RU2280320C1 - Thermally excited microresonator - Google Patents
Thermally excited microresonator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2280320C1 RU2280320C1 RU2005102617/28A RU2005102617A RU2280320C1 RU 2280320 C1 RU2280320 C1 RU 2280320C1 RU 2005102617/28 A RU2005102617/28 A RU 2005102617/28A RU 2005102617 A RU2005102617 A RU 2005102617A RU 2280320 C1 RU2280320 C1 RU 2280320C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- microresonator
- frame
- silicon beam
- sectional area
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001089 thermophoresis Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2463—Clamped-clamped beam resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике, более конкретно к преобразователям различных физических параметров в электрические.The invention relates to measuring equipment, and more particularly to converters of various physical parameters to electrical.
Использование резонаторов в качестве универсальных преобразователей основано на том, что частота собственных колебаний зависит не только от формы, размера и материала балки или иного резонирующего тела, но и от многих внешних условий: давления, состава, температуры окружающей среды, линейного и углового ускорений, состояния поверхности и т.д. Измерение резонансной частоты поэтому может служить мерой перечисленных и многих других воздействий.The use of resonators as universal converters is based on the fact that the frequency of natural vibrations depends not only on the shape, size and material of the beam or other resonating body, but also on many external conditions: pressure, composition, ambient temperature, linear and angular accelerations, state surfaces etc. The measurement of the resonant frequency can therefore serve as a measure of the listed and many other influences.
Возбуждение колебаний резонаторов возможно за счет различных видов энергии, но наиболее соответствует микроэлектронному исполнению прибора тепловая, т.к. для ее генерации требуется лишь микрорезистор.The excitation of resonator vibrations is possible due to various types of energy, but the most consistent with the microelectronic execution of the device is thermal, because its generation requires only a microresistor.
Известна конструкция кремниевого монокристаллического резонатора с термическим возбуждением, в которой колебания создаются вследствие неравномерного по толщине одностороннего нагрева резонирующей балки с помощью резистора, нанесенного на одну из ее сторон, в результате чего происходит ее чистый изгиб [1]. В этой конструкции колебательное тело - кремниевая консоль, выполненная заодно с несущей рамкой, имеет толщину не менее 200 мкм, т.к. только при этом удается создать необходимый для деформации градиент температуры, т.е. нагреваемое тело является «термически толстым».A known design of a silicon single crystal resonator with thermal excitation, in which the oscillations are created due to uneven thickness of the one-sided heating of the resonating beam using a resistor deposited on one of its sides, resulting in its pure bending [1]. In this design, the oscillating body - the silicon cantilever, made at the same time with the supporting frame, has a thickness of not less than 200 microns, because only in this case it is possible to create the temperature gradient necessary for deformation, i.e. the heated body is “thermally thick”.
Известна также конструкция резонатора с оптическим возбуждением колебаний, принятая нами за прототип, но и в нем лучистая энергия превращается в тепловую, и деформация происходит точно по той же причине, что в чисто термическом варианте [2]. Характерная особенность этой конструкции состоит в том, что колебательное тело имеет большую (по меркам микромеханики) толщину, а деформация представляет собой чистый изгиб.Also known is the design of the resonator with optical excitation of vibrations, which we adopted as a prototype, but in it the radiant energy is converted into heat, and the deformation occurs precisely for the same reason as in the purely thermal version [2]. A characteristic feature of this design is that the oscillating body has a large (by the standards of micromechanics) thickness, and the deformation is a pure bend.
Это устройство обладает следующими недостатками: температура нагреваемого тела не поддается измерению современными средствами, а отсутствие контроля этого важного параметра прибора требует использования внешней системы термостатирования, что связано с резким увеличением инерционности, энергопотребления и массы;This device has the following disadvantages: the temperature of the heated body cannot be measured by modern means, and the lack of control of this important parameter of the device requires the use of an external temperature control system, which is associated with a sharp increase in inertia, energy consumption and mass;
большая толщина тела резонатора, обусловленная теплопередачей внутри его объема, приводит к возбуждению колебаний высоких частот малой амплитуды, поэтому сигнал на выходе мал, что объясняет низкую чувствительность и точность сенсора;the large thickness of the resonator body, due to heat transfer inside its volume, leads to the excitation of high-frequency oscillations of small amplitude, so the output signal is small, which explains the low sensitivity and accuracy of the sensor;
создание градиента температуры требует бесполезной затраты тепла, так как прогрев объема только уменьшает прогиб. Прибор оказывается энергоемким, и это затрудняет его использование в переносном варианте.Creating a temperature gradient requires a waste of heat, since heating the volume only reduces deflection. The device is energy-intensive, and this complicates its use in a portable version.
Целью изобретения является повышение КПД, расширение диапазона частот и амплитуды колебаний и благодаря этому - увеличение чувствительности и точности микрорезонатора.The aim of the invention is to increase efficiency, expand the frequency range and amplitude of oscillations, and thereby increase the sensitivity and accuracy of the microresonator.
Поставленная цель достигается тем, что кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющих роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором, а тело кремниевой балки легировано неоднородно так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза.This goal is achieved by the fact that the silicon beam is made 5-10 mm long with pinched ends at the same time with the supporting frame, but isolated from it electrically, has at the edges and in the center sections of the reduced cross section with a width of 30-50 and a thickness of 5-15 microns, performing the role of hinges, the central one also serving as a thermo- and piezoresistor, and the body of the silicon beam is alloyed nonuniformly so that the resistivity of the resistive part is 100-1000 times higher than the rest of it, which is current leads with contact pads, p located on opposite sides of the frame, and two parts of the beam having an increased cross section serve as inertial masses, which can be increased due to the additional fixed load.
Схема устройства представлена на чертеже, где:The device diagram is presented in the drawing, where:
1 - термо и пьезорезитор;1 - thermo and piezoresizer;
2 - инерциальная масса;2 - inertial mass;
3 - псевдошарнир;3 - pseudo-hinge;
4 - контактная площадка;4 - contact pad;
5 - несущая рамка.5 - supporting frame.
Новизна заявленного изобретения состоит в том, что ток протекает по всему сечению балки, вызывая нагрев и удлинение, приводящее к продольному изгибу большой амплитуды, поскольку деформационное напряжение велико, а момент инерции сечения чрезвычайно мал (10-21-10-24 м4). Указанные его пределы обусловлены: нижний - механической прочностью балки; верхний - предельным значением упругой деформации σпр.The novelty of the claimed invention lies in the fact that the current flows over the entire cross section of the beam, causing heating and elongation, leading to longitudinal bending of large amplitude, since the deformation stress is large and the moment of inertia of the cross section is extremely small (10 -21 -10 -24 m 4 ). The specified limits are due to: the lower - the mechanical strength of the beam; upper - the limit value of elastic deformation σ pr
Микрорезонатору, имеющему указанные выше размеры, присущи эффекты гигантской теплоотдачи и термофореза, обнаруженные авторами [3], следствием чего является чрезвычайно низкая, несвойственная обычно тепловым процессам, инерционность, и цикл нагрев-охлаждение может составлять всего 10-3 с, что позволяет за счет импульсного питания изменять частоту колебаний во всем килогерцевом диапазоне и настраивать систему на резонанс в соответствии с инерциальной массой.The microcavity having the dimensions indicated above is characterized by the giant heat transfer and thermophoresis effects discovered by the authors [3], which results in extremely low inertia, which is usually unusual for thermal processes, and the heating-cooling cycle can be as little as 10 -3 s, which allows pulse power to change the frequency of oscillations in the entire kilohertz range and tune the system to resonance in accordance with the inertial mass.
В диапазоне концентраций носителей в кремнии 1014-1017 см3 на резистивном участке нагревателя его ВАХ четко выявляет экстремальную температуру, соответствующую переходу от примесной электропроводности к собственной. С помощью электронной схемы, использующей эту точку в качестве репера, температура может стабилизироваться в диапазоне 140-380°С независимо от температуры окружающей среды.In the range of carrier concentrations in silicon 10 14 -10 17 cm 3 in the resistive section of the heater, its current-voltage characteristic clearly reveals the extreme temperature corresponding to the transition from impurity to intrinsic conductivity. Using an electronic circuit that uses this point as a reference, the temperature can be stabilized in the range of 140-380 ° C, regardless of the ambient temperature.
По мнению авторов, предлагаемое изобретение соответствует критерию «изобретательный уровень».According to the authors, the present invention meets the criterion of "inventive step".
Микрорезонатор работает следующим образом.The microresonator operates as follows.
При подаче на контакты резистора импульса тока и его нагреве за счет джоулева тепла возникают продольные сжимающие напряжения, которые в сочетании с силой термофореза, направленной в сторону холодного корпуса, приводят к продольно-поперечному изгибу. Такой вид деформации обеспечивает повышение КПД по сравнению с прототипом, т.к. колебательное тело содержит механические напряжения только одного знака, тогда как в прототипе одна его сторона растягивается, а другая - сжимается. Значительное - в 10-15 раз - уменьшение толщины резонирующего тела по сравнению с прототипом обеспечивает снижение резонансной частоты и амплитуды в 100-200 раз и примерно такое же увеличение чувствительностиWhen a current pulse is applied to the resistor contacts and heated due to Joule heat, longitudinal compressive stresses arise, which, combined with the thermophoresis force directed toward the cold case, lead to longitudinal-transverse bending. This type of deformation provides an increase in efficiency compared to the prototype, because the oscillatory body contains mechanical stresses of only one sign, while in the prototype one side is stretched, and the other is compressed. A significant - 10-15 times - decrease in the thickness of the resonating body in comparison with the prototype provides a decrease in the resonant frequency and amplitude by 100-200 times and approximately the same increase in sensitivity
Пример.Example.
Резонатор в виде рамки с поперечной перемычкой - колебательным телом, имеющим сечение в суженных участках 15×15 мкм2, - был изготовлен из монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 7 Ом·см с температурой перехода от примесной электропроводности к собственной, равной 180°С (реперная точка). Инерциальная масса составляла 300 мг.The resonator in the form of a frame with a transverse jumper — an oscillating body having a cross section in narrowed areas of 15 × 15 μm 2 — was made of single-crystal silicon with a specific resistance of 7 Ω cm with a transition temperature from impurity to intrinsic conductivity of 180 ° С (reference point). The inertial mass was 300 mg.
Нагрев осуществлялся импульсами тока в 1 мс, причем мощность составляла 50 мВт.Heating was carried out by current pulses of 1 ms, and the power was 50 mW.
Резонансная частота, определенная с помощью тензометра - 500 Гц, амплитуда колебаний - 200 мкм. Сопоставление параметров приводится в таблице.The resonance frequency determined using a tensometer is 500 Hz, the amplitude of the oscillations is 200 μm. A comparison of the parameters is given in the table.
Источники информацииInformation sources
1. T.S.J.Lammerink, M.Elsenspoek. "Performance of Thermally exited Resonators". Sensors and Actuators, v. A 21-23, 1990, 352-356.1. T.S. J. Lammerink, M. Elsenspoek. "Performance of Thermally exited Resonators." Sensors and Actuators, v. A 21-23, 1990, 352-356.
2. L.M.Zhang, D.Uttamchandani, B.Culshaw. Excitation of silicon microresonators using short optical pulses. Sensors and Actuators A-21-A-23, 1990, 391-393. - прототип.2. L. M. Zhang, D. Uttamchandani, B. Culshaw. Excitation of silicon microresonators using short optical pulses. Sensors and Actuators A-21-A-23, 1990, 391-393. - prototype.
3. Доклады АН РФ, 1999, №2, стр.3613. Reports of the Academy of Sciences of the Russian Federation, 1999, No. 2, p. 361
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005102617/28A RU2280320C1 (en) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Thermally excited microresonator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005102617/28A RU2280320C1 (en) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Thermally excited microresonator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2280320C1 true RU2280320C1 (en) | 2006-07-20 |
Family
ID=37028809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005102617/28A RU2280320C1 (en) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Thermally excited microresonator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2280320C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2661611C1 (en) * | 2017-12-06 | 2018-07-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Method of creating a sensor element on the basis of the microresonator of porous silicon for the detection of explosive vapors |
-
2005
- 2005-02-03 RU RU2005102617/28A patent/RU2280320C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2661611C1 (en) * | 2017-12-06 | 2018-07-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Method of creating a sensor element on the basis of the microresonator of porous silicon for the detection of explosive vapors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101711348B (en) | Pressure gauge | |
US8225662B2 (en) | Acceleration sensing device | |
Mescher et al. | An ultra-low-power physics package for a chip-scale atomic clock | |
US20230057869A1 (en) | Resonant frequency-based magnetic sensor at veering zone and method | |
JP2011117944A (en) | Acceleration sensor | |
Singh et al. | Enhanced sensitivity of SAW-based Pirani vacuum pressure sensor | |
Zhang et al. | Nonlinear dynamics under varying temperature conditions of the resonating beams of a differential resonant accelerometer | |
RU2280320C1 (en) | Thermally excited microresonator | |
CN101859155B (en) | Microresonator temperature control system | |
CN109883565A (en) | A kind of silicon micro-resonance type temperature sensitive chip based on SOI | |
Kamppinen et al. | Dimensional control of tunneling two-level systems in nanoelectromechanical resonators | |
CN110987595B (en) | Method and device for measuring elastic modulus and internal loss of material in high and low temperature environment | |
CA1290593C (en) | Mounting and isolation system for tuning fork temperature sensor | |
CN106323206A (en) | Real time temperature compensating vibratory string sensor | |
US3690147A (en) | Torsional vibration densitometer | |
CN201673420U (en) | Miniature resonator temperature control system | |
RU74466U1 (en) | SENSOR | |
Randall et al. | A pressure transducer using a metallic triple-beam tuning fork | |
RU2662948C1 (en) | Lumped mass vibro-viscometric sensor | |
CN202049179U (en) | Silicon micro resonant type accelerometer with inconsistent base frequencies | |
Xu et al. | High-precision low-power quartz tuning fork temperature sensor with optimized resonance excitation | |
Hu et al. | Quartz resonant pressure sensor based on bow-inspired rationally designed device configuration | |
RU180986U1 (en) | Vibration linear acceleration sensor | |
JPS6033056A (en) | Acceleration sensor | |
SU1747944A1 (en) | Temperature meter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130204 |