RU2292633C1

RU2292633C1 - Дифференциальный усилитель

Info

Publication number: RU2292633C1
Application number: RU2005117754/09A
Authority: RU
Inventors: Николай Николаевич Прокопенко (RU); Николай Николаевич Прокопенко; ков Алексей Сергеевич Буд (RU); Алексей Сергеевич Будяков; Сергей Владимирович Крюков (RU); Сергей Владимирович Крюков
Original assignee: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС)
Priority date: 2005-06-08
Filing date: 2005-06-08
Publication date: 2007-01-27

Abstract

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в различных микроэлектронных устройствах усиления и преобразования аналоговых сигналов с малым напряжением питания. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входного синфазного сигнала в более широком диапазоне изменения входных синфазных напряжений. Устройство содержит два дифференциальных каскада (ДК) с токостабилизирующими двухполюсниками (3, 4) и (8, 9), токовыми выходами (13-16), причем второй вывод ТД (8) соединен со вторым токовым выходом (14), второй вывод четвертого ТД (9) соединен с первым токовым выходом (13), второй вывод ТД (3) связан с четвертым токовым выходом (16), второй вывод ТД (4) соединен с третьим токовым выходом (15). 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ)).

Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ), реализованных на основе двух параллельно включенных дифференциальных каскадов (ДК) с токостабилизирующими двухполюсниками в эмиттерных цепях входных транзисторов (так называемые «dual input stage») [1-20]. По такой архитектуре, на модификации которой выдано около 100 патентов различных стран, выполнены операционные усилители ведущих микроэлектронных фирм (AD8631, AD8632, НА2539 и др.). Причем в качестве токостабилизирующих двухполюсников каждого из параллельно включенных ДК таких ДУ применяются резисторы [21-24], если усилитель не работает с синфазным сигналом, или источники опорного тока на транзисторах [25-29], если входные сигналы имеют синфазную составляющую. Первый вариант построения ДУ практически не используется в структуре операционных усилителей, т.к. он не дает приемлемых значений коэффициента ослабления входного синфазного сигнала (К_ос.сф). Это связано с тем, что для получения больших значений К_ос.сф необходимо выбирать сопротивление токостабилизирующих резисторов на уровне сотен килом, что создает проблемы со статическим режимом при низковольтном питании. В технической литературе по аналоговой схемотехнике хорошо известно следующее правило построения ДУ - «в качестве токостабилизирующих двухполюсников ДУ не следует применять резисторы» (Ежков Ю.С. Справочник по схемотехнике усилителей, М., Радиософт, 2002. - С.81, 3 абзац сверху). С другой стороны, второй вариант построения ДУ также имеет ряд недостатков, связанных с уменьшением надежности схемы при радиационных и тепловых воздействиях, а также с наличием паразитной емкости на подложку у транзисторов ДУ, что ухудшает частотный диапазон. Кроме того, в практических схемах известных ДУ коэффициент К_ос.сф оказывается также небольшим в связи с тем, что выходное сопротивление простейших токостабилизирующих двухполюсников на основе токовых зеркал оказывается также небольшим (30-100 кОм).

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте США № 4636743, H 03 F 3/45 (прототип), содержащий первый 1 и второй 2 входные n-p-n транзисторы, эмиттеры которых соединены с первыми выводами первого 3 и второго 4 токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через первый 5 резистор местной обратной связи, первый 6 и второй 7 входные транзисторы p-n-p типа, эмиттеры которых соединены с первыми выводами третьего 8 и четвертого 9 токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через второй 10 резистор местной обратной связи, причем база первого n-p-n транзистора 1 соединена с базой первого p-n-p транзистора 6 и первым входом 11 дифференциального усилителя, база второго n-p-n транзистора 2 соединена с базой второго p-n-p транзистора 7 и вторым 12 входом дифференциального усилителя, коллекторы первого 1 и второго 2 входных n-p-n транзисторов соединены с соответствующими первым 13 и вторым 14 токовыми выходами, согласованными с шиной положительного источника питания, а коллекторы первого 6 и второго 7 p-n-p входных транзисторов соединены с соответствующими третьим 15 и четвертым 16 токовыми выходами, согласованными с шиной отрицательного источника питания.

Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он имеет невысокое ослабление входных синфазных сигналов при изменении входного синфазного напряжения в диапазоне, близком к напряжению питания. В значительной степени этот недостаток проявляется при использовании в качестве токостабилизирующих двухполюсников-резисторов.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в повышении коэффициента ослабления входных синфазных сигналов ДУ и расширении допустимого диапазона изменения входных синфазных напряжений до уровня напряжений питания. При этом в качестве токостабилизирующих двухполюсников авторы рекомендуют применять резисторы, что недостижимо при других вариантах построения ДУ.

Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальный усилитель фиг.1, содержащий первый 1 и второй 2 входные n-p-n транзисторы, эмиттеры которых соединены с первыми выводами первого 3 и второго 4 токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через первый 5 резистор местной обратной связи, первый 6 и второй 7 входные транзисторы p-n-p типа, эмиттеры которых соединены с первыми выводами третьего 8 и четвертого 9 токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через второй 10 резистор местной обратной связи, причем база первого n-p-n транзистора 1 соединена с базой первого p-n-p транзистора 6 и первым входом 11 дифференциального усилителя, база второго n-p-n транзистора 2 соединена с базой второго p-n-p транзистора 7 и вторым 12 входом дифференциального усилителя, коллекторы первого 1 и второго 2 входных n-p-n транзисторов соединены с соответствующими первым 13 и вторым 14 токовыми выходами, согласованными с шиной положительного источника питания, а коллекторы первого 6 и второго 7 p-n-p входных транзисторов соединены с соответствующими третьим 15 и четвертым 16 токовыми выходами, согласованными с шиной отрицательного источника питания, вводятся новые связи - второй вывод третьего токостабилизирующего двухполюсника 8 соединен со вторым токовым выходом 14, второй вывод четвертого токостабилизирующего двухполюсника 9 соединен с первым токовым выходом 13, второй вывод первого токостабилизирующего двухполюсника 3 связан с четвертым токовым выходом 16, а второй вывод второго токостабилизирующего двухполюсника 4 соединен с третьим токовым выходом 15.

Схема заявляемого устройства в соответствии с пп.1, 2 формулы изобретения показана на фиг.2.

На фиг.3 показан заявляемый ДУ в соответствии с п.3 формулы изобретения. Частный вариант построения ДУ фиг.3 показан на фиг.4. На фиг.5 приведены токи и напряжения ДУ фиг.2, поясняющие его работу на синфазном сигнале u_c=u_c1=u_c2. Результаты компьютерного моделирования ДУ фиг.2, в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», при параметрах элементов и режимах, указанных на фиг.6, показаны на фиг.7.

На фиг.2 - 7 приняты следующие обозначения параметров ДУ:

S_cc - крутизна передачи ДУ по дифференциальному входному сигналу u_вх;

S_дс - крутизна передачи ДУ по синфазному входному сигналу u_с;

K_уд - коэффициент передачи дифференциального входного напряжения ДУ u_вх;

К_ус - коэффициент передачи синфазного входного напряжения u_c.

Причем между этими параметрами и коэффициентом ослабления входных синфазных сигналов К_ос.сф существует следующая взаимосвязь

где u_вх - напряжение между входами ДУ 11 и 12;

u_c - синфазное входное напряжение на входах 11 и 12;

u_вых - выходное напряжение ДУ;

R_н - сопротивление нагрузки, подключаемое к выходу ДУ.

Дифференциальный усилитель (фиг.2) содержит первый 1 и второй 2 входные n-p-n транзисторы, эмиттеры которых соединены с первыми выводами первого 3 и второго 4 токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через первый 5 резистор местной обратной связи, первый 6 и второй 7 входные транзисторы p-n-p типа, эмиттеры которых соединены с первыми выводами третьего 8 и четвертого 9 токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через второй 10 резистор местной обратной связи, причем база первого n-p-n транзистора 1 соединена с базой первого p-n-p транзистора 6 и первым входом 11 дифференциального усилителя, база второго n-p-n транзистора 2 соединена с базой второго p-n-p транзистора 7 и вторым 12 входом дифференциального усилителя, коллекторы первого 1 и второго 2 входных n-p-n транзисторов соединены с соответствующими первым 13 и вторым 14 токовыми выходами, согласованными с шиной положительного источника питания, а коллекторы первого 6 и второго 7 p-n-p входных транзисторов соединены с соответствующими третьим 15 и четвертым 16 токовыми выходами, согласованными с шиной отрицательного источника питания. Второй вывод третьего токостабилизирующего двухполюсника 8 соединен со вторым токовым выходом 14, второй вывод четвертого токостабилизирующего двухполюсника 9 соединен с первым токовым выходом 13, второй вывод первого токостабилизирующего двухполюсника 3 связан с четвертым токовым выходом 16, а второй вывод второго токостабилизирующего двухполюсника 4 соединен с третьим токовым выходом 15.

В соответствии с п.3 формулы изобретения на фиг.3 выходы 14 и 16 ДУ соединены с синфазными входами 17 и 18 синфазного сумматора двух сигналов 19, имеющего выход 20. Частный вариант построения синфазного сумматора двух сигналов 19 и его соединение с заявляемым ДУ приведены на фиг.4.

Рассмотрим работу заявляемого ДУ фиг.2. Приращение токов в схеме фиг.2 при изменении входного синфазного сигнала u_c=u_c1=u_c2 показано на фиг.5.

Если на входы 11 и 12 подать синфазное напряжение u_c=u_c1=u_c2, то в элементах схемы появятся переменные составляющие токов

i₃≈u_cy₃, i₄≈u_cy₄, i₈≈u_cy₈, i₉≈u_cy₉,

где y₃=R₃ ^-1, y₄=R₄ ^-1, y₈=R₈ ^-1, y₉=R₉ ^-1, - проводимости токостабилизирующих двухполюсников 3, 4, 8, 9 соответственно.

Эти приращения токов, которые равны соответствующим приращениям токов эмиттеров транзисторов 1, 2, 6, 7, передаются в коллекторные цепи

i_к1=α₁i₃, i_к2=α₂i₄, i_к6=α₆i₈, i_к7=α₇i₉,

где α_i≈1 - коэффициент передачи по току эмиттера i-го транзистора.

Следует обратить внимание, что в выходных узлах 13, 14 и 15, 16 происходит вычитание близких по величине токов

i_вых.13=i_к1-i₉, i_вых.14=i_к2-i₈, i^* _вых.15=i₄-i_к6, i^* _вых.16=i₃-i_к7

или

i_вых.13=u_c(α₁y₃-y₉), i_вых.14=u_c(α₂y₄-y₈), i^* _вых.15=u_c(y₄-α₆y₈),

i^* _вых.16=u_c(y₃-α₇y₉).

Если обеспечить равенство y₃=y₄=y₈=y₉, то при α_i=1 в выходных узлах 13-16 будут отсутствовать составляющие, обусловленные входным синфазным сигналом, то есть крутизна преобразования входного синфазного напряжения в выходной ток S_cc=i_вых/u_c будет близка к нулю. В реальных схемах минимальные значения S_cc.min будут определяться проводимостями коллекторных переходов применяемых транзисторов, а также отличием их коэффициентов передачи по току эмиттера (α_i) от единицы.

Важнейшее свойство заявляемой схемы ДУ, которое наиболее ярко проявляется при его использовании в структурах фиг.3-4 - широкий допустимый диапазон изменения синфазного сигнала (u_c.max) - практически равный или даже превышающий на 50-100 мВ напряжения питания (Е_п). Следует обратить внимание, что построение высокоэффективных входных дифференциальных каскадов с u_c.max=±E_п относится к числу нерешенных проблем современной аналоговой микросхемотехники. Для построения так называемых Rail-to-rail по входу дифференциальных усилителей с низковольтным питанием предложено большое число каскадов с переключаемыми (синфазным сигналом) источниками опорного тока, например [31]. Однако они характеризуются повышенным уровнем нелинейных искажений и другими недостатками.

В заявляемой схеме имеется два канала усиления, причем при

происходит самовыключение одного канала на p-n-p транзисторах, а при

самовыключается канал на n-p-n транзисторах. При этом суммарное усиление дифференциального сигнала в ДУ (фиг.3) уменьшается только в два раза, что несущественно для многих применений ДУ в системах с глубокой обратной связью. Таким образом, заявляемый ДУ имеет более высокий, чем известные устройства диапазон изменения входного синфазного сигнала.

Полученные выше выводы подтверждаются результатами моделирования предлагаемых схем в среде PSpice с использованием моделей интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» (г.Москва).

На фиг.7 показана зависимость выходного тока ДУ фиг.6 (фиг.2) от уровня входного синфазного сигнала при разных сопротивлениях резисторов R8=R9=R3=R4=R. Данные графики показывают, что выходной ток узла 13 ДУ фиг.6 практически не изменяется, что свидетельствует о высоком подавлении синфазного сигнала, который для каждого отдельного выхода заявляемого ДУ имеет значение порядка 60 дБ. Это значительно лучше, чем К_ос.сф ДУ-прототипа фиг.1 на основе транзисторных источников опорного тока (K_oc.сф=54 дБ). Еще большие значения К_ос.сф реализуются в схеме фиг.3 (K_ос.сф=80 дБ).

Исследования максимально возможного диапазона изменения входного синфазного напряжения u_c.max в заявляемом ДУ при его применении в схеме операционного усилителя (ОУ) показывают, что u_c.max только на 20-30 мВ меньше напряжения питания, что недостижимо при других известных вариантах построения входного каскада.

Библиографический список

1. Патент РФ № 2193273, H 03 F 3/45.

2. Патент Японии № 53-25232, H 03 F 3/26, 98(5) А332.

3. Патент US 2001/0052818 A1, H 03 F 3/45.

4. Патент Японии № JP 8222972.

5. Авт. свид. СССР № 611288.

6. Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители. - М.: Радио и связь, 1989. - стр.103, Рис.6.11.

7. Патент США № 6366170 В1, H 03 F 3/45.

8. Патент США № 6268769, H 03 F 3/45.

9. Патент США № 3974455, H 03 F 3/45

10. Патент США № 3968451, H 03 F3/45.

11. Патент США № 4837523, H 03 F 3/45.

12. Патент США № 5291149, H 03 F 3/45.

13. Патент США № 4636743, H 03 F 3/45.

14. Патент США № 4783637, H 03 F 3/45.

15. Патент США № 5515005, H 03 F 3/45.

16. Патент США № 5291149, H 03 F 3/45.

17. Патент США № 5140280, H 03 F 3/45.

18. Патент США № 5455535, H 03 F 3/45.

19. Патент США № 5523718, H 03 F 3/45.

20. Патент США № 4600893, H 03 F 3/45.

21. Полонников Д.Е. Операционные усилители: Принципы построения, теория, схемотехника. - М., 1983. - 216 с. - стр.156, рис.4.25.

22. Патент США № 4131809, H 03 F 3/45.

23. Патент США № 3323070, H 03 F 3/45.

24. Патент ЕР № 1351381 A1, H 03 F 3/30.

25. Патент США № 5365191, H 03 F 3/45.

26. Патент США № 4390848, H 03 F 3/45.

27. Патент США № 5774020, H 03 F 3/45.

28. Патент США № 4146844, H 03 F 1/26.

29. Патент США № 4890067, H 03 F 3/45.

30. Патент США № 4636743, H 03 F 3/45.

31. Патент США № 5610557 H 03 F 3/45.

Claims

1. Дифференциальный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные n-p-n транзисторы, эмиттеры которых соединены с первыми выводами первого (3) и второго (4) токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через первый (5) резистор местной обратной связи, первый (6) и второй (7) входные транзисторы p-n-p типа, эмиттеры которых соединены с первыми выводами третьего (8) и четвертого (9) токостабилизирующих двухполюсников и связаны друг с другом через второй (10) резистор местной обратной связи, причем база первого n-p-n транзистора (1) соединена с базой первого p-n-p транзистора (6) и первым входом (11) дифференциального усилителя, база второго n-p-n транзистора (2) соединена с базой второго p-n-p транзистора (7) и вторым (12) входом дифференциального усилителя, коллекторы первого (1) и второго (2) входных n-p-n транзисторов соединены с соответствующими первым (13) и вторым (14) токовыми выходами, согласованными с шиной положительного источника питания, а коллекторы первого (6) и второго (7) p-n-p входных транзисторов соединены с соответствующими третьим (15) и четвертым (16) токовыми выходами, согласованными с шиной отрицательного источника питания, отличающийся тем, что второй вывод третьего токостабилизирующего двухполюсника 8 соединен со вторым токовым выходом (14), второй вывод четвертого токостабилизирующего двухполюсника (9) соединен с первым токовым выходом (13), второй вывод первого токостабилизирующего двухполюсника (3) связан с четвертым токовым выходом (16), второй вывод второго токостабилизирующего двухполюсника (4) соединен с третьим токовым выходом (15).

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве токостабилизирующих двухполюсников используются резисторы.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что второй и четвертый токовые выходы связаны со входами (17), (18) синфазного сумматора двух сигналов (19).