RU2380684C1 - Способ измерения чистоты поверхности подложек - Google Patents
Способ измерения чистоты поверхности подложек Download PDFInfo
- Publication number
- RU2380684C1 RU2380684C1 RU2008141189/28A RU2008141189A RU2380684C1 RU 2380684 C1 RU2380684 C1 RU 2380684C1 RU 2008141189/28 A RU2008141189/28 A RU 2008141189/28A RU 2008141189 A RU2008141189 A RU 2008141189A RU 2380684 C1 RU2380684 C1 RU 2380684C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- purity
- liquid
- parametres
- drop
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Изобретение относится к измерительной технике в области микроэлектроники и предназначено для измерения чистоты поверхности подложек. Способ заключается, в том, что наносят каплю жидкости на поверхность исследуемой подложки. Далее освещают ее потоком света с равномерным распределением интенсивности по сечению светового потока. Потом фиксируют интенсивность светового потока фотоприемной матрицей, с помощью которой определяют параметры растекания капли жидкости. И проводя сравнение полученных параметров с эталонными судят о чистоте поверхности подложки. В качестве параметра контроля степени чистоты используют длину канала смачиваемости и его ширину при условии выполнения неравенства 16°<α<56°, где α угол наклона поверхности подложки к горизонту. При этом строят эталонную зависимость параметров растекания капли жидкости от чистоты поверхности подложки, нанесением на которую численных значений ширины или длины канала смачиваемости определяют численное значение чистоты поверхности подложки. Целью предложенного изобретения является повышение точности измерения чистоты поверхности подложки и увеличение производительности. 6 ил.
Description
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике при производстве элементов дифракционной оптики.
Известен способ (А.С. СССР №1260752, кл. G01N 13/02, 1982) определения чистоты поверхности подложки по величине краевого угла смачивания путем измерения объема капли, помещенной на плоскую подложку. Однако такой способ определения чистоты поверхности очень трудоемкий, т.к. сначала надо измерить геометрические параметры капли и только затем определяется искомое значение краевого угла, определяющее чистоту поверхности подложек.
Известен способ (А.С. СССР №1821688, кл. G01N 13/02, 1993) определения чистоты поверхности подложек по величине скорости скольжения контртела по поверхности исследуемой подложки, заключающийся в том, что исследуемую подложку размещают относительно другой, идентичной исследуемой, под углом 5-10° между их плоскостями с касанием в точке. Под действием силы тяжести одной из них осуществляется скольжение контртела по подложке и по величине скорости скольжения судят о чистоте поверхности подложки.
К недостаткам способа относится необходимость прецизионного контроля величины угла наклона подложек, за счет которого и осуществляется скольжение подвижной подложки (контртела). Высокая чувствительность к изменению величины этого угла приводит к значительному нарушению точности измерения чистоты поверхности подложек, для устранения которого в процесс измерения включают дополнительное устройство контроля за величиной отклонения угла скольжения от заданного значения. Выполнение этого требования значительно снижает производительность способа, усложняет и удорожает процесс измерения.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ (А.С. СССР №17848668, кл. G01N 13/02, 1992) определения чистоты поверхности подложек по величине скорости растекания капли жидкости по плоской поверхности, заключающийся в том, что на поверхность исследуемой подложки наносят каплю жидкости, освещают ее потоком света с равномерным распределением интенсивности по сечению светового потока, фиксируют величину интенсивности светового потока фотоприемной матрицей, по скорости изменения величины интенсивности светового потока определяют численное значение скорости растекания капли жидкости, которое наносят на эталонную зависимость для определения чистоты поверхности подложки.
Однако такой способ определения чистоты поверхности предусматривает падение капли с некоторой высоты, что приводит к колебательному движению капли, а следовательно, и светового потока, что затрудняет процесс анализа функциональной зависимости чистоты поверхности от скорости растекания капли. Другим недостатком этого способа является невозможность регистрации чистоты поверхности с неоднородным распределением загрязнений, наличие которых формирует разные величины скорости растекания в различных направлениях, и измерение значения чистоты поверхности подложки становится затруднительным. Эти недостатки приводят к уменьшению точности, усложнению и удорожанию процесса измерения.
В основу изобретения поставлена задача увеличения производительности и точности измерения чистоты поверхности подложки.
Данная задача решается за счет того, что в способе измерения чистоты поверхности подложек производят нанесение капли жидкости на исследуемую поверхность, наклоненную под углом α, освещают ее потоком света с равномерным распределением интенсивности по сечению светового потока, фиксируют интенсивность светового потока фотоприемной матрицей, а в качестве контролируемого параметра используют длину и ширину канала смачиваемости при условии выполнения неравенства 16°<α<56°, строят эталонную зависимость длины и ширины канала смачиваемости капли жидкости от чистоты поверхности подложки, нанесением на которую численных значений длины и ширины канала смачиваемости определяют численное значение чистоты поверхности подложки.
На фиг.1 показана схема расположения подложки, наклоненной под углом α, нанесенной на ее поверхность каплей жидкости, освещаемой световым потоком с равномерным распределением интенсивности по его сечению, и фотоприемного устройства, на фиг.2 изображен момент касания капли жидкости с поверхностью, т.е. момент начала процесса измерения чистоты поверхности исследуемой подложки, на фиг.3 представлен внешний вид капли жидкости, растекшейся по технологически чистой поверхности горизонтально расположенной подложки, на фиг.4 показана форма следа капли жидкости, оставшегося после ее стекания по технологически чистой поверхности, на фиг.5 - след капли жидкости, стекавшей по загрязненной поверхности.
В исходной позиции производят нанесение капли жидкости на поверхность исследуемой подложки, наклоненной под углом α, освещают ее потоком света с равномерным распределением интенсивности по сечению светового потока, фиксируют интенсивность светового потока фотоприемной матрицей (фиг.1). Фотоприемное устройство воспринимает световой поток в этой позиции за нулевой уровень - начало движения капли (фиг.2).
Если измерять размеры области смачивания исследуемой поверхности на горизонтально расположенной подложке, то образуется область смачивания неправильной формы - определяемая неоднородно распределенными остаточными загрязнениями. Это в значительной мере затрудняет измерение ее геометрических размеров (фиг.3).
При взаимодействии капли жидкости с наклонной поверхностью исследуемой подложки возникает противодействие сил смачиваемости и ускоренного движения капли по поверхности. Этот механизм сужает область взаимодействия капли с поверхностью подложки, существенно уменьшая степень воздействия на процесс растекания капли неоднородно распределенных загрязнений оставшихся, например, после финишной очистки в жидкостях, адсорбированных поверхностью подложки в процессе ее хранения и т.д. Это приводит к тому, что область смачиваемости получается правильной формы (фиг.4) и параметр D легко измеряется простыми и доступными оптическими средствами. Малые размеры следа смачиваемости позволяют осуществлять сканирование поверхности, определяя области локальных загрязнений, т.е. неоднородностей.
Используя поверхности с известной концентрацией загрязнений, можно построить калибровочную зависимость параметров ширины и длины области смачиваемости стекающей капли с концентрацией этих загрязнений, которой всегда оснащаются конкретные приборы. Авторы заявки используют для получения калибровочной кривой известные стандартные методы определения чистоты поверхности подложек методы окунания, росы и прибора ИЧ-2. Калибровочная зависимость представлена на фиг.5.
Согласно представленной зависимости, измерив, например, металлической линейкой или метрической шкалой микроскопа ширину и длину канала смачиваемости, можно определить количество загрязнений на поверхности подложки в единицах г/см2.
Этот процесс можно автоматизировать при использовании программного обеспечения, наличия в банке компьютера эталонной зависимости, представленной на фиг.5, и в качестве фотоприемника прибора с зарядовой связью (ПЗС). В случае использования в качестве фотоматрицы ПЗС, размеры ширины или длины смачивания можно измерять с точностью до размеров элемента ПЗС, т.е. с точностью единиц, долей микрона.
Способ осуществляется следующим образом.
Пусть капля известной массы и объема наносится на поверхность подложки, наклоненную под углом α, и освещается потоком света с равномерным распределением интенсивности по его сечению. В момент касания каплей жидкости поверхности исследуемой подложки фиксируется точка отсчета процесса стекания капли жидкости по наклоненной поверхности. При выполнении неравенства 16°<α<56° на поверхности подложки остается след скатившейся капли в виде пленки жидкости, геометрические размеры которого легко измеряются, например, простым микроскопом, с объективом, имеющим на своей поверхности метрическую линейку. Измеренные значения ширины и длины канала смачиваемости наносят на ось калибровочной зависимости, фиг.5, соответствующей этим величинам, по которой и определяют численные значения чистоты поверхности подложек в г/см2.
Уменьшение угла наклона исследуемой подложки менее чем α=16 приводит к значительному увеличению площади растекания и изменению формы следа ее растекания как в области первичного взаимодействия капли с поверхностью подложки, так и в области всего канала смачиваемости, что объясняется более длительным взаимодействием жидкости капли с поверхностью исследуемой подложки, возникающим из-за малой скорости стекания капли жидкости. Это усложняет процесс измерения геометрических размеров следа растекания капли жидкости, следовательно, снижает производительность и точность измерения чистоты поверхности исследуемой подложки. Особенно сильно это свойство проявляется при определении степени чистоты особо чистых поверхностей.
Увеличение угла наклона исследуемой подложки более чем α=56° приводит к значительному увеличению скорости растекания. Величина ее энергии в этом случае начинает превосходить энергию связи поверхностных атомов капли жидкости с атомами и молекулами загрязнений и поверхности подложки, которые в конечном итоге перестают оказывать влияние на процесс растекания капли жидкости по поверхности исследуемой подложки.
Это воспринимается фотоприемным устройством как растекание капли жидкости по грязной поверхности исследуемой подложки (фиг.6).
Способ определения чистоты поверхности подложки позволяет измерять степень чистоты суперчистых поверхностей. В этом случае для уменьшения эффекта растекания увеличивают угол наклона исследуемой подложки. С другой стороны, при фиксированных угле наклона исследуемой подложки и массы капли жидкости увеличение эффекта растекания приводит к уменьшению длины канала, смачиваемого каплей жидкости из-за поглощения поверхностью подложки части объема капли, т.е. длина l канала смачиваемости исследуемой поверхности также служит критерием ее чистоты.
Claims (1)
- Способ измерения чистоты поверхности подложки, заключающийся в том, что производят нанесение капли жидкости на поверхность исследуемой подложки, освещают ее потоком света с равномерным распределением интенсивности по сечению светового потока, фиксируют интенсивность светового потока фотоприемной матрицей, определяют параметр растекания капли жидкости, нанеся который на эталонную зависимость судят о чистоте поверхности подложки, отличающийся тем, что в качестве параметра растекания капли используют длину канала смачиваемости и его ширину при условии выполнения неравенства 16°<α<56°, где α - угол наклона поверхности подложки к горизонту, строят эталонную зависимость параметров растекания капли жидкости от чистоты поверхности подложки, нанесением на которую численных значений ширины или длины канала смачиваемости определяют численное значение чистоты поверхности подложки.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008141189/28A RU2380684C1 (ru) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | Способ измерения чистоты поверхности подложек |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008141189/28A RU2380684C1 (ru) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | Способ измерения чистоты поверхности подложек |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2380684C1 true RU2380684C1 (ru) | 2010-01-27 |
Family
ID=42122239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008141189/28A RU2380684C1 (ru) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | Способ измерения чистоты поверхности подложек |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2380684C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2448341C1 (ru) * | 2010-11-29 | 2012-04-20 | Российская академия наук Учреждение Российской академии наук Институт систем обработки изображений РАН (ИСОИ РАН) | Устройство для контроля шероховатости поверхности диэлектрических подложек |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1741032A1 (ru) * | 1990-09-10 | 1992-06-15 | Научно-исследовательский институт "Экран" | Устройство контрол чистоты поверхности подложек |
JP2005114615A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Canon Inc | 固体表面のぬれ性測定方法及び測定装置 |
-
2008
- 2008-10-16 RU RU2008141189/28A patent/RU2380684C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1741032A1 (ru) * | 1990-09-10 | 1992-06-15 | Научно-исследовательский институт "Экран" | Устройство контрол чистоты поверхности подложек |
JP2005114615A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Canon Inc | 固体表面のぬれ性測定方法及び測定装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2448341C1 (ru) * | 2010-11-29 | 2012-04-20 | Российская академия наук Учреждение Российской академии наук Институт систем обработки изображений РАН (ИСОИ РАН) | Устройство для контроля шероховатости поверхности диэлектрических подложек |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11079280B2 (en) | Apparatus and methods for measuring mode spectra for ion-exchanged glasses having steep index region | |
US10145785B2 (en) | Optical element rotation type Mueller-matrix ellipsometer and method for measuring Mueller-matrix of sample using the same | |
US20080050511A1 (en) | Apparatus and Method for Processing Biological Liquids | |
JP5052509B2 (ja) | アフィニティ分析法及びシステム | |
US10551311B2 (en) | Determining an absorption or turbidity coefficient of a liquid | |
US20120057146A1 (en) | Surface plasmon resonance sensor using beam profile ellipsometry | |
KR20100061222A (ko) | 다채널 타원계측 표면 플라즈몬 공명 측정장치 | |
RU2380684C1 (ru) | Способ измерения чистоты поверхности подложек | |
EP3230714B1 (en) | Cuvette for optical spectroscopy | |
JP6100803B2 (ja) | 改良された表面プラズモン共鳴方法 | |
Kim et al. | Fiber-optic surface plasmon resonance for vapor phase analyses | |
Luna-Moreno et al. | Virtual instrumentation in LabVIEW for multiple optical characterizations on the same opto-mechanical system | |
KR20070105568A (ko) | 물질 분석용 칩과 이를 포함하는 물질 분석 장치 | |
JPWO2009004839A1 (ja) | 界面物性測定装置及び方法 | |
US20140350868A1 (en) | Method for sensor calibration | |
Milanese et al. | Real time oil control by surface plasmon resonance transduction methodology | |
JP2005098788A (ja) | 表面プラズモン共鳴測定装置およびセンサユニット | |
EP3282224A1 (en) | Method for measuring the topography and surface energy of a surface of a solid sample by confocal microscope and device for carrying it out | |
CN112285059A (zh) | 基于ccd方法测量液体折射率装置 | |
CN104807758A (zh) | 一种在线测量高温熔体和液体折射率的装置与方法 | |
CN217877516U (zh) | 一种测量直径可调的平面度测试装置 | |
RU2307339C2 (ru) | Способ измерения чистоты поверхности подложек | |
KR100870131B1 (ko) | 임계각 및 표면 플라스몬 공명각의 동시 측정 장치 및 방법 | |
JPH09273986A (ja) | 表面エネルギー分布測定装置及び測定方法 | |
WO2012167805A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen der konzentration eines in einer flüssigen probe enthaltenen analyten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121017 |