RU2312424C1 - Device for checking semiconductor items for charge stability using corona discharge - Google Patents
Device for checking semiconductor items for charge stability using corona discharge Download PDFInfo
- Publication number
- RU2312424C1 RU2312424C1 RU2006113859/28A RU2006113859A RU2312424C1 RU 2312424 C1 RU2312424 C1 RU 2312424C1 RU 2006113859/28 A RU2006113859/28 A RU 2006113859/28A RU 2006113859 A RU2006113859 A RU 2006113859A RU 2312424 C1 RU2312424 C1 RU 2312424C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- probes
- corona discharge
- ppi
- manipulator
- source
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) (диодов, транзисторов, интегральных схем), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя, позволяющих после их вскрытия с сохранением контактов воздействовать на открытый кристалл (без защиты компаундами, эмалями) потоком ионов, образующихся при коронном разряде.The invention relates to the field of microelectronics and can be used in the manufacturing technology of semiconductor products (PPI) (diodes, transistors, integrated circuits), as well as for the analysis of products that have failed at the consumer, which, after opening them with preservation of contacts, affect an open crystal (without protection compounds, enamels) a stream of ions formed during the corona discharge.
Известно устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур [1]. Его недостатком является то, что изменение силы тока коронного разряда и как следствие измерение падения напряжения на токосъемном резисторе происходит в воздухе.A device for controlling the charge stability of semiconductor structures [1]. Its disadvantage is that the change in the current strength of the corona discharge and, as a consequence, the measurement of the voltage drop across the collector resistor occurs in air.
Наиболее близким по технической сущности является устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур [1]. Из работы [2] известна сильная зависимость тока коронного разряда от давления воздуха. Меняя давление воздуха и воздействуя коронным разрядом, можно разделять ППИ по уровню зарядовой стабильности.The closest in technical essence is a device for controlling the charge stability of semiconductor structures [1]. A strong dependence of the corona discharge current on air pressure is known from [2]. By changing the air pressure and acting by corona discharge, it is possible to separate the PPI according to the level of charge stability.
Технический результат от предложенного изобретения заключается в следующем: технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем включает технологические процессы при повышенном и пониженном атмосферном давлении, такие как травление, диффузия, и предложенная установка дает возможность совместить технологические процессы изготовления ППИ с их диагностикой на пластине, что приведет к большей стабильности и управляемости технологических процессов и, как следствие, к увеличению коэффициента выхода годных изделий. Использование пониженного или повышенного давления приводит к увеличению достоверности известных диагностических способов (методов) (низкочастотный шум, m-фактор, критическое напряжение питание и др.), т.к. давление выступает в роли внешнего дестабилизирующего фактора и ускоряет диагностику ППИ.The technical result of the proposed invention is as follows: the production technology of semiconductor devices and integrated circuits includes processes at high and low atmospheric pressure, such as etching, diffusion, and the proposed installation makes it possible to combine the manufacturing processes of PPI with their diagnostics on the plate, which will lead to greater stability and controllability of technological processes and, as a consequence, to an increase in the yield coefficient of suitable products. The use of low or high pressure leads to an increase in the reliability of known diagnostic methods (methods) (low-frequency noise, m-factor, critical supply voltage, etc.), because pressure acts as an external destabilizing factor and accelerates the diagnosis of PPI.
При этом давление воздуха (пониженное или повышенное) выбирается из требований устойчивости к климатическим факторам по ГОСТ 18725-83. ППИ должны сохранять свои параметры в процессе и после воздействия на них следующих климатических факторов:In this case, air pressure (lowered or increased) is selected from the requirements of resistance to climatic factors according to GOST 18725-83. PPI must maintain their parameters during and after exposure to the following climatic factors:
- относительной влажности не более 98% при Т=35°С;- relative humidity not more than 98% at T = 35 ° C;
- атмосферного пониженного давления 26664 Па;- atmospheric reduced pressure 26664 Pa;
- атмосферного повышенного давления 294199 Па.- atmospheric high pressure 294199 Pa.
При этом возможно уменьшение затрат на электротермотренировку ППИ, которая проводится после операций сборки ППИ, а не в ходе технологического процесса.In this case, it is possible to reduce the cost of electrothermal testing of PPI, which is carried out after the assembly of PPI, and not during the process.
Суть предложенного изобретения заключается в том, что пластину с ППИ и источником коронного разряда помещают в закрытую камеру, используют насос и манометр для изменения и измерения давления воздуха в камере. Схема устройства, состоящая из основания для закрепления пластины с ППИ 1, закрытой камеры, источника коронного разряда 2, высоковольтного источника электрического питания 3, регулирующего элемента 4, источника опорного напряжения 5, токосъемного резистора (100 кОм) 6, вольтметра 7, измерителя характеристик ППИ 8, манипулятора зондов 9, устройства сопряжения манипулятора зондов с зондами 10, манометра 11 и насоса 12 показана на чертеже.The essence of the proposed invention lies in the fact that a plate with PPI and a corona discharge source is placed in a closed chamber, a pump and a manometer are used to change and measure the air pressure in the chamber. The scheme of the device, consisting of a base for fixing a plate with PPI 1, a closed chamber, a corona source 2, a high voltage power supply 3, a regulating element 4, a reference voltage source 5, a collector resistor (100 kOhm) 6, a voltmeter 7, a PPI characteristics meter 8, a probe manipulator 9, a device for interfacing a probe manipulator with probes 10, a pressure gauge 11 and a pump 12 are shown in the drawing.
Устройство работает следующим образом: основание с ППИ 1, источником коронного разряда 2 и устройством сопряжения манипулятора зондов с зондами 10 помещают в закрытую камеру и изменяют давление с помощью насоса 12. Давление в камере контролируют с помощью манометра 11.The device operates as follows: a base with PPI 1, a corona source 2 and a device for interfacing the manipulator of probes with probes 10 are placed in a closed chamber and the pressure is changed using pump 12. The pressure in the chamber is controlled using a pressure gauge 11.
С помощью источника опорного напряжения 12, регулирующего элемента 11, высоковольтного источника электрического питания 3 устанавливают напряжение на источнике коронного разряда 2 так, чтобы на пластине с ППИ 1 обеспечивалась необходимая поверхностная плотность заряда. При этом величину заряда на пластине с ППИ оценивают по величине падения напряжения на токосъемном резисторе 6.Using the source of the reference voltage 12, the regulating element 11, the high-voltage source of electric power 3, the voltage at the source of the corona discharge 2 is set so that the required surface charge density is provided on the plate with PPI 1. The magnitude of the charge on the plate with PPI is estimated by the magnitude of the voltage drop across the collector resistor 6.
Используя зонды, манипулятор зондов 9 и устройство сопряжения манипулятора зондов с зондами 10, выбирают конкретное ППИ на пластине и с помощью измерителя 8 замеряют характеристики ППИ, например вольт-амперные (ВАХ) или вольт-фарадные (ВФХ). Измеряя эти характеристики при различных давлениях воздуха и при различной поверхностной плотности заряда в закрытой камере, можно исследовать зависимости ВАХ или ВФХ от атмосферного давления и разделять ППИ по уровню стабильности.Using the probes, the probe manipulator 9 and the device for interfacing the probe manipulator with the probes 10, select a specific PPI on the plate and using the meter 8 measure the characteristics of the PPI, for example, volt-ampere (I – V) or capacitance-voltage (CV) characteristics. By measuring these characteristics at various air pressures and at different surface charge densities in a closed chamber, it is possible to investigate the dependences of the I – V characteristics or CV characteristics on atmospheric pressure and to separate PPI by the level of stability.
Источники информацииInformation sources
1. Авторское свидетельство №1499631 Н01L 21/66 от 23.04.91.1. Copyright certificate No. 1499631 H01L 21/66 dated 04/23/91.
2. Преженцев М.Д., Резников Г.З. Использование коронного разряда для отбраковки ненадежных ИЭТ // Электронная промышленность 1995 г. Вып.27. С.25-262. Prezhentsev M.D., Reznikov G.Z. The use of corona discharge for rejection of unreliable IET // Electronic Industry 1995 Issue 27. S.25-26
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006113859/28A RU2312424C1 (en) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | Device for checking semiconductor items for charge stability using corona discharge |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006113859/28A RU2312424C1 (en) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | Device for checking semiconductor items for charge stability using corona discharge |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2312424C1 true RU2312424C1 (en) | 2007-12-10 |
Family
ID=38903986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006113859/28A RU2312424C1 (en) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | Device for checking semiconductor items for charge stability using corona discharge |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2312424C1 (en) |
-
2006
- 2006-04-24 RU RU2006113859/28A patent/RU2312424C1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7213441B2 (en) | Method for adjusting sensor characteristics of humidity sensor | |
JP2006300578A (en) | Capacitance type pressure sensor and vacuum degree evaluation method of vacuum chamber thereof | |
RU2312424C1 (en) | Device for checking semiconductor items for charge stability using corona discharge | |
CN108074833A (en) | A kind of testing film and for assessing the gauge of thin-film package performance and test method | |
WO2006036494A2 (en) | Method and apparatus for determining concentration of defects and/or impurities in a semiconductor wafer | |
JP4844101B2 (en) | Semiconductor device evaluation method and semiconductor device manufacturing method | |
CN109308395A (en) | Wafer scale space measurement abnormal parameters recognition methods based on LOF-KNN algorithm | |
US9435825B2 (en) | Multi-channel probe plate for semiconductor package test systems | |
CN115079075A (en) | Test structure and method for detecting WAT test machine, and test system | |
Pohle et al. | Gate pulsed readout of floating gate FET gas sensors | |
TWI735915B (en) | A wafer probe card integrated with a light source facing a device under test side and method of manufacturing | |
KR100787742B1 (en) | Probe card cognition apparatus and probe card cognition method using the same | |
JP2005049314A (en) | Probing test method and probe condition detector | |
US7123042B2 (en) | Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices | |
JP4980020B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
Ali | Characterization of Humidity-Sensors based on Polymer Sensing Layer | |
KR100955837B1 (en) | Method fabricating and monitoring in a standard wafer | |
JPH02251162A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2003083871A (en) | Reliability testing method of joint part of electronic part | |
RU2316013C1 (en) | Method for sorting semiconductor products on a board | |
JPH1123652A (en) | Semiconductor device and test method therefor | |
Jeffrey et al. | Bias Superposition-An on-line test strategy for a MEMS based Conductivity Sensor | |
Hoa et al. | Uncertainty in measurement of semiconductor piezoresistive sensors | |
RU2307369C1 (en) | Method for determining potentially unstable semiconductor products on a plate | |
Jeffrey et al. | Using bias superposition to test a thick film conductance sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080425 |