RU2148876C1 - Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент - Google Patents
Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2148876C1 RU2148876C1 RU97121101A RU97121101A RU2148876C1 RU 2148876 C1 RU2148876 C1 RU 2148876C1 RU 97121101 A RU97121101 A RU 97121101A RU 97121101 A RU97121101 A RU 97121101A RU 2148876 C1 RU2148876 C1 RU 2148876C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- sintering
- layer
- solar cell
- metal plate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000760 Hardened steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Сущность: способ изготовления солнечного элемента, содержащего полупроводниковый слой, внутри которого в направлении толщины имеется p-n-запирающий слой, облучаемый светом, по меньшей мере, с одной стороны, и контакты для электрического контактирования полупроводникового слоя с каждой стороны p-n-запирающего слоя, заключается в том, что полупроводниковый слой изготовляют путем измельчения полупроводникового материала в порошок, нагрева порошка и спекания в прессе для спекания в полупроводниковый слой. Также предложен солнечный элемент, изготовленный этим способом. Технический результат изобретения - упрощение способа изготовления солнечного элемента, создание экономичного солнечного элемента с удовлетворительным КПД. 2 с. и 3 з.п.ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, содержащего полупроводниковый слой, внутри которого в направлении толщины имеется p-n-запирающий слой, облучаемый светом, по меньшей мере, с одной стороны, и контакты для электрического контактирования полупроводникового слоя с каждой стороны p-n-запирающего слоя, и далее к солнечному элементу, содержащему полупроводниковый слой с p-n-запирающим слоем в направлении глубины и контакт с каждой стороны запирающего слоя для электрического контактирования полупроводникового слоя.
Регенеративные виды энергии приобретают все большее значение. При этом фотогальванике отводится ключевая роль, поскольку с ее помощью можно преобразовывать солнечный свет непосредственно в электрический ток, имеющий разнообразное применение. Обычное в настоящее время изготовление солнечных элементов является чрезвычайно сложным делом, из-за чего солнечный ток до сих пор имеет лишь второстепенное значение.
При обычном способе изготовления стержнеобразный полупроводниковый материал, большей частью моно- или поликристаллический кремний, нарезают на тонкие пластинки, образующие тело изготовляемого на последующих этапах солнечного элемента. Нарезание этих пластинок является очень сложным делом с точки зрения используемого инструмента, требует высокой точности и связано с большими потерями материала. Нарезанные пластинки, толщина которых лежит в пределах десятых долей миллиметра и менее, должны обрабатываться очень тщательно, поскольку они хрупкие.
При другом способе слои аморфного кремния или другого полупроводникового материала толщиной 10-50 мкм осаждают на подложку, из которой затем на последующих этапах (изготовление запирающего слоя за счет соответствующего легирования, контактирования и т. д. ) изготовляют солнечный элемент. КПД таких тонкослойных солнечных элементов в целом ниже, чем у монокристаллических, однако расход полупроводникового материала на каждый изготовленный энергетический блок меньше.
Ни один из известных до сих пор способов не позволяет изготовлять достаточно экономичные солнечные элементы, которые помогли бы пробить дорогу экологичному солнечному току.
В основе изобретения лежит задача разработки экономичного способа изготовления солнечных элементов и создания экономичного солнечного элемента.
Относящаяся к способу часть задачи изобретения решается тем, что в способе изготовления солнечного элемента, содержащем полупроводниковый слой, внутри которого в направлении толщины имеется p-n-запирающий слой, облучаемый светом, по меньшей мере, с одной стороны, и контакты для электрического контактирования полупроводникового слоя с каждой стороны p-n-запирающего слоя, согласно изобретению полупроводниковый слой изготовляют путем измельчения полупроводникового материала в порошок, нагрева порошка и спекания в прессе для спекания в полупроводниковый слой.
Благодаря способу согласно изобретению не требуется больше нарезать полупроводниковый материал с большими потерями из дорогого стержнеобразного исходного материала или осаждать в виде аморфного полупроводникового слоя на подложку; напротив, полупроводниковый материал пригодный для изготовления солнечных элементов чистоты может быть измельчен простым образом в порошок, после чего порошок нагревается и в форме для спекания спекается в полупроводниковый слой. Неожиданным образом оказалось, что такие спеченные полупроводниковые слои после обычного изготовления запирающего слоя за счет легирования, а также, при необходимости, после обычных последующих операций, таких как контактирование, нанесение на подложку и снабжение защитными слоями, имеют при оптимальных затратах на изготовление удовлетворительный КПД.
Превращаемый в порошок, а затем спекаемый полупроводниковый материал может быть любым обычным полупроводниковым материалом, пригодным для спекания. Предпочтительно полупроводниковым материалом является высокочистый кремний.
Предпочтительно полупроводниковый материал легируют уже перед спеканием, например, путем добавки мышьяка с n-проводимостью, так что полупроводниковый слой для изготовления запирающего слоя необходимо легировать лишь еще одним трехвалентным материалом, например, бором.
Зависимые пп. 4-7 формулы изобретения направлены на предпочтительные усовершенствования способа согласно изобретению.
Для решения второй части задачи изобретения предложена принципиальная структура солнечного элемента, содержащего полупроводниковый слой с p-n-запирающим слоем в направлении глубины и контакт с каждой стороны запирающего слоя для электрического контактирования полупроводникового слоя, в котором согласно изобретению полупроводниковый слой состоит из спеченного полупроводникового материала, и усовершенствованного посредством признаков п.9.
Изобретение поясняется ниже в качестве примера с помощью схематичных чертежей, на которых изображены:
- фиг. 1 - сечение пресса для спекания;
- фиг. 2 - увеличенный фрагмент нижней стороны пуансона пресса для спекания из фиг. 1;
- фиг. 3 - увеличенный вид снизу фрагмента пуансона пресса для спекания из фиг. 1;
- фиг. 4 - разрез солнечного элемента.
- фиг. 1 - сечение пресса для спекания;
- фиг. 2 - увеличенный фрагмент нижней стороны пуансона пресса для спекания из фиг. 1;
- фиг. 3 - увеличенный вид снизу фрагмента пуансона пресса для спекания из фиг. 1;
- фиг. 4 - разрез солнечного элемента.
На фиг. 1 пресс для спекания содержит матрицу 2 и пуансон 4. В матрицу 2 укладывают металлическую пластину 6, например, из меди, алюминия, посеребренной меди, посеребренной закаленной стали и т.п., толщиной, например, в пределах миллиметра или менее. Над металлической пластиной 6 находится порошок 8 из полупроводникового материала, например, высокочистого солнечного кремния.
В пространство, в котором происходит спекание, между пуансоном 4 и матрицей 2 ведет воздухоотводящая линия 10. Все указанное пространство выполнено с возможностью нагрева до заданной температуры посредством нагревательного устройства (не показано), расположенного внутри матрицы 2 или пуансона 4. Для спекания металлическую пластину 6 и порошок 8 известным образом нагревают внутри пресса для спекания до температуры заметно ниже точки плавления порошка и спекают его под высоким давлением за счет движения вниз пуансона 4.
Образуется полупроводниковый слой из спеченного материала, прочно соединенный с металлической пластиной 6 и образующий тело изготовляемого солнечного элемента. Понятно, что для надежного соединения спеченного полупроводникового материала с металлической пластиной 6 могут быть приняты самые различные дополнительные меры, например, металлическая пластина 6 может быть покрыта проводящей клеящей пастой и т.п.
Параметры процесса, такие как давление спекания и подача пуансона 4, выбирают подходящим образом так, что, с одной стороны, металлическая пластина 6 сохраняется, а с другой стороны, происходит надежное и безупречное спекание порошка 8 в полупроводниковый слой толщиной, лежащей в пределах толщин полупроводникового слоя обычных солнечных элементов, например, 10 мкм - 1 мм.
Предпочтительным образом порошок 8 перед спеканием легируют материалом с n- или p-проводимостью, так что после извлечения тела из пресса для спекания за счет дополнительного обратного легирования может быть выполнен запирающий слой.
Металлическая пластина 6 образует как электрическое контактирование большой площади для полупроводникового слоя 12 (фиг. 4), так и подложку для полупроводникового слоя 12, который позволяет изготовить стабильный и простой в обращении солнечный элемент. От металлической пластины 6 отходит, например, спаянный с ней контакт 14, к которому присоединяют провод. На полупроводниковый слой 12 известным образом наносят гребенчатый проводящий слой, покрывающий по возможности лишь небольшие участки полупроводникового слоя 12, с тем чтобы была свободной по возможности большая площадь для облучения расположенного сразу под поверхностью запирающего слоя. От гребенчатого проводящего слоя отходит дополнительный контакт 16, присоединяемый к дополнительному электрическому проводу.
Понятно, что возможны разнообразные формы и модификации описанного примера выполнения. Например, вокруг пространства, в котором происходит спекание, могут быть расположены воздухоотводящие линии, соединенные с всасывающим насосом, так что при спекании имеющийся воздух надежно отсасывается и не приводит к образованию воздушных включений.
Кроме того, металлическая пластина 6 может полностью отсутствовать, так что тело солнечного элемента состоит только из спеченной полупроводниковой пластинки, подвергаемой дальнейшей обработке в полный солнечный элемент подобно обычным нарезанным кремниевым пластинкам.
Для повышения КПД солнечного элемента предпочтительно увеличить поверхность облучаемой светом стороны полупроводникового слоя 12 (фиг. 4) путем выполнения, например, на нижней стороне пуансона 4 рифления, сетки и т.п. (фиг. 2). Рифление 18 в изображенном фрагменте нижней стороны пуансона 4 имеет пилообразную форму, причем пилообразная форма образуется за счет вырезания выполненных в нижней стороне пуансона 4 пирамид 20, вершины которых обозначены точками на изображенном на фиг. 3 при виде снизу фрагменте пуансона 4. Рифление нижней стороны пуансона 4 возникает при спекании в верхней стороне полупроводникового слоя 12 (фиг. 4), так что он состоит из отдельных пирамид, оказывающих благоприятное влияние на воспринимаемое количество света. Понятно, что могут быть нанесены дополнительные противоотражающие слои, защитные слои и т.д.
Предпочтительно нижняя сторона пуансона 4 может быть выполнена таким образом, что рифление имеется только там, где позднее не должен быть выполнен гребенчатый проводящий слой для контактирования со свободной поверхностью полупроводникового слоя 12.
Claims (5)
1. Способ изготовления солнечного элемента, содержащего полупроводниковый слой, внутри которого в направлении толщины имеется p-n-запирающий слой, облучаемый по меньшей мере с одной стороны светом, и контакты для электрического контактирования полупроводникового слоя с каждой стороны p-n-запирающего слоя, причем полупроводниковый материал измельчают в порошок, наносят на металлическую пластину, которая образует контакт с полупроводниковым слоем и имеет также размеры, что она образует несущую структуру для полупроводникового слоя, и посредством нагрева до температуры ниже температуры плавления спекают в полупроводниковый слой, отличающийся тем, что металлическую пластину помещают в пространство для спекания пресса для спекания и что нанесенный на металлическую пластину порошок из полупроводникового материала при нагреве в процессе прессования спекают в полупроводниковый слой.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковый материал перед спеканием легируют.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что предусмотренную для облучения светом поверхность полупроводникового слоя выполняют с рифлением за счет придания внутренней стороне пресса для спекания соответствующей формы внутренней поверхности.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что рифление образуют в виде пирамид.
5. Солнечный элемент, содержащий полупроводниковый слой с p-n-запирающим слоем в направлении толщины и с контактами на каждой стороне запирающего слоя для электрического контактирования полупроводникового слоя, причем полупроводниковый слой нанесен посредством спекания на металлическую пластину, к которой присоединен один из электрических контактов, отличающийся тем, что полупроводниковый слой изготовлен спеканием при прессовании и имеет на своей противоположной металлической пластине стороне рифление, выполненное запрессовкой.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19652818.6 | 1996-12-18 | ||
| DE19652818A DE19652818A1 (de) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle sowie Solarzelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU97121101A RU97121101A (ru) | 1999-09-27 |
| RU2148876C1 true RU2148876C1 (ru) | 2000-05-10 |
Family
ID=7815233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97121101A RU2148876C1 (ru) | 1996-12-18 | 1997-12-17 | Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6100464A (ru) |
| DE (1) | DE19652818A1 (ru) |
| RU (1) | RU2148876C1 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7226966B2 (en) | 2001-08-03 | 2007-06-05 | Nanogram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
| US6599631B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-07-29 | Nanogram Corporation | Polymer-inorganic particle composites |
| US20090075083A1 (en) | 1997-07-21 | 2009-03-19 | Nanogram Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
| US8568684B2 (en) | 2000-10-17 | 2013-10-29 | Nanogram Corporation | Methods for synthesizing submicron doped silicon particles |
| DE102005019797A1 (de) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Blitzstrom Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen Substraten |
| GB0523163D0 (en) * | 2005-11-14 | 2005-12-21 | Suisse Electronique Microtech | Patterning of conductive layers with underlying compressible spacer layer or spacer layer stack |
| EP2109643A4 (en) | 2007-01-03 | 2011-09-07 | Nanogram Corp | SILICON / GERMANIUM NANOPARTICLE INK, DOPED PARTICLES, PRINTING AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS |
| US20080295885A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Shing Man Lee | Thick Crystalline Silicon Film On Large Substrates for Solar Applications |
| JP5761172B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2015-08-12 | 産機電業株式会社 | シリコン粉末を用いた太陽電池セルの製造方法 |
| US8895962B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-11-25 | Nanogram Corporation | Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods |
| KR101958056B1 (ko) | 2013-05-24 | 2019-03-13 | 데이진 가부시키가이샤 | 고점도 알콜 용매 및 실리콘/게르마늄계 나노입자를 포함하는 인쇄용 잉크 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3035563C2 (de) * | 1980-09-20 | 1984-10-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen einer polykristallinen Silizium-Solarzelle |
| US4514580A (en) * | 1983-12-02 | 1985-04-30 | Sri International | Particulate silicon photovoltaic device and method of making |
| US4602422A (en) * | 1984-06-18 | 1986-07-29 | Khanh Dinh | Flash compression process for making photovoltaic cells |
| DE3536743C2 (de) * | 1985-10-15 | 1994-11-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellung von großflächigen Siliziumkristallkörpern für Solarzellen |
-
1996
- 1996-12-18 DE DE19652818A patent/DE19652818A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-12-17 RU RU97121101A patent/RU2148876C1/ru active
- 1997-12-18 US US08/993,345 patent/US6100464A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19652818A1 (de) | 1998-07-02 |
| US6100464A (en) | 2000-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4514580A (en) | Particulate silicon photovoltaic device and method of making | |
| US4865999A (en) | Solar cell fabrication method | |
| EP0549707B1 (en) | Photovoltaic device with decreased gridline shading and method for its manufacture | |
| US5441577A (en) | Thin film solar cell and production method therefor | |
| US4380112A (en) | Front surface metallization and encapsulation of solar cells | |
| EP1708282B1 (en) | Photovoltaic device and manufacturing method of photovoltaic device | |
| JP5025184B2 (ja) | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 | |
| US6011215A (en) | Point contact photovoltaic module and method for its manufacture | |
| RU2148876C1 (ru) | Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент | |
| CN102870229A (zh) | 使用外延沉积以制造结晶硅太阳能电池的方法 | |
| KR101384853B1 (ko) | 광기전 태양 전지의 레이저 가공 방법 | |
| US4450033A (en) | Front surface metallization and encapsulation of solar cells | |
| US5232519A (en) | Wireless monolithic photovoltaic module | |
| US20080290368A1 (en) | Photovoltaic cell with shallow emitter | |
| EP1166367A1 (en) | An aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabricatin thereof | |
| JPH0520914B2 (ru) | ||
| GB1564842A (en) | Radiation sensitive devices | |
| KR19990063990A (ko) | 부분적으로 깊게 확산된 에미터가 있는 자가조정식(salde) 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2008519438A (ja) | バックコンタクト太陽電池 | |
| KR20130052627A (ko) | 선택적 전면 필드를 구비한 후면 접합 태양전지 | |
| EP2234169A1 (en) | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device | |
| TW200952193A (en) | Solar module and system composed of a solar cell with a novel rear surface structure | |
| CN111066155B (zh) | 太阳能电池元件及太阳能电池模块 | |
| JPH05235391A (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| RU97121101A (ru) | Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент |