RU2359357C1 - Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide - Google Patents
Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide Download PDFInfo
- Publication number
- RU2359357C1 RU2359357C1 RU2008102631/28A RU2008102631A RU2359357C1 RU 2359357 C1 RU2359357 C1 RU 2359357C1 RU 2008102631/28 A RU2008102631/28 A RU 2008102631/28A RU 2008102631 A RU2008102631 A RU 2008102631A RU 2359357 C1 RU2359357 C1 RU 2359357C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polyimide
- application
- plate surface
- treatment
- silicon
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.The invention relates to the manufacturing technology of semiconductor devices and IP, in particular to the surface preparation of silicon wafers before applying polyimide.
Известны способы обработки кремниевых пластин, сущность которых состоит в полном удалении различных загрязнений с поверхности кремниевых пластин [1, 2].Known methods of processing silicon wafers, the essence of which is the complete removal of various contaminants from the surface of silicon wafers [1, 2].
Недостатком способа обработки пластин являются неполное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, плохое сцепление полиимида к пластине и высокая температура травления (70-80°С).The disadvantage of the plate processing method is the incomplete removal of various impurities from the surface of the silicon wafers, poor adhesion of the polyimide to the wafer, and a high etching temperature (70-80 ° C).
Целью изобретения является полное удаление различных примесей с поверхности кремниевых пластин, хорошее сцепление полиимида к пластине, уменьшение температуры и времени обработки пластин.The aim of the invention is the complete removal of various impurities from the surface of silicon wafers, good adhesion of the polyimide to the wafer, reducing the temperature and processing time of the wafers.
Поставленная цель достигается использованием травителя, состоящего из фтористоводородной кислоты - HF и ацетона - СН3СО СН3 в следующих соотношениях:This goal is achieved using an etchant consisting of hydrofluoric acid - HF and acetone - CH 3 CO CH 3 in the following proportions:
HF:СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3
1:1001: 100
Процесс обработки поверхности кремниевых пластин считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. При этом происходит улучшение смачиваемости поверхности кремниевых пластин к полиимиду.The surface treatment of silicon wafers is considered complete when the solution rolls off the surface of silicon wafers. This improves the wettability of the surface of the silicon wafers to the polyimide.
Сущность способа заключается в том, что при обработке поверхности пластин происходит полное удаление различных загрязнений и примесей в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты и ацетона, с поверхности кремниевых пластин, которое проводят при низких температурах, и при этом время травления уменьшается.The essence of the method lies in the fact that when processing the surface of the wafers, various impurities and impurities are completely removed in the etchant, consisting of hydrofluoric acid and acetone, from the surface of the silicon wafers, which is carried out at low temperatures, and the etching time is reduced.
Контроль чистоты поверхности пластин проводится под сфокусированным лучом света на наличие пылинок.The cleanliness of the surface of the plates is controlled under a focused beam of light for the presence of dust particles.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:The invention is confirmed by the following examples:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона, при следующем соотношении компонентов:EXAMPLE 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in one bath, followed by washing in deionized water, consisting of hydrofluoric acid and acetone, in the following ratio of components:
HF: СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3
1:801:80
Температура травителя комнатная. Время обработки 60 секунд.The temperature of the etchant is room temperature. Processing time 60 seconds.
Количество пылинок составляет 7 штук.The amount of dust is 7 pieces.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:EXAMPLE 2. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in one bath, followed by washing in deionized water with a ratio of components:
HF:СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3
1:901:90
Температура травителя комнатная. Время обработки 50 секунд.The temperature of the etchant is room temperature. Processing time 50 seconds.
Количество пылинок составляет 5 штук.The amount of dust is 5 pieces.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:EXAMPLE 3. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in one bath, followed by washing in deionized water with a ratio of components:
HF:СН3СО СН3 HF: CH 3 CO CH 3
1:1001: 100
Температура травителя комнатная. Время обработки 30 секунд. Количество пылинок составляет 3 штук.The temperature of the etchant is room temperature. Processing time 30 seconds. The amount of dust is 3 pieces.
Как следует из результатов опытов, одним из самых эффективных травителей для обработки поверхности пластин является травитель, состоящей из фтористоводородной кислоты и ацетона.As follows from the results of the experiments, one of the most effective etchants for surface treatment of wafers is an etchant consisting of hydrofluoric acid and acetone.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает подготовку поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида и способствует улучшению адгезии, благодаря которой уменьшается и количество пылинок с 7 до 3 частиц.Thus, the proposed method in comparison with the prototype provides the surface preparation of silicon wafers before applying polyimide and helps to improve adhesion, which reduces the number of dust particles from 7 to 3 particles.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008102631/28A RU2359357C1 (en) | 2008-01-22 | 2008-01-22 | Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008102631/28A RU2359357C1 (en) | 2008-01-22 | 2008-01-22 | Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2359357C1 true RU2359357C1 (en) | 2009-06-20 |
Family
ID=41026050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008102631/28A RU2359357C1 (en) | 2008-01-22 | 2008-01-22 | Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2359357C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2524137C1 (en) * | 2013-01-10 | 2014-07-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Semiconductor chemical etching method |
RU2786369C2 (en) * | 2020-12-17 | 2022-12-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge) |
-
2008
- 2008-01-22 RU RU2008102631/28A patent/RU2359357C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. /Под ред. Л.А.Коледов. - М.: Радио и связь, 1989, с.400. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. /Под редакцией А.И.Курносов, В.В.Юдин. - М.: Высшая школа, 1986, с.107. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2524137C1 (en) * | 2013-01-10 | 2014-07-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Semiconductor chemical etching method |
RU2786369C2 (en) * | 2020-12-17 | 2022-12-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7314854B2 (en) | Ammonium hydroxide treatments for semiconductor substrates | |
US20020052096A1 (en) | Cleaning method and cleaning apparatus of silicon | |
KR100992479B1 (en) | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution | |
CN115254766B (en) | Cleaning and regenerating method for alumina ceramic injector of semiconductor equipment | |
WO2006017108A3 (en) | System and method for pre-gate cleaning of substrates | |
JP2006080501A (en) | Cleaning solution and method of cleaning semiconductor substrate | |
US8741066B2 (en) | Method for cleaning substrates utilizing surface passivation and/or oxide layer growth to protect from pitting | |
RU2359357C1 (en) | Methods for treatment of plate surface prior to application of polyimide | |
JP2007214412A (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
KR20000047644A (en) | Process for treating a semiconductor substrate | |
JP2016519441A (en) | Processes containing water vapor for haze removal and residue removal | |
CN106783527A (en) | The cleaning method of semiconductor wafer | |
KR101789857B1 (en) | Process for treating a semiconductor wafer | |
RU2319252C2 (en) | Method for cleaning silicon substrate surfaces | |
JP2011508981A (en) | Reduction of watermarks in HF processing of semiconductor substrates | |
EP1562226B1 (en) | A method for removing oxides from a Germanium semiconductor substrate surface | |
RU2403648C1 (en) | Method of detecting epitaxial dislocation defects | |
RU2419175C2 (en) | Method of processing substrates in liquid etching agent | |
RU2534444C2 (en) | Method of removing oxide from silicon plate surface | |
RU2352020C1 (en) | Method of photoresist removal | |
US6423646B1 (en) | Method for removing etch-induced polymer film and damaged silicon layer from a silicon surface | |
RU2318267C2 (en) | Method for removing resistive mask | |
US20050092348A1 (en) | Method for cleaning an integrated circuit device using an aqueous cleaning composition | |
KR100732775B1 (en) | Cleaning bath for regenerating a dummy wafer and method of cleaning the dummy wafer using the same | |
JPH07321080A (en) | Method for cleaning silicon wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100123 |