RU2376679C1 - Semiconductor multijunction solar cell - Google Patents
Semiconductor multijunction solar cell Download PDFInfo
- Publication number
- RU2376679C1 RU2376679C1 RU2008137499/28A RU2008137499A RU2376679C1 RU 2376679 C1 RU2376679 C1 RU 2376679C1 RU 2008137499/28 A RU2008137499/28 A RU 2008137499/28A RU 2008137499 A RU2008137499 A RU 2008137499A RU 2376679 C1 RU2376679 C1 RU 2376679C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solar cell
- solar
- energy
- layer
- component
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, в частности, обеспечивающих прямое преобразование энергии солнечного излучения в электрическую.The invention relates to heterostructures of semiconductor devices, in particular, providing direct conversion of solar radiation energy into electrical energy.
Солнечные элементы являются экологически чистым средством получения электрической энергии. Потенциал солнечной энергетики весьма высок: мировое потребление энергии (15 ТВт) составляет около одной сотой процента мощности солнечного излучения, попадающего на Землю; разведанные запасы нефти соответствуют примерно полутора дням солнечного излучения. Солнечные батареи не имеют альтернативы как источник электроэнергии для космических летательных аппаратов.Solar cells are an environmentally friendly means of generating electrical energy. The potential of solar energy is very high: global energy consumption (15 TW) is about one hundredth of a percent of the power of solar radiation reaching the Earth; Explored oil reserves correspond to approximately one and a half days of solar radiation. Solar panels have no alternative as a source of electricity for spacecraft.
Используемые солнечные элементы в подавляющем большинстве основаны на кремниевых приборах (98.2% мощности, в том числе 38% - кристаллический кремний, 52% - поликристаллический, 5% - аморфный). Прочие материалы (1.8%) представлены в основном соединением кадмий-теллур (1.6%) и соединениями элементов в III-IV групп (In, Ga, As, Sb, P и др.)The vast majority of solar cells used are based on silicon devices (98.2% power, including 38% crystalline silicon, 52% polycrystalline, 5% amorphous). Other materials (1.8%) are represented mainly by the cadmium-tellurium compound (1.6%) and compounds of elements in groups III-IV (In, Ga, As, Sb, P, etc.)
Преобразование энергии солнечного излучения в электрическую в полупроводниковом приборе основано на внутреннем фотоэффекте - генерации электронно-дырочной пары при поглощении фотона.The conversion of solar radiation energy into electrical energy in a semiconductor device is based on an internal photoelectric effect - the generation of an electron-hole pair upon absorption of a photon.
Конструкция наиболее эффективных солнечных элементов - многопереходных (именуемых также каскадными или тандемными) - основана на последовательном соединении ряда активных компонентов (элементарных солнечных ячеек), обеспечивающих эффективное преобразование солнечного излучения в электричество в своем диапазоне длины волны.The design of the most efficient solar cells - multi-junction (also referred to as cascade or tandem) - is based on the series connection of a number of active components (elementary solar cells), which provide effective conversion of solar radiation into electricity in its wavelength range.
Известен солнечный элемент, содержащий подложку, многопереходную структуру солнечного элемента, расположенную на верхней стороне подложки, нижний и верхний контактные электроды, расположенные соответственно на нижней стороне подложки и на верхней части многопереходной структуры солнечного элемента, при этом многопереходная структура в совокупности с подложкой разделена на каскады солнечного элемента, причем нижний каскад, являющийся нижним p-n-переходом, выполнен в составе подложки, осуществляющей функцию базы, и слоя с противоположным типом проводимости относительно подложки, осуществляющего функцию эмиттера, отличающийся тем, что в качестве материала для нижнего каскада солнечного элемента использован кремний, а комбинированный буфер в составе многопереходной структуры выполнен оптически прозрачным в спектральной области фотопреобразования кремния и согласующим постоянные решетки кремния и материала, на основе которого выполнен средний каскад, являющийся средним p-n-переходом, или верхний каскад, являющийся верхним p-n-переходом, RU 2308122 C1.A solar cell comprising a substrate is known, a multi-junction structure of the solar cell located on the upper side of the substrate, lower and upper contact electrodes located respectively on the lower side of the substrate and on the upper part of the multi-junction structure of the solar cell, wherein the multi-junction structure together with the substrate is divided into cascades solar cell, and the lower cascade, which is the lower pn junction, is made up of a substrate that acts as a base, and a layer with an opposite type of conductivity relative to the substrate, which acts as an emitter, characterized in that silicon is used as the material for the lower cascade of the solar cell, and the combined buffer as part of the multi-junction structure is optically transparent in the spectral region of silicon photoconversion and matches the lattice constants of silicon and the material based on which made the middle cascade, which is the middle pn junction, or the upper cascade, which is the upper pn junction, RU 2308122 C1.
Это техническое решение имеет два основных недостатка: во-первых, необходимость иметь различные значения ширины запрещенной зоны диктует использование разных материальных систем - Ge, GaAs, GaInAs, GaInAsP, GaAsSb, что усложняет технологию производства, во-вторых, данный солнечный элемент имеет низкую радиационную стойкость, что приводит к его быстрой деградации в космических приложениях.This technical solution has two main drawbacks: firstly, the need to have different values of the band gap dictates the use of different material systems - Ge, GaAs, GaInAs, GaInAsP, GaAsSb, which complicates the production technology, and secondly, this solar cell has a low radiation resistance, which leads to its rapid degradation in space applications.
Известен полупроводниковый многопереходный солнечный элемент, включающий подложку, на которой размещено не менее двух сопряженных друг с другом выполненных из Inl-xGaxN двухслойных компонентов с p-n или n-p переходами между слоями, сопряженными посредством туннельного перехода или омического контакта, причем ширина запрещенной зоны компонентов возрастает в направлении к источнику солнечной энергии, US 2004/0118451 А1.A semiconductor multi-junction solar cell is known that includes a substrate on which at least two conjugated two-layer components made of In lx Ga x N are arranged with pn or np junctions between layers conjugated by a tunnel junction or ohmic contact, and the band gap of the components increases in the direction of the source of solar energy, US 2004/0118451 A1.
Это устройство обеспечивает последовательное преобразование отдельных полос спектра солнечного излучения. Часть излучения с энергией фотонов, равной или превосходящей ширину запрещенной зоны, поглощается и генерирует электронно-дырочную пару. Излучение с энергией фотонов менее ширины запрещенной зоны свободно проходит через слои верхнего компонента и преобразуется в электрическую энергию в компонентах, расположенных дальше от источника солнечной энергии. Изменение ширины запрещенной зоны достигается варьированием состава эпитаксиального слоя Inl-xGaxN.This device provides sequential conversion of individual bands of the spectrum of solar radiation. Part of the radiation with photon energies equal to or greater than the band gap is absorbed and generates an electron-hole pair. Radiation with photon energy less than the band gap freely passes through the layers of the upper component and is converted into electrical energy in components located further from the source of solar energy. The change in the band gap is achieved by varying the composition of the epitaxial layer In lx Ga x N.
Однако устройство не позволяет достаточно эффективно преобразовать ультрафиолетовую часть спектра солнечного излучения в электрическую энергию. Это объясняется тем, что компоненты устройства-прототипа имеют максимально возможную для твердого раствора Inl-xGaxN ширину запрещенной зоны Eg=3.4 eV. Однако большая часть ультрафиолетового спектра солнечного излучения соответствует фотонам с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны.However, the device does not allow sufficiently efficient to convert the ultraviolet part of the spectrum of solar radiation into electrical energy. This is because the components of the prototype device have the maximum band gap Eg = 3.4 eV for the In lx Ga x N solid solution. However, most of the ultraviolet spectrum of solar radiation corresponds to photons with energies exceeding the band gap.
Генерация электронно-дырочной пары при поглощении фотона с такой энергией приводит к появлению горячих носителей заряда, и избыточная энергия, переходящая в тепло в процессе термализации, в электрическую энергию не преобразуется.Generation of an electron-hole pair upon absorption of a photon with such an energy leads to the appearance of hot charge carriers, and the excess energy transferred to heat during thermalization is not converted into electrical energy.
Таким образом коэффициент полезного действия солнечного элемента-прототипа относительно невысок и, несмотря на теоретические расчеты, составляет на практике не более 40% (при отсутствии дополнительных концентраторов излучения).Thus, the efficiency of the solar cell prototype is relatively low and, despite theoretical calculations, in practice is not more than 40% (in the absence of additional radiation concentrators).
Задачей настоящего изобретения является повышение эффективности преобразования солнечного излучения в электрическую энергию.The objective of the present invention is to increase the efficiency of conversion of solar radiation into electrical energy.
Согласно изобретению полупроводниковый многопереходный солнечный элемент, включающий подложку, на которой размещено не менее двух сопряженных друг с другом выполненных из Inl-xGaxN двухслойных компонентов с p-n или n-p переходами между слоями, сопряженными посредством туннельного перехода или омического контакта, причем ширина запрещенной зоны компонентов возрастает в направлении к источнику солнечной энергии, содержит дополнительный двухслойный компонент, выполненный из Inl-x-yGaxAlyN с p-n или n-p переходом между слоями, размещенный со стороны источника солнечной энергии, сопряженный со смежным двухслойным компонентом из Inl-xGaxN посредством туннельного перехода или омического контакта; в солнечном элементе, по меньшей мере, один двухслойный компонент содержит, по меньшей мере, одну квантовую яму.According to the invention, a semiconductor multi-junction solar cell comprising a substrate on which at least two conjugated two-layer components made of In lx Ga x N are arranged with pn or np junctions between layers conjugated by a tunnel junction or ohmic contact, wherein the band gap of the components increases in the direction towards the source of solar energy, double layer comprising an additional component made of in lxy Ga x Al y N with a pn or np transition between layers disposed side Source solar energy coupled to an adjacent component of the bilayer In lx Ga x N by means of a tunnel junction or an ohmic contact; in a solar cell, at least one two-layer component contains at least one quantum well.
Заявителем не выявлены какие-либо технические решения, идентичные заявленному, что позволяет сделать вывод о соответствии изобретения критерию «новизна».The applicant has not identified any technical solutions identical to the claimed, which allows us to conclude that the invention meets the criterion of "novelty."
Реализация отличительных признаков изобретения обеспечивает возможность эффективного использования фотонов с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны Eg=3.4 eV. Дополнительный двухслойный компонент из твердого раствора Inl-x-yGaxAlyN с p-n или n-p переходом между слоями, размещенный со стороны источника солнечной энергии, имеет ширину запрещенной зоны в диапазоне 4.5-5.5 eV.The implementation of the distinguishing features of the invention enables the efficient use of photons with energy exceeding the band gap Eg = 3.4 eV. An additional two-layer component from the In lxy Ga x Al y N solid solution with a pn or np transition between the layers, placed on the side of the solar energy source, has a band gap in the range 4.5–5.5 eV.
Излучение, энергия которого ниже 4.5 eV, проходит через дополнительный двухслойный компонент и преобразуется в электрическую энергию в расположенных ниже двухслойных компонентах из Inl-xGaxN, а ультрафиолетовая часть излучения с энергией фотонов, несколько превышающей 4.5-5.5 eV, эффективно поглощается в дополнительном двухслойном компоненте и в большей части не переходит в тепло в процессе термализации электронов и дырок, что имело бы место при поступлении ультрафиолетовой части излучения в двухслойные компоненты из Inl-xGaxN.Radiation with an energy below 4.5 eV passes through an additional two-layer component and is converted into electrical energy in the two-layer components from In lx Ga x N located below, and the ultraviolet part of the radiation with photon energies slightly exceeding 4.5-5.5 eV is effectively absorbed in an additional two-layer component and for the most part does not go into heat during the thermalization of electrons and holes, which would be the case when the ultraviolet part of the radiation enters the two-layer components from In lx Ga x N.
Таким образом, достигается важный новый результат - значительное увеличение использования ультрафиолетовой части солнечного излучения, благодаря чему существенно повышается коэффициент полезного действия солнечного элемента (до 50% без использования концентраторов излучения).Thus, an important new result is achieved - a significant increase in the use of the ultraviolet part of solar radiation, which significantly increases the efficiency of the solar cell (up to 50% without the use of radiation concentrators).
Заявителем не выявлены какие-либо источники информации, содержащие сведения об эффективном использовании в солнечном элементе ультрафиолетовой части спектра солнечного излучения. Указанное новое свойство объекта обусловливает, по мнению заявителя, соответствие изобретения критерию «изобретательский уровень».The applicant has not identified any sources of information containing information about the effective use of the ultraviolet part of the solar radiation spectrum in a solar cell. The specified new property of the object determines, according to the applicant, the compliance of the invention with the criterion of "inventive step".
Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображена схема полупроводникового многопереходного солнечного элемента.The invention is illustrated in the drawing, which shows a diagram of a semiconductor multi-junction solar cell.
Полупроводниковый многопереходный солнечный элемент включает низкодислокационную монокристаллическую подложку 1, выполненную из A1 N; это позволяет вырастить активные эпитаксиальные слои с низким уровнем дефектов и тем самым избежать снижения эффективности, связанного с присутствием большого числа дислокации; последние действуют как центры рекомбинации носителей заряда, снижая диффузионные длины электронов и дырок.The semiconductor multi-junction solar cell includes a low-dislocation single crystal substrate 1 made of A1 N; this allows you to grow active epitaxial layers with a low level of defects and thereby avoid a decrease in efficiency associated with the presence of a large number of dislocations; the latter act as recombination centers of charge carriers, decreasing the diffusion lengths of electrons and holes.
На подложке 1 в данном примере размещены три сопряженных друг с другом двухслойных компонента 2, 3, 4, Inl-xGaxN с p-n (в данном примере) или n-p переходами между слоями. Двухслойные компоненты 2, 3 сопряжены между собой посредством омического контакта 5, а компоненты 3 и 4 - посредством омического контакта 6. Омические контакты представляют собой напыленный слой серебра.On the substrate 1 in this example, there are three two-layer components 2, 3, 4, In lx Ga x N conjugated with pn (in this example) or np transitions between layers. The two-layer components 2, 3 are interconnected by means of an ohmic contact 5, and components 3 and 4 by means of an ohmic contact 6. The ohmic contacts are a sprayed silver layer.
Двухслойный компонент 4 со стороны солнечного излучения сопряжен посредством омического контакта 7 с дополнительным двухслойным компонентом 8, выполненным из твердого раствора Inl-x-yGaxAly N с p-n переходом (в данном примере) между слоями; возможен также n-p переход. Ширина запрещенной зоны (Eg) двухслойных компонентов 2, 3, 4, 8 возрастает в направлении от подложки к источнику солнечной энергии: Eg4<Eg3<Eg2<Eg1. Двухслойный компонент 2 выполнен в конкретном примере из соединения Inl-xGaxN, в котором x=0, то есть из твердого раствора, имеющего в этом случае вид In N. Eg4=0.7 eV. В двухслойном компоненте 3 x=0.39, соединение при этом имеет вид In0.61Ga0.39N. Eg3=1.4 eV. В двухслойном компоненте 4 x=0.55. Соединение имеет вид In0.45Ga0.55N с шириной запрещенной зоны Eg2=1.84 eV.The two-layer component 4 on the side of solar radiation is coupled through an ohmic contact 7 with an additional two-layer component 8 made of an In lxy Ga x Al y N solid solution with a pn junction (in this example) between the layers; np transition is also possible. The band gap (Eg) of the two-layer components 2, 3, 4, 8 increases in the direction from the substrate to the solar energy source: Eg 4 <Eg 3 <Eg 2 <Eg 1 . The two-layer component 2 is made in a specific example from the compound In lx Ga x N, in which x = 0, that is, from a solid solution, which in this case has the form In N. Eg 4 = 0.7 eV. In the bilayer component 3 x = 0.39, the compound in this case has the form In 0.61 Ga 0.39 N. Eg 3 = 1.4 eV. In the two-layer component, 4 x = 0.55. The compound has the form In 0.45 Ga 0.55 N with the band gap Eg 2 = 1.84 eV.
В дополнительном двухслойном компоненте 8 в конкретном примере x=0.45; y=0.45. Соединение имеет вид In0.1Al0.45Ga0.45N, Eg1=4.5 eV.In an additional two-layer component 8 in a specific example, x = 0.45; y = 0.45. The compound has the form In 0.1 Al 0.45 Ga 0.45 N, Eg 1 = 4.5 eV.
В соединении In1-xGaxN ширина запрещенной зоны Eg определяется выражением Eg=(1-x)EgIn+х*EgCa+α(1-x)x,In the In 1-x Ga x N compound, the band gap Eg is determined by the expression Eg = (1-x) Eg In + x * Eg Ca + α (1-x) x,
где EgIn - ширина запрещенной зоны In,where Eg In is the band gap In,
EgGa - ширина запрещенной зоны Ga,Eg Ga is the band gap of Ga,
α - коэффициент отклонения Eg от линейной зависимости,α is the coefficient of deviation of Eg from a linear relationship,
0≤x≤1.0≤x≤1.
В соединении AlyInl-x-yGaxNIn the compound Al y In lxy Ga x N
Eg=yEgAl+(1-х-у)EgIn+xEgGa+β(1-x)x+γ(1-y) y,Eg = yEg Al + (1-xy) Eg In + xEg Ga + β (1-x) x + γ (1-y) y,
где β и γ - коэффициенты отклонения Eg от линейной зависимости,where β and γ are the coefficients of the deviation of Eg from the linear dependence,
0≤x≤1,0≤x≤1,
0≤y≤1.0≤y≤1.
Солнечный элемент изготовлен в едином процессе эпитаксиального роста, при этом каждый двухслойный компонент образован путем подачи соответствующей концентрации реагентов на вход эпитаксиального реактора.The solar cell is made in a single process of epitaxial growth, with each two-layer component formed by supplying the appropriate concentration of reagents to the inlet of the epitaxial reactor.
Полупроводниковый многопереходный солнечный элемент работает следующим образом. На поверхность двухслойного компонента 8 падает солнечное излучение. Часть фотонов с энергией Eg1>4.5 eV поглощается компонентом 8 и вызывает генерацию электронно-дырочных пар. Разделение электронов и дырок достигается за счет электрического поля p-n перехода между слоями компонента 8. Фотоны с энергией 1.84 eV ≤ Eg2 ≤ 4.5 eV поглощаются компонентом 4, фотоны с энергией 1.4 eV ≤ Eg3 ≤ 1.84 eV поглощаются компонентом 3, фотоны с энергией 0.7 eV ≤ Eg4 ≤ 1.4 eV поглощаются компонентом 2, при этом происходят процессы генерации электронно-дырочных пар и разделение электронов и дырок аналогично описанным для компонента 8. При этом между внешней поверхностью компонента 8 и поверхностью компонента 2, смежной с подложкой 1, возникает разность потенциалов (электрические контакты на этих поверхностях на чертеже условно не показаны). При замыкании этих контактов протекает электрический ток. Контакты выполняются из меди или серебра.Semiconductor multi-junction solar cell operates as follows. Solar radiation is incident on the surface of the two-layer component 8. Some photons with an energy Eg 1 > 4.5 eV are absorbed by component 8 and cause the generation of electron-hole pairs. Separation of electrons and holes is achieved due to the electric field pn junction between the layers of component 8. Photons with an energy of 1.84 eV ≤ Eg 2 ≤ 4.5 eV are absorbed by component 4, photons with an energy of 1.4 eV ≤ Eg 3 ≤ 1.84 eV are absorbed by component 3, photons with an energy of 0.7 eV ≤ Eg 4 ≤ 1.4 eV are absorbed by component 2, and the processes of generation of electron-hole pairs and the separation of electrons and holes are similar to those described for component 8. In this case, a difference arises between the outer surface of component 8 and the surface of component 2 adjacent to substrate 1 sweat potential (electrical contacts on these surfaces are not conventionally shown in the drawing). When these contacts are closed, an electric current flows. Contacts are made of copper or silver.
Образцы солнечного элемента с описанными выше параметрами изготовлены в лабораторных условиях с использованием установки хлоридной газофазной эпитаксии. Эффективность полученных образцов (коэффициент полезного действия) составила от 47 до 52 процентов без применения концентраторов солнечного излучения.Samples of a solar cell with the parameters described above were made in laboratory conditions using a gas-phase epitaxy chloride installation. The efficiency of the obtained samples (efficiency) was from 47 to 52 percent without the use of solar radiation concentrators.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008137499/28A RU2376679C1 (en) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | Semiconductor multijunction solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008137499/28A RU2376679C1 (en) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | Semiconductor multijunction solar cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2376679C1 true RU2376679C1 (en) | 2009-12-20 |
Family
ID=41625803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008137499/28A RU2376679C1 (en) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | Semiconductor multijunction solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2376679C1 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012115602A1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | Bedjukh Oleksandr | Photovoltaic converter (variants) and solar battery based thereon |
| WO2012115603A1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | Bedjukh Oleksandr | Multijunction photovoltaic converter and solar battery based thereon |
| RU2461093C1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH p-n JUNCTIONS |
| RU2547324C2 (en) * | 2013-07-16 | 2015-04-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" | Multi-junction semiconductor solar cell |
| RU2548580C2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-04-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" | Heterostructure of multijunction solar element |
| RU2554290C2 (en) * | 2010-06-07 | 2015-06-27 | Говернинг Консил Оф Зэ Юниверсити Оф Торонто | Multiple-junction photoelectric device |
| RU2614237C1 (en) * | 2014-10-23 | 2017-03-24 | АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ | Integrated multijunction pile-like solar battery |
| RU2628670C2 (en) * | 2013-07-15 | 2017-08-21 | Эмкор Солар Пауэр, Инк. | Sustainable radiation inverted metamorphic multi-transitive solar element |
| RU2701873C1 (en) * | 2019-04-15 | 2019-10-02 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Semiconductor structure of multi-junction photoconverter |
-
2008
- 2008-09-16 RU RU2008137499/28A patent/RU2376679C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2554290C2 (en) * | 2010-06-07 | 2015-06-27 | Говернинг Консил Оф Зэ Юниверсити Оф Торонто | Multiple-junction photoelectric device |
| RU2461093C1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH p-n JUNCTIONS |
| WO2012115602A1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | Bedjukh Oleksandr | Photovoltaic converter (variants) and solar battery based thereon |
| WO2012115603A1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | Bedjukh Oleksandr | Multijunction photovoltaic converter and solar battery based thereon |
| RU2548580C2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-04-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" | Heterostructure of multijunction solar element |
| RU2628670C2 (en) * | 2013-07-15 | 2017-08-21 | Эмкор Солар Пауэр, Инк. | Sustainable radiation inverted metamorphic multi-transitive solar element |
| RU2547324C2 (en) * | 2013-07-16 | 2015-04-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" | Multi-junction semiconductor solar cell |
| RU2614237C1 (en) * | 2014-10-23 | 2017-03-24 | АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ | Integrated multijunction pile-like solar battery |
| US10490683B2 (en) | 2014-10-23 | 2019-11-26 | Azur Space Solar Power Gmbh | Stacked integrated multi-junction solar cell |
| RU2701873C1 (en) * | 2019-04-15 | 2019-10-02 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Semiconductor structure of multi-junction photoconverter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2376679C1 (en) | Semiconductor multijunction solar cell | |
| KR100974220B1 (en) | Solar cell | |
| US20090173373A1 (en) | Group III-Nitride Solar Cell with Graded Compositions | |
| WO2008157637A9 (en) | Single p-n junction tandem photovoltaic device | |
| Alzoubi et al. | Simulation analysis of functional MoSe2 layer for ultra-thin Cu (In, Ga) Se2 solar cells architecture | |
| Moustafa et al. | Numerical simulation of single junction InGaN solar cell by SCAPS | |
| Oyedele et al. | Numerical simulation of varied buffer layer of solar cells based on cigs | |
| Farhadi et al. | Structural and physical characteristics optimization of a dual junction CGS/CIGS solar cell: A numerical simulation | |
| Feteha et al. | The effects of temperature and light concentration on the GaInP/GaAs multijunction solar cell’s performance | |
| Farhadi et al. | An optimized efficient dual junction InGaN/CIGS solar cell: A numerical simulation | |
| Sayad | Photovoltaic potential of III-nitride based tandem solar cells | |
| CN102623524A (en) | Semiconductor solar battery and manufacturing method thereof | |
| KR20120119807A (en) | Solar cell | |
| Alshkeili et al. | Design of dual-junction three-terminal CdTe/InGaAs solar cells | |
| TWI409959B (en) | Solar cells and apparatus comprising the same | |
| Tanaka et al. | Development of ZnTe-based solar cells | |
| Maryasin et al. | Opto-electrical simulation of III-V nanowire based tandem solar cells on Si | |
| Hossain et al. | Numerical simulation of all-inorganic two-terminal AlSb/Al0. 15Ga0. 85Sb tandem solar cell with high-open circuit voltage (> 1.90 V) and> 40% conversion efficiency | |
| Naseri et al. | An efficient double junction CIGS solar cell using a 4H-SiC nano layer | |
| Manoua et al. | Investigation of n-ZnO/p-GaAs heterojunction solar cell using two-dimensional numerical simulation | |
| Boubakeur et al. | Study of GaAs 1-x Nx/GaAs Quantum Dot Structure for Solar Cell Applications | |
| KR101338549B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR101257492B1 (en) | Si quantum dot solar cells by sb and inp doping and method for manufacturing the same | |
| Mirkamali et al. | Numerical simulation of CdS/CIGS tandem multi-junction solar cells with AMPS-1D | |
| Mil'shtein et al. | Solar cells with built-in cascade of intrinsic regions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170917 |