RU2155412C1 - Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen - Google Patents

Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen Download PDF

Info

Publication number
RU2155412C1
RU2155412C1 RU99115394/09A RU99115394A RU2155412C1 RU 2155412 C1 RU2155412 C1 RU 2155412C1 RU 99115394/09 A RU99115394/09 A RU 99115394/09A RU 99115394 A RU99115394 A RU 99115394A RU 2155412 C1 RU2155412 C1 RU 2155412C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
micropoint
thickness
metal
micropoints
graphite
Prior art date
Application number
RU99115394/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.В. Волков
В.Н. Инкин
А.А. Савельев
Г.Г. Кирпиленко
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Патинор Коутингс Лимитед"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Патинор Коутингс Лимитед" filed Critical Закрытое акционерное общество "Патинор Коутингс Лимитед"
Priority to RU99115394/09A priority Critical patent/RU2155412C1/en
Priority to PCT/RU2000/000253 priority patent/WO2001004925A1/en
Priority to AU57202/00A priority patent/AU5720200A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2155412C1 publication Critical patent/RU2155412C1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C09K11/7769—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
    • C09K11/572—Chalcogenides
    • C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/58—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing copper, silver or gold
    • C09K11/582—Chalcogenides
    • C09K11/584—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/641—Chalcogenides
    • C09K11/642—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18—Luminescent screens
    • H01J29/30—Luminescent screens with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots, in lines
    • H01J29/32—Luminescent screens with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots, in lines with adjacent dots or lines of different luminescent material, e.g. for colour television
    • H01J29/325—Luminescent screens with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots, in lines with adjacent dots or lines of different luminescent material, e.g. for colour television with adjacent lines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

FIELD: development of luminescent screens. SUBSTANCE: flat luminescent screen has backing, matrix of current-conducting elements in the form of lines and columns positioned in screen. Emitter is manufactured in the form of assemblage of micropeaks of conductive material placed across sections of crossing of lines and columns and having height h and diameter d. Each section of crossing of lines and columns is image cell housing at least one micropeak. Luminophor film carrying activating agents is chosen from group composed of ZnS with activating agent chosen from group made of Cu, Al, Ag, Mn or SrSrGa2S4 with activating agent Eu or ZnGd2O4 with activating agent Cy, ZnS, SrGa2S4 and ZnGd2O4 are color triad of luminophors. Anode coming in the form of current-conducting film produced from optically clear material is put on luminophor film with activating agents. Semiconductor film is placed on surface of emitter on vertexes of micropeaks and is designed to heat up electrons. Film thickness is not less than half-height of micropeak. Luminophor film with activating agents located on surface of semiconductor film has thickness determined by length of relaxation of maximum energy W max of hot electrons and contacts anode on its other side. Dielectric material is placed in regions between micropeaks. Distances between lines and columns lie in limits from diameter d of micropeak to height h of micropeak. Technical objective of invention is manufacture of flat luminescent screen in which semiconductor films are positioned on micropeaks of emitter surface to make it possible to raise resolving power of image, to increase its brightness, to decrease mass and thickness of screen, to simplify its design, to produce flexible, rolling up screen. EFFECT: simplified design, increased brightness, decreased mass and thickness of screen. 23 cl, 11 dwg

Description

Настоящее изобретение относится к технической физике, а более точно - к плоскому люминесцентному экрану, способу изготовления этого экрана, а также к способу получения изображения на указанном экране. The present invention relates to technical physics, and more specifically to a flat fluorescent screen, a method of manufacturing this screen, and also to a method of obtaining an image on the specified screen.

Изобретение может быть использовано в телевидении, компьютерной технике, а также в вычислительной технике для получения изображений на экране телевизора, компьютера, ноут-бука. The invention can be used in television, computer technology, as well as in computer technology for obtaining images on a television, computer, laptop-book.

Известен плоский люминесцентный экран (см., например, Ж.Луи и др. Appl. Phys. Lett., 1994 г, т.65, стр.2842), содержащий подложку, систему развертки изображения, автоэлектронный эмиттер в виде кремниевых микроострий, покрытых алмазным слоем для увеличения интенсивности эмиссии и слой люминофора, отделенный вакуумным промежутком от автоэлектронного эмиттера, а также оптически прозрачную пленку анода на поверхности люминофора. A flat luminescent screen is known (see, for example, J. Louis and others. Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, p. 2842) containing a substrate, an image scanning system, an electron emitter in the form of silicon micropoints coated a diamond layer to increase the emission intensity and a phosphor layer separated by a vacuum gap from the field emitter, as well as an optically transparent anode film on the phosphor surface.

Указанный экран имеет ряд недостатков. Экран размещен на поверхности стеклянной объемной колбы, которая вакуумируется. Микроострия имеют разные исходные размеры и эмиссионные характеристики и нестабильны в сильных электрических полях порядка 107 В/см за счет поверхностной электродиффузии, а также остаточного газа в колбе, что вызывает неоднородность и нестабильность тока эмиссии и, следовательно, нестабильной люминесценции на поверхности экрана. Указанный экран имеет большой вес, сложную конструкцию, не является гибким.The specified screen has several disadvantages. The screen is placed on the surface of a glass volumetric flask that is evacuated. Micro points have different initial sizes and emission characteristics and are unstable in strong electric fields of the order of 10 7 V / cm due to surface electrodiffusion, as well as residual gas in the bulb, which causes inhomogeneity and instability of the emission current and, therefore, unstable luminescence on the screen surface. The specified screen has a large weight, complex design, is not flexible.

Известен плоский люминесцентный экран, содержащий подложку, матрицу электропроводящих элементов в виде строк и столбцов, размещенную на подложке, эмиттер, выполненный в виде множества микроострий из электропроводящего материала, размещенных на пересечении строк и столбцов и имеющих высоту h и диаметр d, так что на каждом участке пересечения строк и столбцов, являющемся ячейкой изображения, размещено по меньшей мере одно микроострие, пленку люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn, или SrGa2S4 с активатором Eu, или ZnGd2O4 с активатором Ce, причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров, анод в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала, размещенный на пленке люминофора с активаторами (см., например, патент ЕР N 0609532, 1994 г).Known flat luminescent screen containing a substrate, a matrix of electrically conductive elements in the form of rows and columns, placed on the substrate, an emitter made in the form of many micro-tips of electrically conductive material located at the intersection of rows and columns and having a height h and a diameter d, so that each at the intersection of rows and columns, which is an image cell, at least one micropoint is placed, a phosphor film with activators selected from the group consisting of ZnS with an activator selected from the group, consisting of Cu, Al, Ag, Mn, or SrGa 2 S 4 with Eu activator, or ZnGd 2 O 4 with Ce activator, moreover, ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are the color triad of phosphors, the anode is in the form of an electrically conductive film from an optically transparent material placed on a phosphor film with activators (see, for example, patent EP N 0609532, 1994).

Указанный экран имеет ряд недостатков. Экран размещен на поверхности стеклянной объемной колбы, которая вакуумируется. Микроострия имеют открытую поверхность в остаточной атмосфере в области эмиссионного торца, а также локализацию в области этого торца сильного электрического поля. Это в совокупности обуславливает поверхностную электродиффузию и нестабильность во времени эмиссионных характеристик. Нестабильность тока эмиссии обуславливает нестабильность люминесценции на поверхности экрана. Кроме того, работа выхода графита не оптимальна для автоэлектронной (полевой) эмиссии. Указанный экран имеет большой вес, сложную конструкцию, не является гибким. The specified screen has several disadvantages. The screen is placed on the surface of a glass volumetric flask that is evacuated. Micro points have an open surface in the residual atmosphere in the region of the emission end face, as well as localization in the region of this end face of a strong electric field. This together leads to surface electrodiffusion and instability of emission characteristics over time. The instability of the emission current causes the instability of luminescence on the surface of the screen. In addition, the work function of graphite is not optimal for field emission. The specified screen has a large weight, complex design, is not flexible.

Известен способ получения изображений, заключающийся в том, что обеспечивают эмиссию электронов в области максимума локального усиления электрического поля на системе микроострий, осуществляют модуляцию туннельного тока видеосигналом, обеспечивают развертку и ускорение электронов в вакуумном промежутке и последующую люминесценцию (см., например, ЕР N 0476975, 1990). A known method of obtaining images, which consists in the fact that they provide emission of electrons in the region of maximum local electric field amplification on the micro-tip system, modulate the tunneling current with a video signal, provide scanning and acceleration of electrons in the vacuum gap and subsequent luminescence (see, for example, EP N 0476975 , 1990).

В указанном способе при подаче управляющих импульсов напряжения эмиссию, модуляцию и ускорение электронов осуществляют в остаточной атмосфере неконтролируемого химического состава. При этом не определены пределы осуществления процессов ускорения и люминесценции относительно максимума Eмакс. и минимума Eмин неоднородного электрического поля в системе микроострий. Получаемое изображение имеет низкую разрешающую способность плохие характеристики яркости, контрастности.In this method, when applying voltage control pulses, the emission, modulation and acceleration of electrons is carried out in a residual atmosphere of an uncontrolled chemical composition. In this case, the limits of the implementation of the processes of acceleration and luminescence with respect to the maximum E max. and the minimum E min of an inhomogeneous electric field in the micro-tip system. The resulting image has a low resolution, poor characteristics of brightness, contrast.

В основу настоящего изобретения поставлена задача создания плоского люминесцентного экрана, в котором размещение пленки полупроводника на поверхности эмиттера на вершинах микроострий позволит повысить разрешающую способность изображения, увеличить его яркость, уменьшить вес экрана и его толщину, упростить его конструкцию, а также получить гибкий и свертываемый экран. The basis of the present invention is the task of creating a flat luminescent screen in which the placement of a semiconductor film on the surface of the emitter at the tops of the micropoints will increase the resolution of the image, increase its brightness, reduce the weight of the screen and its thickness, simplify its design, as well as obtain a flexible and collapsible screen .

В основу настоящего изобретения поставлена задача создания способа изготовления плоского люминесцентного экрана, в котором размещение пленки полупроводника на поверхности эмиттера на вершинах микроострий и формирование эмиттера в виде множества микроострий позволит повысить разрешающую способность изображения, увеличить его яркость, уменьшить вес экрана и его толщину, упростить его конструкцию, а также получить гибкий и свертываемый экран. The basis of the present invention is the task of creating a method for manufacturing a flat luminescent screen, in which the placement of a semiconductor film on the surface of the emitter at the vertices of the micropoints and the formation of the emitter in the form of many micropoints will increase the resolution of the image, increase its brightness, reduce the weight of the screen and its thickness, simplify it design, and get a flexible and collapsible screen.

В основу настоящего изобретения поставлена задача создания способа получения изображения на плоском люминесцентном экране, в котором осуществление модуляции плотности тока электронов и выбор пространственного положения области ускорения электронов и люминесценции в неоднородном локально усиленном электрическом поле управляющих импульсов позволит повысить разрешающую способность изображения и увеличить его яркость. The basis of the present invention is the creation of a method for obtaining an image on a flat luminescent screen, in which the modulation of the electron current density and the choice of the spatial position of the electron acceleration and luminescence regions in a nonuniform locally amplified electric field of control pulses will increase the resolution of the image and increase its brightness.

Поставленная задача решается тем, что плоский люминесцентный экран, содержащий подложку, матрицу электропроводящих элементов в виде строк и столбцов, размещенную на подложке, эмиттер, выполненный в виде множества микроострий из электропроводящего материала, размещенных на участках пересечения строк и столбцов и имеющих высоту h и диаметр d, так что на каждом участке пересечения строк и столбцов, являющемся ячейкой изображения, размещено по меньшей мере одно микроострие, пленку люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn, или SrGa2S4 с активатором Eu, или ZnGd2O4 с активатором Ce, причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров, анод в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала, размещенный на пленке люминофора с активаторами, согласно изобретению содержит пленку полупроводника, размещенную на поверхности эмиттера на вершинах микроострий и предназначенную для разогрева электронов, толщина которой меньше половины высоты микроострия, при этом пленка люминофора с активаторами размещена на поверхности пленки полупроводника, имеет толщину, определяемую длиной релаксации максимальной энергии Wmax горячих электронов, и другой стороной контактирует с анодом, в областях между микроостриями размещен диэлектрический материал, при этом расстояние между строками и столбцами находится в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия.The problem is solved in that a flat luminescent screen containing a substrate, a matrix of electrically conductive elements in the form of rows and columns placed on the substrate, an emitter made in the form of a plurality of micropoints of electrically conductive material placed at the intersection of rows and columns and having a height h and a diameter d, so that at each intersection of rows and columns, which is the cell of the image, at least one micropoint is placed, a phosphor film with activators selected from the group consisting of and ZnS with an activator selected from the group consisting of Cu, Al, Ag, Mn, or SrGa 2 S 4 Eu activator or ZnGd 2 O 4 with an activator Ce, and ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are color a phosphor triad, an anode in the form of an electrically conductive film of an optically transparent material, placed on a phosphor film with activators, according to the invention contains a semiconductor film placed on the surface of the emitter at the tips of the micropoints and designed to heat electrons, the thickness of which is less than half the height of the micropoint, while the phosphor film with ak ivatorami placed on the surface of the semiconductor film has a thickness determined by the length of relaxation maximum power W max hot electrons, and the other side is in contact with the anode, in the areas between the microtips a dielectric material, wherein the distance between rows and columns is within the diameter d micropoint to height h micro point.

Целесообразно, чтобы диэлектрический материал между микроостриями был выбран из группы, состоящей из нитрида металла, оксида металла, алмаза, полимера. It is advisable that the dielectric material between the micro points is selected from the group consisting of metal nitride, metal oxide, diamond, polymer.

Полезно, чтобы микроострия были выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из графита и металла. It is useful that the micro tip is made of a material selected from the group consisting of graphite and metal.

Выгодно, чтобы соотношение h к d находилось в пределах от 1 до 1000. Advantageously, the ratio of h to d is in the range from 1 to 1000.

Целесообразно, чтобы диаметр острия определялся из соотношения

Figure 00000002

где e - заряд электрона, k - коэффициент усиления электрического поля на микроострие, Emin - величина электрического поля между эмиттером и анодом при отсутствии микроострий, равная величине электрического поля при отсутствии гашения люминесценции в пленке люминофора.It is advisable that the diameter of the tip is determined from the ratio
Figure 00000002

where e is the electron charge, k is the electric field gain at the micropoint, E min is the electric field between the emitter and the anode in the absence of micropoints, which is equal to the electric field in the absence of quenching of luminescence in the phosphor film.

Полезно, чтобы количество микроострий на одном участке пересечения находилось в пределах от одного до ста, причем расстояние между микроостриями находилось в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия. It is useful that the number of micropoints in one section of the intersection is in the range from one to one hundred, and the distance between the micropoints is in the range from the diameter d of the microcostile to the height h of the microcostile.

Выгодно, чтобы на торце каждого микроострия был размещен соответствующий диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is advantageous that a corresponding metal disk serving as a reflecting element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, is placed at the end of each micro-tip, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Полезно также, чтобы каждое микроострие представляло собой группу графитовых нанотрубок, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also useful that each micropoint is a group of graphite nanotubes located in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflective element less than the work function of graphite.

Целесообразно также, чтобы каждое микроострие представляло собой группу графитовых треков высокоэнергетичных ионов в алмазной пленке, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also advisable that each micropoint is a group of graphite tracks of high-energy ions in a diamond film placed in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, this work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Полезно также, чтобы каждое микроострие представляло собой одно графитовое микроострие, на торце которого расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also useful that each micropoint is a single graphite micropoint, at the end of which there is a disk made of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Выгодно также, чтобы каждое микроострие представляло собой металлическое микроострие, торец которого служит отражающим элементом. It is also advantageous for each micropoint to be a metal micropoint, the end of which serves as a reflective element.

Поставленная задача решается также тем, что в способе изготовления плоского люминесцентного экрана, заключающемся в том, что формируют на подложке матрицу электропроводящих элементов в виде строк и столбцов, на участке пересечения строк и столбцов матрицы формируют эмиттер в виде множества микроострий из электропроводящего материала, имеющих высоту h и диаметр d, так что на каждом участке пересечения строк и столбцов, являющемся ячейкой изображения, сформировано по меньшей мере одно микроострие, наносят пленку люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn, или SrGa2S4 с активатором Eu, или ZnGd2O4 с активатором Ce, причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров, наносят на пленку люминофора с активаторами анод в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала, согласно изобретению на поверхность эмиттера на вершинах микроострий конденсируют пленку полупроводника, предназначенную для разогрева электронов в электрическом поле, толщина которой меньше половины высоты микроострия, при этом пленку люминофора с активаторами конденсируют на поверхности пленки полупроводника толщиной, определяемой длиной релаксации максимальной энергии Wmax горячих электронов, в областях между микроостриями размещают диэлектрический материал, при формировании матрицы расстояние между строками и столбцами устанавливают в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия.The problem is also solved by the fact that in the method of manufacturing a flat luminescent screen, which consists in forming a matrix of electrically conductive elements in the form of rows and columns, at the intersection of rows and columns of the matrix, an emitter is formed in the form of a plurality of micropoints of electrically conductive material having a height h and diameter d, so that at each intersection of rows and columns, which is the image cell, at least one micropoint is formed, a phosphor film with activators is applied selected from the group consisting of ZnS with an activator selected from the group consisting of Cu, Al, Ag, Mn, or SrGa 2 S 4 with an Eu activator, or ZnGd 2 O 4 with a Ce activator, wherein ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are the color triad of phosphors, deposited on a phosphor film with activators anode in the form of an electrically conductive film of an optically transparent material, according to the invention, a semiconductor film intended for heating electrons in an electric field with a thickness of less than half is condensed on the surface of the emitter at the tips of the micropoints mick heights roostria, while the phosphor film with activators is condensed on the surface of the semiconductor film with a thickness determined by the relaxation length of the maximum energy W max of hot electrons, dielectric material is placed in the regions between the micropoints, when the matrix is formed, the distance between the rows and columns is set in the range from the diameter d of the micropoint to the height h micro point.

Целесообразно, чтобы диэлектрический материал между микроостриями был выбран из группы, состоящей из нитрида металла, оксида металла, алмаза, полимера. It is advisable that the dielectric material between the micro points is selected from the group consisting of metal nitride, metal oxide, diamond, polymer.

Полезно, чтобы микроострия выполняли из материала, выбранного из группы, состоящей из графита и металла. It is useful that the micro-tip is made of a material selected from the group consisting of graphite and metal.

Выгодно, чтобы соотношение h к d устанавливали в пределах от 1 до 1000. Advantageously, the ratio of h to d is set in the range from 1 to 1000.

Полезно также, чтобы диаметр d микрооcтpия определяли из соотношения

Figure 00000003

где e - заряд электрона, k - коэффициент усиления электрического поля на микроострие, Emin - величина электрического поля между эмиттером и анодом при отсутствии, микроострий, равная величине электрического поля при отсутствии гашения люминесценции в пленке люминофора.It is also useful that the diameter d of the microscope is determined from the ratio
Figure 00000003

where e is the electron charge, k is the gain of the electric field at the micropoint, E min is the magnitude of the electric field between the emitter and the anode in the absence, the micropoint is equal to the magnitude of the electric field in the absence of quenching of the luminescence in the phosphor film.

Выгодно также, чтобы количество микроострий на одном участке пересечения устанавливали в пределах от одного до ста, причем расстояние между микроостриями устанавливают в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия. It is also beneficial that the number of micropoints in one intersection is set in the range from one to one hundred, and the distance between the microcosts is set in the range from the diameter d of the microcostile to the height h of the microcostile.

Целесообразно также, чтобы на торце каждого микроострия размещали соответствующий диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also advisable that an appropriate metal disk serving as a reflecting element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, is placed at the end of each micro-tip, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Полезно также, чтобы каждое микроострие выполняли в виде группы графитовых нанотрубок, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also useful that each micropoint is made in the form of a group of graphite nanotubes located in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflective element less than the work function of graphite.

Выгодно также, чтобы каждое микроострие выполняли в виде группы графитовых треков высокоэнергетичных ионов в алмазной пленке, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also advantageous for each micropoint to be made in the form of a group of graphite tracks of high-energy ions in a diamond film placed in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Полезно также, чтобы каждое микроострие выполняли в виде графитового микроострия, на торце которого расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. It is also useful that each micropoint is made in the form of a graphite micropoint, at the end of which there is a disk of metal serving as a reflecting element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Выгодно также, чтобы каждое микроострие выполняли в виде металлического микроострия, торец которого служит отражающим элементом. It is also advantageous for each micropoint to be made in the form of a metal micropoint, the end of which serves as a reflective element.

Поставленная задача решается также тем, что в способе получения изображения на плоском люминесцентном экране, заключающемся в том, что прикладывают посредством матричной адресации по поверхности экрана управляющие импульсы напряжения к аноду в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала и к эмиттеру, выполненному в виде множества микроострий из электропроводящего материала, имеющих высоту h и диаметр d, при этом формируют пространственное неоднородное электрическое поле на множестве микроострий эмиттера, имеющее локальный максимум Eмакс. = к Eмин. в области торцев указанного множества микроострий, посредством этого возбуждают туннельную эмиссию электронов с торцев микроострий эмиттера, электрически связанного с матрицей, модулируют плотность тока электронов в заданном диапазоне, затем ускоряют полученный промодулированный поток электронов и посредством этого потока возбуждают люминесценцию в пленке люминофора, получают изображение на плоском экране в виде модулированной по интенсивности люминесценции из пленки люминофора, согласно изобретению величину импульса напряжения для ускорения электронов выбирают в диапазоне от величины, равной величине напряжения разогрева электронов электрическим полем в пленке полупроводника, до величины напряжения пробоя пленки полупроводника и осуществляют в пределах до половины высоты микроострия, а модуляцию плотности тока электронов осуществляют величиной импульса напряжения ускорения электронов в указанном диапазоне, при этом толщина создаваемого слоя объемного заряда электронов в пленке полупроводника превышает толщину пленки полупроводника, возбуждение люминесценции горячими электронами с модулированной плотностью тока электронов осуществляют при отсутствии гашения люминесценции электрическим полем управляющих импульсов напряжения, формируемым в области микроострия в области минимума электрического поля.The problem is also solved by the fact that in the method of acquiring an image on a flat luminescent screen, which consists in applying control pulses of voltage to the anode in the form of an electrically conductive film of optically transparent material and to an emitter made in the form of many micro tips by means of matrix addressing on the screen surface from an electrically conductive material having a height h and a diameter d, a spatial inhomogeneous electric field is formed on a plurality of emitter micropoints having local maximum E max. = to E min. in the region of the ends of the specified set of micropoints, by means of this, tunnel emission of electrons from the ends of the micropoints of the emitter electrically coupled to the matrix is excited, the electron current density is modulated in a given range, then the resulting modulated electron stream is accelerated, and through this stream, luminescence is excited in the phosphor film, and the image is a flat screen in the form of luminescence intensity modulated from a phosphor film, according to the invention, a voltage pulse value to accelerate electrons, choose a range from a value equal to the voltage of electron heating by an electric field in a semiconductor film to a breakdown voltage of a semiconductor film and are carried out up to half the height of the micropoint, and the electron current density is modulated by the magnitude of the electron acceleration voltage pulse in the specified range, the thickness of the created layer of space charge of electrons in the semiconductor film exceeds the thickness of the semiconductor film, excitation Scenarios by hot electrons with a modulated electron current density are carried out in the absence of damping of luminescence by the electric field of the control voltage pulses generated in the region of the micro-tip in the region of the minimum electric field.

В дальнейшем изобретение поясняется описанием предпочтительных вариантов его воплощения со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
Фиг. 1 изображает плоский люминесцентный экран (поперечный разрез) согласно изобретению;
Фиг. 2 - строки и столбца матрицы с микроостриями (вид сверху) согласно изобретению;
Фиг.3 - диаграмма цветностей x, y системы МКО (Международная Комиссия по Освещению) XYZ, причем X, Y, Z являются нереальными цветами, выбранными так, что кривые сложения этой системы не имеют отрицательных участков, а координата у определяет яркость наблюдаемого окрашенного объекта, согласно изобретению;
Фиг. 4 - размещение микроострий на участке перечения строк и столбцов, согласно изобретению;
Фиг. 5 - микроострие, выполненное в виде группы графитовых нанотрубок, согласно изобретению;
Фиг. 6 - микроострие, выполненное в виде графитовых треков высокооэнергетичных ионов, согласно изобретению;
Фиг.7 - микроострие, выполненное из графита, согласно изобретению;
Фиг. 8 - микроострие, выполненное из металла, согласно изобретению;
Фиг. 9 - диаграмма распределения напряженности электрического поля управляющих импульсов напряжения, согласно изобретению;
Фиг. 10 - диаграмма зависимости коэффициента k усиления электрического поля на одном микроострие эмиттера в зависимости от соотношения высоты микроострия и его диаметра, согласно изобретению;
Фиг. 11 - диаграммы зависимости коэффициента k усиления электрического поля на множестве микроострий эмиттера в зависимости от отношения расстояния x от торцев микроострий к их высоте h при четырех значениях отношения расстояния L3 между микроостриями в ячейке изображения к диаметру d микроострия, согласно изобретению.The invention is further explained in the description of the preferred embodiments with reference to the accompanying drawings, in which:
FIG. 1 depicts a flat fluorescent screen (cross section) according to the invention;
FIG. 2 - rows and columns of a matrix with micro-tips (top view) according to the invention;
Figure 3 is a color chart x, y of the CIE system (International Commission on Lighting) XYZ, wherein X, Y, Z are unrealistic colors chosen so that the addition curves of this system do not have negative sections, and the coordinate y determines the brightness of the observed colored object according to the invention;
FIG. 4 - placement of micro-tips on the section of the row and column, according to the invention;
FIG. 5 is a micropoint made in the form of a group of graphite nanotubes according to the invention;
FIG. 6 is a micropoint made in the form of graphite tracks of high-energy ions, according to the invention;
7 is a micropoint made of graphite, according to the invention;
FIG. 8 is a micropoint made of metal according to the invention;
FIG. 9 is a diagram of the distribution of the electric field intensity of the control voltage pulses according to the invention;
FIG. 10 is a diagram of the dependence of the coefficient k of electric field amplification on one emitter micropoint, depending on the ratio of the height of the micropoint and its diameter, according to the invention;
FIG. 11 is a diagram of the dependence of the electric field amplification coefficient k on a plurality of emitter micro-tips depending on the ratio of the distance x from the ends of the micro-tips to their height h for four values of the ratio of the distance L3 between the micro-tips in the image cell to the diameter d of the micro-tip according to the invention.

Плоский люминесцентный экран содержит подложку 1 (фиг. 1), на которой размещена матрица 2 электропроводящих элементов в виде строк 3 (фиг.2) и столбцов 4. A flat luminescent screen contains a substrate 1 (Fig. 1), on which a matrix 2 of electrically conductive elements is placed in the form of rows 3 (Fig. 2) and columns 4.

Экран содержит также эмиттер 5 (фиг. 1), выполненный в виде множества микроострий 6 из электропроводящего материала, размещенных на участках 7 (фиг.2) пересечения строк 3 и столбцов 4 и имеющих высоту h (фиг. 1) и диаметр d, так что на каждом участке 7 пересечения строк и столбцов, являющемся ячейкой 8 изображения, размещено по меньшей мере одно микроострие 6. The screen also contains an emitter 5 (Fig. 1), made in the form of a plurality of micropoints 6 of electrically conductive material located at sections 7 (Fig. 2) of the intersection of rows 3 and columns 4 and having a height h (Fig. 1) and a diameter d, so that at each section 7 of the intersection of rows and columns, which is the cell 8 of the image, at least one micropoint 6 is placed.

В областях между микроостриями 6 размещен диэлектрический материал 9, который выбран из группы, состоящей из нитрида металла, оксида металла, алмаза, полимера. In the regions between the micropoints 6, a dielectric material 9 is placed, which is selected from the group consisting of metal nitride, metal oxide, diamond, polymer.

На поверхности эмиттера 5 на вершинах микроострий 6 размещена пленка 10 полупроводника, предназначенная для разогрева электронов, толщина L1 которой меньше половины высоты микроострий 6. On the surface of the emitter 5 at the tops of the micropoints 6, a semiconductor film 10 is arranged for heating electrons, the thickness L1 of which is less than half the height of the micropoints 6.

Экран содержит пленку 11 люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn, или SrGa2S4 с активатором Eu, или ZnGd2O4 с активатором Ce, причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров (фиг.3).The screen contains a phosphor film 11 with activators selected from the group consisting of ZnS with an activator selected from the group consisting of Cu, Al, Ag, Mn, or SrGa 2 S 4 with Eu activator, or ZnGd 2 O 4 with Ce activator, moreover, ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are the color triad of phosphors (figure 3).

На фиг. 3 показана диаграмма цветностей x, y системы МКО (Международная Комиссия по Освещению) XYZ, причем X, Y, Z являются нереальными цветами, выбранными так, что кривые сложения этой системы не имеют отрицательных участков, а координата у характеризует яркость наблюдаемого окрашенного объекта. Пленка полупроводника имеет максимальные величины τ, μτ, Eпроб в области разогрева электронов электрическим полем, например, ZnS со связью Фрелиха, где τ - время релаксации энергии электронов в пленке полупроводника, μ - подвижность электронов, Eпроб - электрическое поле пробоя пленки полупроводника.In FIG. Figure 3 shows the x, y color chart of the CIE (International Commission on Lighting) XYZ system, whereby X, Y, Z are unrealistic colors chosen so that the addition curves of this system have no negative sections, and the coordinate y characterizes the brightness of the observed colored object. The semiconductor film has the maximum values of τ, μτ, E samples in the region of electron heating by an electric field, for example, ZnS with the Fröhlich bond, where τ is the relaxation time of electron energy in the semiconductor film, μ is the electron mobility, E samples is the electric field of the breakdown of the semiconductor film.

При этом пленка 11 люминофора с активаторами размещена на поверхности пленки 10 полупроводника, имеет толщину L2, определяемую длиной релаксации энергии горячих электронов. In this case, the phosphor film 11 with activators is placed on the surface of the semiconductor film 10, has a thickness L2 determined by the relaxation length of the energy of hot electrons.

На пленке 11 люминофора с активаторами размещен анод 12 в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала. An anode 12 is placed on the phosphor film 11 with activators in the form of an electrically conductive film of an optically transparent material.

Расстояние между строками 3 (фиг.2) и столбцами 4 находится в пределах от диаметра d микроострия 6 до высоты h микроострия. The distance between rows 3 (FIG. 2) and columns 4 is in the range from the diameter d of the micro-tip 6 to the height h of the micro-tip.

Микроострия 6 могут быть выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из графита и металла, при этом в описываемом варианте микроострия 6 выполнены из графита. The micro tip 6 can be made of a material selected from the group consisting of graphite and metal, while in the described embodiment, the micro tip 6 is made of graphite.

Соотношение h к d в общем случае находится в пределах от 1 до 1000, в описываемом варианте соотношение равно 100. The ratio of h to d in the General case is in the range from 1 to 1000, in the described embodiment, the ratio is 100.

Оптимальное отношение h к d, т.е. коэффициент k микроострия определяется из уравнения

Figure 00000004

где β - приблизительно равно 0,5, Eпроб - напряженность электрического поля пленки полупроводника, Eлюм - величина электрического поля при отсутствии гашения электрическим полем люминесценции пленки люминофора.The optimal ratio of h to d, i.e. the coefficient k of the micropoint is determined from the equation
Figure 00000004

where β is approximately equal to 0.5, E probes is the electric field strength of the semiconductor film, E lum is the magnitude of the electric field in the absence of quenching of the luminescence film by the electric field.

Диаметр острия определяется из соотношения

Figure 00000005

где Wmax - максимальная энергия горячих электронов в пленке полупроводника, e - заряд электрона, k - коэффициент усиления электрического поля на микроострие 6, Emin - величина электрического поля между эмиттером 5 и анодом 12 при отсутствии микроострий 6, равная величине электрического поля при отсутствии гашения люминесценции в пленке люминофора.The diameter of the tip is determined from the ratio
Figure 00000005

where W max is the maximum energy of hot electrons in the semiconductor film, e is the electron charge, k is the electric field gain at the micropoint 6, E min is the magnitude of the electric field between emitter 5 and anode 12 in the absence of micropoints 6, equal to the magnitude of the electric field in the absence quenching of luminescence in a phosphor film.

Количество микроострий 6 (фиг.4) на одном участке 7 пересечения находится в пределах от одного до ста (на фиг.4 для удобства показано только шестнадцать микроострий). Расстояние L3 между микроостриями 6 находится в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия 6. The number of micropoints 6 (FIG. 4) in one section 7 of the intersection ranges from one to one hundred (in FIG. 4, only sixteen microcosts are shown for convenience). The distance L3 between the micropoints 6 is in the range from the diameter d of the micropoint to the height h of the micropoint 6.

На торце 13 (фиг. 1) каждого микроострия 6 размещен соответствующий диск 14 из металла, служащего отражающим элементом, толщина L4 которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне. At the end 13 (Fig. 1) of each micropoint 6, a corresponding metal disk 14 is placed, which serves as a reflecting element, the thickness L4 of which exceeds the thickness of the metal skin layer in the visible range.

Каждое микроострие 6 (фиг.5) представляет собой группу графитовых нанотрубок 15, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск 14 из металла, служащего отражающим элементом, толщина L4 которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. Each micropoint 6 (Fig. 5) is a group of graphite nanotubes 15 located in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk 14 of metal serving as a reflective element, the thickness L4 of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, this work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Возможен другой вариант выполнения, когда каждое микроострие 6 (фиг.6) представляет собой группу графитовых треков 16 высокоэнергетичных ионов в алмазной пленке, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск 14 из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. Another embodiment is possible when each micropoint 6 (Fig. 6) is a group of graphite tracks 16 high-energy ions in a diamond film placed in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk 14 made of metal, which serves as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite.

Возможен еще один вариант выполнения, когда каждое микроострие 6 (фиг.7) представляет собой одно графитовое микроострие, на торце которого расположен диск 14 из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. Another embodiment is possible when each micropoint 6 (Fig. 7) is a single graphite micropoint, at the end of which there is a disk 14 of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function reflective element less than the work function of graphite.

Возможен также еще один вариант выполнения, когда каждое микроострие 6 (фиг. 8) представляет собой металлическое микроострие, торец 13 которого служит отражающим элементом. Another embodiment is also possible when each micropoint 6 (Fig. 8) is a metal micropoint, the end 13 of which serves as a reflective element.

Способ изготовления плоского люминесцентного экрана осуществляется следующим образом. A method of manufacturing a flat luminescent screen is as follows.

Формируют на подложке 1 (фиг. 1) матрицу 2 электропроводящих элементов в виде строк и столбцов,
На участке 7 пересечении строк 3 и столбцов 4 матрицы 2 формируют эмиттер 5 в виде множества микроострий 6 из электропроводящего материала, имеющих высоту h и диаметр d. При этом на каждом участке 7 пересечения строк 3 и столбцов 4, являющемся ячейкой 8 изображения, формируется по меньшей мере одно микроострие 6.Form on a substrate 1 (Fig. 1) a matrix 2 of electrically conductive elements in the form of rows and columns,
At section 7, the intersection of rows 3 and columns 4 of matrix 2 forms an emitter 5 in the form of a plurality of micro tips 6 of electrically conductive material having a height h and a diameter d. At the same time, at each section 7 of the intersection of rows 3 and columns 4, which is the cell 8 of the image, at least one micropoint 6 is formed.

В областях между микроостриями размещают диэлектрический материал 9. Диэлектрический материал между микроостриями выбирают из группы, состоящей из нитрида металла, оксида металла, алмаза, полимера. A dielectric material 9 is placed in the regions between the micro points. The dielectric material between the micro points is selected from the group consisting of metal nitride, metal oxide, diamond, polymer.

При формировании матрицы 2 расстояние между строками 3 и столбцами 4 устанавливают в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия. When forming the matrix 2, the distance between the rows 3 and columns 4 is set in the range from the diameter d of the micro tip to the height h of the micro tip.

Микроострия 6 выполняют из материала, выбранного из группы, состоящей из графита и металла. В описываемом варианте микроострия выполняют из графита. Соотношение h к d устанавливают в пределах от 1 до 1000. Micropoint 6 is made of a material selected from the group consisting of graphite and metal. In the described embodiment, the micro-tip is made of graphite. The ratio of h to d is set in the range from 1 to 1000.

В случае выполнения микроострия 6 из графита на торце 13 каждого микроострия размещают соответствующий диск 14 из металла, служащего отражающим элементом, толщина L4 которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне. In the case of making a micro tip 6 of graphite, at the end 13 of each micro tip there is a corresponding metal disk 14, which serves as a reflecting element, the thickness L4 of which exceeds the thickness of the metal skin layer in the visible range.

На поверхность эмиттера 5 на вершинах микроострий 6 конденсируют пленку 10 полупроводника, предназначенную для разогрева электронов в электрическом поле, толщина L1 которой меньше половины высоты микроострия 6. On the surface of the emitter 5 at the vertices of the micropoints 6, a semiconductor film 10 is condensed for heating electrons in an electric field, the thickness L1 of which is less than half the height of the micropoint 6.

На пленку 10 полупроводника наносят пленку 11 люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn, или SrGa2S4 с активатором Eu, или ZnGd2O4 с активатором Ce, причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров. При этом пленку 11 люминофора с активаторами конденсируют на поверхности пленки 10 полупроводника толщиной L2, определяемой длиной релаксации максимальной энергии Wмакс. горячих электронов.A phosphor film 11 is applied to the semiconductor film 10 with activators selected from the group consisting of ZnS with an activator selected from the group consisting of Cu, Al, Ag, Mn, or SrGa 2 S 4 with Eu activator, or ZnGd 2 O 4 s activator Ce, and ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are the color triad of phosphors. In this case, the phosphor film 11 with activators is condensed on the surface of the semiconductor film 10 with a thickness L2 determined by the relaxation length of the maximum energy W max. hot electrons.

Наносят на пленку 11 люминофора с активаторами анод 12 в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала, при этом пленку люминофора с активаторами конденсируют на поверхности пленки полупроводника толщиной, определяемой длиной релаксации энергии горячих электронов. A phosphor film 11 with activators anode 12 is applied in the form of an electrically conductive film of an optically transparent material, while the phosphor film with activators is condensed on the surface of the semiconductor film with a thickness determined by the relaxation length of the energy of hot electrons.

Способ получения изображения на плоском люминесцентном экране осуществляется следующим образом. The method of obtaining images on a flat fluorescent screen is as follows.

Прикладывают посредством матричной адресации по поверхности экрана управляющие импульсы напряжения к аноду 12 в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала и к эмиттеру 5, выполненному в виде множества микроострий 6 из электропроводящего материала и имеющих высоту h и диаметр d. Apply by means of matrix addressing on the surface of the screen control voltage pulses to the anode 12 in the form of an electrically conductive film of optically transparent material and to the emitter 5, made in the form of many micro-tips 6 of the electrically conductive material and having a height h and a diameter d.

При этом формируют пространственное неоднородное электрическое поле E (фиг. 9) на множестве микроострий 6 эмиттера 5, имеющее локальный максимум Eмакс. напряженности в области торцев 13 указанного множества микроострий 6 и Eмин. за пределами торцев 13. На фиг.9 по оси ординат отложена напряженность электрического поля управляющего импульса напряжения, а по оси абсцисс - толщина люминесцентного экрана.In this case, a spatial inhomogeneous electric field E is formed (Fig. 9) on the set of micropoints 6 of the emitter 5, having a local maximum E max. tension in the region of the ends 13 of the specified set of micro-tips 6 and E min. outside the ends 13. In Fig. 9, the ordinate axis shows the electric field of the control voltage pulse, and the abscissa shows the thickness of the luminescent screen.

Локальный максимум напряженности электрического поля определяется выражением Emax = k Emin, где k - коэффициент усиления электрического поля на микроострие (фиг. 10). На фиг. 10 по оси ординат отложен логарифм коэффициента усиления, а по оси абсцисс логарифм отношение высоты микроострия к его диаметру.The local maximum of the electric field is determined by the expression E max = k E min , where k is the gain of the electric field at the micropoint (Fig. 10). In FIG. 10, the logarithm of the gain is plotted on the ordinate axis, and the ratio of the height of the micro-tip to its diameter on the abscissa is the logarithm.

Посредством этого возбуждают туннельную эмиссию электронов с торцев 13 микроострий 6 эмиттера 5, электрически связанного с матрицей 2. By this means, tunnel emission of electrons from the ends 13 of the micropoints 6 of the emitter 5, electrically connected to the matrix 2, is excited.

Модулируют плотность тока электронов в заданном диапазоне. Затем ускоряют полученный промодулированный поток электронов и посредством этого потока возбуждают люминесценцию в пленке 11 люминофора. Modulate the electron current density in a given range. Then, the obtained modulated electron stream is accelerated, and luminescence in the phosphor film 11 is excited by this stream.

Величину импульса напряжения для ускорения электронов выбирают в диапазоне от величины, равной величине напряжения разогрева электронов электрическим полем в пленке 10 полупроводника, до величины напряжения пробоя пленки 10 полупроводника и осуществляют в пределах до половины высоты микроострия или, другими словами, в области локального максимума Eмакс. напряженности электрического поля управляющих импульсов напряжения.The magnitude of the voltage pulse for accelerating electrons is selected in the range from the value equal to the magnitude of the voltage of heating the electrons by the electric field in the semiconductor film 10 to the breakdown voltage of the semiconductor film 10 and is carried out up to half the height of the micropoint or, in other words, in the region of the local maximum E max . electric field intensity of the control voltage pulses.

Модуляцию плотности тока электронов осуществляют величиной импульса напряжения ускорения электронов в указанном диапазоне от величины, равной величине напряжения разогрева электронов в пленке 10 полупроводника, до величины напряжения пробоя пленки 10 полупроводника. При этом толщина создаваемого слоя объемного заряда электронов в пленке 10 полупроводника превышает толщину пленки полупроводника. The electron current density is modulated by the magnitude of the electron acceleration voltage pulse in the specified range from a value equal to the electron heating voltage in the semiconductor film 10 to the breakdown voltage of the semiconductor film 10. The thickness of the created layer of space charge of electrons in the film 10 of the semiconductor exceeds the thickness of the film of the semiconductor.

Возбуждение люминесценции горячими электронами с модулированной плотностью тока электронов осуществляют при отсутствии гашения люминесценции электрическим полем управляющих импульсов напряжения, формируемым в области Eмин..Luminescence is excited by hot electrons with a modulated electron current density in the absence of damping of luminescence by an electric field of voltage control pulses generated in the region of E min. .

Получают изображение на плоском экране в виде модулированной по интенсивности люминесценции h ν (фиг.9) из пленки люминофора. An image is obtained on a flat screen in the form of l uminescence intensity modulated by h ν (Fig. 9) from a phosphor film.

Claims (22)

1. Плоский люминесцентный экран, содержащий подложку, матрицу электропроводящих элементов в виде строк и столбцов, размещенную на подложке, эмиттер, выполненный в виде множества микроострий из электропроводящего материала, размещенных на участках пересечения строк и столбцов и имеющих высоту h и диаметр d, так что на каждом участке пересечения строк и столбцов, являющемся ячейкой изображения, размещено по меньшей мере одно микроострие, пленку люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn или SrGa2S4 c активатором EU, или ZnGd2O4 с активатором Ce причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров, анод в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала, размещенный на пленке люминофора с активаторами, отличающийся тем, что содержит пленку полупроводника, размещенную на поверхности эмиттера на вершинах микроострий и предназначенную для разогрева электронов, толщина которой меньше половины высоты микроострия, при этом пленка люминофора с активаторами размещена на поверхности пленки полупроводника, имеет толщину, определяемую длиной релаксации максимальной энергии Wmax горячих электронов, и другой стороной контактирует с анодом, в областях между микроостриями размещен диэлектрический материал, при этом расстояние между строками и столбцами находится в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия.1. A flat luminescent screen containing a substrate, a matrix of electrically conductive elements in the form of rows and columns placed on the substrate, an emitter made in the form of a plurality of micropoints of electrically conductive material located at the intersections of rows and columns and having a height h and a diameter d, so that at each intersection of rows and columns, which is an image cell, at least one micropoint is placed, a phosphor film with activators selected from the group consisting of ZnS with an activator selected from the groups s, consisting of Cu, Al, Ag, Mn or SrGa 2 S 4 with an EU activator, or ZnGd 2 O 4 with a Ce activator, and ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are the color triad of phosphors, the anode is in the form of an electrically conductive film of an optically transparent material, placed on a phosphor film with activators, characterized in that it contains a semiconductor film placed on the surface of the emitter at the tips of the micropoints and intended for heating electrons, the thickness of which is less than half the height of the micropoint, while the phosphor film with activators is placed on the surface Enki semiconductor has a thickness determined by the length of relaxation maximum power W max hot electrons, and the other side is in contact with the anode, in the areas between the microtips a dielectric material, wherein the distance between rows and columns is within the diameter d micropoint to a height h microtip. 2. Плоский люминесцентный экран по п.1, отличающийся тем, что диэлектрический материал между микроостриями выбран из группы, состоящий из нитрида металла, оксида металла, алмаза, полимера. 2. The flat luminescent screen according to claim 1, characterized in that the dielectric material between the micropoints is selected from the group consisting of metal nitride, metal oxide, diamond, polymer. 3. Плоский люминесцентный экран по п.1, отличающийся тем, что микроострия выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из графита и металла. 3. The flat luminescent screen according to claim 1, characterized in that the micro-tip is made of a material selected from the group consisting of graphite and metal. 4. Плоский люминесцентный экран по п.1, отличающийся тем, что соотношение h к d находится в пределах от 1 до 1000. 4. The flat luminescent screen according to claim 1, characterized in that the ratio of h to d is in the range from 1 to 1000. 5. Плоский люминесцентный экран по п.1, отличающийся тем, что диаметр микроострия определяется из соотношения
Figure 00000006

где е - заряд электрона, k - коэффициент электрического поля на микроострие, Emin - величина электрического поля между эмиттером и анодом при отсутствии микроострий, равная величине электрического поля при отсутствии гашения люминесценции в пленке люминофора.5. The flat luminescent screen according to claim 1, characterized in that the diameter of the micro-tip is determined from the ratio
Figure 00000006

where e is the electron charge, k is the electric field coefficient at the micropoint, E min is the magnitude of the electric field between the emitter and the anode in the absence of micropoints, equal to the electric field in the absence of quenching of luminescence in the phosphor film. 6. Плоский люминесцентный экран по п.1, отличающийся тем, что количество микроострий на одном участке пересечения находится в пределах от одного до ста, причем расстояние между микроостриями находится в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия. 6. The flat luminescent screen according to claim 1, characterized in that the number of micropoints at one intersection is in the range from one to one hundred, and the distance between the micropoints is in the range from the diameter d of the micropoint to the height h of the micropoint. 7. Плоский люминесцентный экран по п.1, отличающийся тем, что на торце каждого микроострия размещен соответствующий диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 7. The flat luminescent screen according to claim 1, characterized in that at the end of each micropoint there is a corresponding metal disk serving as a reflecting element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work graphite output. 8. Плоский люминесцентный экран по п.3, отличающийся тем, что каждое микроострие представляет собой группу графитовых нанотрубок, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 8. The flat luminescent screen according to claim 3, characterized in that each micropoint is a group of graphite nanotubes placed in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite. 9. Плоский люминесцентный экран по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что каждое микроострие представляет собой группу графитовых треков высокоэнергетичных ионов в алмазной пленке, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах которых расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 9. A flat luminescent screen according to any one of claims 2 and 3, characterized in that each micropoint is a group of graphite tracks of high-energy ions in a diamond film placed in close proximity to each other, at the ends of which there is a disk of metal serving as a reflective element the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite. 10. Плоский люминесцентный экран по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что каждое микроострие представляет собой одно графитовое микроострие, на торце которого расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину син-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 10. A flat luminescent screen according to any one of claims 2 and 3, characterized in that each micropoint is a single graphite micropoint, at the end of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the metal syn-layer in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite. 11. Плоский люминесцентный экран по любому из пп.2 и 3, отличающийся тем, что каждое микроострие представляет собой металлическое микроострие, торец которого служит отражающим элементом. 11. A flat luminescent screen according to any one of claims 2 and 3, characterized in that each micropoint is a metal micropoint, the end of which serves as a reflective element. 12. Способ изготовления плоского люминесцентного экрана, заключающийся в том, что формируют на подложке матрицу электропроводящих элементов в виде строк и столбцов, на участке пересечения строк и столбцов матрицы формируют эмиттер в виде множества микроострий из электропроводящего материала, имеющих высоту h и диаметр d, так что на каждом участке пересечения строк и столбцов, являющимся ячейкой изображения, сформировано по меньшей мере одно микроострие, наносят пленку люминофора с активаторами, выбранными из группы, состоящей из ZnS с активатором, выбранным из группы, состоящей из Cu, Al, Ag, Mn или SrGa2S4 с активатором Eu, или ZnGd2O4 с активатором Се, причем ZnS, SrGa2S4 и ZnGd2O4 являются цветовой триадой люминофоров, наносят на пленку люминофора с активаторами анод в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала, отличающийся тем, что на поверхность эмиттера на вершинах микроострий конденсируют пленку полупроводника, предназначенную для разогрева электронов в электрическом поле, толщина которой меньше половины высоты микроострия, при этом пленку люминофора с активаторами конденсируют на поверхности пленки полупроводника толщиной, определяемой длиной релаксации максимальной энергии Wmax горячих электронов, в областях между микроостриями размещают диэлектрический материал, при формировании матрицы расстояние между строками и столбцами устанавливают в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия.12. A method of manufacturing a flat luminescent screen, which consists in forming a matrix of electrically conductive elements in the form of rows and columns, at the intersection of rows and columns of the matrix, an emitter is formed in the form of a plurality of micropoints of electrically conductive material having a height h and a diameter d, so that at each intersection of rows and columns, which is the image cell, at least one micropoint is formed, a phosphor film with activators selected from the group consisting of ZnS with active Ator, selected from the group consisting of Cu, Al, Ag, Mn, or SrGa 2 S 4 Eu activator or ZnGd 2 O 4 with an activator Ce, and ZnS, SrGa 2 S 4 and ZnGd 2 O 4 are color triad of phosphors, applied to a phosphor film with activators an anode in the form of an electrically conductive film of optically transparent material, characterized in that a semiconductor film is condensed on the surface of the emitter at the tips of the micropoints, designed to heat electrons in an electric field, the thickness of which is less than half the height of the micropoint, while the phosphor film with assets the atoms are condensed on the surface of the semiconductor film with a thickness determined by the relaxation length of the maximum energy W max of hot electrons, dielectric material is placed in the regions between the micro-points, when the matrix is formed, the distance between the rows and columns is set from the diameter of the micro-point to the height h of the micro-point. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что диэлектрический материал между микроостриями выбирают из группы, состоящей из нитрида металла, оксида металла, алмаза, полимера. 13. The method according to p. 12, characterized in that the dielectric material between the micropoints is selected from the group consisting of metal nitride, metal oxide, diamond, polymer. 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что диэлектрический материал между микроостриями выбирают из группы, состоящей из графита и металла. 14. The method according to p. 12, characterized in that the dielectric material between the micropoints is selected from the group consisting of graphite and metal. 15. Способ по п.12, отличающийся тем, что соотношение h к d устанавливают в пределах от1 до 1000. 15. The method according to p. 12, characterized in that the ratio of h to d is set in the range from 1 to 1000. 16. Способ по п.12, отличающийся тем, что диаметр d микроострия определяют из соотношения
Figure 00000007

где е - заряд электрона, k - коэффициент усиления электрического поля на микроострие, Emin - величина электрического поля между эмиттером и анодом при отсутствии микроострий, равная величина электрического поля при отсутствии гашения люминесценции в пленке люминофора.16. The method according to p. 12, characterized in that the diameter d of the micropoint is determined from the ratio
Figure 00000007

where e is the electron charge, k is the electric field gain at the micropoint, E min is the magnitude of the electric field between the emitter and the anode in the absence of micropoints, equal to the electric field in the absence of quenching of luminescence in the phosphor film. 17. Способ по п.12, отличающийся тем, что количество микроострий на одном участке пересечения устанавливают в пределах от одного до ста, причем расстояние между микроостриями устанавливают в пределах от диаметра d микроострия до высоты h микроострия. 17. The method according to p. 12, characterized in that the number of micropoints at one intersection is set in the range from one to one hundred, and the distance between the micropoints is set in the range from the diameter d of the micropoint to the height h of the micropoint. 18. Способ по п.12, отличающийся тем, что на торце каждого микроострия размещают соответствующий диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 18. The method according to p. 12, characterized in that at the end of each micro-tip is placed a corresponding disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflective element is less than the work function of graphite . 19. Способ по п.13, отличающийся тем, что каждое микроострие выполняют в виде группы графитовых нанотрубок, размещенных в непосредственной близости друг от друга, на торцах расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 19. The method according to item 13, wherein each micropoint is made in the form of a group of graphite nanotubes located in close proximity to each other, at the ends there is a disk of metal, which serves as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflecting element is less than the work function of graphite. 20. Способ по п.13, отличающийся тем, что каждое микроострие выполняют в виде графитового микроострия, на торце которого расположен диск из металла, служащего отражающим элементом, толщина которого превышает толщину скин-слоя металла в видимом диапазоне, при этом работа выхода отражающего элемента меньше, чем работа выхода графита. 20. The method according to item 13, wherein each micropoint is made in the form of a graphite micropoint, at the end of which there is a disk of metal serving as a reflective element, the thickness of which exceeds the thickness of the skin layer of the metal in the visible range, while the work function of the reflective element less than the work function of graphite. 21. Способ по п.13, отличающийся тем, что каждое микроострие выполняют в виде металлического микроострия, торец которого служит отражающим элементом. 21. The method according to p. 13, characterized in that each micro-tip is made in the form of a metal micro-tip, the end of which serves as a reflective element. 22. Способ получения изображения на плоском люминесцентном экране, заключающийся в том, что прикладывают посредством матричной адресации по поверхности экрана управляющие импульсы напряжения к аноду в виде электропроводящей пленки из оптически прозрачного материала и к эмиттеру, выполненному в виде множества микроострий из электропроводящего материала и имеющих высоту h и диаметр d, при этом формируют пространственное неоднородное электрическое поле на множестве микроострий эмиттера, имеющее локальный максимум Emax = к Emin в области торцев указанного множества микроострий, посредством этого возбуждают туннельную эмиссию электронов с торцев микроострий эмиттера, электрически связанного с матрицей, модулируют плотность тока электронов в заданном диапазоне, затем ускоряют полученный промодулированный поток электронов и посредством этого потока возбуждают люминесценцию в пленке люминофора, получают изображение на плоском экране в виде модулированной по интенсивности люминесценции из пленки люминофора, отличающийся тем, что величину импульса напряжения для ускорения электронов выбирают в диапазоне от величины, равной величине напряжения разогрева электронов электрическим полем в пленке полупроводника, до величины напряжения пробоя пленки полупроводника и осуществляют в пределах до половины высоты микроострия, а модуляцию плотности тока электронов осуществляют величиной импульса напряжения ускорения электронов в указанном диапазоне, при этом толщина создаваемого слоя объемного заряда электронов в пленке полупроводника превышает толщину пленки полупроводника, возбуждение люминесценции горячими электронами с модулированной плотностью тока электронов осуществляют при отсутствии гашения люминисценции электрическим полем управляющих импульсов напряжения, формируемым в области микроострия в области минимума электрического поля, где к - коэффициент усиления электрического поля на микроострие;
Emax - локальный максимум напряженности электрического поля;
Emin - величина электрического поля между эмиттером и анодом при отсутствии микроострий.22. A method of acquiring an image on a flat fluorescent screen, which consists in applying voltage pulses through a matrix addressing to the screen surface to the anode in the form of an electrically conductive film of optically transparent material and to an emitter made in the form of many micropoints of an electrically conductive material and having a height h and diameter d, wherein the form of spatially inhomogeneous electric field at a plurality of emitter microtips, having a local maximum E max = E min to a torus region In this set of micropoints, by means of this, tunnel electron emission is excited from the ends of the emitter microcosts electrically coupled to the matrix, the electron current density is modulated in a given range, then the resulting modulated electron stream is accelerated, and luminescence is excited in the phosphor film through this stream, and a flat-screen image is obtained in the form of luminescence intensity modulated from a phosphor film, characterized in that the magnitude of the voltage pulse for acceleration electrons are selected in the range from the value equal to the voltage of electron heating by the electric field in the semiconductor film to the breakdown voltage of the semiconductor film and are carried out up to half the height of the micro-tip, and the electron current density is modulated by the magnitude of the electron acceleration voltage pulse in the specified range, the thickness of the created layer of space charge of electrons in the semiconductor film exceeds the thickness of the semiconductor film, the luminescence excitation is hot by them, electrons with a modulated electron current density are carried out in the absence of damping of luminescence by the electric field of the control voltage pulses generated in the region of the micro-tip in the region of the minimum electric field, where k is the electric field gain on the micro-tip;
E max is the local maximum of the electric field strength;
E min is the magnitude of the electric field between the emitter and the anode in the absence of micropoints.
RU99115394/09A 1999-07-13 1999-07-13 Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen RU2155412C1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99115394/09A RU2155412C1 (en) 1999-07-13 1999-07-13 Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen
PCT/RU2000/000253 WO2001004925A1 (en) 1999-07-13 2000-06-23 Flat luminescent screen, method for manufacturing thereof and method for displaying and image on a flat luminescent screen
AU57202/00A AU5720200A (en) 1999-07-13 2000-06-23 Flat luminescent screen, method for manufacturing thereof and method for displaying and image on a flat luminescent screen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99115394/09A RU2155412C1 (en) 1999-07-13 1999-07-13 Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2155412C1 true RU2155412C1 (en) 2000-08-27

Family

ID=20222705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99115394/09A RU2155412C1 (en) 1999-07-13 1999-07-13 Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU5720200A (en)
RU (1) RU2155412C1 (en)
WO (1) WO2001004925A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570194C2 (en) * 2013-02-20 2015-12-10 Александр Иванович Захаров Luminescent screen for lighting facilities

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4259608A (en) * 1977-04-27 1981-03-31 Mcteague Gerald E Direct viewing storage target having an array of fluorescent dots for a cathode ray tube
IL95736A (en) * 1990-09-19 1994-06-24 Yeda Res & Dev Flat panel display devices
US5619092A (en) * 1993-02-01 1997-04-08 Motorola Enhanced electron emitter
RU2074444C1 (en) * 1994-07-26 1997-02-27 Евгений Инвиевич Гиваргизов Self-emitting cathode and device which uses it
RU2127465C1 (en) * 1997-10-27 1999-03-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Кристаллы и Технологии" Method for manufacturing of luminescent screens with row-like structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570194C2 (en) * 2013-02-20 2015-12-10 Александр Иванович Захаров Luminescent screen for lighting facilities

Also Published As

Publication number Publication date
AU5720200A (en) 2001-01-30
WO2001004925A1 (en) 2001-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5445550A (en) Lateral field emitter device and method of manufacturing same
EP1511059B1 (en) Field emission device
JP2809129B2 (en) Field emission cold cathode and display device using the same
US6023126A (en) Edge emitter with secondary emission display
JP2003263951A (en) Field emission type electron source and driving method
JPH08505259A (en) Flat panel display with triode structure using flat field emission cathode
US6653777B1 (en) Image display apparatus
JPH10125215A (en) Field emission thin film cold cathode, and display device using it
JPH06223707A (en) Silicon field emission device and its manufacture
JP2629521B2 (en) Electron gun and cathode ray tube
KR100837096B1 (en) Uniform emission current for field emission device
JP2000311640A (en) Insulating film and fluorescent display device
Tcherepanov et al. Flat panel display prototype using low‐voltage carbon field emitters
US4071640A (en) Penetration phosphors for display devices
US5866975A (en) Low-temperature cathode having an emissive nanostructure
RU2155412C1 (en) Flat luminescent screen, process of manufacture of flat luminescent screen and technique of generation of image on flat luminescent screen
KR100334186B1 (en) Flat Panel Color Display
JPH07182994A (en) Single board vacuum fluorescent display device with triode luminous element built in
Busta Field emission flat panel displays
US4131821A (en) Aging resistant mixtures in bistable storage tubes
JP2001076613A (en) Display device
JPS5941669B2 (en) Slow electron beam excited phosphor and fluorescent display device using this slow electron beam excited phosphor
JP2001068011A (en) n-TYPE DIAMOND ELECTRON EMISSIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
JP3937853B2 (en) Luminescent display device
JP2001216925A (en) Image display device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040714