RU214675U1 - waveguide switch - Google Patents

waveguide switch Download PDF

Info

Publication number
RU214675U1
RU214675U1 RU2022122923U RU2022122923U RU214675U1 RU 214675 U1 RU214675 U1 RU 214675U1 RU 2022122923 U RU2022122923 U RU 2022122923U RU 2022122923 U RU2022122923 U RU 2022122923U RU 214675 U1 RU214675 U1 RU 214675U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
waveguide
operating frequency
diaphragm
pds
copper
Prior art date
Application number
RU2022122923U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Яковлевич Кругликов
Сергей Владиславович Маршин
Вадим Дмитриевич Ральников
Original Assignee
Акционерное общество "Северный пресс"
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Северный пресс" filed Critical Акционерное общество "Северный пресс"
Application granted granted Critical
Publication of RU214675U1 publication Critical patent/RU214675U1/en

Links

Images

Abstract

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в коммутаторах, фазовращателях, аттенюаторах, приемо-передающих трактах и других волноводных СВЧ-устройствах. Сущность полезной модели состоит в том, что волноводный выключатель, содержащий волновод, диафрагму и восемь p-i-n-диодов, в которого состав введены две Н-образные щели, два медных электрода и четыре медных сетки, позволяет производить подстройку рабочей частоты без разборки устройства и механической доработки диафрагмы. Подстройка рабочей частоты происходит за счет изгиба медных электродов, при этом за счет использования медных сеток не происходит механического воздействия на p-i-n-диоды. Технический результат заключается в возможности подстройки рабочей частоты волноводного выключателя без разборки и механической доработки диафрагмы.

Figure 00000001
The utility model relates to radio engineering and can be used in switches, phase shifters, attenuators, transceiver paths and other waveguide microwave devices. The essence of the utility model is that a waveguide switch containing a waveguide, a diaphragm and eight pin diodes, in which two H-shaped slots, two copper electrodes and four copper grids are introduced, allows you to adjust the operating frequency without disassembling the device and mechanical refinement diaphragm. The adjustment of the operating frequency occurs due to the bending of the copper electrodes, while due to the use of copper grids, there is no mechanical effect on the pin diodes. The technical result consists in the possibility of adjusting the operating frequency of the waveguide switch without disassembling and mechanically refining the diaphragm.
Figure 00000001

Description

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в коммутаторах, фазовращателях, аттенюаторах, приемо-передающих трактах и других волноводных СВЧ-устройствах.The utility model relates to radio engineering and can be used in switches, phase shifters, attenuators, transceiver paths and other waveguide microwave devices.

В качестве прототипа выбран волноводный выключатель (патент РФ №56721 2005 г., МПК Н01Р 1/15, опубл. 10.09.2006 г.)A waveguide switch was chosen as a prototype (RF patent No. 56721 2005, IPC H01R 1/15, publ. 10.09.2006)

Устройство - прототип содержит, в том числе волновод, диафрагму и p-i-n-диоды.Device - the prototype contains, including a waveguide, diaphragm and p-i-n-diodes.

В связи с тем, что p-i-n-диоды имеют неравномерности в своих характеристиках, это может вызывать изменение рабочей частоты волноводного выключателя. При этом механическая доработка диафрагмы, входящей в состав прототипа, для достижения заданной рабочей частоты требует полного разбора устройства, доработки и последующей сборки, при этом могут потребоваться дополнительные доработки в случаях, когда заданная рабочая частота не была установлена. При этом сохраняется возможность полностью нарушить работу волноводного выключателя при ошибках на этапе механической доработки (слишком большая длинна щели или несоответствие геометрии).Due to the fact that p-i-n-diodes have irregularities in their characteristics, this can cause a change in the operating frequency of the waveguide switch. At the same time, the mechanical refinement of the diaphragm, which is part of the prototype, in order to achieve a given operating frequency, requires a complete disassembly of the device, refinement and subsequent assembly, while additional improvements may be required in cases where the specified operating frequency has not been set. At the same time, it remains possible to completely disrupt the operation of the waveguide switch in case of errors at the stage of mechanical refinement (too large slot length or geometry mismatch).

Недостатком устройства-прототипа является невозможность подстройки рабочей частоты без механической доработки диафрагмы.The disadvantage of the prototype device is the impossibility of adjusting the operating frequency without mechanical refinement of the diaphragm.

Решаемой задачей является возможность подстройки рабочей частоты волноводного выключателя без разборки и механической доработки диафрагмы.The problem to be solved is the possibility of adjusting the operating frequency of the waveguide switch without disassembling and mechanically refining the diaphragm.

Указанный результат достигается за счет введения в конструкцию двух Н-образных щелей (НОЩ), двух медных электродов (МЭ), четырех медных сеток (МС).This result is achieved by introducing two H-shaped slots (NOSH), two copper electrodes (ME), four copper grids (MC) into the design.

Сущность заявляемого устройства поясняется рисунком (фиг.1), где приняты следующие обозначения:The essence of the proposed device is illustrated by the figure (figure 1), where the following designations are accepted:

1 - волновод (ВД);1 - waveguide (VD);

2 - диафрагма (ДФ);2 - diaphragm (DF);

3 - первая Н-образная щель (НОЩ);3 - the first H-shaped slot (NOSH);

4 - вторая НОЩ;4 - second NOSCH;

5 - первый медный электрод (МЭ);5 - the first copper electrode (ME);

6 - второй МЭ;6 - second ME;

7 - первая медная сетка (МС);7 - the first copper grid (MS);

8 - вторая МС;8 - second MS;

9 - третья МС;9 - third MS;

10 - четвертая МС;10 - fourth MS;

11 - первый p-i-n-диод (ПД);11 - the first p-i-n-diode (PD);

12 - второй ПД;12 - second PD;

13 - третий ПД;13 - third PD;

14 - четвертый ПД;14 - fourth PD;

15 - пятый ПД;15 - fifth PD;

16 - шестой ПД;16 - sixth PD;

17 - седьмой ПД;17 - seventh PD;

18 - восьмой ПД.18 - the eighth PD.

Первый, второй, третий и четвертый ПД установлены с двух сторон от первой НОЩ на поверхности ДФ, а пятый, шестой, седьмой и восьмой ПД - с двух сторон от второй НОЩ на поверхности ДФ соответственно (фиг. 1). Все восемь ПД соединены катодом с ДФ. При этом каждые два ПД соединены с МС анодом. Первый и второй ПД соединены с первой МС, третий и четвертый ПД соединены со второй МС, пятый и шестой ПД соединены с третьей МС, а седьмой и восьмой ПД соединены с четвертой МС соответственно. Для управления группами из четырех ПД в каждой из двух НОЩ используется два МЭ. Первый МЭ установлен в первой НОЩ и подключен к первой и второй МС, а второй МЭ установлен во второй НОЩ и подключен к третьей и четвертой МС соответственно. Для управления восьмью ПД подается запирающее напряжение на первый и второй МЭ. При этом каждый из восьми ПД может вносить неравномерности в частотную характеристику волноводного выключателя. Для подстройки частотной характеристики в каждую из двух НОЩ может быть введен механический толкатель* (* - показан условно) придавая изгиб первому и второму МЭ достигается заданная рабочая частота (фиг. 2). При этом при воздействии на первый и второй МЭ первая, вторая, третья и четвертая МС могут деформироваться, не оказывая механического воздействия на все восемь ПД. При необходимости может быть согнут один из двух МЭ (фиг. 3). Первый и второй МЭ расположены перпендикулярно вектору поля Е, неравномерность, образуемая изгибом первого и второго МЭ позволяет изменить волновое сопротивление волноводного выключателя в заданном диапазоне частот. Таким образом, можно компенсировать влияние неравномерностей каждого из восьми ПД на рабочую частоту, тем самым волноводный выключатель может быть подстроен на рабочую частоту, без разборки и механической доработки.The first, second, third and fourth PDs are installed on both sides of the first NOSCH on the DF surface, and the fifth, sixth, seventh and eighth PDs are installed on both sides of the second NOSCH on the DF surface, respectively (Fig. 1). All eight PDs are cathode-connected to the DF. In this case, every two PDs are connected to the MS anode. The first and second TDs are connected to the first MS, the third and fourth TDs are connected to the second MS, the fifth and sixth TDs are connected to the third MS, and the seventh and eighth TDs are connected to the fourth MS, respectively. Two MEs are used to manage groups of four APs in each of the two NOSs. The first ME is installed in the first NOSH and connected to the first and second MS, and the second ME is installed in the second NOSH and connected to the third and fourth MS, respectively. To control eight PDs, a blocking voltage is applied to the first and second MEs. In this case, each of the eight PDs can introduce irregularities in the frequency response of the waveguide switch. To adjust the frequency response, a mechanical pusher * can be introduced into each of the two NOSCHs (* - shown conditionally) giving a bend to the first and second ME, the specified operating frequency is achieved (Fig. 2). In this case, when exposed to the first and second MEs, the first, second, third, and fourth MSs can be deformed without exerting a mechanical effect on all eight PDs. If necessary, one of the two MEs can be bent (Fig. 3). The first and second ME are located perpendicular to the field vector E, the unevenness formed by the bending of the first and second ME allows you to change the wave resistance of the waveguide switch in a given frequency range. Thus, it is possible to compensate for the effect of unevenness of each of the eight PDs on the operating frequency, thereby the waveguide switch can be tuned to the operating frequency without disassembly and mechanical modification.

Указанный технический результат достигается совокупностью отличительных признаков, а именно путем введения в конструкцию двух Н-образных щелей, двух медных электродов и четырех медных сеток.The specified technical result is achieved by a combination of distinctive features, namely by introducing two H-shaped slots, two copper electrodes and four copper grids into the design.

Представленное описание заявляемого устройства позволяет, применяя известные материалы, технологии, покупные изделия и компоненты изготовить его промышленным способом и использовать в коммутаторах, фазовращателях, аттенюаторах, приемо-передающих трактах и других волноводных СВЧ-устройствах.The presented description of the claimed device allows, using known materials, technologies, purchased products and components, to manufacture it industrially and use it in switches, phase shifters, attenuators, transceiver paths and other waveguide microwave devices.

Claims (1)

Волноводный выключатель, содержащий волновод (ВД), диафрагму (ДФ), восемь p-i-n-диодов (ПД), отличающийся тем, что в состав введены первая и вторая Н-образная щель (НОЩ), первый и второй медный электрод (МЭ), первая, вторая, третья и четвертая медные сетки (МС); при этом в ВД установлена ДФ, на ДФ расположены первая и вторая НОЩ, с двух сторон от первой НОЩ расположены первый, второй, третий и четвертый ПД, а с двух сторон второй НОЩ расположены пятый, шестой, седьмой и восьмой ПД соответственно, при этом первый, второй, третий, четвертый, пятый, шестой, седьмой и восьмой ПД установлены на поверхности ДФ, первый, второй, третий, четвертый, пятый, шестой, седьмой и восьмой ПД соединены катодом с ДФ, при этом первый и второй ПД соединены с первой МС анодом, третий и четвертый ПД соединены со второй МС анодом, пятый и шестой ПД соединены с третьей МС анодом, седьмой и восьмой ПД соединены с четвертой МС анодом соответственно, при этом первый МЭ соединен с первой и второй МС, а второй МЭ соединен с третьей и четвертой МС соответственно.A waveguide switch containing a waveguide (VD), a diaphragm (DF), eight p-i-n-diodes (PD), characterized in that the first and second H-shaped slot (NOSH), the first and second copper electrode (ME), the first , second, third and fourth copper grids (MS); at the same time, a DF is installed in the VD, the first and second NOS are located on the DF, the first, second, third and fourth PDs are located on both sides of the first NOS, and the fifth, sixth, seventh and eighth PDs are located on both sides of the second NOS, respectively, while the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh and eighth PDs are mounted on the surface of the DF, the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh and eighth PDs are connected by a cathode to the DF, while the first and second PDs are connected to the first MC anode, the third and fourth PDs are connected to the second MC anode, the fifth and sixth PDs are connected to the third MC anode, the seventh and eighth PDs are connected to the fourth MC anode, respectively, while the first ME is connected to the first and second MC, and the second ME is connected with the third and fourth MS, respectively.
RU2022122923U 2022-08-25 waveguide switch RU214675U1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU214675U1 true RU214675U1 (en) 2022-11-09

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2797265C1 (en) * 2022-12-09 2023-06-01 Акционерное общество "Северный пресс" Waveguide switch

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU455406A1 (en) * 1973-01-10 1974-12-30 Предприятие П/Я А-7866 Microwave switch
FR2260879B1 (en) * 1974-02-07 1980-08-29 Int Standard Electric Corp
RU56721U1 (en) * 2005-07-21 2006-09-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" WAVE SWITCH
RU86354U1 (en) * 2009-04-13 2009-08-27 Закрытое акционерное общество "Светлана-Электронприбор" WAVEGUIDE SEMICONDUCTOR PASSIVE POWER LIMITER TO PROTECT LOW-MOUNTING AMPLIFIERS
CN102355247A (en) * 2010-05-12 2012-02-15 索尼公司 Planar integrated switching device
RU2532852C1 (en) * 2013-04-16 2014-11-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук (ИХКГ СО РАН) Coaxial shf switch
RU2653088C1 (en) * 2017-03-06 2018-05-07 Акционерное общество Центральное конструкторское бюро аппаратостроения Waveguide switch

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU455406A1 (en) * 1973-01-10 1974-12-30 Предприятие П/Я А-7866 Microwave switch
FR2260879B1 (en) * 1974-02-07 1980-08-29 Int Standard Electric Corp
RU56721U1 (en) * 2005-07-21 2006-09-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" WAVE SWITCH
RU86354U1 (en) * 2009-04-13 2009-08-27 Закрытое акционерное общество "Светлана-Электронприбор" WAVEGUIDE SEMICONDUCTOR PASSIVE POWER LIMITER TO PROTECT LOW-MOUNTING AMPLIFIERS
CN102355247A (en) * 2010-05-12 2012-02-15 索尼公司 Planar integrated switching device
RU2532852C1 (en) * 2013-04-16 2014-11-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук (ИХКГ СО РАН) Coaxial shf switch
RU2653088C1 (en) * 2017-03-06 2018-05-07 Акционерное общество Центральное конструкторское бюро аппаратостроения Waveguide switch

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2797265C1 (en) * 2022-12-09 2023-06-01 Акционерное общество "Северный пресс" Waveguide switch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190116498A (en) Antenna and mobile terminal of mobile terminal
JP2018522462A (en) Waveguide power divider, waveguide phase shifter, and polarization antenna using the same
RU214675U1 (en) waveguide switch
Kou et al. Ka-Band low-sidelobe-level slot array leaky-wave antenna based on substrate integrated nonradiative dielectric waveguide
Liu et al. E-plane performance trade-offs in two-dimensional microstrip-patch element phased arrays
Neuder et al. Compact liquid crystal-based defective ground structure phase shifter for reconfigurable intelligent surfaces
Wood Analysis of microstrip circular patch antennas
JPH02113601A (en) Coaxial waveguide phase shifter
Meng et al. Reconfigurable liquid crystal reflectarray metasurface for THz communications
CN115275598B (en) Broadband fan-shaped radiation beam antenna module with space sharp cutoff characteristic
Shad et al. Waveguide-fed lens based beam-steering antenna for 5G wireless communications
CN114914683A (en) Millimeter wave dual-polarized array element with high isolation and array antenna
Mezaal et al. A dual-band printed slot antenna for WiMAX and metrological wireless applications
CN109861009B (en) Base station antenna and communication base station system
RU2785947C1 (en) Adjustable high-power attenuator
RU2490757C2 (en) Discrete transmission phase shifter
CN111031620B (en) Method and device for realizing microwave zone heating by using single solid-state source frequency modulation
Khan et al. Defective Microstrip Structure Based Phase Shifter with Reduced Size for Phased Antenna Array Applications
CN114122650B (en) Waveguide electric control diode phase shifter
CN116960585B (en) Liquid crystal phase shifter based on slow wave
WO2024000306A1 (en) Tunable antenna, preparation method for tunable antenna, and electronic device
RU209844U1 (en) Controllable passive element for antenna devices with a switchable radiation pattern
RU2342745C1 (en) Waveguide dielectric variable phase shifter
Chaudhury et al. Control over passband bandwidth of dual mode bandpass filter based on compact Substrate Integrated Waveguide
Li et al. Investigation on complementary antenna based on bow-tie shaped meander slot