RU218560U1 - Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции - Google Patents
Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции Download PDFInfo
- Publication number
- RU218560U1 RU218560U1 RU2023110551U RU2023110551U RU218560U1 RU 218560 U1 RU218560 U1 RU 218560U1 RU 2023110551 U RU2023110551 U RU 2023110551U RU 2023110551 U RU2023110551 U RU 2023110551U RU 218560 U1 RU218560 U1 RU 218560U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrodes
- semiconductor element
- semiconductor device
- metal
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Техническое решение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока. Технический результат – улучшение условий работы металлического слоя на полупроводнике в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, и металлических электродов при нагреве или охлаждении полупроводникового прибора таблеточной конструкции. Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом, диэлектрической частью прибора, в котором сторона пластины полупроводникового элемента с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений напыленной пленки металла и, работая в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента с упомянутыми электродами прибора.
Description
Область техники
Техническое решение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока.
Уровень техники
Аналогом заявленного полупроводникового прибора таблеточной конструкции является «Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления» патент РФ на изобретение 2169411, по МПК H01L 29/30, оп. 20.06.2001 с полупроводниковым элементом, металлическими электродами, торцевая поверхность которого защищена кремнийорганическим компаундом.
Наиболее близким аналогом заявленного полупроводникового прибора таблеточной конструкции является «Силовой полупроводниковый прибор таблеточной конструкции» патент РФ на изобретение 2231862, по МПК H01L 23/02, оп. 27.06.2004 с нижним металлическим основанием, являющимся одним из электродов прибора, полупроводниковый элемент, размещенный на нижнем основании, верхнее металлическое основание, установленное на полупроводниковом элементе, являющееся другим электродом прибора, корпус, изготовленный из диэлектрического материала.
Недостатком таких конструкции является недостаточно высокая эксплуатационная (усталостная) надежность при различных температурных условиях и различных коэффициентах температурного расширения полупроводника и металлических электродов.
Сущность полезной модели
Задача полезной модели – полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с повышенной эксплуатационной (усталостной) надежностью при различных температурных условиях и различных коэффициентах температурного расширения полупроводника и металлических электродов.
Технический результат полезной модели – улучшение условий работы металлического слоя на полупроводнике в паре со слоем, выполняющим функцию припоя и металлических электродов при нагреве или охлаждении полупроводникового прибора таблеточной конструкции.
Наиболее эффективным для решения поставленной задачи представляется создание на стороне пластины полупроводника напыления металла, например, золота, с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины утолщений напыленной пленки металла. Такие утолщения позволяют улучшить условия работы металлического слоя на полупроводнике в паре со слоем, выполняющим функцию припоя и металлических электродов при нагреве или охлаждении полупроводникового прибора таблеточной конструкции, повысив эксплуатационную (усталостную) надежность при различных температурных условиях и различных коэффициентах температурного расширения полупроводника и электродов.
Технический результат достигается тем, что полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом, диэлектрической частью прибора, в котором сторона пластины полупроводникового элемента с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений напыленной пленки металла и, работая в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента с упомянутыми электродами прибора.
Технический результат может достигаться также тем, что электроды прибора выполнены в виде металлизированной керамики.
Технический результат может достигаться также тем, что электроды прибора выполнены в виде медной плиты.
Технический результат может достигаться также тем, что электроды прибора выполнены в виде алюминиевой подложки.
Осуществление полезной модели
На фигуре изображена схема (продольный и поперечный разрезы) полупроводникового прибора таблеточной конструкции.
При изготовлении полупроводникового прибора могут быть использованы различные технологии напыления металла, например, золота, на сторону пластины полупроводника, например, методом магнетронного напыления, обеспечивая надежный механический и омический контакт при сборке полупроводникового прибора.
В полупроводниковом приборе могут быть использованы различные припои.
Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами, например, анодом 1 и катодом 2, прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом 3, диэлектрической частью 4 прибора, сторона пластины полупроводника с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений 5 напыленной пленки металла и в паре со слоем 6, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента 3 с упомянутыми электродами прибора 1, 2.
Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции работает, как и все полупроводниковые приборы – перенося заряды в твердотельном полупроводнике. Вместе с тем, при повышении рабочих температур механические (тепловые) расширения полупроводникового элемента 3 и электродов 1 и 2 отчасти компенсируются из-за конструктивных особенностей (наличия в напылении металла фрагментов квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений 5 напыленной пленки металла), что при работе в паре со слоем 6, выполняющим функцию припоя, обеспечивая электрический контакт с электродами 1 и 2, улучшает условия работы полупроводникового прибора таблеточной конструкции, повышая эксплуатационную (усталостную) надежность.
Claims (4)
1. Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом, диэлектрической частью прибора, отличающийся тем, что сторона пластины полупроводникового элемента с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений напыленной пленки металла и, работая в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента с упомянутыми электродами прибора.
2. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что электроды прибора выполнены в виде металлизированной керамики.
3. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что электроды прибора выполнены в виде медной плиты.
4. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что электроды прибора выполнены в виде алюминиевой подложки.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU218560U1 true RU218560U1 (ru) | 2023-05-31 |
Family
ID=
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2169411C1 (ru) * | 2000-08-17 | 2001-06-20 | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина" | Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления |
RU2231862C1 (ru) * | 2002-11-27 | 2004-06-27 | Новиков Александр Васильевич | Силовой полупроводниковый прибор таблеточной конструкции |
US7145224B2 (en) * | 2004-01-28 | 2006-12-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
RU2407106C1 (ru) * | 2009-08-03 | 2010-12-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Мощный полупроводниковый прибор |
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2169411C1 (ru) * | 2000-08-17 | 2001-06-20 | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина" | Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления |
RU2231862C1 (ru) * | 2002-11-27 | 2004-06-27 | Новиков Александр Васильевич | Силовой полупроводниковый прибор таблеточной конструкции |
US7145224B2 (en) * | 2004-01-28 | 2006-12-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
RU2407106C1 (ru) * | 2009-08-03 | 2010-12-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Мощный полупроводниковый прибор |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6911728B2 (en) | Member for electronic circuit, method for manufacturing the member, and electronic part | |
US7528010B2 (en) | Semiconductor component and method for producing the same | |
US8975117B2 (en) | Semiconductor device using diffusion soldering | |
JP5864742B2 (ja) | 支持体装置、支持体装置を備えている電気的な装置、並びに、支持体装置及び電気的な装置の製造方法 | |
US2989578A (en) | Electrical terminals for semiconductor devices | |
US20120067623A1 (en) | Heat-radiating substrate and method for manufacturing the same | |
KR102062068B1 (ko) | 개방-세공 콘택 피스의 갈바닉 연결에 의하여 컴포넌트를 전기적으로 콘택팅하기 위한 방법, 및 대응하는 컴포넌트 모듈 | |
RU218560U1 (ru) | Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции | |
RU218502U1 (ru) | Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции | |
JP2004022973A (ja) | セラミック回路基板および半導体モジュール | |
CA1095178A (en) | Microwave semiconductor device with improved thermal properties | |
CN116613074A (zh) | 一种利用脉冲热压焊制备覆铜氮化铝金锡热沉的方法 | |
CN215345209U (zh) | 一种高导热率的陶瓷基板 | |
RU2498455C1 (ru) | Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона | |
JP3840132B2 (ja) | ペルチェ素子搭載用配線基板 | |
KR100913309B1 (ko) | 금속회로기판 | |
JP3588315B2 (ja) | 半導体素子モジュール | |
JPS62224048A (ja) | ダイヤモンド膜製半導体基板の製造方法 | |
RU2688035C1 (ru) | Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления | |
JPH10200219A (ja) | 回路基板 | |
JPH10167804A (ja) | セラミックス基板及びそれを用いた回路基板とその製造方法 | |
TW202017439A (zh) | 電路板及其製作方法 | |
CN216528873U (zh) | 电路基板及绝缘栅双极型晶体管模块 | |
EP4215508A1 (en) | Substrate and method for producing a substrate | |
CN217983336U (zh) | 半导体装置 |