RU2318292C1 - Sectionalized current amplifier - Google Patents

Sectionalized current amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2318292C1
RU2318292C1 RU2006134570/09A RU2006134570A RU2318292C1 RU 2318292 C1 RU2318292 C1 RU 2318292C1 RU 2006134570/09 A RU2006134570/09 A RU 2006134570/09A RU 2006134570 A RU2006134570 A RU 2006134570A RU 2318292 C1 RU2318292 C1 RU 2318292C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
conductivity
collector
resistor
reverse
Prior art date
Application number
RU2006134570/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Всеволодович Шпак (RU)
Сергей Всеволодович Шпак
Original Assignee
Сергей Всеволодович Шпак
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сергей Всеволодович Шпак filed Critical Сергей Всеволодович Шпак
Priority to RU2006134570/09A priority Critical patent/RU2318292C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2318292C1 publication Critical patent/RU2318292C1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering, applicable in high-gain audio-frequency amplifiers.
SUBSTANCE: use is made of three push-pull emitter followers with a circuit of successive control of each other and local interpenetrating negative feedback of a different band and power. The amplifier consists of structure-uniform mutually-supplementing push-pull sections which form the local successive negative feedback and operate in harmony for a common load. It may be any quantity of sections depending on the requirements of the development engineer, but the optimal number is four. It is this modification that is given in the claim.
EFFECT: obtained the maximum high amplifier linearity coefficient at a low no-load current and maximum damping coefficient.
1 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в мощных усилителях низких частот.The invention relates to the field of radio engineering and can be used in powerful low-frequency amplifiers.

Цель изобретения: получение предельно-высокой линейности усилителя с сохранением высокой термостабильности и получение максимально высокого коэффициента демпфирования.The purpose of the invention: obtaining extremely high linearity of the amplifier while maintaining high thermal stability and obtaining the highest possible damping coefficient.

Проблемы получения высокой линейности заключаются в том, что транзисторы большой мощности обладают малой полосой и их граничная частота ухудшается в 5-7 раз в области малых и больших токов [1, 2], что делает схему при охвате глубокой отрицательной обратной связью (ООС) неустойчивой.The problems of obtaining high linearity are that high power transistors have a small band and their cutoff frequency deteriorates 5-7 times in the region of small and high currents [1, 2], which makes the circuit unstable when covered with deep negative feedback (OOS) .

Просто увеличение числа последовательно включенных повторителей по схеме Дарлингтона не дает снижения искажений, а приводит только к увеличению входного сопротивления и требует большого тока покоя. А замена в прототипе [3], (представляющем собой двухкаскадный усилитель тока повышенной термостабильности на транзисторах разной проводимости с местной ООС) одиночных транзисторов на сдвоенные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона или Шиклаи, приводит к потере устойчивости схемы. И даже применение здесь вместо биполярных транзисторов полевых транзисторов помогает мало.Just an increase in the number of series-connected repeaters according to the Darlington scheme does not reduce distortion, but only leads to an increase in input resistance and requires a large quiescent current. And the replacement in the prototype [3], (which is a two-stage current amplifier with increased thermal stability on transistors of different conductivity with local OOS) of single transistors with dual transistors connected according to the Darlington or Shiklai circuit, leads to a loss of circuit stability. And even using field-effect transistors instead of bipolar transistors here helps a little.

Для решения этой проблемы в схему прототипа [3] дополнительно введены три двухтактных эмиттерных повторителя со схемой последовательного управления друг другом и местной взаимопроникающей ООС разной полосы и мощности и входной каскодный усилитель с ООС на первый повторитель.To solve this problem, three push-pull emitter repeaters with a sequential control circuit of each other and a local interpenetrating OOS of different band and power and an input cascode amplifier with OOS to the first repeater are additionally introduced into the prototype circuit [3].

Предлагаемая схема состоит из структурно-однотипных взаимодополняющих двухтактных звеньев, которые образуют местные последовательные ООС и согласованно работают на общую нагрузку. Число звеньев может быть любым в зависимости от требований разработчика, например применение полевых транзисторов позволит уменьшить число звеньев, но оптимальное число - четыре. Этот вариант и приведен в заявке.The proposed scheme consists of structurally homogeneous complementary push-pull links that form local consecutive OOS and work in concert on a common load. The number of links can be any depending on the requirements of the developer, for example, the use of field-effect transistors will reduce the number of links, but the optimal number is four. This option is given in the application.

Прототип [3] полностью входит в предлагаемую схему (Фиг.1) в виде: схемы смещения на элементах 5-7; первого двухтактного повторителя на элементах 10-13 и элементов первого токового зеркала 8, 15, 17, 19.The prototype [3] is fully included in the proposed scheme (Figure 1) in the form of: an offset circuit on the elements 5-7; the first push-pull repeater on the elements 10-13 and the elements of the first current mirror 8, 15, 17, 19.

Для получения высоких параметров в схему прототипа [3], согласно (Фиг.1), введены:To obtain high parameters in the prototype circuit [3], according to (Figure 1), introduced:

1. Входной каскодный усилитель на элементах 1-4.1. The input cascode amplifier on the elements 1-4.

2. Три пары токовых зеркал на элементах 8, 9, 14-17, 19-22, 27-30, 32, 33, 36, 37, 40, 41, 43-46.2. Three pairs of current mirrors on the elements 8, 9, 14-17, 19-22, 27-30, 32, 33, 36, 37, 40, 41, 43-46.

3. Два источника напряжения на элементах 18, 31.3. Two voltage sources on the elements 18, 31.

4. Три пары дополнительных двухтактных эмиттерных повторителей на элементах 23-26, 38, 39, 49, 50.4. Three pairs of additional push-pull emitter repeaters on the elements 23-26, 38, 39, 49, 50.

5. Элементы частотной коррекции 2, 34, 35, 42, 42, 47, 485. Elements of frequency correction 2, 34, 35, 42, 42, 47, 48

Схема электрических связей вновь введенных элементов приведена на чертеже.The electrical connection diagram of the newly introduced elements is shown in the drawing.

Предлагаемая схема работает следующим образом.The proposed scheme works as follows.

Входной сигнал поступает на эмиттер транзистора 1. С коллектора транзистора 1 сигнал поступает на базу транзистора 10 и, через источник напряжения 6, на базу транзистора 13. С выхода усилителя, через резистор 4, поступает сигнал ООС на базу транзистора 1. Конденсатор 2 служит для коррекции транзистора 1. Диод 3 защищает базовый переход от пробоя при перегрузке и ускоряет запирание транзистора 1. Источники тока 5, 7 и источник напряжения 6 задают рабочий ток транзисторам 10, 13. С эмиттеров транзисторов 10, 13 сигнал через резисторы 11, 12 поступает на выход усилителя. В этом каскаде используются маломощные высокочастотные транзисторы, благодаря чему обеспечивается широкая полоса ООС. С коллекторов транзисторов 10, 13 сигнал поступает на токовые зеркала на транзисторах 17, 19. Так как коэффициент передачи по току этих транзисторов благодаря диодам 9, 14 и резисторам 8, 15, 16, 20 близок к 1, то термостабильность тока транзисторов 17, 19 целиком зависит от тока транзисторов 10, 13, а фазовая задержка сигнала минимальна. С коллекторов транзисторов 17, 19 сигнал поступает на базы транзисторов 23, 26. Источник напряжения 18 задает рабочий ток транзисторов 23, 26. С эмиттеров транзисторов 23, 26 сигнал через резисторы 24, 25 поступает на выход усилителя.The input signal goes to the emitter of transistor 1. From the collector of transistor 1, the signal goes to the base of transistor 10 and, through a voltage source 6, to the base of transistor 13. From the output of the amplifier, through resistor 4, the OOS signal goes to the base of transistor 1. Capacitor 2 serves to correction of transistor 1. Diode 3 protects the basic transition from breakdown during overload and accelerates the shutdown of transistor 1. Current sources 5, 7 and voltage source 6 set the operating current to transistors 10, 13. From the emitters of transistors 10, 13, the signal through resistors 11, 12 is fed to exit preamplifier. This cascade uses low-power high-frequency transistors, which ensures a wide band of OOS. From the collectors of transistors 10, 13, the signal enters the current mirrors on transistors 17, 19. Since the current transfer coefficient of these transistors is close to 1 due to the diodes 9, 14 and resistors 8, 15, 16, 20, the current stability of the transistors 17, 19 entirely depends on the current of transistors 10, 13, and the phase delay of the signal is minimal. From the collectors of transistors 17, 19, the signal enters the bases of transistors 23, 26. The voltage source 18 sets the operating current of transistors 23, 26. From the emitters of transistors 23, 26, the signal is fed through resistors 24, 25 to the output of the amplifier.

Так как базовый ток транзисторов 23, 26 фактически является током коллекторов транзисторов 10, 13, то транзисторы 10, 13 управляют работой транзисторов 23, 26. И появление сигнала ошибки на выходе усилителя вызывает изменение тока транзисторов 23, 26 в десятки раз большее, чем изменение токов транзисторов 10, 13, так осуществляется местная ООС с параллельной работой транзисторов 10, 13, 23, 26 на общую выходную нагрузку. При этом цепь местной ООС не связана с входным каскодным усилителем и может иметь худшие частотные свойства, чем цепь на транзисторах 1, 10, 13.Since the base current of transistors 23, 26 is actually the current of the collectors of transistors 10, 13, transistors 10, 13 control the operation of transistors 23, 26. And the appearance of an error signal at the amplifier output causes a change in the current of transistors 23, 26 tens of times greater than the change currents of transistors 10, 13, so local OOS is carried out with the parallel operation of transistors 10, 13, 23, 26 for a total output load. Moreover, the local OOS circuit is not connected to the input cascode amplifier and may have worse frequency properties than the circuit on transistors 1, 10, 13.

С коллекторов транзисторов 23, 26 сигнал поступает на вторую пару токовых зеркал на транзисторах 30, 32. Элементы 21, 22, 27-29, 33 задают рабочий режим транзисторам 30, 32 аналогично выше описанному. С коллекторов транзисторов 30, 32 сигнал поступает на базы транзисторов 38, 39. Источник напряжения 31 задает смещение на базы транзисторов 38, 39 так, чтобы начальный ток этих транзисторов был близок к нулю.From the collectors of transistors 23, 26, the signal enters the second pair of current mirrors on transistors 30, 32. Elements 21, 22, 27-29, 33 set the operating mode for transistors 30, 32 similarly to the above. From the collectors of transistors 30, 32, the signal enters the bases of transistors 38, 39. The voltage source 31 sets the offset to the bases of transistors 38, 39 so that the initial current of these transistors is close to zero.

Через дроссель 42 усиленный сигнал с эмиттеров 38, 39 поступает на выход усилителя. Резисторы 34, 35 совместно с дросселем 42 уменьшают усиление транзисторов 38, 39 на высоких частотах, создавая условия для устойчивой работы схемы. Так как базовый ток транзисторов 38, 39 задается током коллекторов транзисторов 23, 26, здесь замыкается третья цепь местной ООС, а транзисторы 38, 39, благодаря дроссельной коррекции, могут иметь худшие частотные свойства, чем транзисторы 23, 26, без потери общей устойчивости. А так как ток транзисторов 38, 39 в десятки раз больше тока транзисторов 23, 26, то они должны иметь соответственно большую мощность, а более мощные транзисторы имеют худшие частотные свойства.Through the inductor 42, the amplified signal from the emitters 38, 39 is fed to the output of the amplifier. Resistors 34, 35 together with the inductor 42 reduce the amplification of transistors 38, 39 at high frequencies, creating conditions for stable operation of the circuit. Since the base current of transistors 38, 39 is set by the current of the collectors of transistors 23, 26, the third circuit of the local OOS is closed here, and transistors 38, 39, due to throttle correction, can have worse frequency properties than transistors 23, 26, without loss of overall stability. And since the current of transistors 38, 39 is ten times greater than the current of transistors 23, 26, they must have correspondingly higher power, and more powerful transistors have poorer frequency properties.

С коллекторов транзисторов 38, 39 сигнал поступает на третью пару токовых зеркал на транзисторах 44, 45. Элементы 36, 37, 40, 41, 43, 46 задают рабочий режим транзисторов 44, 45 аналогично выше описанному. С коллекторов транзисторов 44, 45 сигнал поступает на базы четвертого повторителя на транзисторах 49, 50. Усиленный сигнал с эмиттеров транзисторов 49, 50 через дроссель 48 поступает на эмиттера транзисторов 38, 39. Таким образом, через эмиттера транзисторов 38, 39 замыкается четвертая цепь местной ООС.From the collectors of transistors 38, 39, the signal is supplied to a third pair of current mirrors on transistors 44, 45. Elements 36, 37, 40, 41, 43, 46 determine the operating mode of transistors 44, 45 similarly to the above. From the collectors of transistors 44, 45, the signal enters the base of the fourth repeater on transistors 49, 50. The amplified signal from the emitters of transistors 49, 50 through the inductor 48 goes to the emitter of transistors 38, 39. Thus, through the emitter of transistors 38, 39, the fourth local circuit is closed OOS.

Резистор 47, совместно с дросселем 48, уменьшает усиление транзисторов 49, 50 на высоких частотах, придавая каскаду необходимую устойчивость.The resistor 47, together with the inductor 48, reduces the gain of the transistors 49, 50 at high frequencies, giving the cascade the necessary stability.

По дросселю 42 течет совместный ток повторителей на транзисторах 38, 39, 49, 50 и соответственно транзисторы 38, 39 уменьшают большой ток искажений от транзисторов 49, 50. Таким образом, выходной четвертый повторитель выдает на выход усилителя наибольший, но низкочастотный и сильно искаженный ток, который последовательно корректируется всеми предыдущими звеньями усилителя.The common current of the repeaters flows through the inductor 42 at the transistors 38, 39, 49, 50 and, accordingly, the transistors 38, 39 reduce the large distortion current from the transistors 49, 50. Thus, the fourth output repeater gives the amplifier the largest, but low-frequency and highly distorted current , which is sequentially adjusted by all previous links of the amplifier.

В результате искажения сигнала на выходе имеют минимальную величину при высокой устойчивости и термостабильности схемы, и усилитель имеет максимально высокий коэффициент демпфирования.As a result, the distortion of the signal at the output is minimal with high stability and thermal stability of the circuit, and the amplifier has the highest damping coefficient.

ЛитератураLiterature

1. Данилов А.А. Прецизионные усилители низкой частоты. - М.: Горячая линия. - Телеком, 2004, с.129.1. Danilov A.A. Precision low frequency amplifiers. - M .: Hot line. - Telecom, 2004, p. 129.

2. Ашкинази Л. Динозавры двадцатого века. - ж. Наука и жизнь, 2004 г., №8, с.89.2. Ashkinazi L. Dinosaurs of the twentieth century. - w. Science and Life, 2004, No. 8, p. 89.

3. Ежков Ю. А. Справочник по схемотехнике усилителей. - 2-е изд., перераб. - М.: ИП РадиоСофт, 2002, с.96, рис.5.35.3. Ezhkov Yu. A. Handbook of circuitry amplifiers. - 2nd ed., Revised. - M .: IP RadioSoft, 2002, p. 96, fig. 5.35.

Claims (1)

Звеньевой усилитель тока, содержащий первый источник тока, одним концом соединенный с плюсом источника питания, первый источник напряжения, одним концом соединенный с другим концом первого источника тока, второй источник тока, одним концом соединенный с другим концом первого источника напряжения, а другим концом с минусом источника питания, первый транзистор обратной проводимости, базой соединенный с точкой соединения первого источника тока с первым источником напряжения, первый резистор, одним концом соединенный с эмиттером первого транзистора обратной проводимости, а другим концом с выходом усилителя, первый транзистор прямой проводимости, базой соединенный с точкой соединения первого источника напряжения со вторым источником тока, второй резистор, одним концом соединенный с эмиттером первого транзистора прямой проводимости, а другим концом с выходом усилителя, третий резистор, одним концом соединенный с плюсом источника питания, четвертый резистор, одним концом соединенный с минусом источника питания, второй транзистор прямой проводимости, базой соединенный с коллектором первого транзистора обратной проводимости, второй транзистор обратной проводимости, базой соединенный с коллектором первого транзистора прямой проводимости, отличающийся тем, что введен третий транзистор обратной проводимости, эмиттером соединенный со входом усилителя, а коллектором с базой первого транзистора обратной проводимости, введен пятый резистор, одним концом соединенный с выходом усилителя, а другим концом с базой третьего транзистора обратной проводимости, введен первый диод, анодом соединенный со входом усилителя, а катодом с базой третьего транзистора обратной проводимости, введен конденсатор, одним концом соединенный с базой, а другим концом с коллектором третьего транзистора обратной проводимости, введен второй диод, анодом соединенный с третьим резистором, а катодом с базой второго транзистора прямой проводимости, введен третий диод, катодом соединенный с четвертым резистором, а анодом с базой второго транзистора обратной проводимости, введен шестой резистор, одним концом соединенный с плюсом источника питания, а другим концом с эмиттером второго транзистора прямой проводимости, введен седьмой резистор, одним концом соединенный с минусом источника питания, а другим концом с эмиттером второго транзистора обратной проводимости, введен второй источник напряжения, включенный между коллекторами вторых транзисторов, введен четвертый транзистор обратной проводимости, базой соединенный с коллектором второго транзистора прямой проводимости, введен восьмой резистор, одним концом соединенный с выходом усилителя, а другим концом с эмиттером четвертого транзистора обратной проводимости, введен девятый резистор, одним концом соединенный с плюсом источника питания, введен четвертый диод, анодом соединенный с другим концом девятого резистора, а катодом с коллектором четвертого транзистора обратной проводимости, введен десятый резистор, одним концом соединенный с выходом усилителя, введен третий транзистор прямой проводимости, базой соединенный с коллектором второго транзистора обратной проводимости, а эмиттером с другим концом десятого резистора, введен пятый диод, анодом соединенный с коллектором третьего транзистора прямой проводимости, введен одиннадцатый резистор, одним концом соединенный с катодом пятого диода, а другим концом с минусом источника питания, введен четвертый транзистор прямой проводимости, базой соединенный с коллектором четвертого транзистора обратной проводимости, введен двенадцатый резистор, одним концом соединенный с плюсом источника питания, а другим концом с эмиттером четвертого транзистора прямой проводимости, введен третий источник напряжения, одним концом соединенный с коллектором четвертого транзистора прямой проводимости, введен пятый транзистор обратной проводимости, базой соединенный с коллектором третьего транзистора прямой проводимости, а коллектором с другим концом третьего источника напряжения, введен тринадцатый резистор, одним концом соединенный с эмиттером пятого транзистора обратной проводимости, а другим концом с минусом источника питания, введен четырнадцатый резистор, одним концом соединенный с коллектором четвертого транзистора прямой проводимости, а другим концом с выходом усилителя, введен пятнадцатый резистор, одним концом соединенный с выходом усилителя, а другим концом соединенный с коллектором пятого транзистора обратной проводимости, введен шестой транзистор обратной проводимости, базой соединенный с коллектором четвертого транзистора прямой проводимости, введен пятый транзистор прямой проводимости, базой соединенный с коллектором пятого транзистора обратной проводимости, а эмиттером с эмиттером шестого транзистора обратной проводимости, введен первый дроссель, одним концом соединенный с эмиттером шестого транзистора обратной проводимости, а другим концом с выходом усилителя, введен шестнадцатый резистор, одним концом соединенный с плюсом источника питания, введен шестой диод, анодом соединенный с другим концом шестнадцатого резистора, а катодом с коллектором шестого транзистора обратной проводимости, введен седьмой диод, анодом соединенный с коллектором пятого транзистора прямой проводимости, введен семнадцатый резистор, одним концом соединенный с катодом седьмого диода, а другим концом с минусом источника питания, введен шестой транзистор прямой проводимости, базой соединенный с коллектором шестого транзистора обратной проводимости, введен восемнадцатый резистор, одним концом соединенный с плюсом источника питания, а другим концом с эмиттером шестого транзистора прямой проводимости, введен седьмой транзистор обратной проводимости, базой соединенный с коллектором пятого транзистора прямой проводимости, а коллектором соединенный с коллектором шестого транзистора прямой проводимости, введен девятнадцатый резистор, одним концом соединенный с эмиттером седьмого транзистора обратной проводимости, а другим концом с минусом источника питания, введен двадцатый резистор, одним концом соединенный с коллектором седьмого транзистора обратной проводимости, а другим концом с эмиттером шестого транзистора обратной проводимости, введен восьмой транзистор обратной проводимости, базой соединенный с коллектором шестого транзистора прямой проводимости, а коллектором с плюсом источника питания, введен седьмой транзистор прямой проводимости, базой соединенный с коллектором седьмого транзистора обратной проводимости, эмиттером с эмиттером восьмого транзистора обратной проводимости, а коллектором с минусом источника питания, введен второй дроссель, одним концом соединенный с эмиттером шестого транзистора обратной проводимости, а другим концом с эмиттером восьмого транзистора обратной проводимости.A link current amplifier containing a first current source connected at one end to the plus of the power source, a first voltage source connected at one end to the other end of the first current source, a second current source connected at one end to the other end of the first voltage source, and the other end with a minus a power source, a first reverse conductivity transistor, the base connected to the connection point of the first current source with the first voltage source, the first resistor connected at one end to the emitter of the first t a reverse conductivity transistor, and at the other end with an amplifier output, a first direct conductivity transistor base connected to a connection point of a first voltage source with a second current source, a second resistor connected at one end to an emitter of a first direct conductivity transistor and a third end to an amplifier output, third a resistor connected at one end to the plus of the power source, a fourth resistor connected at one end to the minus of the power source, a second direct conductivity transistor, the base connected to the collector of the first reverse conductivity transistor, the second reverse conductivity transistor, the base connected to the collector of the first forward conductivity transistor, characterized in that a third reverse conductivity transistor is introduced, the emitter is connected to the input of the amplifier, and the fifth resistor is introduced by the collector with the base of the first reverse conductivity transistor, one the end connected to the output of the amplifier, and the other end to the base of the third transistor of reverse conductivity, the first diode is introduced, the anode connected to the input of the amplifier a cathode with the base of the third transistor of the reverse conductivity, a capacitor is inserted, one end connected to the base, and the other end of the collector of the third transistor of the reverse conductivity, a second diode is inserted, the anode connected to the third resistor, and the cathode is the base of the second transistor of direct conduction the third diode, a cathode connected to the fourth resistor, and an anode with the base of the second reverse conductivity transistor, introduced the sixth resistor, one end connected to the plus of the power source, and the other end to the emitter ohm of the second direct conductivity transistor, the seventh resistor is introduced, connected to the minus of the power source at one end and the second conductivity transistor emitter at the other end, a second voltage source connected between the collectors of the second transistors, a fourth reverse conductivity transistor connected to the collector of the second forward conductor transistor, an eighth resistor is introduced, one end connected to the output of the amplifier, and the other end to the emitter of the fourth reverse transistor conductivity, the ninth resistor is introduced, connected at one end to the plus of the power supply, the fourth diode is inserted, the anode is connected to the other end of the ninth resistor, and the tenth resistor is connected to the output of the amplifier by the cathode with the collector of the fourth reverse transistor, the third direct transistor is introduced conductivity, the base connected to the collector of the second transistor of reverse conductivity, and the emitter with the other end of the tenth resistor, introduced the fifth diode, the anode connected to the collector of the third direct conductivity transistor, introduced the eleventh resistor, connected at one end to the cathode of the fifth diode, and the other end with a minus of the power supply, introduced the fourth forward conductivity transistor, connected to the collector of the fourth reverse conductivity transistor, introduced the twelfth resistor, connected at one end to the plus of the power supply and at the other end with the emitter of the fourth direct-current transistor, a third voltage source is introduced, connected at one end to the collector of the fourth transistor direct conductivity, introduced the fifth transistor of reverse conductivity, the base connected to the collector of the third forward transistor, and the collector with the other end of the third voltage source, introduced the thirteenth resistor, one end connected to the emitter of the fifth transistor of the reverse conductivity, and the other end with the minus of the power source, introduced the fourteenth resistor, at one end connected to the collector of the fourth direct-current transistor, and at the other end to the output of the amplifier, the fifteenth resistor is inserted, o the end connected to the output of the amplifier, and the other end connected to the collector of the fifth transistor of reverse conductivity, the sixth transistor of reverse conductivity is introduced, the base is connected to the collector of the fourth transistor of direct conductivity, the fifth transistor of direct conductivity is introduced, the base connected to the collector of the fifth transistor of reverse conductivity, and the emitter with the emitter of the sixth transistor of reverse conductivity, the first choke is introduced, one end connected to the emitter of the sixth transistor of the reverse wire of the property, and at the other end with the output of the amplifier, a sixteenth resistor is introduced, one end connected to the plus of the power supply, a sixth diode is introduced, an anode connected to the other end of the sixteenth resistor, and a seventh diode is inserted into the collector of the sixth reverse conductivity transistor, and the anode is connected to the collector fifth transistor direct conductivity, introduced the seventeenth resistor, one end connected to the cathode of the seventh diode, and the other end with a minus power source, introduced the sixth transistor direct conductivity, The base is connected to the collector of the sixth transistor of reverse conductivity, an eighteenth resistor is inserted, one end connected to the plus of the power supply, and the other end to the emitter of the sixth transistor of direct conductivity, the seventh reverse transistor is introduced, the base connected to the collector of the fifth direct transistor, and the collector is connected to the collector of the sixth transistor direct conductivity, introduced the nineteenth resistor, one end connected to the emitter of the seventh transistor reverse wire bridge, and the other end with the minus of the power supply, introduced the twentieth resistor, one end connected to the collector of the seventh reverse conductivity transistor, and the other end to the emitter of the sixth reverse conductivity transistor, introduced the eighth reverse conductivity transistor, the base connected to the collector of the sixth direct current transistor, and a collector with a plus power supply, introduced the seventh forward transistor, the base connected to the collector of the seventh reverse transistor, an emitter with emitter With the eighth transistor of the reverse conductivity, and a collector with a minus of the power supply, a second inductor is introduced, one end connected to the emitter of the sixth reverse conductivity transistor, and the other end to the emitter of the eighth reverse transistor.
RU2006134570/09A 2006-09-28 2006-09-28 Sectionalized current amplifier RU2318292C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006134570/09A RU2318292C1 (en) 2006-09-28 2006-09-28 Sectionalized current amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006134570/09A RU2318292C1 (en) 2006-09-28 2006-09-28 Sectionalized current amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2318292C1 true RU2318292C1 (en) 2008-02-27

Family

ID=39279101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006134570/09A RU2318292C1 (en) 2006-09-28 2006-09-28 Sectionalized current amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2318292C1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
АЛЕКСЕНКО А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых ИС. - М.: Сов. радио, 1980, с.52, рис.1.41. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6753734B2 (en) Multi-mode amplifier bias circuit
Kwak et al. A 2 W CMOS hybrid switching amplitude modulator for EDGE polar transmitters
KR100226226B1 (en) Hybrid-type amplifier
JP2759128B2 (en) Broadband amplifier
JP4330549B2 (en) High frequency power amplifier
US20060145766A1 (en) Power amplifier with bias control
CN105393453A (en) Apparatus and method for transimpedance amplifiers with wide input current ranges
JP5523619B2 (en) Variable gain amplifier
JP2007259409A (en) Variable gain amplifier
US8907728B2 (en) High power wideband amplifier and method
KR100204591B1 (en) Mixer using copy voltage-current converter
CN110808721B (en) Anti-saturation current-mode control radio frequency power amplifier
US7777575B2 (en) Circuit with single-ended input and differential output
US7135927B2 (en) Ultra fast, low noise operational amplifier with dynamic biasing
KR20010015904A (en) Amplifier with stabilization means
WO2013153894A1 (en) Cascode amplifier and amplifier circuit
CN111193477B (en) Composite amplifier
CN111800092B (en) Power control circuit of saturated power amplifier and control method thereof
RU2318292C1 (en) Sectionalized current amplifier
CN116032220A (en) Operational amplifier, power amplifier, chip, terminal device and related methods
CN216390921U (en) Power amplifier
JP4076858B2 (en) Fully differential variable gain amplifier and multidimensional amplifier configuration
CN111082800B (en) I/V converter
TWM541154U (en) Linear amplifier, envelope tracking device, and envelope tracking power amplifier
CN203326961U (en) Electrical level switching circuit with high gain

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120929