RU2292635C1 - Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы - Google Patents

Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы Download PDF

Info

Publication number
RU2292635C1
RU2292635C1 RU2005122993/09A RU2005122993A RU2292635C1 RU 2292635 C1 RU2292635 C1 RU 2292635C1 RU 2005122993/09 A RU2005122993/09 A RU 2005122993/09A RU 2005122993 A RU2005122993 A RU 2005122993A RU 2292635 C1 RU2292635 C1 RU 2292635C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistors
collector
auxiliary
bases
output
Prior art date
Application number
RU2005122993/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
ков Алексей Сергеевич Буд (RU)
Алексей Сергеевич Будяков
Сергей Владимирович Крюков (RU)
Сергей Владимирович Крюков
Original Assignee
ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) filed Critical ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС)
Priority to RU2005122993/09A priority Critical patent/RU2292635C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2292635C1 publication Critical patent/RU2292635C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к радиотехнике и связи для усиления аналоговых сигналов с широким динамическим диапазоном в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, быстродействующих операционных усилителях (ОУ). Технический результат заключается в расширении диапазона линейного усиления сигналов. Дифференциальный усилитель (ДУ) (фиг.2) содержит входные транзисторы (Т) (1, 2), эмиттеры которых связаны с выходными Т (5, 6), базы которых соединены друг с другом и подключены к коллекторам вспомогательных Т (7, 8), базы которых соединены друг с другом, а также источником опорного напряжения (ИОН) 9, причем коллекторы выходных Т (5, 6) соединены с источниками опорного тока (ИОТ) (10, 11), а базы вспомогательных Т (12, 13) объединены друг с другом, коллекторы которых соединены с базами вспомогательных Т (7, 8). Эмиттеры вспомогательных Т (7, 13) связаны с коллектором выходного Т (5), эмиттеры вспомогательных Т (8, 12) связаны с коллектором выходного Т (6). 1 з.п. ф-лы, 11 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов с широким динамическим диапазоном, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, быстродействующих операционных усилителях (ОУ)).
Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ) на n-p-n и p-n-p транзисторах с так называемой «архитектурой входного каскада операционного усилителя μA741» [1-30]. На их модификации выдано более 50 патентов для ведущих микроэлектронных фирм мира. Дифференциальные усилители данного класса наряду с типовым параллельно-балансным каскадом [29-30] стали основным усилительным элементом многих аналоговых интерфейсов. Предлагаемое изобретение относится к данному подклассу устройств.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте США №4.030.044, а также в [1-14], содержащий первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых соединены со входами ДУ 3 и 4, а эмиттеры связаны с первым 5 и вторым 6 выходными транзисторами противоположного типа проводимости, причем базы первого 5 и второго 6 выходных транзисторов соединены друг с другом и подключены к коллекторам первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, базы которых соединены друг с другом, а также источником опорного напряжения 9, причем коллекторы первого 5 и второго 6 выходных транзисторов соединены с первым 10 и вторым 11 источниками опорного тока, а базы третьего 12 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов, тип проводимости которых противоположен типу проводимости первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, объединены друг с другом.
Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он имеет:
- крайне узкий динамический диапазон линейного усиления сигналов (±Uгр≈100÷150 мВ, фиг.3);
- сравнительно большой ток потребления в статическом режиме. Это связано с наличием в схеме ДУ (фиг.1) «лишней» токопотребляющей ветви, содержащей транзисторы 12, 7, 8. Действительно, суммарный ток потребления ДУ (фиг.1),
где Iк12 - ток коллектора транзистора 12. Причем Iк12=I10+I11.
То есть половина тока Iп, потребляемого ДУ от источников питания, используется для вспомогательных целей - обеспечения работы цепи стабилизации статического режима ДУ, которая не используется для непосредственного усиления сигнала.
Кроме этого, известный ДУ не может иметь диапазон изменения входных синфазных сигналов положительной полярности, близкий к напряжению питания из-за наличия в коллекторной цепи транзисторов 1 и 2 p-n перехода 13.
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в расширении диапазона активной работы и снижении суммарного тока, потребляемого дифференциальным усилителем от источника питания.
Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальный усилитель фиг.1, содержащий первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых соединены со входами ДУ 3 и 4, а эмиттеры связаны с первым 5 и вторым 6 выходными транзисторами противоположного типа проводимости, причем базы первого 5 и второго 6 выходных транзисторов соединены друг с другом и подключены к коллекторам первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, базы которых соединены друг с другом, а также источником опорного напряжения 9, причем коллекторы первого 5 и второго 6 выходных транзисторов соединены с первым 10 и вторым 11 источниками опорного тока, а базы третьего 12 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов, тип проводимости которых противоположен типу проводимости первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, объединены друг с другом, вводятся новые связи - базы третьего 12 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов соединены с базами первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, эмиттеры первого 7 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов связаны с коллектором первого 5 выходного транзистора, эмиттеры второго 8 и третьего 12 вспомогательных транзисторов связаны с коллектором второго 6 выходного транзистора.
Схема усилителя-прототипа представлена на фиг.1. На фиг.2 показано заявляемое устройство в соответствии с п.1 формулы изобретения. На фиг.3 представлена проходная характеристика ДУ фиг.1, а на фиг.4 - теоретическая проходная характеристика заявляемого ДУ фиг.2.
Схема заявляемого устройства в соответствии с п.2 формулы изобретения показана на фиг.5.
На фиг.6 показана схема заявляемого ДУ фиг.2 в среде PSpice на транзисторах ФГУП «Пульсар» (г.Москва) при подаче на входы дифференциального сигнала uвх. На фиг.7, фиг.9 приведены результаты ее компьютерного моделирования в мелком (фиг.7) и крупном (фиг.9) масштабах для выходных токов i14=Iout1, i15=Iout2 при разных значениях сопротивлений резисторов 18 (R2) и 19 (R4) (R2=R4=R).
Графики фиг.8, фиг.10 соответствуют проходным характеристикам для токовых выходов 16 и 17 i16=Iout3, i17=Iout4) в мелком (фиг.8) и крупном (фиг.10) масштабах.
Частотная зависимость крутизны преобразования ДУ фиг.6 для токовых выходов 14 и 15 показана на чертеже фиг.11. Причем
Figure 00000002
Дифференциальный усилитель (фиг.2) содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых соединены со входами ДУ 3 и 4, а эмиттеры связаны с первым 5 и вторым 6 выходными транзисторами противоположного типа проводимости, причем базы первого 5 и второго 6 выходных транзисторов соединены друг с другом и подключены к коллекторам первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, базы которых соединены друг с другом, а также источником опорного напряжения 9, причем коллекторы первого 5 и второго 6 выходных транзисторов соединены с первым 10 и вторым 11 источниками опорного тока, а базы третьего 12 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов, тип проводимости которых противоположен току проводимости первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, объединены друг с другом. Базы третьего 12 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов соединены с базами первого 7 и второго 8 вспомогательных транзисторов, эмиттеры первого 7 и четвертого 13 вспомогательных транзисторов связаны с коллектором первого 5 выходного транзистора, эмиттеры второго 8 и третьего 12 вспомогательных транзисторов связаны с коллектором второго 6 выходного транзистора. Выходами усилителя 14, 15, 16, 17 являются коллекторы транзисторов 1, 2, 13, 12. Эмиттеры транзисторов 1 и 2 связаны с эмиттерами транзисторов 5 и 6 через низкоомные резисторы 18 и 19, функции которых в ряде случаев могут выполнять объемные сопротивления эмиттерных областей.
В дифференциальном усилителе (фиг.5) коллектор 14 первого входного транзистора 1 связан с коллектором 16 четвертого вспомогательного транзистора 13 через первое токовое зеркало (20), коллектор 17 третьего вспомогательного транзистора 12 связан с коллектором 15 второго входного транзистора 2 через второе токовое зеркало 21, причем коллектор 15 второго входного транзистора 2 связан с выходом дифференциального усилителя 22 через третье токовое зеркало 23, а коллектор 16 четвертого вспомогательного транзистора 13 связан с выходом дифференциального усилителя 22 через четвертое токовое зеркало 24.
Рассмотрим работу заявляемого ДУ (фиг.2).
В статическом режиме транзисторы 12 и 13 закрыты, а коллекторные токи транзисторов 7 и 8 (за счет отрицательной обратной связи по петле «эмиттер транзистора 7 (8)» - «база транзистора 5 (6)» - «коллектор транзистора 5 (6))» равны токам базы транзисторов 5 и 6. При этом коллекторные токи этих транзисторов, а также транзисторов 1 и 2 практически равны токам I10 и I11 источников опорного тока 10 и 11.
Figure 00000003
Стабильность статического режима (точка 1, фиг.4) рассматриваемой схемы определяется стабильностью токов I10 и I11, которая для современного уровня развития схемотехники может быть достаточно высокой. Таким образом, погрешность установления статического режима в заявляемом устройстве не хуже, чем в известном ДУ-прототипе.
Если на вход 3 ДУ (фиг.2) подается положительное приращение входного напряжения uвх, то это вызывает начальное увеличение коллекторного тока транзистора 1 (5) и уменьшение коллекторного тока транзистора 2 (6) (участок 1-2 фиг.4). Как следствие, транзистор 7 запирается, а транзистор 13, наоборот, входит в активный режим. Его эмиттерный ток и, следовательно, выходной ток ДУ i16 будет теперь равен разности между iк5 и I10. С другой стороны, указанная выше отрицательная обратная связь, начиная с этого уровня входного сигнала uвх=Uвкл, будет стабилизировать ток коллектора транзистора 6 на уровне тока I11. Поэтому напряжения эмиттер-база транзисторов 6 и 2, а также напряжение на резисторе 19 не будут изменяться, а все дальнейшее приращение uвх прикладывается к участку цепи «вход 3 - база транзистора 5». Поэтому коллекторный ток транзистора 1, а также токи выходов 14 и 16 будут в дальнейшем изменяться пропорционально uвх (участок 2-3, фиг.4) и не имеют традиционных ограничений, характерных для известного ДУ:
Figure 00000004
где R18 - сопротивление резистора 18;
rэ5,rэ5 - сопротивление эмиттерных переходов транзисторов 1 и 5.
Рост токов выхода 14 (пропорциональный uвх), а также токов выхода 16 будет продолжаться до тех пор, пока весь ток I11 не поступит в эмиттер транзистора 8. Данный граничный (максимально возможный) ток определяется по формуле
Figure 00000005
где β5 - коэффициент усиления по току базы транзистора 5.
Таким образом, в сравнении с ДУ-прототипом выигрыш по диапазону линейного изменения выходного тока в заявляемом устройстве достигает значений
Figure 00000006
С другой стороны, в сравнении с прототипом входное напряжение
Figure 00000007
(фиг.4), при котором происходят ограничения входных токов ДУ на уровне Imax, существенно возрастает
Figure 00000008
Угол наклона γ2 характеристики i14=f(uвх) (фиг.4) определяются резистором 18. Если резистор 18 (19) исключить, то проходная характеристика ДУ (фиг.4) будет иметь экспоненциальный характер, но величина максимального тока i14 (i16) останется прежней (4).
При отрицательном приращении uвх в схеме фиг.2 стабилизируется коллекторный ток транзистора 5 на уровне тока источника 10. Как следствие, все отрицательное приращение uвх прикладывается к участку цепи «база транзистора 6» - «база транзистора 4». Поэтому выходные токи i15 и i17 не ограничиваются и пропорциональны uвх.
Результаты компьютерного моделирования ДУ (фиг.2) на графиках фиг.7-10 подтверждают полученные выше теоретические выводы.
В соответствии с п.2 формулы изобретения предлагаемый ДУ может использоваться в структуре быстродействующих операционных усилителей различного функционального назначения. Особенность схемы фиг.5 состоит в том, что сигналы на токовых выходах 16 и 17 при малых входных напряжениях могут отсутствовать (фиг.10), но в то же время они достигают больших значений при включении в работу транзисторов 13, 12 и эффективно форсируют процесс перезаряда емкостей на выходе 22 ДУ (фиг.5).
За счет исключения одной из токопотребляющих ветвей между источниками питания статический ток ДУ (фиг.2) (в сравнении с прототипом) уменьшается в два раза.
Библиографический список
1. Патент США №3.786.362
2. Патент США №4.030.044
3. Патент США №4.059.808, фиг.5
4. Патент США №4.286.227
5. Авт. свид. СССР №375754, H 03 F 3/38
6. Авт. свид. СССР №843164, H 03 F 3/30
7. Авт. свид. СССР №1107281
8. Авт. свид. СССР №1107279
9. Патент РФ №2930041, H 03 F 1/32
10. Патент Японии №57-5364, H 03 F 3/343
11. Патент ЧССР №134845, кл. 21a2 18/08
12. Патент ЧССР №134849, кл. 21a2 18/08
13. Патент ЧССР №135326, кл. 21а2 18/08
14. Авт. свид. СССР №1720146, H 03 F 3/45
15. Патент Англии №1543361, Н3Т
16. Патент США №5.521.552 (фиг.3а)
17. Патент США №4.059.808
18. Патент США №5.789.949
19. Патент США №4.453.134
20. Патент США №4.760.286
21. Авт. свид. СССР №1283946
22. Патент РФ №2019019
23. Патент США №4.389.579
24. Патент США №4.453.092
25. Патент США №3.566.289
26. Патент США №4.059.808 (фиг.2)
27. Патент США №3.649.926
28. Патент США №4.714.894 (фиг.1)
29. Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители. - М.: Радио и связь, 1989.
30. М.Херпи. Аналоговые интегральные схемы. - М.: Радио и связь, 1983, стр.174, рис.5.52.

Claims (2)

1. Дифференциальный усилитель (ДУ), содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, базы которых соединены со входами ДУ (3) и (4), а эмиттеры связаны с первым (5) и вторым (6) выходными транзисторами противоположного типа проводимости, причем базы первого (5) и второго (6) выходных транзисторов соединены друг с другом и подключены к коллекторам первого (7) и второго (8) вспомогательных транзисторов, базы которых соединены друг с другом, а также источником опорного напряжения (9), причем коллекторы первого (5) и второго (6) выходных транзисторов соединены с первым (10) и вторым (11) источниками опорного тока, а базы третьего (12) и четвертого (13) вспомогательных транзисторов, тип проводимости которых противоположен типу проводимости первого (7) и второго (8) вспомогательных транзисторов, объединены друг с другом, отличающийся тем, что базы третьего (12) и четвертого (13) вспомогательных транзисторов соединены с базами первого (7) и второго (8) вспомогательных транзисторов, эмиттеры первого (7) и четвертого (13) вспомогательных транзисторов связаны с коллектором первого (5) выходного транзистора, эмиттеры второго (8) и третьего (12) вспомогательных транзисторов связаны с коллектором второго (6) выходного транзистора.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что коллектор (14) первого входного транзистора (1) связан с коллектором (16) четвертого вспомогательного транзистора (13) через первое токовое зеркало (20), коллектор (17) третьего вспомогательного транзистора (12) связан с коллектором (15) второго входного транзистора (2) через второе токовое зеркало (21), причем коллектор (15) второго входного транзистора (2) связан с выходом дифференциального усилителя (22) через третье токовое зеркало (23), а коллектор (16) четвертого вспомогательного транзистора (13) связан с выходом дифференциального усилителя (22) через четвертое токовое зеркало (24).
RU2005122993/09A 2005-07-19 2005-07-19 Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы RU2292635C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005122993/09A RU2292635C1 (ru) 2005-07-19 2005-07-19 Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005122993/09A RU2292635C1 (ru) 2005-07-19 2005-07-19 Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2292635C1 true RU2292635C1 (ru) 2007-01-27

Family

ID=37773552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005122993/09A RU2292635C1 (ru) 2005-07-19 2005-07-19 Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2292635C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2497271C1 (ru) * 2012-08-02 2013-10-27 Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" (ООО "Юник Ай Сиз") Высокочастотный усилитель с устройством стабилизации тока коллектора гетероструктурного биполярного транзистора

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2497271C1 (ru) * 2012-08-02 2013-10-27 Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" (ООО "Юник Ай Сиз") Высокочастотный усилитель с устройством стабилизации тока коллектора гетероструктурного биполярного транзистора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8816756B1 (en) Bandgap reference circuit
US20110169551A1 (en) Temperature sensor and method
RU2292635C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы
RU2333593C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы
US6605987B2 (en) Circuit for generating a reference voltage based on two partial currents with opposite temperature dependence
US7183851B2 (en) Differential dual port current conveyor circuit
KR100475405B1 (ko) 보상회로를 갖는 가변이득증폭기
RU2384938C1 (ru) Комплементарный дифференциальный усилитель с управляемым усилением
JP4064799B2 (ja) 定電圧発生回路
RU2307456C1 (ru) Выходной каскад быстродействующего операционного усилителя
US6879210B2 (en) Variable gain amplifier
JP2007200234A (ja) 非線形カレントミラー回路で駆動する基準電圧回路
RU2393629C1 (ru) Комплементарный каскодный дифференциальный усилитель
RU2411636C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2368064C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель
RU2433523C1 (ru) Прецизионный дифференциальный операционный усилитель
US20030169094A1 (en) Exponential current source to linearize an output power control profile of a power amplifier
RU2432666C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
RU2321160C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном активной работы
RU2309531C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном изменения синфазного сигнала
JP2000134045A (ja) 電圧・電流変換回路
RU2310976C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным динамическим диапазоном для дифференциальных и синфазных сигналов
RU2432665C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
JP3134343B2 (ja) バンドギャップ基準電圧発生回路
JP3507530B2 (ja) 対数変換回路

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110720