RU2419924C1 - Фазовращатель (варианты) - Google Patents

Фазовращатель (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2419924C1
RU2419924C1 RU2010109193/07A RU2010109193A RU2419924C1 RU 2419924 C1 RU2419924 C1 RU 2419924C1 RU 2010109193/07 A RU2010109193/07 A RU 2010109193/07A RU 2010109193 A RU2010109193 A RU 2010109193A RU 2419924 C1 RU2419924 C1 RU 2419924C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pmosfet
source
controlled
output
pmosfets
Prior art date
Application number
RU2010109193/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Мария Андреевна Дунаева (RU)
Мария Андреевна Дунаева
Александр Геннадьевич Чернокалов (RU)
Александр Геннадьевич Чернокалов
Original Assignee
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд."
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." filed Critical Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд."
Priority to RU2010109193/07A priority Critical patent/RU2419924C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2419924C1 publication Critical patent/RU2419924C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электронных технологий и описывает схему усовершенствованного фазовращателя, содержащего четыре pMOSFET и резистор или источник тока, при этом второй и третий pMOSFET управляются противофазными цифровыми сигналами управления, затворы первого и четвертого pMOSFET управляются высокочастотным входным сигналом, а при переключении противофазных цифровых сигналов управления фаза выходного сигнала изменяется на девяносто градусов, причем первый и третий pMOSFET соединены последовательно, при этом на исток первого pMOSFET подают напряжение питания (VCC), сток первого pMOSFET связан с истоком третьего pMOSFET, а сток третьего pMOSFET связан с выходом и резистором или источником тока, при этом затвор третьего pMOSFET управляется цифровым сигналом, второй и четвертый pMOSFETs соединены последовательно, при этом на исток второго pMOSFET подают напряжение питания (VCC), сток второго pMOSFET связан с истоком четвертого pMOSFET, а сток четвертого pMOSFET связан с выходом и резистором или источником тока, при этом затвор второго pMOSFET управляется цифровым сигналом. Технический результат -упрощение, повышение функциональности. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к области электронных технологий, а именно к аналоговым фазовращателям, и может быть использовано в радиопередатчиках и приемниках, в которых требуется обеспечить сдвиг фазы на 90°.
Из уровня техники известны различные решения проблемы сдвига фазы. В частности, следует упомянуть патент РФ №2367066 [1], в котором заявлен фазовращатель СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, полевой транзистор с барьером Шотки, два двухполюсных реактивных элемента либо разной, либо одинаковой величины, при этом сток полевого транзистора с барьером Шотки соединен с одним из концов одного из двухполюсных реактивных элементов, а другой его конец - с линией передачи на выходе, исток полевого транзистора с барьером Шотки заземлен, а на его затвор подают постоянное управляющее напряжение, отличающийся тем, что в фазовращатель СВЧ дополнительно введены два отрезка линии передачи, первый длиной, равной половине длины волны и менее, а второй длиной, равной четверти длины волны, при этом один конец первого отрезка линии передачи соединен с линией передачи на входе и с одним из концов первого двухполюсного реактивного элемента, а второй его конец - с одним из концов второго двухполюсного реактивного элемента и с линией передачи на выходе, один конец второго отрезка линии передачи соединен с другим концом первого двухполюсного реактивного элемента, а второй его конец - с другим концом второго двухполюсного реактивного элемента, при этом сток полевого транзистора с барьером Шотки также соединен либо с одним, либо с другим концом второго отрезка линии передачи, при этом указанная длина волны соответствует средней частоте рабочей полосы частот.
Наиболее близким к заявленному изобретению является фазовращатель, описанный в патенте США №5317276 [2], который преобразует полученный входной сигнал в два выходных сигнала, имеющих разность фаз 90° друг относительно друга, и включает в себя первый и второй входной узел для получения соответственно первого и второго сигналов, имеющих противоположные фазы; первую цепь из двух последовательно включенных резисторов, имеющих одинаковые значения сопротивления, первый конец первой последовательной цепи подключен к первому входному узлу; вторую цепь из двух последовательно включенных конденсаторов, первый и второй конденсаторы с одинаковыми значениями емкости, вторая последовательно соединенная цепь подсоединена между вторым концом первой последовательной цепи и вторым входным узлом, первый выход подключен к узлу между двумя последовательно включенными резисторами, второй выход подключен к узлу между двумя последовательно включенными конденсаторами, разность фаз между выходными сигналами 90°. Выходные напряжения с фазами под прямым углом друг к другу могут быть получены от одного токового пути с амплитудными характеристиками, сходными с обычными 0°/90° фазовращателями, использующими дифференцирующие схемы и интегрирующие схемы. Ортогональность сохраняется в широком диапазоне частот, как в обычном фазовращателе. Данный фазовращатель выбран в качестве прототипа заявленного изобретения.
Недостатки аналога [1] и прототипа [2] заключаются, во-первых, в наличии большого количества элементов, что увеличивает стоимость изготовления, а во-вторых, в использовании емкостей, наличие которых имеет значение в случае высоких частот, поскольку низкономинальные емкости обладают огромной погрешностью из-за геометрических ошибок при изготовлении интегральной схемы, что ухудшает функциональность фазовращателя.
Задачей заявленного изобретения является создание фазовращателя, включающего в своей конструкции меньшее число компонентов, имеющего улучшенную функциональность.
Поставленная задача решена путем создания такой конструкции фазовращателя, в которой уменьшено число компонентов, что позволяет упростить процесс изготовления фазовращателя и снизить его себестоимость, а улучшенная функциональность достигается за счет отсутствия в его конструкции емкости, что имеет значение в случае высоких частот, поскольку емкости с низким номиналом обладают очень большой погрешностью из-за геометрических ошибок при изготовлении интегральной схемы.
Технический результат достигается за счет разработки усовершенствованного фазовращателя, содержащего четыре pMOSFET (где pMOSFET - p-chanal Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, известный также как р-канальный МОП-транзистор) и резистор или источник тока, при этом второй и третий pMOSFET управляются противофазными цифровыми сигналами управления, затворы первого и четвертого pMOSFET управляются высокочастотным входным сигналом, а при переключении противофазных цифровых сигналов управления фаза выходного сигнала изменяется на 90°, причем первый и третий pMOSFET соединены последовательно, при этом на исток первого pMOSFET подают напряжение питания (VCC), сток первого pMOSFET связан с истоком третьего pMOSFET, а сток третьего pMOSFET связан с выходом и резистором или источником тока, при этом затвор третьего pMOSFET управляется цифровым сигналом, второй и четвертый pMOSFETs соединены последовательно, при этом на исток второго pMOSFET подают напряжение питания (VCC), сток второго pMOSFET связан с истоком четвертого pMOSFET, а сток четвертого pMOSFET связан с выходом и резистором или источником тока, при этом затвор второго pMOSFET управляется цифровым сигналом.
Таким образом, предлагаются два варианта реализации заявляемого изобретения - либо с резистором, либо с источником тока.
Для лучшего понимания заявленного изобретения далее приводится его подробное описание с соответствующими чертежами.
Фиг.1. Схема фазовращателя согласно изобретению.
Фиг.2. Принципиальная схема фазовращателя согласно изобретению в случае, когда цифровой сигнал управления cntr равен 1.
Фиг.3. Принципиальная схема фазовращателя согласно изобретению в случае, когда цифровой сигнал управления cntr равен 0.
Фиг.4. Фазовая диаграмма фазовращателя согласно изобретению.
Рассмотрим вариант выполнения заявленного фазовращателя, который содержит четыре pMOSFET и резистор или источник тока (Фиг.1). Второй МР2 и третий МР3 pMOSFET управляются противофазными цифровыми сигналами управления cntr, cntrb. На затворы первого МР1 и четвертого МР4 pMOSFET подают высокочастотный входной сигнал. При переключении сигналов управления фаза выходного сигнала изменяется на 90°.
Первый МР1 и третий МР3 pMOSFET соединены последовательно. Исток МР1 связан с VCC (где VCC означает Voltage at the Common Collector, т.е. напряжение питания). Сток МР1 связан с истоком МР3. Исток МР3 связан с стоком МР1. Сток МР3 связан с выходом и источником тока или резистором. Затвор МР3 управляется цифровым сигналом.
Второй МР2 и четвертый МР4 pMOSFET соединены последовательно. Исток МР2 связан с VCC. Сток МР2 связан с истоком в МР4. Исток МР4 связан с стоком МР2. Сток МР4 связан с выходом и источником тока или резистором. Затвор МР2 управляется цифровым сигналом.
Предположим, что цифровой сигнал cntr - 1. В этой ситуации схема па Фиг.1 будет эквивалентна схеме, показанной на Фиг.2. Ток через канал транзистора будет равен
Figure 00000001
, где Uin(t) - входное напряжение, Vth - пороговое напряжение, K - коэффициент, зависящий от геометрии pMOSFET, подвижности носителей заряда и т.д. Выходное напряжение Uout=0.35*R*K*Vcc*Uin*(2*pi*j*f*R*C-1)*ехр(2*рi*j*f*t), pi=3.1416, j - мнимая единица, f - частота, t - время. Если 2*pi*j*f*R*C=j, то фазовый сдвиг относительно входного сигнала будет 135°.
Предположим, что цифровой сигнал cntr - 0. В этой ситуации на Фиг.1 будет эквивалентна схеме, показанной на Фиг.3. Если 2*pi*j*f*R*C=j, r2>>R, R>>r1, мы будем иметь Uin(t)/(1-j*R/10*r1). Если j*R/10*r1=j, то фазовый сдвиг относительно входного сигнала будет 45°.
В результате мы имеем фазовую диаграмму, показанную на Фиг.4.
В лучшем варианте выполнения схему заявленного фазовращателя изготавливают на основе CMOS технологии и используют МР1 и МР2 pMOSFET устройства, в которых W/L=51u/0.06u, а также МР3 и МР4, в которых W/L=5U/0.06u.
Хотя указанный выше вариант выполнения изобретения был изложен с целью иллюстрации настоящего изобретения, специалистам ясно, что возможны разные модификации, добавления и замены, не выходящие из объема и смысла настоящего изобретения, раскрытого в прилагаемой формуле изобретения.

Claims (2)

1. Фазовращатель, содержащий четыре pMOSFET и резистор, причем первый и третий pMOSFET соединены последовательно, при этом на исток первого pMOSFET подают напряжение питания, сток первого pMOSFET связан с истоком третьего pMOSFET, а сток третьего pMOSFET связан с выходом и резистором, второй и третий pMOSFET управляются противофазными цифровыми сигналами управления, затворы первого и четвертого pMOSFET управляются высокочастотным входным сигналом, затвор третьего pMOSFET управляется цифровым сигналом, второй и четвертый pMOSFETs соединены последовательно, при этом на исток второго pMOSFET подают напряжение питания, сток второго pMOSFET связан с истоком четвертого pMOSFET, а сток четвертого pMOSFET связан с выходом и резистором, при этом затвор второго pMOSFET управляется цифровым сигналом, а при переключении противофазных цифровых сигналов управления фаза выходного сигнала изменяется на девяносто градусов.
2. Фазовращатель, содержащий четыре pMOSFET и источник тока, причем первый и третий pMOSFET соединены последовательно, при этом на исток первого pMOSFET подают напряжение питания, сток первого pMOSFET связан с истоком третьего pMOSFET, а сток третьего pMOSFET связан с выходом и источником тока, второй и третий pMOSFET управляются противофазными цифровыми сигналами управления, затворы первого и четвертого pMOSFET управляются высокочастотным входным сигналом, затвор третьего pMOSFET управляется цифровым сигналом, второй и четвертый pMOSFETs соединены последовательно, при этом на исток второго pMOSFET подают напряжение питания, сток второго pMOSFET связан с истоком четвертого pMOSFET, а сток четвертого pMOSFET связан с выходом и источником тока, при этом затвор второго pMOSFET управляется цифровым сигналом, а при переключении противофазных цифровых сигналов управления фаза выходного сигнала изменяется на девяносто градусов.
RU2010109193/07A 2010-03-12 2010-03-12 Фазовращатель (варианты) RU2419924C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010109193/07A RU2419924C1 (ru) 2010-03-12 2010-03-12 Фазовращатель (варианты)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010109193/07A RU2419924C1 (ru) 2010-03-12 2010-03-12 Фазовращатель (варианты)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2419924C1 true RU2419924C1 (ru) 2011-05-27

Family

ID=44734977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010109193/07A RU2419924C1 (ru) 2010-03-12 2010-03-12 Фазовращатель (варианты)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2419924C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2607673C1 (ru) * 2015-10-20 2017-01-10 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-петербургский политехнический университет Петра Великого" ФГАОУ ВО "СПбПУ" Высокочастотный фазовращатель на МОП-транзисторах
RU2647217C1 (ru) * 2016-12-14 2018-03-14 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Высокочастотный векторный фазовращатель

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2607673C1 (ru) * 2015-10-20 2017-01-10 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-петербургский политехнический университет Петра Великого" ФГАОУ ВО "СПбПУ" Высокочастотный фазовращатель на МОП-транзисторах
RU2647217C1 (ru) * 2016-12-14 2018-03-14 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Высокочастотный векторный фазовращатель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11539360B2 (en) RF switch having independently generated gate and body voltages
Lee et al. W-band CMOS 4-bit phase shifter for high power and phase compression points
US9608611B1 (en) Phase interpolator and method of implementing a phase interpolator
CN102025358B (zh) 一种具有宽带和高线性度的mos开关电路
US9397622B2 (en) Programmable hysteresis comparator
US9755678B2 (en) Low noise transconductance amplifiers
Raja et al. A 0.1–2-GHz quadrature correction loop for digital multiphase clock generation circuits in 130-nm CMOS
KR100523802B1 (ko) 소스 단자의 병렬 커플링을 이용한 4위상 전압 제어 발진기
JP5300035B2 (ja) 発振回路
RU2419924C1 (ru) Фазовращатель (варианты)
Yuce et al. Single voltage controlled CMOS grounded resistors and their application to video filter
CN105379110B (zh) 并联谐振电路
JP6158732B2 (ja) 回路、電圧制御発振器および発振周波数制御システム
CN106374837B (zh) 正交电压控制振荡器
CN114830527A (zh) 具有pvt跟踪的宽带可调谐频率单边带转换器
US8275342B2 (en) Downconversion mixer
Le Ravallec et al. A Compact 28-nm FD-SOI CMOS 76–81 GHz Automotive Band Receiver Path with Accurate 0.2° Phase Control Resolution
RU2316086C1 (ru) Фазовращатель свч
JP6349242B2 (ja) 受信装置及びその歪み抑圧方法、半導体装置並びに電子機器
JP2019080120A (ja) 高周波スイッチ装置
Mohammadi et al. A novel CMOS all-pass tunable phase shifter
Bhardwaj et al. A 0.96 mW, 5.3–6.75 GHz, phase-interpolation and quadrature-generation method using parametric energy transfer in 65nm CMOS
Yu et al. Wideband complementary metal–oxide–semiconductor double‐bulk harmonic‐rejection mixer
Kapur et al. Design of an analog field programmable RC oscillator using a floating gate PFET
TWI222270B (en) On-chip high-pass filter with large time constant

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190313