9,9×10-6 1/°С, против 7,6÷8,4×10-6 1/°С. Так как причиной прогиба является разница величин коэффициентов термического линейного расширения керамики и фланца, то предлагается осуществлять вырубку таким образом, чтобы длинная сторона фланца была параллельна направлению проката (фиг.3). При такой технологии вырубки коэффициент термического линейного расширения вдоль фланца меньше, чем поперек, и приближается к коэффициенту термического линейного расширения бериллиевой керамики, а поперечный размер фланца сравнительно мал. Поэтому прогиб фланца полностью отсутствует.
На фиг.1 схематично изображен корпус мощного СВЧ транзистора. Он состоит из фланца 1, бериллиевой керамики 2, полосковых выводов 3. Элементы корпуса соединены пайкой высокотемпературным припоем ПСр-72.
На фиг.2 представлена так называемая карта раскроя, изображающая расположение фланца 1 при вырубке на листе псевдосплава МД-40 4 по существующей технологии, а на фиг.3 - по предлагаемой.
Выполнение и испытание предлагаемого изобретения осуществлялось следующим образом: лист псевдосплава МД-40 разрезается поперек проката на полосы шириной, равной длине фланца с припуском (заготовки). Затем производится вырубка фланцев. Коэффициент термического линейного расширения фланца в этом случае составляет вдоль длины 7,6÷8,4×10-6 1/°С, поперек 9,1÷9,9×10-6 1/°С. После подготовки фланцев к пайке по существующей технологии (обезжиривание, никелирование и т.д.) проводится сборка и соответственно пайка корпусов по стандартной технологии. Измерение стрелы прогиба фланцев после пайки корпусов показало ее отсутствие.
В таблице 1 приведены результаты измерений стрелы прогиба фланцев, изготовленных по стандартной и предлагаемой технологии, после сборки и пайки корпусов КТ-82 (ГОСТ 18472-88) для транзисторов в балансном исполнении (фиг.1). Размер фланцев 38×10×2,5 мм.
Из приведенных экспериментальных данных видно, что предлагаемое ориентирование фланцев на листе псевдосплава длинной стороной вдоль проката в процессе их вырубки (другими словами, карты раскроя псевдосплава) позволяет исключить прогиб фланца в процессе пайки корпусов и, как следствие, повысить качество и надежность СВЧ транзисторов в части обеспечения их тепловых и электрических свойств.
Таблица 1
№ п/п Величина стрелы прогиба, мкм
Стандартная технология изготовления фланцев Предлагаемая технология изготовления фланцев
1 2 3
1 80 -
2 70 -
3 50 <10
4 100 -
5 90 -
6 70 <10
7 100 -
8 60 -
9 70 -
10 100 -
Источники информации
1. В.И.Диковский. Псевдосплавы тугоплавкого металла с медью для изготовления фланцев корпусов мощных СВЧ транзисторов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, выпуск 1-2, 2005, стр.74-79.
2. В.А.Сидоров. Особенности конструкции и технологии изготовления корпусов СВЧ полупроводниковых приборов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, выпуск 1-2, 2005, стр.117-118.

Claims (1)

  1. Фланец корпуса мощного СВЧ-транзистора из псевдосплава медь-молибден, отличающийся тем, что коэффициент термического линейного расширения его длинной стороны соответствует коэффициенту термического линейного расширения псевдосплава в направлении проката.
RU2010134744/28A 2010-08-19 2010-08-19 Способ изготовления фланцев RU2436187C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010134744/28A RU2436187C1 (ru) 2010-08-19 2010-08-19 Способ изготовления фланцев

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010134744/28A RU2436187C1 (ru) 2010-08-19 2010-08-19 Способ изготовления фланцев

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2436187C1 true RU2436187C1 (ru) 2011-12-10

Family

ID=45405740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010134744/28A RU2436187C1 (ru) 2010-08-19 2010-08-19 Способ изготовления фланцев

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2436187C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2498329C1 (ru) * 2012-03-27 2013-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ) Устройство для испытаний электронных компонентов в полосковом тракте

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Диковский В.И. Псевдосплавы тугоплавкого металла с медью для изготовления фланцев корпусов мощных СВЧ транзисторов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, выпуск 1,2, 2005, с.74-79. Сидоров В.А. Особенности конструкции и технологии изготовления корпусов СВЧ полупроводниковых приборов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, выпуск 1,2, 2005, с.117,118. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2498329C1 (ru) * 2012-03-27 2013-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ) Устройство для испытаний электронных компонентов в полосковом тракте

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012169678A (ja) 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法
EP3922391A1 (en) Production method for copper/ceramic joined body, production method for insulated circuit board, copper/ceramic joined body, and insulated circuit board
EP3236495B1 (en) Circuit substrate and electronic device
CN106537580B (zh) 陶瓷电路基板及其制造方法
CN102527747A (zh) 一种铜钼铜层状复合材料的制备方法
JP2012004534A (ja) 放熱用絶縁基板及びその製造方法
TW201821623A (zh) 散熱零件用銅合金板、散熱零件及散熱零件之製造方法
JP2016051778A (ja) 金属−セラミックス接合基板
CN109346547A (zh) 一种柔性导电光伏焊带及其制备方法
RU2436187C1 (ru) Способ изготовления фланцев
CN110999544B (zh) 陶瓷电路基板
CN111751177B (zh) 一种覆铜陶瓷基板拉力测试样品制备方法
CN107021788B (zh) 一种氮化铝陶瓷制冷片及其加工方法
CN109175783A (zh) 一种四元合金钎料
RU2345444C1 (ru) Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч
JPH07193358A (ja) セラミックス電子回路基板の製造方法
CN103633550A (zh) 一种半导体激光器bar条垂直阵列的封装方法
JP2001135929A (ja) 窒化ケイ素回路基板の製造方法
JP2016072622A (ja) Ag下地層付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
WO2021261440A1 (ja) 窒化アルミニウム焼結体、回路基板、及び接合基板
KR102441314B1 (ko) 전류 검출용 저항기 및 회로 기판
JP3190282B2 (ja) 回路基板の製造方法
JP7298988B2 (ja) セラミックス回路基板及びその製造方法
JP5203896B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH10167804A (ja) セラミックス基板及びそれを用いた回路基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20131003

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170820