RU2176850C1 - Low-noise wide-band current amplifier - Google Patents

Low-noise wide-band current amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2176850C1
RU2176850C1 RU2000126341A RU2000126341A RU2176850C1 RU 2176850 C1 RU2176850 C1 RU 2176850C1 RU 2000126341 A RU2000126341 A RU 2000126341A RU 2000126341 A RU2000126341 A RU 2000126341A RU 2176850 C1 RU2176850 C1 RU 2176850C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mos transistors
connection point
resistors
drain
circuits
Prior art date
Application number
RU2000126341A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.В. Олексенко
А.П. Колесников
Original Assignee
Олексенко Виктор Викторович
Колесников Александр Порфирьевич
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Олексенко Виктор Викторович, Колесников Александр Порфирьевич filed Critical Олексенко Виктор Викторович
Priority to RU2000126341A priority Critical patent/RU2176850C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2176850C1 publication Critical patent/RU2176850C1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: electronics, measurement technology, automatics, pre-amplifier stages of devices of linear current amplification. SUBSTANCE: amplifier includes input and output push-pull stages based on MOS transistors 1-4 having different structures, common gate, common source, current sources placed on MOS transistors 5, 6 and resistors 11-22. EFFECT: reduced input capacitance and noise. 1 dwg

Description

Изобретение относится к электронике, измерительной технике, автоматике и может использоваться в предварительных каскадах устройств линейного усиления тока. The invention relates to electronics, measuring equipment, automation and can be used in preliminary stages of linear current amplification devices.

Известен усилитель тока, работающий в широком динамическом диапазоне и с низкой мощностью потребления, выполненный по двухтактной схеме на МОП транзисторах, включенных в каждом плече по схеме общий затвор - общий исток и имеющих разную структуру [патент США N 6014056, кл. H 03 F 3/26, опублик. 11.01.2000]. Known current amplifier, operating in a wide dynamic range and with low power consumption, made by a push-pull circuit on MOS transistors included in each arm according to the common gate - common source circuit and having a different structure [US patent N 6014056, class. H 03 F 3/26, published. 01/11/2000].

Однако известный усилитель тока не обладает высокой точностью при передаче высокочастотного сигнала. Наиболее близким техническим решением является малошумящий широкополосный усилитель тока, содержащий входной двухтактный каскад, выполненный на первом и втором МОП транзисторах, включенных по схеме с общим затвором, имеющих разную структуру, в цепи стоков которых включены соответственно первый и второй источники тока, соединенные с шинами соответственно положительного и отрицательного напряжения питания, и выходной двухтактный каскад [патент США N 4893091, кл. H 03 F 34/45, 3/30, опублик. 09.01.1990, фиг. 4]. However, the known current amplifier does not have high accuracy when transmitting a high-frequency signal. The closest technical solution is a low-noise wide-band current amplifier containing an input push-pull stage made on the first and second MOS transistors connected according to a common-gate circuit, having a different structure, the first and second current sources connected to the buses, respectively, are connected in the drain circuit thereof, respectively positive and negative supply voltage, and the output push-pull cascade [US patent N 4893091, class. H 03 F 34/45, 3/30, published. 01/09/1990, FIG. 4].

Недостатками этого известного устройства являются высокая входная емкость и достаточно высокие шумовые параметры, снижающие прецизионность высокочастотного усилителя тока. The disadvantages of this known device are the high input capacitance and sufficiently high noise parameters that reduce the precision of the high-frequency current amplifier.

Задачей настоящего изобретения является снижение входной емкости и шумов за счет применения в усилителе способа когерентной автокомпенсации собственных шумов, суть которого состоит в следующем. В усилителе для управления последовательно включенными выходными транзисторами автоматически формируются когерентные собственным шумам управляющие сигналы, но в противофазе к собственным шумам. В результате такого формирования сигналов управления на выходе последовательно включенных выходных транзисторов противофазные когерентные сигналы вычитаются и в нагрузку не поступают, что полностью эквивалентно снижению внутренних шумов усилителя в целом. The objective of the present invention is to reduce the input capacitance and noise due to the use in the amplifier of a method of coherent self-compensation of intrinsic noise, the essence of which is as follows. In the amplifier, to control successively connected output transistors, control signals coherent with their own noises are automatically generated, but in antiphase to their own noises. As a result of such formation of control signals at the output of the series-connected output transistors, the antiphase coherent signals are subtracted and do not enter the load, which is completely equivalent to reducing the internal noise of the amplifier as a whole.

Таким образом, поставленная задача решается тем, что в малошумящем широкополосном усилителе тока, содержащем входной двухтактный каскад, выполненный на первом и втором МОП транзисторах, включенных по схеме с общим затвором, имеющих разную структуру, в цепи стоков которых включены соответственно первый и второй источники тока, соединенные с шинами соответственно положительного и отрицательного напряжения питания, и выходной двухтактный каскад, выходной двухтактный каскад выполнен на третьем и четвертом МОП транзисторах, включенных по схеме с общим истоком и имеющих разную структуру, первый и второй источники тока выполнены соответственно на пятом и шестом МОП транзисторах, включенных по схеме с общим истоком и имеющих структуру соответственно третьего и четвертого МОП транзисторов, при этом в цепи стока и истока каждого МОП транзистора введены соответствующие резисторы, причем точка соединения резисторов в цепях стоков первого и пятого МОП транзисторов подключена к затвору третьего МОП транзистора, точка соединения резисторов в цепях стоков второго и шестого МОП транзисторов подключена к затвору четвертого МОП транзистора, точка соединения резисторов в цепях истоков первого и второго МОП транзисторов является входом, точка соединения резисторов в цепях стоков третьего и четвертого МОП транзисторов - выходом малошумящего широкополосного усилителя тока, между шинами положительного и отрицательного напряжения питания которого введены последовательно соединенные с первого по четвертый прямосмещенные диоды, причем точка соединения второго и третьего прямосмещенных диодов подключена к общей шине, точка соединения первого и второго прямосмещенных диодов подключена к затворам первого и пятого МОП транзисторов, а точка соединения третьего и четвертого прямосмещенных диодов подключена к затворам второго и шестого МОП транзисторов. Thus, the problem is solved in that in a low-noise wide-band current amplifier containing an input push-pull cascade made on the first and second MOS transistors connected according to a common-gate circuit having a different structure, the first and second current sources are included in the drain circuit, respectively connected to the buses, respectively, positive and negative supply voltage, and the output push-pull cascade, the output push-pull cascade is made on the third and fourth MOS transistors connected via a circuit with a common source and having a different structure, the first and second current sources are made on the fifth and sixth MOS transistors, respectively, connected according to the scheme with a common source and having the structure of the third and fourth MOS transistors respectively, while the drain and source circuits of each MOS transistor are introduced corresponding resistors, and the connection point of the resistors in the drain circuits of the first and fifth MOS transistors is connected to the gate of the third MOS transistor, the connection point of the resistors in the drain circuits of the second and six MOS transistors the nsistor is connected to the gate of the fourth MOS transistor, the connection point of the resistors in the source circuits of the first and second MOS transistors is the input, the connection point of the resistors in the drain circuits of the third and fourth MOS transistors is the output of a low-noise wide-band current amplifier, between which the positive and negative supply voltage buses are introduced in series connected from the first to fourth forward-biased diodes, and the connection point of the second and third forward-biased diodes is connected to a common bus, the connection point of the first and second forward biased diodes is connected to the gates of the first and fifth MOS transistors, and the connection point of the third and fourth forward biased diodes is connected to the gates of the second and six MOS transistors.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема малошумящего широкополосного усилителя тока. The drawing shows a circuit diagram of a low-noise broadband current amplifier.

Схема усилителя содержит с первого по шестой МОП транзисторы 1 - 6, с первого по четвертый прямосмещенные диоды 7 - 10, резисторы 11 - 22, шины положительного 23, отрицательного 24 напряжения питания, общую шину 25, вход 26, выход 27. The amplifier circuit contains, from the first through the sixth MOSFETs, transistors 1–6, from the first through the fourth forward-biased diodes 7–10, resistors 11–22, buses of positive 23, negative 24 of the supply voltage, a common bus 25, input 26, output 27.

Усилитель работает следующим образом. The amplifier operates as follows.

Входной сигнал, поступая на вход 26, через объединенные выходы МОП транзисторов 1, 5 и 2, 6 передается к управляющим электродам соответствующих выходных комплементарных МОП транзисторов 3 и 4. В итоге на нагрузке, которая подключена между точками соединения выходных МОП транзисторов 3 и 4 (соединенных через резисторы 20 и 21), образуется усиленный выходной сигнал. Амплитуда выходного сигнала может регулироваться величиной отрицательной обратной связи, которая включается между выходом 27 и входом 26 усилителя. The input signal arriving at input 26, through the combined outputs of the MOS transistors 1, 5 and 2, 6, is transmitted to the control electrodes of the corresponding output complementary MOS transistors 3 and 4. As a result, at the load, which is connected between the connection points of the output MOS transistors 3 and 4 ( connected through resistors 20 and 21), an amplified output signal is generated. The amplitude of the output signal can be controlled by the amount of negative feedback that is turned on between the output 27 and the input 26 of the amplifier.

Таким образом, применение способа когерентной автокомпенсации собственных шумов позволяет достичь решения поставленной задачи снижения входной емкости и шумов усилителя и тем самым повышения его прецизионности. Thus, the application of the method of coherent self-compensation of intrinsic noise allows us to achieve a solution to the problem of reducing the input capacitance and noise of the amplifier and thereby increase its precision.

Claims (1)

Малошумящий широкополосный усилитель тока, содержащий входной двухтактный каскад, выполненный на первом и втором МОП транзисторах, включенных по схеме с общим затвором, имеющих разную структуру, в цепи стоков которых включены, соответственно, первый и второй источники тока, соединенные с шинами, соответственно, положительного и отрицательного напряжения питания, и выходной двухтактный каскад, отличающийся тем, что выходной двухтактный каскад выполнен на третьем и четвертом МОП транзисторах, включенных по схеме с общим истоком и имеющих разную структуру, первый и второй источники тока выполнены, соответственно, на пятом и шестом МОП транзисторах, включенных по схеме с общим истоком и имеющих структуру, соответственно, третьего и четвертого МОП транзисторов, при этом в цепи стока и истока каждого МОП транзистора введены соответствующие резисторы, причем точка соединения резисторов в цепях стоков первого и пятого МОП транзисторов подключена к затвору третьего МОП транзистора, точка соединения резисторов в цепях стоков второго и шестого МОП транзисторов подключена к затвору четвертого МОП транзистора, точка соединения резисторов в цепях истоков первого и второго МОП транзисторов является входом, точка соединения резисторов в цепях стоков третьего и четвертого МОП транзисторов - выходом малошумящего широкополосного усилителя тока, между шинами положительного и отрицательного напряжения питания которого введены последовательно соединенные с первого по четвертый прямосмещенные диоды, причем точка соединения второго и третьего прямосмещенных диодов подключена к общей шине, точка соединения первого и второго прямосмещенных диодов подключена к затворам первого и пятого МОП транзисторов, а точка соединения третьего и четвертого прямосмещенных диодов подключена к затворам второго и шестого МОП транзисторов. A low-noise wide-band current amplifier containing an input push-pull stage performed on the first and second MOS transistors connected according to a common-gate circuit, having a different structure, in the drain circuit of which are included, respectively, the first and second current sources connected to the buses, respectively, of positive and a negative supply voltage, and an output push-pull cascade, characterized in that the output push-pull cascade is made on the third and fourth MOS transistors included in the circuit with a common source and having different structure, the first and second current sources are made, respectively, on the fifth and sixth MOS transistors, connected according to the scheme with a common source and having the structure, respectively, of the third and fourth MOS transistors, while the corresponding resistors are introduced into the drain and source circuits of each MOS transistor moreover, the connection point of the resistors in the drain circuits of the first and fifth MOS transistors is connected to the gate of the third MOS transistor, the connection point of the resistors in the drain circuits of the second and six MOS transistors is connected to the gate The main point of the fourth MOS transistor, the connection point of the resistors in the source circuits of the first and second MOS transistors is the input, the connection point of the resistors in the drain circuits of the third and fourth MOS transistors is the output of a low-noise wide-band current amplifier, between which positive and negative supply voltage buses are connected in series with the first the fourth forward-biased diodes, the connection point of the second and third forward-biased diodes connected to a common bus, the connection point of the first and torogo forward-biased diode is connected to the gates of the first and fifth MOS transistors, and the connection point of the third and fourth forward-biased diode is connected to the gates of the second and sixth MOS transistors.
RU2000126341A 2000-10-20 2000-10-20 Low-noise wide-band current amplifier RU2176850C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000126341A RU2176850C1 (en) 2000-10-20 2000-10-20 Low-noise wide-band current amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000126341A RU2176850C1 (en) 2000-10-20 2000-10-20 Low-noise wide-band current amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2176850C1 true RU2176850C1 (en) 2001-12-10

Family

ID=20241190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000126341A RU2176850C1 (en) 2000-10-20 2000-10-20 Low-noise wide-band current amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2176850C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008135914A2 (en) * 2007-05-04 2008-11-13 Buddha Biopharma Oy Ltd Multivalued logic circuit
RU2462813C1 (en) * 2011-10-06 2012-09-27 Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) Broadband differential amplifier with correction device of electrothermal coupling in bipolar transistors

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008135914A2 (en) * 2007-05-04 2008-11-13 Buddha Biopharma Oy Ltd Multivalued logic circuit
WO2008135914A3 (en) * 2007-05-10 2008-12-31 Buddha Biopharma Oy Ltd Multivalued logic circuit
US7859312B2 (en) 2007-05-10 2010-12-28 Virtual Pro Inc. Multivalued logic circuit
US8120384B2 (en) 2007-05-10 2012-02-21 Fuzzy Chip Pte. Ltd. Multivalued logic circuit
RU2462813C1 (en) * 2011-10-06 2012-09-27 Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) Broadband differential amplifier with correction device of electrothermal coupling in bipolar transistors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100182086A1 (en) Super source follower output impedance enhancement
ATE453243T1 (en) DYNAMIC BIAS INCREASE CONTROL FOR AN AMPLIFIER
CA2402704A1 (en) System and method of producing direct audio from a power supply
ES2018260B3 (en) COMPLETELY DIFFERENTIAL AMPLIFIER CIRCUIT AND METHOD OF REMOVING DIFFERENTIAL SIGNALS.
US7459976B2 (en) Apparatus and method for biasing cascode devices in a differential pair using the input, output, or other nodes in the circuit
RU2176850C1 (en) Low-noise wide-band current amplifier
US6714079B2 (en) Differential amplifier with gain substantially independent of temperature
KR20050034596A (en) Amplification circuit
Meyer et al. Monolithic AGC loop for a 160 Mb/s transimpedance amplifier
TW569520B (en) Semiconductor amplifier circuit
JPS6458106A (en) Differential input stage, digital differential line receiver and operational amplifier
RU2178235C1 (en) Low-noise broad-band current amplifier
US4766399A (en) Oscillator circuit
KR970077970A (en) Differential amplifier
CN220798224U (en) Cascade amplifying circuit, radar equipment, radar system and electronic equipment
SU1676065A1 (en) Operational amplifiers based on cmos transistors
RU2309531C1 (en) Differential amplifier with expanded range of cophased signal change
SU1483601A1 (en) Differential amplifying stage
JPH0834391B2 (en) Operational amplifier circuit
KR920004586B1 (en) Amp using bi-cmos
SU1376236A1 (en) Amplifier
KR20050085862A (en) Switching circuit
DE60037125D1 (en) Radio frequency amplifier circuit
RU2234797C1 (en) Operational amplifier
JPH01120117A (en) Comparing circuit

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20101021