RU2323553C1 - Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика - Google Patents

Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика Download PDF

Info

Publication number
RU2323553C1
RU2323553C1 RU2007101091/09A RU2007101091A RU2323553C1 RU 2323553 C1 RU2323553 C1 RU 2323553C1 RU 2007101091/09 A RU2007101091/09 A RU 2007101091/09A RU 2007101091 A RU2007101091 A RU 2007101091A RU 2323553 C1 RU2323553 C1 RU 2323553C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
copper
electrolyte
deposition
electrolyte solution
Prior art date
Application number
RU2007101091/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Алина Анв ровна Маньшина (RU)
Алина Анвяровна Маньшина
Алексей Валерьевич Поволоцкий (RU)
Алексей Валерьевич Поволоцкий
Тать на Юрьевна Иванова (RU)
Татьяна Юрьевна Иванова
нович Юрий Станиславович Тверь (RU)
Юрий Станиславович Тверьянович
Дон Су Ким (RU)
Дон Су Ким
Original Assignee
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ) filed Critical Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ)
Priority to RU2007101091/09A priority Critical patent/RU2323553C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2323553C1 publication Critical patent/RU2323553C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии локализованного нанесения металлических слоев, либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание способа лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика, в котором за счет изменения геометрии осаждения меди из электролита на поверхность диэлектрика, а также нагревания электролита стало возможным осаждение меди на поверхность диэлектрика за одно сканирование, что приводит к ускорению и удешевлению процесса осаждения меди вследствие снижения его энергоемкости. Использование в растворе электролита двухлористой меди и увеличение температуры раствора электролита позволяет снизить пороговую мощность лазера. При этом понижение мощности лазера и фокусирование лазера на границу раздела подложка-электролит со стороны подложки позволяет уменьшить влияние процесса образования пузырьков при осаждении металлических структур на поверхность диэлектрика. В способе раскрыты режимы лазерного сканирования. 4 ил.

Description

Изобретение относится к технологии локализованного нанесения металлических слоев либо структур на поверхности диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники.
Известен способ лазерной металлизации диэлектрической подложки, включающий обработку поверхности подложки лазерным лучом, в котором в качестве диэлектрика используются бораты меди CuB2O4 и Cu2В2О6 в монокристаллическом состоянии и стекло состава CuO-В2О3 и диэлектрическую подложку обрабатывают лазерным излучением в атмосфере продуктов сгорания углеводородов, при этом размер области металлизации диэлектрической подложки задают размером пятна лазерного излучения, а толщину слоя меди регулируют мощностью и продолжительностью воздействия лазерного излучения (патент РФ №2192715, Н05К 3/02, опубл. 2002.11.10).
Недостатками способа являются его сложность вследствие многоступенчатости и высокая энергоемкость.
Известен способ создания металлических структур на диэлектриках путем лазерного осаждения металлов из раствора (ЛОМР) [Kordas К., Ball К., Leppaevuori S., Uusimaeki A., Nanai L. Laser direct writing of copper on polyimide surfaces from solution // Appl. Surf. Sci. 2000. V.154-155. P.399-404; Kordas К., Bekesi J., Vajtai R, Nanai L, Leppaevuori S., Uusimaeki A., Bali K., George T.F., Galbacs G., Ignacz F., Moilanen P. Laser-assisted metal deposition from liquid-phase precursors on polymers // Appl. Surf. Sci. 2001. V.172. P.178-189; Kordas К., Nahai L., Galbacs G., Uusimaeki A., Leppaevuori S., Bali K. Reaction dynamics of CW Ar+ Iaser induced copper direct writing from liquid electrolyte on polyimide substrates // Appl. Surf. Sci. 2000. V.158. P.127-133).
К металлам, которые могут быть осаждены с помощью этого метода, относятся палладий (Pd), медь (Cu), никель (Mi) и алюминий (Al). Однако с точки зрения использования в устройствах микроэлектроники особый интерес из перечисленных металлов представляет медь, поскольку она обладает наиболее низким электрическим сопротивлением. В качестве подложек, как правило, используются полимерные материалы, такие как, например, тефлон и полиимид, а также кварц и керамика.
В основе метода ЛОМР лежит так называемый процесс безэлектродного автокаталитического осаждения (БЭАО), который не требует использования внешних источников электрического поля. В результате фото- либо термоинициированной химической реакции происходит восстановление металла из металлических комплексов на определенных каталитических центрах на поверхности подложки. Осажденный в результате реакции метал становится затравочным центром.
Реакция БЭАО инициируется сфокусированным лазерным лучом на границе раздела подложки и раствора электролита, в который она погружена. При этом лазерный фокальный объем определяет объем среды, в котором протекает химическая реакция восстановления, обеспечивая, таким образом, локализованное осаждение металла. Преимущества лазерного излучения (пространственная и временная когерентность, направленность) позволяют управлять реакцией и контролировать процесс осаждения металла с микронным, а в некоторых случаях и субмикронным пространственным разрешением. При этом в общем случае лазерный луч может создавать локальный нагрев среды и инициировать, таким образом, химическую реакцию (термическая реакция), либо играть роль источника фотонов для создания электронов, с участием которых происходит восстановление ионов металлов (фотолитическая реакция).
В случае меди наиболее подходящим восстановителем является формальдегид (НСОН), также могут быть использованы этанол (С2Н5OH) и пропанол ((CH3)2CHOH). Медь обычно используется в составе комплексного соединения с тартратом. Химическая реакция восстановления меди выглядит следующим образом:
Figure 00000002
Считается, что процесс осаждения меди на диэлектрические подложки, описываемый уравнением (1), должен включать два этапа. На первом этапе с помощью лазера на поверхности подложки создаются металлические затравки. Затем эта предварительно обработанная подложка погружается в раствор электролита, где под действием лазерного излучения происходит реакция БЭАО. Эти два шага могут быть объединены. Один и тот же лазерный луч может модифицировать химические связи и создавать локальные изменения электрического потенциала на поверхности подложки, обеспечивая электроны и активные центры для восстановления меди, а также ускорять химическую реакцию, нагревая поверхность подложки, раствор, а затем и осажденный металл.
Недостаток этого метода - негативное влияние пузырей газа (Н2), образующихся в результате химической реакции восстановления, вследствие чего приходится понижать мощность лазерного излучения, что приводит к уменьшению интенсивности протекания химической реакции, а вследствие этого к уменьшению количества водорода и в том числе к уменьшению количества осаждаемой меди. В результате оказывается невозможным получение непрерывной структуры за одно сканирование.
В основу изобретения положена задача создания способа лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика, в котором за счет изменения геометрии осаждения меди из электролита на поверхность диэлектрика, а также нагревания электролита стало возможным осаждение меди на поверхность диэлектрика за одно сканирование, что, в конечном итоге, приводит к ускорению и удешевлению процесса осаждения меди вследствие снижения его энергоемкости.
Достижение вышеуказанной технической задачи обеспечивается тем, что в способе лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика, включающем подготовку раствора электролита, содержащего 0.2 М KNa-тартрат, (KNaC4H4O6·4Н2O), 0.125 М NaOH и 6 М НСОН (формальдегид), и промывку подложки, фокусирование лазера на границу подложка-электролит, в раствор электролита дополнительно включают CuCl2, раствор нагревают до температуры от 30 до 60°С, подложку размещают на поверхности электролита, при этом излучение лазера, мощность которого выбирают в диапазоне от пороговой мощности, составляющей 10-50 мВт, до 400 мВт, фокусируют на границу раздела подложка-электролит со стороны подложки и однократно сканируют излучение по вышеуказанной поверхности со скоростью сканирования от 0,01 мм/с до 0,04 мм/с, или при скорости сканирования от 0,06 до 0,1 мм/с - от 3 до 5 раз по одной и той же осажденной структуре.
В предлагаемом изобретении вследствие использования другой составляющей раствора электролита, а именно CuCl2, стало возможным за счет понижения мощности лазера и фокусирования излучения лазера на границу раздела подложка-электролит со стороны подложки значительно уменьшить влияние процесса образования пузырьков при осаждении металлических структур, что привело к возможности получения непрерывных металлических структур в режиме однократного сканирования при скорости сканирования 0.01-0,04 мм/с. Увеличение температуры раствора может также привести к улучшению условий осаждения металлических структур вследствие уменьшения пороговой мощности процесса осаждения. Эти же условия осаждения металлических структур при скорости сканирования в диапазоне от 0,06 до 0,1 мм/с обеспечивают создание непрерывных металлических структур при трех-пятикратном сканировании.
Изобретение поясняется с помощью фиг.1-4, на которых (фиг.1) показаны блок-схема экспериментальной установки, фотография дорожек, создаваемых с использованием электролита на основе CuCl2 при температуре 308 К и скорости сканирования 0.01 мм/с (фиг.2), зависимость ширины осажденных структур от мощности лазера для разных температур раствора (фиг.3), вид осажденных металлических структур в случае 1, 3 и 5-кратного сканирования (фиг.4а, б, в).
Способ лазерного осаждения меди на диэлектрических подложках был осуществлен на установке, показанной на фиг.1, в которую входили 1 - Ar+ лазер, 2 - разделитель, 3 - микроскоп, 4 - чашка Петри, 5 - раствор электролита, 6 - подложка, 7-3D трехмерная моторизованная подвижка, 8 - фокусирующая линза, 9 - видеокамера, 10 - ЭВМ, 11 - контроллер трехмерной моторизованной подвижки. Подложка 6 фиксируется на поверхности раствора электролита 5. Луч лазера 1 с помощью линзы 8 фокусируется на поверхности подложки 6 со стороны подложки. Ранее (A.Manshina, A.Povolotskiy, Т.Ivanova, A.Kurochkin, Yu.Tver'yanovich, D.Kirn, M.Kirn, S.C.Kwon, Laser Phys.Lett, DOI 10.1002/Iapl.200610090) было показано, что такая геометрия воздействия излучения лазера на границу подложка-электролит со стороны подложки приводит к минимизации отрицательного влияния образования пузырьков. Мощность лазера 1 варьировалась от 50 до 500 мВт.
Луч Ar+ лазера 1 направляется через разделитель 2 к микроскопу 3 и фокусируется через подложку 6 на поверхности раздела подложка-электролит. В этом случае становится возможным значительно увеличивать объем электролита, что приводит к уменьшению влияния образующихся в процессе осаждения металла пузырьков. В качестве подложки 6 использовались химически очищенные стекла микроскопа. Раствор электролита 5 готовился на основе CuCl2. Соотношение компонент было выбрано таким же, как и в случае использования электролита на основе CuSO4: 0.1 М CuCl2, 0.2 M KNa-тартрат, KNaC4H4O6 ·4H2O), 0.125 M NaOH, и 6 M НСОН (формальдегид). Чашка Петри (4) с раствором электролита помещалась на трехмерную моторизованную подвижку (7). Скорость перемещения подвижки 7 варьировалась в пределах от 0.01 до 0.1 мм/с. Процесс осаждения металла контролировался видеокамерой 9.
С учетом результатов предварительно проведенных нами работ с использованием электролита на основе CuSO4 (A.Manshina, A.Povolotskiy, Т.Ivanova, A.Kurochkin, Yu.Tver'yanovich, D.Kirn, M.Kirn, S.C.Kwon, Glass Phys. Chem. 33, (2007), accepted for publication.) мы провели серию экспериментов. Было обнаружено, что увеличение температуры раствора электролита на основе CuCl2 до 308 К приводит к осаждению меди под воздействием лазера и образованию непрерывных структур. На фиг.2 показана фотография дорожек, создаваемых с использованием электролита на основе CuCl2 при температуре 308 К и скорости сканирования 0.01 мм/с. При указанных условиях непрерывные медные дорожки осаждались при мощности лазера 1 в пределах от 50 до 400 мВт. Дальнейшее увеличение мощности лазера ведет к их разрушению. Пороговая мощность осаждения металла из раствора электролита на основе CuCl2 при температуре 308 К равнялась 50 мВт. Это значение меньше пороговой мощности в случае использования электролита на основе CuSO4 при температуре 298 К, которая равна 240 мВт. Дальнейшее увеличение температуры раствора электролита до 398 К привело к снижению порогового значения мощности лазера до 10 мВТ. Сильная зависимость порогового значения мощности лазера, возможно, определяется механизмом метода лазерного осаждения, так как термически инициируется химическая реакция восстановления металла (Ур. (1)), для которой наблюдается сильная зависимость от характеристической температуры. Более того, увеличение температуры может также привести к увеличению химической активности раствора. На фиг.3 показана зависимость ширины осажденных структур от мощности лазера для разных температур раствора. Видно, что температура раствора электролита не влияет на ширину осажденных структур. Это подтверждает, что температура раствора определяет только пороговую мощность лазера и не влияет на механизм осаждения металла. Большая ширина металлических дорожек по сравнению с диаметром фокуса лазера (5 μm) связана с высокой термической проводимостью осаждаемой меди. Из-за теплового переноса из области, облучаемой лазером, осаждение металла также может наблюдаться в зонах без облучения, когда температура необлучаемой зоны выше, чем нужно для начала химической реакции.
Зависимость осаждения меди от скорости сканирования исследовалась для мощности лазера 300 мВт и при температуре раствора 308 К. Было обнаружено, что в режиме одного сканирования непрерывные металлические структуры могут осаждаться при скорости сканирования 0.01-0.04 мм/с. Увеличение скорости сканирования до 0.06-0.08 мм/с приводит к формированию случайно распределенных металлических образований.
Для исследования влияния разных условий осаждения металлических структур и создания непрерывных металлических структур при более высокой скорости сканирования лазерного излучения был использован режим многократного сканирования. Эксперименты проводились с применением раствора электролита на основе CuCl2 при температуре 308 К, скорости сканирования 1 мм/с и мощности лазера 300 мВт, что соответствует ранее определенным параметрам для режима одиночного сканирования. На фиг.4 показан вид осажденных металлических структур в случае 1, 3 и 5-кратного сканирования. При однократном и двукратном сканировании для такой скорости сканирования не создавались непрерывные металлические структуры, что показано на фиг.4а. Дальнейшее увеличение количества сканирований до 3 и 4 приводит к созданию непрерывной металлической структуры (фиг.4б), но она неоднородна. Только при пятикратном сканировании (фиг.4в) была получена непрерывная однородная колоколообразная металлическая структура. Дальнейшее увеличение количества сканирований ведет к разрушению осажденных структур.
Предлагаемый способ обеспечивает создание более дешевой и простой технологии осаждения металлических структур на поверхность диэлектрика.

Claims (1)

  1. Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика, включающий подготовку раствора электролита, содержащего 0,2 М KNa-тартрат (KNaC4H4O6·4H2O), 0,125 М NaOH и 6 М НСОН (формальдегид), и промывку подложки, фокусирование лазера на границу подложка-электролит, отличающийся тем, что в раствор электролита дополнительно включают CuCl2, раствор нагревают до температуры от 30 до 60°С, подложку размещают на поверхности электролита, при этом излучение лазера, мощность которого выбирают в диапазоне от пороговой мощности, составляющей 10-50 мВт, до 400 мВт, фокусируют на границу раздела подложка-электролит со стороны подложки и однократно сканируют излучение по вышеуказанной поверхности со скоростью сканирования от 0,01 до 0,04 мм/с, или при скорости сканирования от 0,06 до 0,1 мм/с сканируют излучение от 3 до 5 раз по одной и той же осажденной структуре.
RU2007101091/09A 2007-01-09 2007-01-09 Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика RU2323553C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007101091/09A RU2323553C1 (ru) 2007-01-09 2007-01-09 Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007101091/09A RU2323553C1 (ru) 2007-01-09 2007-01-09 Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2323553C1 true RU2323553C1 (ru) 2008-04-27

Family

ID=39453206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007101091/09A RU2323553C1 (ru) 2007-01-09 2007-01-09 Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2323553C1 (ru)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2444161C1 (ru) * 2010-07-15 2012-02-27 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет Способ лазерного нанесения металлических покрытий и проводников на диэлектрики
RU2462537C2 (ru) * 2010-11-11 2012-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков и способ лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков с его использованием
RU2466515C1 (ru) * 2011-10-11 2012-11-10 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика
RU2468548C1 (ru) * 2011-10-11 2012-11-27 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
RU2474095C1 (ru) * 2011-10-11 2013-01-27 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика
RU2492599C1 (ru) * 2012-06-04 2013-09-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
RU2529125C1 (ru) * 2013-02-22 2014-09-27 Дмитрий Владимирович Семенок Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков
RU2532775C1 (ru) * 2013-03-26 2014-11-10 Дмитрий Владимирович Семенок Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков
RU2550507C2 (ru) * 2013-03-12 2015-05-10 Дмитрий Владимирович Семенок Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков
RU2790573C1 (ru) * 2022-05-06 2023-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) Способ локальной лазерно-индуцированной металлизации поверхности диэлектрика

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2444161C1 (ru) * 2010-07-15 2012-02-27 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет Способ лазерного нанесения металлических покрытий и проводников на диэлектрики
RU2462537C2 (ru) * 2010-11-11 2012-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков и способ лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков с его использованием
RU2466515C1 (ru) * 2011-10-11 2012-11-10 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика
RU2468548C1 (ru) * 2011-10-11 2012-11-27 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
RU2474095C1 (ru) * 2011-10-11 2013-01-27 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика
RU2492599C1 (ru) * 2012-06-04 2013-09-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
RU2529125C1 (ru) * 2013-02-22 2014-09-27 Дмитрий Владимирович Семенок Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков
RU2550507C2 (ru) * 2013-03-12 2015-05-10 Дмитрий Владимирович Семенок Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков
RU2532775C1 (ru) * 2013-03-26 2014-11-10 Дмитрий Владимирович Семенок Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков
RU2790573C1 (ru) * 2022-05-06 2023-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) Способ локальной лазерно-индуцированной металлизации поверхности диэлектрика

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2323553C1 (ru) Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
TW200305254A (en) Method of forming metal interconnection layer in semiconductor device
Kochemirovsky et al. Laser-induced chemical liquid phase deposition of metals: chemical reactions in solution and activation of dielectric surfaces
JPH0138372B2 (ru)
US20110042201A1 (en) In situ Plating And Soldering Of Materials Covered With A Surface Film
CN103188877A (zh) 一种陶瓷线路板快速高柔性制作的方法
Panov et al. High rate in situ laser-induced synthesis of copper nanostructures performed from solutions containing potassium bromate and ethanol.
Lim et al. Monolithic digital patterning of polyimide by laser-induced pyrolytic jetting
US8496799B2 (en) Systems and methods for in situ annealing of electro- and electroless platings during deposition
CN114131049B (zh) 一种铜及铜合金的增材制造方法
Lv et al. Higher-resolution selective metallization on alumina substrate by laser direct writing and electroless plating
Lv et al. High-adhesion Cu patterns fabricated by nanosecond laser modification and electroless copper plating
CN111886107A (zh) 使用能量脉冲的表面纹理化
Manshina et al. Laser-induced deposition of hetero-metallic structures from liquid phase
Dolgaev et al. Fast etching of sapphire by a visible range quasi-cw laser radiation
Wu et al. Effects of laser surface modification on the adhesion strength and fracture mechanism of electroless-plated coatings
Manshina et al. CuCl2-based liquid electrolyte precursor for laser-induced metal deposition
Shafeev et al. Light-enhanced electroless Cu deposition on laser-treated polyimide surface
RU2468548C1 (ru) Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
Man’shina et al. Laser-induced copper deposition on the surface of an oxide glass from an electrolyte solution
Manshina et al. Laser-assisted metal deposition from CuSO4-based electrolyte solution
Shishov et al. Laser-induced deposition of copper from deep eutectic solvents: optimization of chemical and physical parameters
Zhang et al. Routing a glass substrate via laser induced plasma backward deposition of copper seed layer for electroplating
Peretyagin et al. Track geometry in selective laser melting
RU2462537C2 (ru) Раствор для лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков и способ лазерно-индуцированной металлизации диэлектриков с его использованием

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180110