RU218560U1

RU218560U1 - Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции

Info

Publication number: RU218560U1
Application number: RU2023110551U
Authority: RU
Inventors: Андрей Сергеевич Ларюшкин; Алексей Леонидович Кривенков
Original assignee: Акционерное общество "Краснознаменский завод полупроводниковых приборов "Арсенал" (АО "Арсенал" КрЗПП")
Filing date: 2023-04-25
Publication date: 2023-05-31

Abstract

Техническое решение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока. Технический результат – улучшение условий работы металлического слоя на полупроводнике в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, и металлических электродов при нагреве или охлаждении полупроводникового прибора таблеточной конструкции. Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом, диэлектрической частью прибора, в котором сторона пластины полупроводникового элемента с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений напыленной пленки металла и, работая в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента с упомянутыми электродами прибора.

Description

Область техники

Техническое решение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока.

Уровень техники

Аналогом заявленного полупроводникового прибора таблеточной конструкции является «Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления» патент РФ на изобретение 2169411, по МПК H01L 29/30, оп. 20.06.2001 с полупроводниковым элементом, металлическими электродами, торцевая поверхность которого защищена кремнийорганическим компаундом.

Наиболее близким аналогом заявленного полупроводникового прибора таблеточной конструкции является «Силовой полупроводниковый прибор таблеточной конструкции» патент РФ на изобретение 2231862, по МПК H01L 23/02, оп. 27.06.2004 с нижним металлическим основанием, являющимся одним из электродов прибора, полупроводниковый элемент, размещенный на нижнем основании, верхнее металлическое основание, установленное на полупроводниковом элементе, являющееся другим электродом прибора, корпус, изготовленный из диэлектрического материала.

Недостатком таких конструкции является недостаточно высокая эксплуатационная (усталостная) надежность при различных температурных условиях и различных коэффициентах температурного расширения полупроводника и металлических электродов.

Сущность полезной модели

Задача полезной модели – полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с повышенной эксплуатационной (усталостной) надежностью при различных температурных условиях и различных коэффициентах температурного расширения полупроводника и металлических электродов.

Технический результат полезной модели – улучшение условий работы металлического слоя на полупроводнике в паре со слоем, выполняющим функцию припоя и металлических электродов при нагреве или охлаждении полупроводникового прибора таблеточной конструкции.

Наиболее эффективным для решения поставленной задачи представляется создание на стороне пластины полупроводника напыления металла, например, золота, с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины утолщений напыленной пленки металла. Такие утолщения позволяют улучшить условия работы металлического слоя на полупроводнике в паре со слоем, выполняющим функцию припоя и металлических электродов при нагреве или охлаждении полупроводникового прибора таблеточной конструкции, повысив эксплуатационную (усталостную) надежность при различных температурных условиях и различных коэффициентах температурного расширения полупроводника и электродов.

Технический результат достигается тем, что полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом, диэлектрической частью прибора, в котором сторона пластины полупроводникового элемента с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений напыленной пленки металла и, работая в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента с упомянутыми электродами прибора.

Технический результат может достигаться также тем, что электроды прибора выполнены в виде металлизированной керамики.

Технический результат может достигаться также тем, что электроды прибора выполнены в виде медной плиты.

Технический результат может достигаться также тем, что электроды прибора выполнены в виде алюминиевой подложки.

Осуществление полезной модели

На фигуре изображена схема (продольный и поперечный разрезы) полупроводникового прибора таблеточной конструкции.

При изготовлении полупроводникового прибора могут быть использованы различные технологии напыления металла, например, золота, на сторону пластины полупроводника, например, методом магнетронного напыления, обеспечивая надежный механический и омический контакт при сборке полупроводникового прибора.

В полупроводниковом приборе могут быть использованы различные припои.

Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами, например, анодом 1 и катодом 2, прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом 3, диэлектрической частью 4 прибора, сторона пластины полупроводника с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений 5 напыленной пленки металла и в паре со слоем 6, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента 3 с упомянутыми электродами прибора 1, 2.

Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции работает, как и все полупроводниковые приборы – перенося заряды в твердотельном полупроводнике. Вместе с тем, при повышении рабочих температур механические (тепловые) расширения полупроводникового элемента 3 и электродов 1 и 2 отчасти компенсируются из-за конструктивных особенностей (наличия в напылении металла фрагментов квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений 5 напыленной пленки металла), что при работе в паре со слоем 6, выполняющим функцию припоя, обеспечивая электрический контакт с электродами 1 и 2, улучшает условия работы полупроводникового прибора таблеточной конструкции, повышая эксплуатационную (усталостную) надежность.

Claims

1. Полупроводниковый прибор таблеточной конструкции с электродами прибора, контактирующими с полупроводниковым элементом, диэлектрической частью прибора, отличающийся тем, что сторона пластины полупроводникового элемента с напылением металла выполнена с фрагментами квазиэквидистантных центру пластины полупроводникового элемента утолщений напыленной пленки металла и, работая в паре со слоем, выполняющим функцию припоя, обеспечивают электрический контакт упомянутого полупроводникового элемента с упомянутыми электродами прибора.

2. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что электроды прибора выполнены в виде металлизированной керамики.

3. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что электроды прибора выполнены в виде медной плиты.

4. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что электроды прибора выполнены в виде алюминиевой подложки.