RU2367063C2 - Electromagnetic radiation converter - Google Patents

Electromagnetic radiation converter Download PDF

Info

Publication number
RU2367063C2
RU2367063C2 RU2006140882/28A RU2006140882A RU2367063C2 RU 2367063 C2 RU2367063 C2 RU 2367063C2 RU 2006140882/28 A RU2006140882/28 A RU 2006140882/28A RU 2006140882 A RU2006140882 A RU 2006140882A RU 2367063 C2 RU2367063 C2 RU 2367063C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
type
conductivity
converter according
regions
collecting
Prior art date
Application number
RU2006140882/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2006140882A (en
Inventor
Юрий Дмитриевич Будишевский (RU)
Юрий Дмитриевич Будишевский
Броня Цой (RU)
Броня Цой
Валерьян Эдуардович Цой (RU)
Валерьян Эдуардович Цой
Татьяна Сергеевна Цой (RU)
Татьяна Сергеевна Цой
Original Assignee
Броня Цой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Броня Цой filed Critical Броня Цой
Priority to RU2006140882/28A priority Critical patent/RU2367063C2/en
Publication of RU2006140882A publication Critical patent/RU2006140882A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2367063C2 publication Critical patent/RU2367063C2/en

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

FIELD: physics; conductors.
SUBSTANCE: invention relates to semiconductor electronics and can be used for making high-efficiency broad-band converters of electromagnetic radiation of the visible and invisible range. According to the invention, the electromagnetic radiation converter has collecting regions with first and second conductivity type, as well as first and second electrodes connected to these regions. The converter has N≥1 collecting regions with first conductivity type, situated at the front of a semiconductor substrate with second conductivity type with formation of N p-n junctions. The first electrode is connected to the said N collecting regions with first conductivity type, forming a current branching point. The front of the substrate has at least one section with second conductivity type, adjacent to the zone where there are N≥1 collecting regions with first conductivity types.
EFFECT: operation of the converter in a wider frequency range of electromagnetic radiation, increased efficiency and power of the converter, as well as high accuracy and stability of its output characteristics.
59 cl, 3 tbl, 116 dwg

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.

Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
Figure 00000061
Figure 00000062
Figure 00000063
Figure 00000064
Figure 00000065
Figure 00000066
Figure 00000067
Figure 00000068
Figure 00000069
Figure 00000070
Figure 00000071
Figure 00000072
Figure 00000073
Figure 00000074
Figure 00000075
Figure 00000076
The text of the description is given in facsimile form.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
Figure 00000061
Figure 00000062
Figure 00000063
Figure 00000064
Figure 00000065
Figure 00000066
Figure 00000067
Figure 00000068
Figure 00000069
Figure 00000070
Figure 00000071
Figure 00000072
Figure 00000073
Figure 00000074
Figure 00000075
Figure 00000076

Claims (59)

1. Преобразователь электромагнитного излучения, содержащий по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью первого типа, по меньшей мере одну собирающую область с проводимостью второго типа, а также соединенные с указанными областями по меньшей мере первый и второй токосборные проводящие электроды, отличающийся тем, что он содержит N≥1 собирающих областей с проводимостью первого типа, расположенных на лицевой стороне полупроводниковой подложки с проводимостью второго типа с образованием N р-n переходов, причем первый электрод соединен с указанными N областями с проводимостью первого типа, образуя токовый узел, и при этом лицевая сторона подложки содержит по меньшей мере один участок с проводимостью второго типа, прилегающий к зоне расположения N≥1 собирающих областей с проводимостью первого типа.1. The electromagnetic radiation Converter containing at least one collecting region with a conductivity of the first type, at least one collecting region with a conductivity of the second type, as well as at least the first and second collector conductive electrodes connected to these regions, characterized in that it contains N≥1 collecting regions with conductivity of the first type located on the front side of the semiconductor substrate with conductivity of the second type with the formation of N pn junctions, the first electrode with one with said N regions of a first conductivity type, forming a current node, and wherein the obverse side of the substrate comprises at least one region of a second conductivity type adjacent to the location area N≥1 collecting areas of a first conductivity type. 2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что подложка с обратной стороны имеет высоколегированную область второго типа проводимости.2. The Converter according to claim 1, characterized in that the substrate on the reverse side has a highly alloyed region of the second type of conductivity. 3. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что на лицевой стороне подложки расположен слой диэлектрика, имеющий изъятия (отверстия) по меньшей мере в зонах расположения N собирающих областей с проводимостью первого типа, обеспечивающих контакт первого электрода с указанными областями.3. The Converter according to claim 1, characterized in that on the front side of the substrate there is a dielectric layer having withdrawals (openings) at least in the zones of the N collecting areas with the conductivity of the first type, providing contact of the first electrode with these areas. 4. Преобразователь по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что N≥1.4. The Converter according to any one of claims 1 to 3, characterized in that N≥1. 5. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что N собирающих областей с проводимостью первого типа выполнены отдельными с образованием N отдельных p-n переходов.5. The Converter according to claim 4, characterized in that N collecting regions with the conductivity of the first type are made separate with the formation of N individual p-n junctions. 6. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что N собирающих областей с проводимостью первого типа выполнены отдельными и однотипными с образованием N отдельных и однотипных p-n переходов.6. The Converter according to claim 5, characterized in that N collecting regions with conductivity of the first type are made separate and of the same type with the formation of N separate and of the same type pn junctions. 7. Преобразователь по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что N=1.7. The Converter according to any one of claims 1 to 3, characterized in that N = 1. 8. Преобразователь по п.7, отличающийся тем, что указанная собирающая область с проводимостью первого типа содержит К≥1, где К - целое число участков первого типа проводимости, соединенных между собой посредством М≥1 соединительных элементов с проводимостью первого типа.8. The Converter according to claim 7, characterized in that said collecting region with a conductivity of the first type contains K≥1, where K is an integer number of sections of the first type of conductivity, interconnected by M≥1 connecting elements with conductivity of the first type. 9. Преобразователь по п.8, отличающийся тем, что указанная собирающая область с проводимостью первого типа содержит М=1 легированный соединительный элемент первого типа проводимости в виде одной сплошной прямоугольной полоски.9. The Converter according to claim 8, characterized in that said collecting region with a conductivity of the first type contains M = 1 doped connecting element of the first type of conductivity in the form of one continuous rectangular strip. 10. Преобразователь по п.8, отличающийся тем, что указанная собирающая область с проводимостью первого типа содержит М>1 легированных соединительных участков первого типа проводимости в виде отдельных однотипных тонких полосок прямоугольной формы.10. The Converter according to claim 8, characterized in that said collecting region with a conductivity of the first type contains M> 1 doped connecting sections of the first type of conductivity in the form of separate rectangular thin stripes of the same type. 11. Преобразователь по п.8, отличающийся тем, что указанная собирающая область с проводимостью первого типа содержит М>1 легированных соединительных участков первого типа проводимости, расположенных с образованием сетки.11. The Converter according to claim 8, characterized in that the said collecting region with a conductivity of the first type contains M> 1 doped connecting sections of the first type of conductivity, located with the formation of the grid. 12. Преобразователь по любому из пп.1-3, 5, 6, 8-11, отличающийся тем, что p-n переходы с прилегающими к ним собирающими областями выведены с объема полупроводниковой подложки, наружу, на боковую и фронтальную поверхности лицевой стороны, в зону прямого попадания ЭМИ.12. The Converter according to any one of claims 1 to 3, 5, 6, 8-11, characterized in that the pn junctions with adjacent collecting regions are removed from the volume of the semiconductor substrate, outward, to the side and front surfaces of the front side, into the zone direct hit EMP. 13. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что p-n переходы с прилегающими к ним собирающими областями выведены с объема полупроводниковой подложки, наружу, на боковую и фронтальную поверхности лицевой стороны, в зону прямого попадания ЭМИ.13. The Converter according to claim 4, characterized in that the pn junctions with adjacent collecting regions are removed from the volume of the semiconductor substrate, outward, on the side and front surfaces of the front side, into the direct contact zone of the EMP. 14. Преобразователь по п.7, отличающийся тем, что p-n переходы с прилегающими к ним собирающими областями выведены с объема полупроводниковой подложки, наружу, на боковую и фронтальную поверхности лицевой стороны, в зону прямого попадания ЭМИ.14. The Converter according to claim 7, characterized in that the pn junctions with adjacent collecting regions are removed from the volume of the semiconductor substrate, outward, on the side and front surfaces of the front side, into the direct contact zone of the EMP. 15. Преобразователь по любому из пп.1-3, 5, 6, 8-11, 13, 14, отличающийся тем, что под каждой из указанных N собирающих областей с проводимостью первого типа расположен легированный слой с проводимостью второго типа.15. The Converter according to any one of claims 1 to 3, 5, 6, 8-11, 13, 14, characterized in that under each of these N collecting regions with conductivity of the first type is a doped layer with conductivity of the second type. 16. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что под каждой из указанных N собирающих областей с проводимостью первого типа расположен по крайней мере один легированный слой с проводимостью второго типа.16. The Converter according to item 12, characterized in that under each of these N collecting regions with conductivity of the first type is at least one doped layer with conductivity of the second type. 17. Преобразователь по п.15, отличающийся тем, что под каждой из указанных собирающих областей с проводимостью первого типа расположена стопа из G>1 последовательно чередующихся слоев с проводимостью второго типа и проводимостью первого типа.17. The Converter according to claim 15, characterized in that under each of said collecting regions with conductivity of the first type there is a stack of G> 1 successively alternating layers with conductivity of the second type and conductivity of the first type. 18. Преобразователь по п.16, отличающийся тем, что под каждой из указанных собирающих областей с проводимостью первого типа расположена стопа из G>1 последовательно чередующихся слоев с проводимостью второго типа и проводимостью первого типа.18. The Converter according to item 16, characterized in that under each of these collecting areas with conductivity of the first type is a stack of G> 1 sequentially alternating layers with conductivity of the second type and conductivity of the first type. 19. Преобразователь по п.17 или 18, отличающийся тем, что слои первого и второго типа проводимости в указанной стопе последовательно скоммутированы (соединены).19. The Converter according to 17 or 18, characterized in that the layers of the first and second type of conductivity in the specified foot are sequentially switched (connected). 20. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что собирающие области с проводимостью одного типа соединены посредством легированных соединительных элементов того же типа проводимости.20. The Converter according to item 12, characterized in that the collecting region with a conductivity of the same type are connected by means of doped connecting elements of the same type of conductivity. 21. Преобразователь по п.20, отличающийся тем, что по крайней мере часть указанных соединительных элементов образуют замкнутые контуры.21. The Converter according to claim 20, characterized in that at least a portion of these connecting elements form closed loops. 22. Преобразователь по п.21, отличающийся тем, что все указанные соединительные элементы образуют замкнутые контуры.22. The Converter according to item 21, wherein all of these connecting elements form closed loops. 23. Преобразователь по любому из пп.1, 2, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, отличающийся тем, что на лицевой стороне подложки расположено Х≥1 дополнительных легированных отклоняющих областей, отдельных от указанных N собирающих областей с проводимостью первого типа.23. A converter according to any one of claims 1, 2, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, characterized in that X≥1 additional doped deflecting regions, separate from the indicated N collecting regions with conductivity of the first type. 24. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что на лицевой стороне подложки расположено Х≥1 дополнительных легированных отклоняющих областей, отдельных от указанных N собирающих областей с проводимостью первого типа.24. The Converter according to claim 3, characterized in that on the front side of the substrate there are X≥1 additional doped deflecting regions separate from said N collecting regions with conductivity of the first type. 25. Преобразователь по п.23, отличающийся тем, что каждая из указанных Х легированных отклоняющих областей имеет проводимость второго типа.25. The Converter according to item 23, wherein each of these X doped deflecting regions has a conductivity of the second type. 26. Преобразователь по п.23, отличающийся тем, что Х отклоняющих областей включают в себя области как с первым, так и со вторым типом проводимости.26. The Converter according to item 23, wherein the X deflecting areas include areas with both the first and second type of conductivity. 27. Преобразователь по п.23, отличающийся тем, что каждая из указанных Х легированных отклоняющих областей имеет проводимость первого типа.27. The Converter according to item 23, wherein each of these X doped deflecting regions has a conductivity of the first type. 28. Преобразователь по любому из пп.25-27, отличающийся тем, что указанные легированные отклоняющие области выполнены дискретными и малыми по линейным размерам.28. The Converter according to any one of paragraphs.25-27, characterized in that said doped deflecting regions are made discrete and small in linear dimensions. 29. Преобразователь по любому из пп.25-27, отличающийся тем, что по крайней мере часть легированных отклоняющих областей с одинаковым типом проводимости объединены соединительными участками того же типа проводимости в контуры.29. The Converter according to any one of paragraphs.25-27, characterized in that at least part of the doped deflecting regions with the same type of conductivity are connected by connecting sections of the same type of conductivity in the circuit. 30. Преобразователь по любому из пп.25-27, отличающийся тем, что указанные Х легированных отклоняющих областей выполнены в виде непрерывного замкнутого контура (кольца или пояса).30. The Converter according to any one of paragraphs.25-27, characterized in that said X doped deflecting regions are made in the form of a continuous closed loop (ring or belt). 31. Преобразователь по п.29, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из N собирающих областей расположена в образованном отклоняющими областями контуре.31. The Converter according to clause 29, wherein at least one of the N collecting regions is located in the circuit formed by the deflecting regions. 32. Преобразователь по п.30, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из N собирающих областей расположена внутри указанного непрерывного замкнутого контура.32. The Converter according to claim 30, characterized in that at least one of the N collecting regions is located inside said continuous closed loop. 33. Преобразователь по п.23, отличающийся тем, что N собирающих легированных областей с проводимостью первого типа и легированные отклоняющие области расположены в чередующихся дискретных квантовых ловушках-углублениях с периодом F≤2f, где f - диффузионная длина неравновесных не основных носителей зарядов, а указанные ловушки выполнены на лицевой стороне подложки, причем собирающие области первого типа расположены в одних углублениях, а отклоняющие области - в других углублениях вдоль расположения углублений с проводимостью первого типа на расстоянии периода F от ближайшего углубления.33. The converter according to claim 23, wherein the N collecting alloyed regions with the first type of conductivity and the alloyed deflecting regions are located in alternating discrete quantum recesses-traps with a period F≤2f, where f is the diffusion length of nonequilibrium non-main charge carriers, and these traps are made on the front side of the substrate, with the collecting regions of the first type located in the same recesses, and the deflecting regions in the other recesses along the location of the recesses with the conductivity of the first type n and the distance of the period F from the nearest recess. 34. Преобразователь по любому из пп.24-27, отличающийся тем, что N собирающих легированных областей с проводимостью первого типа и легированные отклоняющие области расположены в чередующихся дискретных квантовых ловушках-углублениях с периодом F≤2f, где f - диффузионная длина неравновесных не основных носителей зарядов, указанные ловушки выполнены на лицевой стороне подложки, причем собирающие области первого типа расположены в одних углублениях, а отклоняющие области - в других углублениях вдоль расположения углублений с проводимостью первого типа на расстоянии периода F от ближайшего углубления.34. The Converter according to any one of paragraphs.24-27, characterized in that N collecting doped regions with conductivity of the first type and doped deflecting regions are located in alternating discrete quantum recesses-traps with a period of F≤2f, where f is the diffusion length of nonequilibrium non-fundamental charge carriers, these traps are made on the front side of the substrate, and the collecting regions of the first type are located in the same recesses, and the deflecting regions are in other recesses along the location of the recesses with the conductivity of type at a distance of period F from the nearest recess. 35. Преобразователь по п.25, отличающийся тем, что он содержит дополнительный третий (или второй лицевой) токосборный электрод, соединенный с каждой из указанных Х легированных отклоняющих областей с проводимостью второго типа.35. The Converter according A.25, characterized in that it contains an additional third (or second front) collector electrode connected to each of these X doped deflecting regions with conductivity of the second type. 36. Преобразователь по п.25 или 26, отличающийся тем, что он содержит дополнительный третий (или второй лицевой) токосборный электрод, соединенный хотя бы с одной из указанных Х легированных отклоняющих областей с проводимостью второго типа.36. The converter according to claim 25 or 26, characterized in that it comprises an additional third (or second front) collector electrode connected to at least one of the indicated X doped deflecting regions with conductivity of the second type. 37. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что поверх слоя диэлектрика расположен по крайней мере один отклоняющий полевой электрод.37. The converter according to claim 3, characterized in that at least one deflecting field electrode is located on top of the dielectric layer. 38. Преобразователь по п.24, отличающийся тем, что поверх слоя диэлектрика в зоне расположения по крайней мере одной из указанных Х легированных отклоняющих областей расположен по крайней мере один отклоняющий полевой электрод.38. The Converter according to paragraph 24, wherein a layer of at least one deflecting field electrode is located on top of the dielectric layer in the area of at least one of the indicated X doped deflecting regions. 39. Преобразователь по п.37 или 38, отличающийся тем, что первый собирающий электрод, соединенный с каждой из N собирающих областей первого типа проводимости, выполнен расширенным и перекрывающим в плане каждую отдельно взятую указанную область с проводимостью первого типа, с которой он соединен, причем первый электрод соединен с отклоняющим полевым электродом с образованием единого расширенного собирающе-отклоняющего электрода.39. The Converter according to clause 37 or 38, characterized in that the first collecting electrode connected to each of the N collecting regions of the first type of conductivity is made expanded and overlapping in plan each individual said region with the conductivity of the first type to which it is connected, moreover, the first electrode is connected to the deflecting field electrode with the formation of a single expanded collecting-deflecting electrode. 40. Преобразователь по п.39, отличающийся тем, что указанный расширенный собирающе-отклоняющий электрод выполнен из оптически прозрачного (или полупрозрачного) токопроводящего материала (например, Si*, TCO, ITO).40. The Converter according to § 39, wherein said expanded collecting-deflecting electrode is made of optically transparent (or translucent) conductive material (eg, Si *, TCO, ITO). 41. Преобразователь по п.39, отличающийся тем, что указанный расширенный собирающе-отклоняющий полевой электрод выполнен сплошным на всю лицевую сторону из оптически прозрачного токопроводящего материала (например, Si*, TCO, ITO).41. The converter according to claim 39, wherein said expanded collecting-deflecting field electrode is made continuous on the entire front side of an optically transparent conductive material (eg, Si *, TCO, ITO). 42. Преобразователь по п.23, отличающийся тем, что первый электрод размещен по периметру каждой из N собирающих областей.42. The Converter according to item 23, wherein the first electrode is placed around the perimeter of each of the N collecting areas. 43. Преобразователь по п.42, отличающийся тем, что отклоняющие области расположены по периметру первого электрода.43. The Converter according to paragraph 42, wherein the deflecting area is located around the perimeter of the first electrode. 44. Преобразователь по п.39, отличающийся тем, что вне собирающе-отклоняющего электрода вдоль его периметра сформирован третий электрод (или первый дрейфовый электрод на лицевой стороне), образующий при подаче потенциала смещения дрейфовое поле.44. The converter according to claim 39, characterized in that a third electrode (or a first drift electrode on the front side) is formed outside the collecting-deflecting electrode along its perimeter, which forms a drift field when the bias potential is applied. 45. Преобразователь по п.44, отличающийся тем, что под дрейфовым электродом расположены отклоняющие области первого типа проводимости.45. The Converter according to item 44, wherein the deflecting region of the first type of conductivity is located under the drift electrode. 46. Преобразователь по п.44, отличающийся тем, что между первым и дрейфовым электродами сформирован полевой дрейфовый электрод (второй по счету дрейфовый электрод на лицевой стороне), расположенный над отклоняющими областями второго типа проводимости.46. The Converter according to item 44, wherein a field drift electrode (a second drift electrode on the front side) located above the deflecting regions of the second conductivity type is formed between the first and drift electrodes. 47. Преобразователь по п.46, отличающийся тем, что второй дрейфовый электрод на лицевой стороне электрически соединен с подложкой.47. The Converter according to item 46, wherein the second drift electrode on the front side is electrically connected to the substrate. 48. Преобразователь по п.7, отличающийся тем, что на лицевой стороне размещены Y≥1 тонких электродов, объединенных в токовый узел, и причем шаг между электродами соизмерим с диффузионной длиной неравновесных не основных носителей зарядов.48. The Converter according to claim 7, characterized in that on the front side there are Y≥1 thin electrodes combined in a current node, and the step between the electrodes is commensurate with the diffusion length of nonequilibrium non-main charge carriers. 49. Преобразователь по любому из пп.24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, отличающийся тем, что области с проводимостью первого типа на лицевой стороне и области второго типа проводимости на лицевой стороне покрыты микролинзами или микропризмами.49. The Converter according to any one of paragraphs.24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, characterized in that the region with the conductivity of the first type on the front side and the region of the second type of conductivity on the front side covered with microlenses or microprisms. 50. Преобразователь по п.23, отличающийся тем, что области с проводимостью первого типа на лицевой стороне и области второго типа проводимости на лицевой стороне покрыты микролинзами или микропризмами.50. The Converter according to item 23, wherein the areas with the conductivity of the first type on the front side and the area of the second type of conductivity on the front side are covered with microlenses or microprisms. 51. Преобразователь по любому из пп.3, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, 24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, отличающийся тем, что обратная сторона подложки с проводимостью второго типа содержит W≥1 отдельных отклоняюще-собирающих легированных областей с проводимостью второго типа, объединенных в токовый узел посредством сплошного второго электрода.51. The converter according to any one of claims 3, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, 24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43- 48, characterized in that the reverse side of the substrate with a conductivity of the second type contains W≥1 separate deflecting-collecting doped regions with conductivity of the second type, combined into a current node by means of a continuous second electrode. 52. Преобразователь по п.51, отличающийся тем, что указанные отдельные W≥1 легированные отклоняюще-собирающие области выполнены однотипными.52. The Converter according to paragraph 51, wherein the specified individual W≥1 doped deflecting-collecting areas are made of the same type. 53. Преобразователь по п.51, отличающийся тем, что обратная сторона содержит V≥1 легированных отклоняюще-собирающих областей первого типа проводимости, каждые из которых соединены четвертым электродом в токовый узел.53. The Converter according to paragraph 51, wherein the reverse side contains V≥1 doped deflecting-collecting regions of the first type of conductivity, each of which is connected by a fourth electrode to the current node. 54. Преобразователь по п.52, отличающийся тем, что обратная сторона содержит V≥1 легированных отклоняюще-собирающих областей первого типа проводимости, каждые из которых соединены четвертым электродом в токовый узел.54. The Converter according to paragraph 52, wherein the reverse side contains V≥1 doped deflecting-collecting regions of the first type of conductivity, each of which is connected by a fourth electrode to the current node. 55. Преобразователь по п.53 или 54, отличающийся тем, что обратная сторона содержит дополнительные дискретные отклоняющие области первого типа проводимости, расположенные по периферии отклоняюще-собирающих областей с проводимостью второго типа и первого типа.55. The Converter according to item 53 or 54, characterized in that the reverse side contains additional discrete deflecting areas of the first type of conductivity located on the periphery of the deflecting-collecting areas with conductivity of the second type and the first type. 56. Преобразователь по п.55, отличающийся тем, что обратная сторона содержит дополнительные дискретные отклоняющие области второго типа проводимости, расположенные между указанными дискретными отклоняющими областями первого типа проводимости.56. The Converter according to item 55, wherein the reverse side contains additional discrete deflecting areas of the second type of conductivity located between these discrete deflecting areas of the first type of conductivity. 57. Преобразователь по любому из пп.1-3, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, 24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, 50, 52-54, 56, отличающийся тем, что он выполнен на тонкой полупроводниковой подложке толщиной менее 70 мкм.57. The Converter according to any one of claims 1 to 3, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, 24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, 50, 52-54, 56, characterized in that it is made on a thin semiconductor substrate with a thickness of less than 70 microns. 58. Преобразователь по любому из пп.1-3, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, 24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, 50, 52-54, 56, отличающийся тем, что на лицевой или обратной стороне полупроводниковой подложки размещены по любому из известных способов Z≥1 областей с источником дополнительного электромагнитного излучения, например, стронция-90.58. The Converter according to any one of claims 1 to 3, 5, 6, 8-11, 13, 14, 16-18, 20-22, 24-27, 31-33, 35, 37-38, 40, 41, 43-48, 50, 52-54, 56, characterized in that on the front or back side of the semiconductor substrate are placed according to any of the known methods Z≥1 areas with a source of additional electromagnetic radiation, for example, strontium-90. 59. Преобразователь по п.57, отличающийся тем, что на лицевой или обратной стороне полупроводниковой подложки размещены по любому из известных способов Z≥1 областей с источником дополнительного электромагнитного излучения, например, стронция-90. 59. The converter according to claim 57, characterized in that on the front or back side of the semiconductor substrate are placed according to any of the known methods Z≥1 areas with a source of additional electromagnetic radiation, for example, strontium-90.
RU2006140882/28A 2006-11-21 2006-11-21 Electromagnetic radiation converter RU2367063C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140882/28A RU2367063C2 (en) 2006-11-21 2006-11-21 Electromagnetic radiation converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140882/28A RU2367063C2 (en) 2006-11-21 2006-11-21 Electromagnetic radiation converter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006140882A RU2006140882A (en) 2008-05-27
RU2367063C2 true RU2367063C2 (en) 2009-09-10

Family

ID=39586206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006140882/28A RU2367063C2 (en) 2006-11-21 2006-11-21 Electromagnetic radiation converter

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2367063C2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040838A2 (en) * 2009-10-02 2011-04-07 Tsoy Bronya Method for making a beam junction, and electromagnetic-radiation beam converter

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2009107568A (en) 2009-03-04 2010-09-10 Броня Цой (RU) PHOTO CONVERTER OF ELECTROMAGNETIC RADIATION CONVERTER (OPTIONS), ELECTROMAGNETIC RADIATION CONVERTER

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040838A2 (en) * 2009-10-02 2011-04-07 Tsoy Bronya Method for making a beam junction, and electromagnetic-radiation beam converter
WO2011040838A3 (en) * 2009-10-02 2011-05-26 Tsoy Bronya Method for making a beam junction, and electromagnetic-radiation beam converter
EA018895B1 (en) * 2009-10-16 2013-11-29 Броня ЦОЙ Method for making a beam junction, and electromagnetic-radiation beam converter

Also Published As

Publication number Publication date
RU2006140882A (en) 2008-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2369941C2 (en) Converter of electromagnet radiation (versions)
KR101111215B1 (en) Electromagnetic radiation converter and a battery
US7875890B1 (en) Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays
US20090026579A1 (en) Em rectifying antenna suitable for use in conjunction with a natural breakdown device
KR20160001717A (en) A p-n junction optoelectronic device for ionizing dopants by field effect
US5290367A (en) Photoelectric element
JP2006023276A (en) Optical mixing system
CN110349982A (en) Semiconductor device and sensor comprising single photon avalanche diode SPAD structure
US3812518A (en) Photodiode with patterned structure
RU2367063C2 (en) Electromagnetic radiation converter
EP2751841B1 (en) Interdigitated back contact photovoltaic cell with floating front surface emitter regions
RU2355066C2 (en) Electromagnetic emission converter
CN102479893A (en) Optoelectronic component
KR100935351B1 (en) A Method for Power Increase in a Nuclear-Cell and A High Efficiency Beta-Cell Using It
CN110233191B (en) LED chip and manufacturing method thereof
TWI821781B (en) Light sensing device
Raynaud et al. Optical beam induced current measurements: principles and applications to SiC device characterization
KR102072282B1 (en) Method and structure for multi-cell devices without physical isolation
WO2005088742A1 (en) High-power light emitting diode
RU2371811C1 (en) Semiconductor photoelectric generator (versions) and method of making said generator (versions)
US8912616B2 (en) Device for detecting electromagnetic radiation comprising a diffusion junction and a resonant grating in a single layer
RU2284614C1 (en) Avalanche photodetector
KR101685475B1 (en) A photo-converting part of an electromagnetic radiation converter (variant embodiments), and an electromagnetic radiation converter
RU2242064C1 (en) Solar cell
Kerst et al. Monolithic series-interconnection for a thin film silicon solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20131122

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20161220