RU2359357C1 - Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide - Google Patents

Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide Download PDF

Info

Publication number
RU2359357C1
RU2359357C1 RU2008102631/28A RU2008102631A RU2359357C1 RU 2359357 C1 RU2359357 C1 RU 2359357C1 RU 2008102631/28 A RU2008102631/28 A RU 2008102631/28A RU 2008102631 A RU2008102631 A RU 2008102631A RU 2359357 C1 RU2359357 C1 RU 2359357C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
polyimide
application
plate surface
treatment
silicon
Prior art date
Application number
RU2008102631/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Айшат Расуловна Шахмаева (RU)
Айшат Расуловна Шахмаева
Бийке Алиевна Шангереева (RU)
Бийке Алиевна Шангереева
Original Assignee
Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2008102631/28A priority Critical patent/RU2359357C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2359357C1 publication Critical patent/RU2359357C1/en

Links

Abstract

FIELD: physics, semiconductors.
SUBSTANCE: invention is related to technology for manufacture of semiconductor instruments and integrated circuits, in particular, to preparation of silicon plate surfaces prior to application of polyimide. Substance of invention: in method for treatment of plate surface prior to application of polyimide, treatment of silicon plate surface prior to application of polyimide is carried out in etchant that consists of hydrofluoric acid and acetone, at the following ratio of components: HF: CH3COCH3 = 1:100, time of silicon plate surface processing is equal to not more than 30 seconds at room temperature, number of dust specks makes 3 pieces.
EFFECT: provides for complete removal of different admixtures from surface of silicon plates, proper adhesion of polyimide to plate, reduction of temperature and time required for plate processing.

Description

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.The invention relates to the manufacturing technology of semiconductor devices and IP, in particular to the surface preparation of silicon wafers before applying polyimide.

Известны способы обработки кремниевых пластин, сущность которых состоит в полном удалении различных загрязнений с поверхности кремниевых пластин [1, 2].Known methods of processing silicon wafers, the essence of which is the complete removal of various contaminants from the surface of silicon wafers [1, 2].

Недостатком способа обработки пластин являются неполное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, плохое сцепление полиимида к пластине и высокая температура травления (70-80°С).The disadvantage of the plate processing method is the incomplete removal of various impurities from the surface of the silicon wafers, poor adhesion of the polyimide to the wafer, and a high etching temperature (70-80 ° C).

Целью изобретения является полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.The aim of the invention is the complete removal of various impurities from the surface of silicon wafers, good adhesion of the polyimide to the wafer, reducing the temperature and processing time of the wafers.

Поставленная цель достигается использованием травителя, состоящего из фтористоводородной кислоты - HF и ацетона - СН3СО СН3 в следующих соотношениях:This goal is achieved using an etchant consisting of hydrofluoric acid - HF and acetone - CH 3 CO CH 3 in the following proportions:

HF:СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3

1:1001: 100

Процесс обработки поверхности кремниевых пластин считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. При этом происходит улучшение смачиваемости поверхности кремниевых пластин к полиимиду.The surface treatment of silicon wafers is considered complete when the solution rolls off the surface of silicon wafers. This improves the wettability of the surface of the silicon wafers to the polyimide.

Сущность способа заключается в том, что при обработке поверхности пластин происходит полное удаление различных загрязнений и примесей в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, с поверхности кремниевых пластин, которое проводят при низких температурах, и при этом время травления уменьшается.The essence of the method lies in the fact that when processing the surface of the wafers, various impurities and impurities are completely removed in the etchant, consisting of hydrofluoric acid and acetone, from the surface of the silicon wafers, which is carried out at low temperatures, and the etching time is reduced.

Контроль чистоты поверхности пластин проводится под сфокусированным лучом света на наличие пылинок.The cleanliness of the surface of the plates is controlled under a focused beam of light for the presence of dust particles.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:The invention is confirmed by the following examples:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов:EXAMPLE 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in one bath, followed by washing in deionized water, consisting of hydrofluoric acid and acetone, in the following ratio of components:

HF: СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3

1:801:80

Температура травителя комнатная. Время обработки 60 секунд.The temperature of the etchant is room temperature. Processing time 60 seconds.

Количество пылинок составляет 7 штук.The amount of dust is 7 pieces.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:EXAMPLE 2. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in one bath, followed by washing in deionized water with a ratio of components:

HF:СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3

1:901:90

Температура травителя комнатная. Время обработки 50 секунд.The temperature of the etchant is room temperature. Processing time 50 seconds.

Количество пылинок составляет 5 штук.The amount of dust is 5 pieces.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:EXAMPLE 3. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in one bath, followed by washing in deionized water with a ratio of components:

HF:СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3

1:1001: 100

Температура травителя комнатная. Время обработки 30 секунд. Количество пылинок составляет 3 штук.The temperature of the etchant is room temperature. Processing time 30 seconds. The amount of dust is 3 pieces.

Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных травителей для обработки поверхности пластин является травитель, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона.As follows from the results of the experiments, one of the most effective etchants for surface treatment of wafers is an etchant consisting of hydrofluoric acid and acetone.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает подготовку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида и способствует улучшению адгезии, благодаря которой уменьшается и количество пылинок с 7 до 3 частиц.Thus, the proposed method in comparison with the prototype provides the surface preparation of silicon wafers before applying polyimide and helps to improve adhesion, which reduces the number of dust particles from 7 to 3 particles.

Claims (1)

Способ обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида, включающий обработку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, отличающийся тем, что компоненты травителя используют при следующем соотношении: HF: СН3СОСН3=1:100, время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 30 с при комнатной температуре, количество пылинок составляет 3 штуки. A method of surface treatment of wafers before applying polyimide, including surface treatment of silicon wafers before applying polyimide in an etchant consisting of hydrofluoric acid and acetone, characterized in that the components of the etchant are used in the following ratio: HF: CH 3 COCH 3 = 1: 100, processing time the surface of silicon wafers is not more than 30 s at room temperature, the number of dust particles is 3 pieces.
RU2008102631/28A 2008-01-22 2008-01-22 Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide RU2359357C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008102631/28A RU2359357C1 (en) 2008-01-22 2008-01-22 Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008102631/28A RU2359357C1 (en) 2008-01-22 2008-01-22 Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2359357C1 true RU2359357C1 (en) 2009-06-20

Family

ID=41026050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008102631/28A RU2359357C1 (en) 2008-01-22 2008-01-22 Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2359357C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2524137C1 (en) * 2013-01-10 2014-07-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Semiconductor chemical etching method
RU2786369C2 (en) * 2020-12-17 2022-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. /Под ред. Л.А.Коледов. - М.: Радио и связь, 1989, с.400. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. /Под редакцией А.И.Курносов, В.В.Юдин. - М.: Высшая школа, 1986, с.107. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2524137C1 (en) * 2013-01-10 2014-07-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Semiconductor chemical etching method
RU2786369C2 (en) * 2020-12-17 2022-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7314854B2 (en) Ammonium hydroxide treatments for semiconductor substrates
US20020052096A1 (en) Cleaning method and cleaning apparatus of silicon
KR100992479B1 (en) Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution
CN115254766B (en) Cleaning and regenerating method for alumina ceramic injector of semiconductor equipment
WO2006017108A3 (en) System and method for pre-gate cleaning of substrates
JP2006080501A (en) Cleaning solution and method of cleaning semiconductor substrate
US8741066B2 (en) Method for cleaning substrates utilizing surface passivation and/or oxide layer growth to protect from pitting
RU2359357C1 (en) Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide
JP2007214412A (en) Semiconductor substrate cleaning method
KR20000047644A (en) Process for treating a semiconductor substrate
JP2016519441A (en) Processes containing water vapor for haze removal and residue removal
CN106783527A (en) The cleaning method of semiconductor wafer
KR101789857B1 (en) Process for treating a semiconductor wafer
RU2319252C2 (en) Method for cleaning silicon substrate surfaces
JP2011508981A (en) Reduction of watermarks in HF processing of semiconductor substrates
EP1562226B1 (en) A method for removing oxides from a Germanium semiconductor substrate surface
RU2403648C1 (en) Method of detecting epitaxial dislocation defects
RU2419175C2 (en) Method of processing substrates in liquid etching agent
RU2534444C2 (en) Method of removing oxide from silicon plate surface
RU2352020C1 (en) Method of photoresist removal
US6423646B1 (en) Method for removing etch-induced polymer film and damaged silicon layer from a silicon surface
RU2318267C2 (en) Method for removing resistive mask
US20050092348A1 (en) Method for cleaning an integrated circuit device using an aqueous cleaning composition
KR100732775B1 (en) Cleaning bath for regenerating a dummy wafer and method of cleaning the dummy wafer using the same
JPH07321080A (en) Method for cleaning silicon wafer

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100123