RU2124248C1 - Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options) - Google Patents

Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options) Download PDF

Info

Publication number
RU2124248C1
RU2124248C1 RU96118746A RU96118746A RU2124248C1 RU 2124248 C1 RU2124248 C1 RU 2124248C1 RU 96118746 A RU96118746 A RU 96118746A RU 96118746 A RU96118746 A RU 96118746A RU 2124248 C1 RU2124248 C1 RU 2124248C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
antenna
conductors
electron
generator
Prior art date
Application number
RU96118746A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU96118746A (en
Inventor
Али Гемиранович Вологиров
Сергей Александрович Двинин
Владимир Владимирович Слепцов
Original Assignee
Али Гемиранович Вологиров
Сергей Александрович Двинин
Владимир Владимирович Слепцов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Али Гемиранович Вологиров, Сергей Александрович Двинин, Владимир Владимирович Слепцов filed Critical Али Гемиранович Вологиров
Priority to RU96118746A priority Critical patent/RU2124248C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2124248C1 publication Critical patent/RU2124248C1/en
Publication of RU96118746A publication Critical patent/RU96118746A/en

Links

Images

Abstract

FIELD: plasma engineering. SUBSTANCE: method involves installation of waveguide structure (antenna) inside vacuum chamber and excitation of surface wave along it. Plasma generating device has plasma generating assembly with its basic part (antenna) built up of single conductor whose geometry follows shape of surface under treatment or of one or more long conductors of small cross-sectional area. Device efficiently transfers discharge energy in high-frequency or microwave range in absence of external magnetic field and also ensures low- intensity electric field near surfaces under treatment so as to confine this field around antenna. Device produces surface waves propagating along antenna-plasma boundary. Ion energy can be increased by means of auxiliary ac generator connected to substrate holder. EFFECT: facilitated procedure, improved design of device. 24 cl, 17 dwg

Description

Антенный проводник служит в заявляемом устройстве волноведущей структурой, вдоль которой распространяется поверхностная волна. Поле этой волны экспоненциально затухает внутрь плазмы, поэтому плазма снаружи не обязательно должна быть экранирована металлом. Однако в области подсоединения антенны к волноведущей линии необходимо замкнуть ток возбуждаемой поверхностной волны на нулевой проводник подводящей линии передачи. В заявляемом устройстве это достигается тем, что нулевой проводник подводящей линии (экран для коаксиальной линии) подключен к проводящему экрану, контактирующему с плазмой. Поперечный размер экрана должен быть не меньше глубины проникновения поверхностной волны в плазму, так как в противном случае не удастся полностью замкнуть ток поверхностной волны на экран и область соединения волноведущей линии с антенной будет интенсивно излучать в окружающее пространство. Максимальный размер экрана может быть любым, экран может быть замкнутой полостью, т.е. в качестве экрана может быть использована вся вакуумная камера. The antenna conductor serves in the inventive device as a wave guide structure along which a surface wave propagates. The field of this wave decays exponentially inside the plasma, so the plasma outside does not have to be shielded by the metal. However, in the area where the antenna is connected to the waveguide line, it is necessary to short the current of the excited surface wave to the neutral conductor of the input transmission line. In the inventive device, this is achieved by the fact that the neutral conductor of the supply line (screen for a coaxial line) is connected to a conductive screen in contact with the plasma. The transverse size of the screen should not be less than the depth of penetration of the surface wave into the plasma, since otherwise it will not be possible to completely close the current of the surface wave to the screen and the region where the waveguide line with the antenna will be connected will intensively radiate into the surrounding space. The maximum screen size can be any, the screen can be a closed cavity, i.e. the entire vacuum chamber can be used as a screen.

Отметим, что поверхностную волну можно возбудить не только на границе плазмы с внутренним проводником, но и на внешней границе плазмы. В случае если полная площадь антенны много меньше площади внешней границы плазмы, амплитуда поверхностной волны на внешней границе плазмы будет существенно меньше амплитуды волны вблизи антенны за счет геометрического фактора. Дополнительно ослабить амплитуду поля поверхностной волны на внешней границе плазмы можно за счет выбора специальной конструкции соединителя антенны с подводящей линией, что обязательно для реактора с антенной в виде одного электрода большой площади (пп. формулы изобретения 4 - 8). Один из вариантов такого соединителя приведен на фиг.5. На рисунке цифрами обозначены: 2 - проводник антенны, переходящий в центральный проводник линии передачи, 1 - проводящий экран, 16 - слой пространственного заряда на границе плазмы с антенной. В соответствии с общими теоремами математической физики магнитное поле в разряде B может быть представлено в виде суммы внутренней bi (17) и внешней bе (18) поверхностных волн (в случае их сильной связи они ведут себя как симметричная и антисимметричная поверхностные волны), а также высших не распространяющихся мод поля ψI(i=2,...,∞, номер функции означает число перемен знака функции ψI) (19):

Figure 00000002

Цифры в скобках соответствуют обозначениям качественных распределений этих полей, приведенных на фиг. 5. Там же приведено поперечное распределение поля в подводящей коаксиальной линии (20) Bc, которое также может быть представлено в виде суммы подводимой и отраженной волн, а также высших не распространяющихся мод коаксиальной линии. Это поле сосредоточено в области пространства, лежащей между внутренним и внешним проводниками коаксиальной линии. В точке соединения коаксиала с плазмой поля B и Bc совпадают: B=Bc. Умножив это равенство на соответственно b * i ,b * e ,ψ * I и проинтегрировав по поперечному сечению плазмы, можно получить выражения для коэффициентов A:
Figure 00000003

Figure 00000004

Figure 00000005

Из полученных соотношений следует, что поле должно возбуждаться линией в той области, где поле внутренней поверхностной волны максимально, а поле внешней волны минимально (поле не распространяющихся мод распределено по пространству равномерно). С другой стороны, чтобы минимизировать число возбуждаемых не распространяющихся мод, возбуждающееся поле должно быть распределено в пространстве возможно более равномерно (мы здесь не касаемся проблемы минимизации отраженной от плазмы мощности, так как последняя может быть минимизирована применением согласующего устройства). Таким образом, может быть сформулирован следующий вывод: для повышения эффективности возбуждения поверхностной волны вблизи антенны и уменьшения амплитуды внешней поверхностной волны расстояние l между концом проводника, подключенным к генератору, и экраном не должно превышать глубины проникновения поля поверхностной волны в плазму. Существенное уменьшение этого размера приводит к росту амплитуды паразитных не распространяющихся мод и нарушению условий электрической прочности зазора, что определяет минимальный размер зазора, обозначенный как A.Note that a surface wave can be excited not only at the plasma boundary with the inner conductor, but also at the outer plasma boundary. If the total area of the antenna is much smaller than the area of the outer boundary of the plasma, the amplitude of the surface wave at the outer boundary of the plasma will be significantly less than the amplitude of the wave near the antenna due to the geometric factor. In addition, we can weaken the amplitude of the surface wave field at the outer boundary of the plasma by choosing the special design of the antenna connector with the lead line, which is necessary for a reactor with an antenna in the form of a single electrode of a large area (claims 4-8). One of the options for such a connector is shown in Fig.5. In the figure, the numbers denote: 2 - the antenna conductor passing into the central conductor of the transmission line, 1 - the conducting screen, 16 - space charge layer at the plasma boundary with the antenna. In accordance with the general theorems of mathematical physics, the magnetic field in discharge B can be represented as the sum of the internal b i (17) and external b e (18) surface waves (in the case of strong coupling, they behave as symmetrical and antisymmetric surface waves), as well as higher non-propagating modes of the field ψ I (i = 2, ..., ∞, the number of the function means the number of sign changes of the function ψ I ) (19):
Figure 00000002

The numbers in parentheses correspond to the designations of the qualitative distributions of these fields shown in FIG. 5. The transverse distribution of the field in the supply coaxial line (20) B c , which can also be represented as the sum of the input and reflected waves, as well as the higher non-propagating modes of the coaxial line, is also shown there. This field is concentrated in the region of space lying between the internal and external conductors of the coaxial line. At the junction of the coaxial with the plasma, the fields B and B c coincide: B = B c . Multiplying this equality by respectively b * i b * e , ψ * I and integrating over the plasma cross section, we can obtain expressions for the coefficients A:
Figure 00000003

Figure 00000004

Figure 00000005

From the obtained relations it follows that the field should be excited by a line in the region where the field of the internal surface wave is maximum and the field of the external wave is minimal (the field of non-propagating modes is uniformly distributed in space). On the other hand, in order to minimize the number of excited non-propagating modes, the excited field should be distributed in space as evenly as possible (we do not touch upon the problem of minimizing the power reflected from the plasma, since the latter can be minimized by using a matching device). Thus, the following conclusion can be formulated: to increase the efficiency of surface wave excitation near the antenna and reduce the amplitude of the external surface wave, the distance l between the end of the conductor connected to the generator and the screen should not exceed the depth of penetration of the surface wave field into the plasma. A significant decrease in this size leads to an increase in the amplitude of spurious non-propagating modes and a violation of the electric strength conditions of the gap, which determines the minimum size of the gap, designated as A.

Наиболее простой вариант реализации устройства генерации плазмы по п. 9 в вакуумной камере 1 с антенной в виде прямолинейного одиночного проводника 2 приведен на фиг. 6. Поперечный размер D проводника 2 по крайней мере в 1,5 раза меньше расстояния H до внешней границы плазмы, определяемой положением стенок вакуумной камеры 1, а его поперечный периметр по крайней мере в 4 раза меньше длины поверхностной волны. Наличие экрана 3 из проводящего материала в устройстве возбуждения плазмы является необходимым в случае, когда вакуумная камера 1 выполнена из диэлектрика. При этом экран 3, подключенный к линии передачи 4, позволяет замкнуть электрическую цепь, по которой течет переменный ток: генератор переменного напряжения 5 с согласующим устройством 6, линия передачи 4, проводник 2 антенны, плазма (окружающая проводник 2 со всех сторон и контактирующая с экраном 3), экран 3 устройства возбуждения плазмы, снова линия передачи 4 и генератор переменного напряжения 5 с согласующим устройством 6. The simplest embodiment of a plasma generation device according to claim 9 in a vacuum chamber 1 with an antenna in the form of a rectilinear single conductor 2 is shown in FIG. 6. The transverse dimension D of conductor 2 is at least 1.5 times less than the distance H to the outer boundary of the plasma, determined by the position of the walls of the vacuum chamber 1, and its transverse perimeter is at least 4 times less than the surface wavelength. The presence of a screen 3 of conductive material in the plasma excitation device is necessary in the case when the vacuum chamber 1 is made of a dielectric. In this case, the screen 3, connected to the transmission line 4, allows you to close the electric circuit through which the alternating current flows: alternating voltage generator 5 with matching device 6, transmission line 4, antenna conductor 2, plasma (surrounding conductor 2 on all sides and in contact with screen 3), screen 3 of the plasma excitation device, again transmission line 4 and alternating voltage generator 5 with matching device 6.

В представленных на фиг. 6, 8-14 вариантах выполнения устройства функцию экрана 3 выполняет вакуумная камера. As shown in FIG. 6, 8-14 embodiments of the device, the function of the screen 3 is performed by a vacuum chamber.

На фиг. 7 приведена схема соединений устройства, представленного на фиг. 6, в котором линия 4 является коаксиальной (этот вариант наиболее удобен, так как не требует специальных переходников для соединения линии с устройством возбуждения плазмы, что было бы необходимо, например, для прямоугольного волновода; в дальнейшем подразумевается на фиг. 6-14, что линии передачи являются также коаксиальными). Центральная жила коаксиальной линии 4, идущей от источника переменного напряжения, электрически соединяется с одним концом проводника 2 антенны, а наружный проводник 21 линии 4 - с проводящим экраном 3 (а на последующих рисунках с проводящей стенкой вакуумной камеры). Причем второй конец проводника может быть либо соединен со стенкой вакуумной камеры 1 экраном 3, либо свободен, либо соединен с устройством с переменным импедансом, как это показано на фиг. 3. Необходимость выполнения антенны в виде проводника и выбор частоты генератора 5 обсуждены ранее. In FIG. 7 is a connection diagram of the device of FIG. 6, in which line 4 is coaxial (this option is most convenient because it does not require special adapters for connecting the line to a plasma excitation device, which would be necessary, for example, for a rectangular waveguide; hereinafter, it is understood in Fig. 6-14 that transmission lines are also coaxial). The central core of the coaxial line 4 coming from the AC voltage source is electrically connected to one end of the antenna conductor 2, and the outer conductor 21 of the line 4 is connected to the conductive screen 3 (and in the following figures with the conductive wall of the vacuum chamber). Moreover, the second end of the conductor can either be connected to the wall of the vacuum chamber 1 by a screen 3, or free, or connected to a device with a variable impedance, as shown in FIG. 3. The need to make an antenna in the form of a conductor and the choice of the frequency of the generator 5 are discussed earlier.

Данное устройство (фиг. 6, 7), в котором реализован способ, заявленный в данном патенте, работает следующим образом. При приложении переменного напряжения между проводником 2 антенны и экраном 3 возникает разряд и образуется плазма, заполняющая объем вакуумной камеры 1 полностью или частично. При этом на границе проводника 2 антенны с плазмой распространяются электромагнитные колебания, движущиеся от точки подвода переменного напряжения к противоположному концу. По мере продвижения эти волны затухают, передавая свою энергию плазме. (В случае, когда длины проводника 2 недостаточно для полного затухания колебаний, возможно образование стоячей волны вдоль проводника 2). Малые поперечные размеры D проводника 2 в сравнении с расстоянием до внешней границы плазмы обеспечивают быстрое уменьшение напряженности поля волны в направлении, перпендикулярном поверхности проводника как минимум пропорционально D/r, где r - поперечная координата, а D - характерный поперечный размер проводника антенны. Эксперименты показали, что удовлетворительная степень снижения напряженности поля на внешней границе за счет геометрического фактора достигается при выполнении условия D<H/1,5, где H - расстояние до внешней границы плазмы. При работе в диапазоне частот генератора ωPi<ω<ωPe√2, где ωPi= (4πnee2/M)1/2,ωPe= (4πnee2/M)1/2- ионная и электронная Ленгмюровские частоты плазмы, ω/2π - частота генератора, е - заряд электрона, m, M - массы электрона и иона, ne - плотность электронов в плазме, волны, распространяющиеся вдоль проводника 2 антенны, являются поверхностными, сосредоточенными в слое пространственного заряда на границе плазмы и в самой плазме и спадают в поперечном направлении с дополнительным экспоненциальным множителем exp(-r/λs), где λs - глубинна проникновения поверхностной волны в плазму. Указанные факторы (геометрический и экранировка поля) позволяют добиться значительного ослабления напряженности поля волны на относительно небольших расстояниях от поверхности антенны.This device (Fig. 6, 7), which implements the method claimed in this patent, works as follows. When an alternating voltage is applied between the conductor 2 of the antenna and the screen 3, a discharge occurs and a plasma forms, filling the volume of the vacuum chamber 1 in whole or in part. At the same time, electromagnetic waves propagating from the point of supply of the alternating voltage to the opposite end propagate at the boundary of the conductor 2 of the antenna with the plasma. As they move, these waves decay, transferring their energy to the plasma. (In the case when the length of the conductor 2 is not sufficient for the complete damping of the oscillations, the formation of a standing wave along the conductor 2 is possible). The small transverse dimensions D of conductor 2 in comparison with the distance to the outer boundary of the plasma provide a rapid decrease in the wave field strength in the direction perpendicular to the surface of the conductor at least in proportion to D / r, where r is the transverse coordinate and D is the characteristic transverse dimension of the antenna conductor. The experiments showed that a satisfactory degree of decrease in the field strength at the external boundary due to the geometric factor is achieved when the condition D <H / 1.5 is fulfilled, where H is the distance to the external plasma boundary. When operating in the frequency range of the generator, ω Pi <ω <ω Pe √2, where ω Pi = (4πn e e 2 / M) 1/2 , ω Pe = (4πn e e 2 / M) 1/2 - ionic and electronic Langmuir plasma frequencies, ω / 2π is the generator frequency, e is the electron charge, m, M are the mass of the electron and ion, n e is the electron density in the plasma, the waves propagating along the antenna conductor 2 are surface, concentrated in the space charge layer on the plasma boundary and in the plasma itself and decrease in the transverse direction with an additional exponential factor exp (-r / λ s ), where λ s is the penetration depth of the surface Noah wave in plasma. The indicated factors (geometric and field screening) make it possible to achieve a significant attenuation of the wave field strength at relatively small distances from the antenna surface.

Действительная часть волнового сопротивления структуры проводник 2 - плазма в соответствии с расчетами и экспериментальными данными, полученными авторами, составляет, как правило, десятки Ом при поперечном размере проводника антенны в единицы мм, рабочем давлении 10-2 - 10 Па и плотности плазмы от 109 до 1011 см-3. Если требуемый диапазон изменения рабочего давления и плотности плазмы лежит в пределах одного порядка (что часто бывает на практике), то использование специального согласующего устройства с широким диапазоном согласования не является обязательным. Например, в экспериментальном устройстве с поперечным размером вакуумной камеры 20 см и длиной проводника 2, равной 80 см, и рабочей частотой 150 МГц однократной настройкой системы подбором длины линии передачи 4 была обеспечена степень согласования генератора с нагрузкой не хуже 80% при изменении рабочего давления от 7•10-2 до 1,2 Па и плотности плазмы от 2•109 1/см3 до 2•1010 1/см3 (в качестве рабочего газа использовались Ar, O2, N2).The real part of the wave resistance of the structure of the conductor 2-plasma, in accordance with the calculations and experimental data obtained by the authors, is usually tens of Ohms with a transverse size of the antenna conductor in units of mm, a working pressure of 10 -2 - 10 Pa and a plasma density of 10 9 up to 10 11 cm -3 . If the required range of variation of the working pressure and plasma density lies within the same order (which often happens in practice), then the use of a special matching device with a wide range of matching is not mandatory. For example, in an experimental device with a transverse size of the vacuum chamber of 20 cm and a conductor length of 2 equal to 80 cm and an operating frequency of 150 MHz, a single tuning of the system by selecting the length of transmission line 4 ensured the degree of matching the generator with a load of no worse than 80% when the working pressure 7 • 10 -2 to 1.2 Pa and a plasma density of 2 • 10 9 1 / cm 3 to 2 • 10 10 1 / cm 3 (Ar, O 2 , N 2 were used as the working gas).

На фиг. 8 приведена схема соединений в системе генерации плазмы, отличающейся от приведенной на фиг. 6 и 7 наличием дополнительного проводника 2 антенны и отсутствием экрана, функции которого выполняют проводящие стенки вакуумной камеры 1. Проводники 2 на фиг. 8 располагаются параллельно и навстречу друг другу, что обеспечивает более равномерное распределение плотности плазмы ne вдоль этих проводников. Отрезки линий передачи 22 имеют одинаковую длину, что обеспечивает симметричность подключения проводников 2 и к источнику переменного напряжения (генератору 5 с согласующим устройством 6). Цифрой 23 обозначены вакуумные коаксиальные ВЧ-вводы, через которые линия передачи подсоединяется к проводникам 2 и 8.In FIG. 8 is a connection diagram for a plasma generation system different from that shown in FIG. 6 and 7 by the presence of an additional conductor 2 of the antenna and the absence of a screen whose functions are performed by the conductive walls of the vacuum chamber 1. Conductors 2 in FIG. 8 are parallel and facing each other, which provides a more uniform distribution of plasma density n e along these conductors. The segments of the transmission lines 22 have the same length, which ensures a symmetrical connection of the conductors 2 to the alternating voltage source (generator 5 with matching device 6). The number 23 denotes the vacuum coaxial RF inputs through which the transmission line is connected to conductors 2 and 8.

На фиг. 9 продемонстрирована схема устройства, обеспечивающего генерацию плазмы на большей по сравнению с устройством, представленным на фиг. 8, площади за счет дополнительной пары проводников 2, причем все проводники ориентированы параллельно и навстречу друг другу. Следует отметить, что прямолинейность данных проводников не является обязательным условием ни в предыдущих, ни в последующих примерах. Симметричное включение проводников 2 обеспечивается за счет равенства между собой длин отрезков линии передачи 22, а также равенства между собой отрезков 24. Возможны другие симметричные схемы подсоединения четырех проводников антенны к источнику переменного напряжения. In FIG. 9 shows a diagram of a device for generating plasma at a larger compared to the device shown in FIG. 8, the area due to an additional pair of conductors 2, and all conductors are oriented parallel and towards each other. It should be noted that the straightness of these conductors is not a prerequisite in either the previous or subsequent examples. The symmetrical inclusion of the conductors 2 is ensured by the equality of the lengths of the segments of the transmission line 22, as well as the equality of the segments 24. The symmetrical connections of the four conductors of the antenna to the AC voltage source are possible.

На фиг. 10 продемонстрирован еще один способ улучшения равномерности распределения плотности плазмы вдоль линий проводника 2 антенны: проводник 2 изгибается посередине на 180o и образует две параллельные линии.In FIG. 10 shows another way to improve the uniformity of the plasma density distribution along the lines of the antenna conductor 2: the conductor 2 bends in the middle by 180 ° and forms two parallel lines.

На фиг. 11 площадь области генерации плазмы увеличивается за счет дополнительного проводника 2, включенного навстречу аналогичному проводнику 2. Равенство длин отрезков 22 линии передачи обеспечивает симметричность подсоединения обоих проводников антенны к генератору переменного напряжения 5 с согласующим устройством 6. In FIG. 11, the area of the plasma generation region is increased due to the additional conductor 2, connected towards a similar conductor 2. The equality of the lengths of the segments 22 of the transmission line ensures the symmetry of the connection of both conductors of the antenna to the alternating voltage generator 5 with matching device 6.

На фиг. 12 и 13 представлены соответственно вид сбоку и вид сверху системы генерации плазмы, содержащей два проводника 2 антенны, образующих четыре параллельных линии. Плоскость линий проводников 2 с одной стороны прилегает к проводящей стенке вакуумной камеры 1 с небольшим зазором, исключающим образование разряда внутри зазора. При этом расстояние от этой плоскости до другой стенки вакуумной камеры является достаточным для возникновения разряда при соответствующих условиях. Такое расположение проводников антенны (независимо от их количества и формы) является более удобным при обработке одиночных подложек. Симметричное же (по центру) расположение в рабочей камере антенны позволяет располагать подложки с обеих сторон от ее поверхности. Следует отметить, что изменение размера зазора между проводниками антенны и ближней стенкой, а также типа изолятора 24 и степени заполнения им зазора (если такой изолятор используется) позволяет изменять длину и коэффициент затухания электромагнитной волны, распространяющейся вдоль проводника антенны, вместе с волновым сопротивлением антенны. Это дает дополнительную возможность управления режимами работы антенны (бегущей или стоячей волны) и степенью ее согласования с генератором переменного напряжения. In FIG. 12 and 13 are respectively a side view and a top view of a plasma generation system containing two antenna conductors 2, forming four parallel lines. The plane of the lines of the conductors 2 on one side is adjacent to the conductive wall of the vacuum chamber 1 with a small gap, eliminating the formation of a discharge inside the gap. In this case, the distance from this plane to the other wall of the vacuum chamber is sufficient for a discharge to occur under appropriate conditions. This arrangement of the antenna conductors (regardless of their number and shape) is more convenient when processing single substrates. Symmetric (in the center) location in the working chamber of the antenna allows you to place the substrate on both sides of its surface. It should be noted that changing the size of the gap between the antenna conductors and the near wall, as well as the type of insulator 24 and the degree of filling of the gap with it (if such an insulator is used) allows you to change the length and attenuation coefficient of the electromagnetic wave propagating along the antenna conductor, together with the wave impedance of the antenna. This gives an additional opportunity to control the operating modes of the antenna (traveling or standing wave) and the degree of its coordination with the alternating voltage generator.

Приведенные на фиг. 6-13 варианты систем генерации плазмы не являются единственно возможными. Особенностью данного изобретения является то, что оно позволяет создавать большое число вариантов систем генерации плазмы, основываясь на том факте, что именно поверхность, образованная проводниками антенны, задает форму рабочей поверхности. Причем эта рабочая поверхность (а следовательно, поверхность обрабатываемых изделий) может быть не только плоской, но и объемной: круглой, цилиндрической и т.д. (и не обязательно правильной формы). Если необходимо обработать внутреннюю полость (также практически любой формы) образца, то антенну соответствующей формы можно также разместить внутри этой полости. Во всех вариантах систем генерации плазмы допустимо также второй конец проводника антенны оставлять свободным (не подсоединять к стенке экрана вакуумной камеры), что может оказаться более удобным с точки зрения свободы перемещения объектов обработки внутри вакуумной камеры. При этом изменение комплексного сопротивления устройства генерации плазмы может быть компенсировано с помощью согласующего устройства. Referring to FIG. 6-13 options for plasma generation systems are not the only ones possible. A feature of this invention is that it allows you to create a large number of options for plasma generation systems, based on the fact that it is the surface formed by the antenna conductors that defines the shape of the working surface. Moreover, this working surface (and therefore the surface of the processed products) can be not only flat, but also voluminous: round, cylindrical, etc. (and not necessarily the correct form). If it is necessary to process the internal cavity (also of almost any shape) of the sample, then an antenna of the corresponding shape can also be placed inside this cavity. In all variants of plasma generation systems, it is also permissible to leave the second end of the antenna conductor free (not connected to the screen wall of the vacuum chamber), which may be more convenient from the point of view of freedom of movement of the processing objects inside the vacuum chamber. In this case, the change in the complex resistance of the plasma generation device can be compensated using a matching device.

Рассмотрим теперь физические явления, определяющие выбор его конструктивных параметров вариантов устройства по пп. 9-24 изобретения. Выбор формы антенны (для передачи энергии в плазму) в виде удлиненного проводника с малыми поперечными размерами (по сравнению с вакуумной камерой) позволяет решить две задачи: сформировать поверхность, в которой лежат проводники антенны, нужной формы (ориентированной на форму обрабатываемого изделия, в общем случае произвольную) и обеспечить низкий уровень напряженности переменного поля вблизи обрабатываемой поверхности, обусловленный быстрым, пропорциональным D/r падением напряженности поля в окрестности проводника. Выбор частоты ω генератора переменного поля и условия эффективного возбуждения поверхностных волн обсуждены ранее при описании устройства по п. 4. Let us now consider the physical phenomena that determine the choice of its design parameters of the device variants according to claims. 9-24 inventions. The choice of the shape of the antenna (for energy transfer to the plasma) in the form of an elongated conductor with small transverse dimensions (compared to a vacuum chamber) allows us to solve two problems: to form the surface on which the antenna conductors lie, of the desired shape (oriented to the shape of the workpiece, in general case arbitrary) and provide a low level of alternating field strength near the surface to be treated, due to a rapid, proportional to D / r, decrease in field strength in the vicinity of the conductor. The choice of the frequency ω of the alternating field generator and the conditions for the effective excitation of surface waves were discussed earlier in the description of the device according to claim 4.

Условие D<H/1,5, где H - ближайшее расстояние от проводника антенны до внутренней поверхности рабочей камеры (т. е. до внешней границы плазмы), обеспечивает дополнительное уменьшение напряженности переменного поля на этой поверхности в 3 раза и более за счет геометрического фактора. Поэтому выполнение условия A<1<λs не является обязательным (в отличие от устройства по п. 4-8) при реализации данного устройства (п. 9). Выполнение условия A<1<λs приводит к дополнительному уменьшению поля поверхностной волны у внешней границы плазмы (п. 10). Сравнивая варианты выполнения устройств по п. 4 и п. 9, отметим, что в варианте по п. 4 реализуется меньшая напряженность поля вблизи антенны проводника, что обусловливает возможность работы при больших мощностях основного генератора и большую стойкость к распылению антенны. В то же время использование отдельных проводников (п. 9) обеспечивает большую гибкость в обработке объектов сложной формы, потери заряженных частиц на антенне из отдельных проводников также существенно ниже, чем для одного электрода большой площади (п. 4). Поперечный периметр проводника антенны при выполнении устройства по пп. 9-22 выбран в четыре раза меньшим, чем длина поверхностной волны. Это связано с необходимостью исключить возможность формирования неоднородного распределения поля по поперечному периметру антенны за счет образования стоячей волны или самофокусировки поля поверхностной волны, что ведет к усилению распыления материала антенны, ухудшению условий передачи энергии вдоль проводника и возможности появления резонансов на вольт-амперной характеристике разряда. Поскольку длинноволновой резонанс соответствует равенству периметра половине длины волны, для исключения указанных эффектов достаточно, чтобы длина периметра поперечного сечения проводника не превышала четверти длины поверхностной волны.The condition D <H / 1.5, where H is the closest distance from the antenna conductor to the inner surface of the working chamber (i.e., to the outer boundary of the plasma), provides an additional decrease in the intensity of the ac field on this surface by 3 times or more due to the geometric factor a. Therefore, the fulfillment of the condition A <1 <λ s is not mandatory (unlike the device according to p. 4-8) when implementing this device (p. 9). The fulfillment of the condition A <1 <λ s leads to an additional decrease in the field of the surface wave at the outer boundary of the plasma (Sec. 10). Comparing the embodiments of the devices according to p. 4 and p. 9, we note that in the variant according to p. 4, a lower field strength near the conductor antenna is realized, which makes it possible to work at high powers of the main generator and a greater resistance to antenna sputtering. At the same time, the use of individual conductors (item 9) provides greater flexibility in processing objects of complex shape, the loss of charged particles on the antenna from individual conductors is also significantly lower than for a single electrode with a large area (item 4). The transverse perimeter of the antenna conductor when performing the device according to paragraphs. 9-22 are selected four times smaller than the surface wavelength. This is due to the need to exclude the possibility of forming an inhomogeneous field distribution along the transverse perimeter of the antenna due to the formation of a standing wave or self-focusing of the surface wave field, which leads to increased sputtering of the antenna material, worsened conditions of energy transfer along the conductor and the possibility of resonances appearing on the current-voltage characteristic of the discharge. Since the long-wave resonance corresponds to the equality of the perimeter to half the wavelength, to eliminate these effects it is enough that the length of the perimeter of the cross section of the conductor does not exceed a quarter of the surface wavelength.

Диапазон рабочих давлений P данной системы генерации плазмы приблизительно ограничивается пределами 10-2 - 10 Па. Величина P в первую очередь определяет механизм поглощения электромагнитной волны. При низких давлениях (когда νe<ω, где νe - частота столкновений электрон-нейтрал, ω - частота генератора) существенную роль играет бесстолкновительное резонансное поглощение электромагнитной волны в той области плазмы, где ωpe= ω (такая область на границе плазмы всегда существует, если в объеме плазмы ωpe>ω) [9], обеспечивая малое значение нижнего порога рабочего давления. Нижняя граница рабочего давления определяется в основном размерами системы. Частота ионизации в стационарной плазме низкого давления равна обратному времени разлета плазмы на стенку τ-1= vs/L(c-1), vs - ионно-звуковая скорость (см/с), L - поперечный размер камеры (см). Как известно, частота ионизации ограничена сверху значением νi= v1σmaxna(c-1), где σmax- максимальное значение сечения ионизации (см), na - плотность нейтрального газа (см-3), vI - скорость электронов, соответствующая максимальной частоте ионизации (см/с). Таким образом

Figure 00000006

Здесь k - постоянная Больцмана (1,38•10-16 эрг/K), T - температура газа (K). Давление в дин/см2 может быть пересчитано в Паскали по формуле P(Па) = P(дин/см2)/10. Реально достижимое минимальное давление превышает эту оценку в 5-10 раз.The range of operating pressures P of this plasma generation system is approximately limited to 10 -2 - 10 Pa. The value of P primarily determines the mechanism of absorption of the electromagnetic wave. At low pressures (when ν e <ω, where ν e is the electron-neutral collision frequency, ω is the generator frequency), the collisionless resonance absorption of the electromagnetic wave in the plasma region where ω pe = ω (such a region at the plasma boundary is always exists if in the plasma volume ω pe > ω) [9], providing a small value of the lower threshold of the working pressure. The lower limit of the working pressure is determined mainly by the size of the system. The ionization frequency in a stationary low-pressure plasma is equal to the reciprocal of the plasma expansion time τ -1 = v s / L (s -1 ), v s is the ion-sound velocity (cm / s), L is the transverse chamber size (cm). As is known, the ionization frequency is bounded from above by the value ν i = v 1 σ max n a (c -1 ), where σ max is the maximum value of the ionization cross section (cm), n a is the density of the neutral gas (cm -3 ), v I - electron velocity corresponding to the maximum ionization frequency (cm / s). In this way
Figure 00000006

Here k is the Boltzmann constant (1.38 • 10 -16 erg / K), T is the gas temperature (K). The pressure in dyne / cm 2 can be recalculated in Pascal according to the formula P (Pa) = P (dyne / cm 2 ) / 10. Actually achievable minimum pressure exceeds this estimate by 5-10 times.

Столкновительное поглощение определяется, как известно, столкновительной проводимостью плазмы

Figure 00000007

Поэтому эффективность поглощения энергии переменного поля при давлениях выше определенного значения (определяемого примерно условием νe>ω ) начинает падать. Второй механизм, ограничивающий рабочее давление сверху, связан с уменьшением длины λe свободного пробега заряженных частиц плазмы с ростом давления (например, при P=10-2 тор λe≈ 1 см). Поскольку в описываемом устройстве напряженность поля сконцентрирована на малом расстоянии от поверхности проводника (имеющего малый поперечный размер), величина λt/ (длина теплопроводности электронного газа) определяет характерный размер неоднородности средней энергии электронов в поперечном к поверхности проводника направлении: λt= λe/δ, δ - средняя доля теряемой электронами в столкновениях энергии (при упругих столкновениях δ =2m/M). Остывание электронов вдали от проводника приводит к уменьшению частоты ионизации и, следовательно, неоднородности плазмы в пространстве. Верхняя граница по давлению, при которой плазма, создаваемая устройством, однородна, определяется равенством расстояния между проводниками антенны характерной длине неоднородности средней энергии электрона (т.е. длины теплопроводности электронного газа). Перемещение обрабатываемых изделий в направлении поперек линий проводников антенны позволяет компенсировать возникающую при повышенных давлениях неравномерность обработки.Collision absorption is determined, as is known, by collisional plasma conductivity
Figure 00000007

Therefore, the absorption efficiency of the energy of an alternating field at pressures above a certain value (determined approximately by the condition ν e > ω) begins to decrease. The second mechanism limiting the working pressure from above is associated with a decrease in the mean free path λ e of charged plasma particles with increasing pressure (for example, at P = 10 −2 torr, λ e ≈ 1 cm). Since the field strength in the described device is concentrated at a small distance from the surface of the conductor (having a small transverse size), the quantity λ t / (length of the thermal conductivity of the electron gas) determines the characteristic size of the inhomogeneity of the average electron energy in the direction transverse to the surface of the conductor: λ t = λ e / δ, δ is the average fraction of energy lost by electrons in collisions (in elastic collisions, δ = 2m / M). The cooling of electrons far from the conductor leads to a decrease in the frequency of ionization and, consequently, the inhomogeneity of the plasma in space. The upper pressure limit at which the plasma generated by the device is homogeneous is determined by the equality of the distance between the antenna conductors to the characteristic length of the inhomogeneity of the average electron energy (i.e., the length of the thermal conductivity of the electron gas). Moving the processed products in the direction across the lines of the antenna conductors allows you to compensate for the unevenness of processing that occurs at elevated pressures.

Минимальное значение удельной мощности, при которой поддерживался разряд в экспериментальном устройстве с рабочей площадью 0,6x0,6 м2 при давлении от 6•10-2 до 0,8 Па в среде Ar, O2 и N2, составило около 0,01 Вт/см2 при работе на частотах 13,56 МГц и 150 МГц.The minimum value of the specific power at which the discharge was maintained in an experimental device with a working area of 0.6x0.6 m 2 at a pressure of 6 • 10 -2 to 0.8 Pa in an Ar, O 2, and N 2 medium was about 0.01 W / cm 2 when operating at frequencies of 13.56 MHz and 150 MHz.

При выборе расстояния между отрезками проводников антенны при стационарной обработке подложки для обеспечения равномерности обработки должно выполняться условие Min[1,5D, λs]<d<2λt. При этом первое неравенство обеспечивает малость взаимного влияния соседних проводников и ограничивает возможность образования стоячей волны и связанной с ней неравномерностью плотности плазмы вдоль проводников антенны.When choosing the distance between the segments of the antenna conductors during stationary processing of the substrate, in order to ensure uniform processing, the condition Min [1,5D, λ s ] <d <2λ t must be satisfied. In this case, the first inequality provides a small mutual influence of neighboring conductors and limits the possibility of the formation of a standing wave and the associated uneven plasma density along the antenna conductors.

Условие h>d/2 служит, с одной стороны, обеспечению выравнивания исходной неоднородности плотности плазмы за счет ее диффузии, а с другой - ослаблению напряженности переменного поля вблизи обрабатываемой поверхности (т.е. внешней границы плазмы). The condition h> d / 2 serves, on the one hand, to ensure equalization of the initial nonuniformity of the plasma density due to its diffusion, and, on the other hand, to weaken the ac field strength near the treated surface (i.e., the outer boundary of the plasma).

Другой параметр, имеющий важное значение при работе настоящего устройства, - это расстояние λd вдоль проводника антенны, на котором происходит существенное поглощение электромагнитной волны (например, с ослаблением напряженности поля в e= 2,7 раз). Эксперименты, а также расчеты, выполненные авторами данного изобретения, показали, что λd может изменяться от десятков сантиметров до единиц метров. Практическим следствием данного факта является то, что, выбирая длину отдельного проводника антенны большей либо меньшей λd, можно обеспечить режим бегущей либо стоячей волны соответственно. При этом в первом случае плотность плазмы будет монотонно спадать по длине проводника антенны, а во втором изменяться периодически с шагом, соответствующим длине волны в плазме (т.е. от единиц см и больше). Таким образом, имеются два режима работы устройства, из которых можно выбирать при обработке изделий заданной формы с заданной равномерностью.Another parameter that is important during the operation of this device is the distance λ d along the conductor of the antenna, at which there is a significant absorption of the electromagnetic wave (for example, with a weakening field strength e = 2.7 times). The experiments, as well as the calculations performed by the authors of this invention, showed that λ d can vary from tens of centimeters to units of meters. The practical consequence of this fact is that by choosing the length of the individual conductor of the antenna greater or less than λ d , it is possible to provide a traveling or standing wave, respectively. In this case, in the first case, the plasma density will monotonically decrease along the length of the antenna conductor, and in the second case it will change periodically with a step corresponding to the wavelength in the plasma (i.e., from units of cm or more). Thus, there are two modes of operation of the device from which you can choose when processing products of a given shape with a given uniformity.

Ранее при определении ориентировочного значения минимального расстояния между проводниками антенны была принята во внимание возможность нежелательного их взаимного влияния. Данное ограничение снизу на величину d можно снять, если использовать как минимум два генератора с некратными друг другу частотами. При этом необходимо проводники антенны расположить и подключить к генераторам таким образом, чтобы каждые два соседних отрезка проводников работали на некратных частотах. Эта мера исключает возможность образования стоячих волн при взаимодействии полей, создаваемых соседними отрезками антенны (см. п. 20 формулы). Earlier, when determining the approximate value of the minimum distance between the antenna conductors, the possibility of their unwanted mutual influence was taken into account. This lower limit on the value of d can be removed if at least two generators with multiple frequencies are used. In this case, it is necessary to arrange and connect the antenna conductors to the generators in such a way that every two adjacent lengths of conductors operate at non-multiple frequencies. This measure excludes the possibility of the formation of standing waves during the interaction of fields created by adjacent segments of the antenna (see paragraph 20 of the formula).

Длина волны λ и длина λd, на которой происходит существенное затухание волны вдоль проводника антенны, зависят от основных параметров разряда (давления, рода газа, плотности электронов и др.). Но этими величинами можно управлять независимо от параметров разряда, используя диэлектрические покрытия проводников антенны различной толщины и с различной диэлектрической проницаемостью ε. Диэлектрическое покрытие может потребоваться и для увеличения химической стойкости антенны при работе в химически активной среде.The wavelength λ and the length λ d , at which substantial attenuation of the wave occurs along the antenna conductor, depend on the main parameters of the discharge (pressure, type of gas, electron density, etc.). But these values can be controlled independently of the discharge parameters using dielectric coatings of antenna conductors of various thicknesses and with different dielectric constants ε. A dielectric coating may also be required to increase the chemical resistance of the antenna when operating in a chemically active environment.

На фиг. 14 и 15 представлена система генерации для обработки плоских изделий, содержащая устройство возбуждения плазмы с антенной в виде двух проводников 2, образующих четыре параллельных линии в одной плоскости, и два симметрично расположенных подложкодержателя 12 с подложками 15. Линии передачи 22 (одинаковой длины) и 4 соединяют проводники 2 с источником переменного напряжения (генератором 5 с согласующим устройством 6). Подложкодержатели 12, в свою очередь, подсоединены к генераторам переменного напряжения 13 (обеспечивающим отрицательное смещение на подложках) с согласующими устройствами 14. Вакуумная камера 1 снабжена средствами напуска рабочих газов и откачки. In FIG. 14 and 15 show a generation system for processing flat products, comprising a plasma excitation device with an antenna in the form of two conductors 2, forming four parallel lines in one plane, and two symmetrically arranged substrate holder 12 with substrates 15. Transmission lines 22 (of the same length) and 4 conductors 2 are connected to an alternating voltage source (generator 5 with matching device 6). The substrate holders 12, in turn, are connected to alternating voltage generators 13 (providing negative bias on the substrates) with matching devices 14. The vacuum chamber 1 is equipped with means for introducing working gases and pumping out.

Устройство генерации плазмы с рабочей зоной цилиндрической формы представлено на фиг. 16. Цилиндрический подложкодержатель 25 (способный вращаться вокруг своей оси) частично окружен четырьмя проводниками 2 антенны, образующими восемь линий, параллельных оси подложкодержателя. Отрезки линий передачи 22 (равной длины), 25 (равной длины) и 4 соединяют проводники 2 с генератором переменного напряжения 5 через согласующее устройство 6. Подложкодержатель 12 соединен с генератором переменного напряжения 13, обеспечивающим отрицательное смещение на нем через согласующее устройство 14. Система напуска газов и откачки, а также подложки на рисунке не указаны. Использование в антенне дополнительных проводников с тем, чтобы линии этих проводников образовали замкнутую цилиндрическую поверхность, охватывающую подложкодержатель полностью, позволяет отказаться от вращения подложкодержателя. Размещение подложек возможно также и на внутренней поверхности стенок вакуумной камеры. A plasma generation device with a cylindrical working zone is shown in FIG. 16. A cylindrical substrate holder 25 (capable of rotating around its axis) is partially surrounded by four antenna conductors 2, forming eight lines parallel to the axis of the substrate holder. The segments of the transmission lines 22 (of equal length), 25 (of equal length) and 4 connect the conductors 2 to the alternating voltage generator 5 through a matching device 6. The substrate holder 12 is connected to the alternating voltage generator 13, which provides a negative bias on it through a matching device 14. Inlet system gases and pumping, as well as the substrate in the figure are not indicated. The use of additional conductors in the antenna so that the lines of these conductors form a closed cylindrical surface, covering the substrate holder completely, eliminates the rotation of the substrate holder. The placement of substrates is also possible on the inner surface of the walls of the vacuum chamber.

Описанный выше способ создания плазмы и устройство для его реализации позволяют минимизировать поля вблизи внешних границ плазмы и таким образом снизить до минимума энергию ионов, бомбардирующих подложку. Использование дополнительного генератора переменного напряжения (более низкой частоты), подсоединенного к подложкодержателю (или непосредственно к обрабатываемому изделию), позволяет обеспечить дополнительное ускорение ионов на подложку. Частота используемых для этих целей генераторов лежит в пределах от единиц до 30 МГц. Приведем в качестве примера реализации изобретения систему генерации плазмы с площадью рабочей зоны 0,6x0,6 м2 (фиг. 17). В направлении, перпендикулярном плоскости антенны, зона разряда ограничена подложкодержателями, расстояние между которыми составляет 10 см. Антенна состоит из двух проводников, причем каждый проводник образует по четыре параллельных линии, расположенных в одной плоскости. Отрезки коаксиальной линии 4 симметрично соединяют проводники 1 антенны с генератором переменного напряжения 5, работающим на частоте 150 МГц. В ходе испытаний были получены следующие результаты. В диапазоне давлений аргона от 0,8 до 0,06 Па при мощности, вложенной в разряд, от 50 до 700 Вт плотность плазмы изменялась от 0,4 до 3•1010 см-3, что соответствовало изменению ионного тока на подложкодержатель от 0,15 до 1 мА/см2. В отсутствие дополнительного ВЧ-смещения на подложкодержателях средняя энергия ионов, падающих на их поверхность, измеренная электростатическим сеточным анализатором, составляла от 20 до 60 эВ. Неравномерность распределения плотности плазмы в рабочей области (площадью 0,6x0,6 м2) составила не более ± 10%.The above-described method of creating a plasma and a device for its implementation can minimize fields near the outer boundaries of the plasma and thus reduce the energy of the ions bombarding the substrate to a minimum. The use of an additional alternating voltage generator (lower frequency) connected to the substrate holder (or directly to the workpiece) allows for additional ion acceleration to the substrate. The frequency of the generators used for these purposes ranges from units to 30 MHz. We give as an example of the invention a plasma generation system with a working area of 0.6x0.6 m 2 (Fig. 17). In the direction perpendicular to the plane of the antenna, the discharge zone is limited by substrate holders, the distance between which is 10 cm. The antenna consists of two conductors, each conductor forming four parallel lines located in the same plane. The segments of the coaxial line 4 symmetrically connect the conductors 1 of the antenna with an alternating voltage generator 5 operating at a frequency of 150 MHz. During the tests, the following results were obtained. In the argon pressure range from 0.8 to 0.06 Pa with a power deposited in the discharge from 50 to 700 W, the plasma density varied from 0.4 to 3 • 10 10 cm -3 , which corresponded to a change in the ion current to the substrate holder from 0 , 15 to 1 mA / cm 2 . In the absence of additional RF bias on the substrate holders, the average energy of ions incident on their surface, measured by an electrostatic grid analyzer, ranged from 20 to 60 eV. The uneven distribution of plasma density in the working area (area 0.6x0.6 m 2 ) was not more than ± 10%.

Аналогичные результаты были получены при работе с парами циклогексана. Измерение скорости осаждения пленок (при работе с C6H12 в качестве рабочего газа) показало соответствие распределений плотности плазмы и скорости осаждения пленок в рабочей области.Similar results were obtained when working with cyclohexane vapors. Measurement of the film deposition rate (when working with C 6 H 12 as the working gas) showed a correspondence between the plasma density distributions and the film deposition rate in the working region.

Источники информации
1. Asmussen J. Microwave Plasma processing for material synthesis. In.: "Microwave plasma and its applications", edited by Yury A. Lebedev. Moscow: "The Moscow Physical Society", 1995, pp. 52-83.Sources of information
1. Asmussen J. Microwave Plasma processing for material synthesis. In .: "Microwave plasma and its applications", edited by Yury A. Lebedev. Moscow: "The Moscow Physical Society", 1995, pp. 52-83.

2. Pelletier J., Lagarde Т., Durandet A. and Tynelis-Diez K. Distributed ECR Plasma sources: Reactor scale-up and performance. In: "Microwave plasma and its applications", edited by Yury A. Lebedev. Moscow: The Moscow Physical Society, 1995, pp.352-365. 2. Pelletier J., Lagarde T., Durandet A. and Tynelis-Diez K. Distributed ECR Plasma sources: Reactor scale-up and performance. In: "Microwave plasma and its applications", edited by Yury A. Lebedev. Moscow: The Moscow Physical Society, 1995, pp. 352-365.

3. Moisan M., Zakrzevski Z. Surface wave launcher to produce plasma columns and means for producing plasma of different shares. Патент США N 4906898 от 06.03.1990, US C1. 315/39 (МКИ H 01 J 1/04). 3. Moisan M., Zakrzevski Z. Surface wave launcher to produce plasma columns and means for producing plasma of different shares. U.S. Patent No. 4,906,898 dated March 6, 1990, US C1. 315/39 (MKI H 01 J 1/04).

4. Collins K. S. , Roderick C.A., Yang C.-L., Wang D.N.K., Maydan D. VHF/UHF reactor System. Патент США N 5210466, 11.05.93, US C1. 315/111.21, МКИ H 05 H 1/24. 4. Collins K. S., Roderick C.A., Yang C.-L., Wang D.N.K., Maydan D. VHF / UHF reactor System. U.S. Patent No. 5,210,466, 05/11/93, US C1. 315 / 111.21, MKI H 05 H 1/24.

5. Технология тонких пленок (Справочник). Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Нью-Йорк, 1970, Пер. с англ. Под ред. М.И.Елинсона, Г.Г.Смолко. T.1. М., "Сов. Радио", 1977, с. 448. 5. Technology of thin films (Handbook). Ed. L. Meissel, R. Glanga. New York, 1970, Trans. from English Ed. M.I. Elinson, G.G. Smolko. T.1. M., "Sov. Radio", 1977, p. 448.

6. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ. Под ред. акад. Н.Д.Девяткова. М.: "Высшая школа", 1970, с. 216-226. 6. Lebedev I.V. Microwave equipment and devices. Ed. Acad. N.D.Devyatkova. M .: "Higher School", 1970, p. 216-226.

7. Вайнштейн Л.А. Электромагнитные волны. М.: "Радио и связь", 1988, с. 116. 7. Weinstein L.A. Electromagnetic waves. M .: "Radio and communications", 1988, p. 116.

8. Кондратенко А. Н. Поверхностные и объемные волны в ограниченной плазме. М.: "Энергоатомиздат", 1985, с. 178-186. 8. Kondratenko A. N. Surface and body waves in a limited plasma. M .: "Energoatomizdat", 1985, p. 178-186.

9. Там же, с. 20-24. 9. Ibid., P. 20-24.

10. Taillet J. Resonance sustained radiofrequency discharges. American Journal of Physics, 1969, v.37, p. 423-433. Taillet J. The radiofrequency sheath in self-sustained plasmoids. Journal de Physique, 1979, v.40, NC7, p. C7-159. 10. Taillet J. Resonance sustained radiofrequency discharges. American Journal of Physics, 1969, v. 37, p. 423-433. Taillet J. The radiofrequency sheath in self-sustained plasmoids. Journal de Physique, 1979, v. 40, NC7, p. C7-159.

11. Savas S. E., Plavidal R.W. Spatial variations in the electrode potential of capasitive radiofrequency plasmas due to transverse electromagnetic modes. J. Vac. Sci. Technol. A, Vac. Surf. films. V.6, N 3, Pt.2, P. 1777, 1988. 11. Savas S. E., Plavidal R.W. Spatial variations in the electrode potential of capasitive radiofrequency plasmas due to transverse electromagnetic modes. J. Vac. Sci. Technol. A, Vac. Surf films. V.6, N 3, Pt. 2, P. 1777, 1988.

12. Lieberman M.A., Savas S.E. Bias voltage in finite length cylindrical coaxial radiofrequency discharges. J. Vac. Sci. Technol. A, Vac. Surf. films. V.8. N 3, Pt.l, p. 1632-1641, 1988. 12. Lieberman M.A., Savas S.E. Bias voltage in finite length cylindrical coaxial radiofrequency discharges. J. Vac. Sci. Technol. A, Vac. Surf films. V.8. N 3, Pt.l, p. 1632-1641, 1988.

Claims (22)

1. Способ создания плазмы с рабочей зоной большой площади с помощью поверхностных волн, возбуждаемых антенной, соединенной с генератором переменного напряжения, отличающийся тем, что поверхностную волну возбуждают на границе плазмы с антенной, которую используют в качестве волноведущей структуры, содержащей по крайней мере один проводник, которую помещают внутри плазмы на расстоянии H от внешней границы плазмы, превышающем глубину проникновения поверхностной волны в плазму λs (см), а частоту волны выбирают из условия
Figure 00000008

где ωpe = (4πnee2/m)1/2, ωpi = (4πnee2/M)1/2-электронная и ионная Ленгмюровские частоты плазмы, с-1,
ne - плотность электронов в плазме, см-3;
ωd = H/Vd, c-1, где Vd=e(E/300)/m(ω2 + ν 2 e )1/2 - максимальная скорость дрейфа электронов в переменном электрическом поле см/с;
E - напряженость электрического поля в плазме В/см;
νe - частота столкновений электрон-нейтрал, c-1;
m, M - массы электрона и иона, г;
е - заряд электрона, 4,8•10-10 СГСЭq.1. A method of creating a plasma with a large working area using surface waves excited by an antenna connected to an alternating voltage generator, characterized in that the surface wave is excited at the plasma interface with the antenna, which is used as a waveguide structure containing at least one conductor which is placed inside the plasma at a distance H from the outer boundary of the plasma exceeding the depth of penetration of the surface wave into the plasma λ s (cm), and the wave frequency is chosen from the condition
Figure 00000008

where ω pe = (4πn e e 2 / m) 1/2 , ω pi = (4πn e e 2 / M) 1/2 is the electron and ion Langmuir plasma frequencies, s -1 ,
n e is the electron density in the plasma, cm -3 ;
ω d = H / V d , c -1 , where V d = e (E / 300) / m (ω 2 + ν 2 e ) 1/2 is the maximum electron drift velocity in an alternating electric field, cm / s;
E is the electric field strength in the plasma V / cm;
ν e is the electron-neutral collision frequency, s -1 ;
m, M are the masses of the electron and ion, g;
e is the electron charge, 4.8 • 10 -10 CGSE q . 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что максимальный поперечный размер D проводников антенны выбирают из условия D<H/1,5, где H - расстояние от поверхности антенны до внешней границы плазмы (см). 2. The method according to claim 1, characterized in that the maximum transverse dimension D of the antenna conductors is selected from the condition D <H / 1,5, where H is the distance from the surface of the antenna to the outer boundary of the plasma (cm). 3. Способ по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что нижнюю границу частоты электромагнитных волн устанавливают равной 50 Мгц. 3. The method according to any one of claims 1 and 2, characterized in that the lower limit of the frequency of electromagnetic waves is set equal to 50 MHz. 4. Устройство генерации плазмы, включающее: вакуумную камеру, средства для откачки вакуумной камеры, средства для напуска газа в рабочую камеру, генератор переменного напряжения, узел генерации плазмы, линию передачи электромагнитных колебаний, соединяющую генератор переменного напряжения с узлом генерации плазмы, отличающееся тем, что узел генерации плазмы состоит из антенны в виде проводника с поверхностью, геометрически соответствующей форме обрабатываемой поверхности, равноудаленной от нее и полностью или частично перекрывающей ее, и проводящего экрана, контактирующего с плазмой, имеющего размеры в поперечном к поверхности антенны направлении не менее удвоенной глубины проникновения поля в плазму 2 λs, выход генератора соединен с антенной, а шина заземления генератора с экраном, генератор имеет частоту ω переменного напряжения, находящуюся в пределах
Figure 00000009

расстояние H от поверхности антенны до внешней границы плазмы удолетворяет условию H > λs, а подвод переменного напряжения к антенне выполнен таким образом, что расстояние l между антенной в месте подвода переменного напряжения и экраном лежит в пределах
A < l < λs,
A - критическое расстояние электрической прочности зазора,
где ωpe = (4πnee2/m)1/2, ωpi = (4πnee2/M)1/2 - электронная и ионная Ленгмюровские частоты плазмы (c-1);
ne - плотность электронов в плазме, см-3;
ωd = H/Vd(c-1);Vd = e(E/300)/m(ω2 + ν 2 e )1/2 - - максимальная скорость дрейфа электронов в переменном электрическом поле см/c;
E - напряженность электрического поля в плазме, В/см;
νe - частота столкновений электрон-нейтрал, c-1;
m, M - массы электрона и иона, г;
e - заряд электрона 4,8•10-10 СГСЭq.4. A plasma generation device, comprising: a vacuum chamber, means for pumping a vacuum chamber, means for injecting gas into the working chamber, an alternating voltage generator, a plasma generation unit, an electromagnetic oscillation transmission line connecting the alternating voltage generator to a plasma generating unit, characterized in that the plasma generation unit consists of an antenna in the form of a conductor with a surface geometrically corresponding to the shape of the treated surface, equidistant from it and completely or partially overlapping e e, and a conductive screen in contact with the plasma, having dimensions in the direction transverse to the surface of the antenna of at least twice the depth of field penetration into the plasma of 2 λ s , the output of the generator is connected to the antenna, and the grounding bus of the generator with the screen, the generator has an alternating voltage frequency ω, within
Figure 00000009

the distance H from the surface of the antenna to the outer boundary of the plasma satisfies the condition H> λ s , and the supply of alternating voltage to the antenna is made in such a way that the distance l between the antenna at the point of supply of alternating voltage and the screen lies within
A <l <λ s ,
A is the critical distance of the electrical strength of the gap,
where ω pe = (4πn e e 2 / m) 1/2 , ω pi = (4πn e e 2 / M) 1/2 are the electron and ion Langmuir plasma frequencies (c -1 );
n e is the electron density in the plasma, cm -3 ;
ω d = H / V d (c -1 ); V d = e (E / 300) / m (ω 2 + ν 2 e ) 1/2 - is the maximum electron drift velocity in an alternating electric field, cm / s;
E is the electric field in the plasma, V / cm;
ν e is the electron-neutral collision frequency, s -1 ;
m, M are the masses of the electron and ion, g;
e is the electron charge 4.8 • 10 -10 CGSE q . 5. Устройство по п.4 отличающееся тем, что проводники антенны покрыты изолирующим слоем. 5. The device according to claim 4, characterized in that the antenna conductors are coated with an insulating layer. 6. Устройство по любому из пп. 4 и 5, отличающееся тем, что содержит дополнительный генератор переменного напряжения с частотой Ω не выше частоты ω основного генератора, проводящий подложкодержатель, с укрепленным на нем обрабатываемым объектом, подсоединенный линией передачи к дополнительному генератору, узел согласования, включеный между дополнительным генератором переменного напряжения и подложкодержателем. 6. The device according to any one of paragraphs. 4 and 5, characterized in that it contains an additional alternating voltage generator with a frequency Ω not higher than the frequency ω of the main generator, a conductive substrate holder, with a machined object mounted on it, connected by a transmission line to the additional generator, a matching unit included between the additional alternating voltage generator and substrate holder. 7. Устройство по любому из пп. 4 - 6, отличающееся тем, что объект обработки находится под плавающим потенциалом. 7. The device according to any one of paragraphs. 4 - 6, characterized in that the processing object is at a floating potential. 8. Устройство по п.6, отличающееся тем, что поверхности антенны, подложки и подложкодержателя - плоские и ориентированные параллельно друг другу. 8. The device according to claim 6, characterized in that the surfaces of the antenna, substrate and substrate holder are flat and oriented parallel to each other. 9. Устройство генерации плазмы, включающее: вакуумную камеру, средства для откачки вакуумной камеры, средства для напуска газа в рабочую камеру, генератор переменного напряжения, узел генерации плазмы, линию передачи электромагнитных колебаний, соединяющую генератор переменного напряжения с узлом генерации плазмы, отличающееся тем, что узел генерации плазмы состоит из антенны в виде по крайней мере одного удлиненного проводника, поперечный периметр которого по крайней мере в 4 раза меньше длины поверхностной волны λo, а наибольший поперечный размер D (см) по крайней мере в 1,5 раза меньше расстояния H от поверхности антенны до внешней границы плазмы, и проводящего заземленного экрана, контактирующего с плазмой, имеющего размер 2 h в поперечном к поверхности антенны направлении не меньше, чем 2•Min (λs, H), причем выход генератора соединен с одним концом проводника антенны, а шина заземления генератора - с экраном, генератор имеет частоту ω переменного напряжения, находящуюся в пределах
Figure 00000010

где λs глубина проникновения переменного поля в плазму;
ωpe= (4πnee2/m)1/2, ωpi= (4πnee2/M)1/2 - электронная и ионная Ленгмюровские частоты плазмы c-1; ne- плотность электронов в плазме см-3; ωd = H/vd, c-1; vd=e(E/300)/m(ω2 + ν 2 e )1/2 - максимальная скорость дрейфа электронов в переменном электрическом поле, см/c;
E - напряженность электрического поля в плазме, В/см;
νe - - частота столкновений электрон-нейтрал c-1;
m, M - массы электрона и иона г;
e - заряд электрона 4,8•10-10 СГСЭq.9. A plasma generation device, comprising: a vacuum chamber, means for pumping out a vacuum chamber, means for injecting gas into the working chamber, an alternating voltage generator, a plasma generating unit, an electromagnetic oscillation transmission line connecting the alternating voltage generator to a plasma generating unit, characterized in that the plasma generation unit consists of an antenna in the form of at least one elongated conductor, the transverse perimeter of which is at least 4 times less than the surface wavelength λ o , and the largest cross The final size D (cm) is at least 1.5 times less than the distance H from the surface of the antenna to the outer boundary of the plasma, and the conductive grounded shield in contact with the plasma, having a size of 2 h in the direction transverse to the surface of the antenna is not less than 2 • Min (λ s , H), and the generator output is connected to one end of the antenna conductor, and the generator grounding bus is connected to the screen, the generator has an alternating voltage frequency ω within
Figure 00000010

where λ s is the depth of penetration of the alternating field into the plasma;
ω pe = (4πn e e 2 / m) 1/2 , ω pi = (4πn e e 2 / M) 1/2 - electron and ion Langmuir plasma frequencies c -1 ; n e is the electron density in the plasma cm -3 ; ω d = H / vd, s -1 ; v d = e (E / 300) / m (ω 2 + ν 2 e ) 1/2 - the maximum electron drift velocity in an alternating electric field, cm / s;
E is the electric field in the plasma, V / cm;
ν e - is the electron-neutral collision frequency c -1 ;
m, M are the mass of the electron and the ion g;
e is the electron charge 4.8 • 10 -10 CGSE q . 10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что расстояние L между концом проводника антенны, подключенным к генератору и экраном лежит в пределах A < l < λs, λs - - глубина проникновения поля в плазму, A - критическое расстояние электрической прочности зазора, а расстояние H от поверхности антенны до внешней границы плазмы превышает глубину проникновения поля в плазму λs.
11. Устройство по любому из пп.9 и 10, отличающееся тем, что антенна выполнена в виде по крайней мере одного проводника, изогнутого посредине на 180o и образующего две параллельные линии.10. The device according to claim 9, characterized in that the distance L between the end of the antenna conductor connected to the generator and the screen lies within A <l <λ s , λ s is the depth of penetration of the field into the plasma, A is the critical distance of the electric strength the gap, and the distance H from the surface of the antenna to the outer boundary of the plasma exceeds the depth of penetration of the field into the plasma λ s .
11. The device according to any one of paragraphs.9 and 10, characterized in that the antenna is made in the form of at least one conductor, bent in the middle by 180 o and forming two parallel lines. 12. Устройство по любому из пп.9-11, отличающееся тем, что антенна выполнена в виде по крайней мере двух проводников, расположенных параллельно друг другу, причем концы проводников, симметрично подключенные к генератору переменного напряжения, расположены в противоположных областях вакуумной камеры. 12. The device according to any one of paragraphs.9-11, characterized in that the antenna is made in the form of at least two conductors located parallel to each other, and the ends of the conductors symmetrically connected to the alternating voltage generator are located in opposite areas of the vacuum chamber. 13. Устройство по любому из п.9-12, отличающееся тем, что проводники антенны расположены несимметрично ближе к одной из стенок вакуумной камеры, причем зазор между антенной и ближней стенкой открыт или заполнен диэлектриком, покрывающим полностью или частично данную стенку, причем минимальная и максимальная величина зазора определяется из условия сохранения им изолирующих свойств. 13. The device according to any one of p. 9-12, characterized in that the antenna conductors are located asymmetrically closer to one of the walls of the vacuum chamber, and the gap between the antenna and the proximal wall is open or filled with a dielectric covering all or part of this wall, and the minimum and the maximum gap value is determined from the condition of preservation of its insulating properties. 14. Устройство по любому из пп.9-13, отличающееся тем, что антенна состоит из проводников, расположенных эквидистантно на поверхности, полностью или частично охватывающей изделие для обработки и геометрически повторяющей форму обрабатываемой поверхности. 14. The device according to any one of claims 9 to 13, characterized in that the antenna consists of conductors located equidistantly on the surface, completely or partially covering the product for processing and geometrically repeating the shape of the treated surface. 15. Устройство по любому из пп.9-14, отличающееся тем, что антенна состоит из проводников, расположенных эквидистантно на поверхности полностью или частично охватываемой данной полостью и геометрически повторяющей форму ее поверхности. 15. The device according to any one of paragraphs.9-14, characterized in that the antenna consists of conductors located equidistantly on the surface completely or partially covered by this cavity and geometrically repeating the shape of its surface. 16. Устройство по любому из пп.9-15, отличающееся тем, что второй конец проводников, составляющих антенну, свободен от гальванических соединений. 16. A device according to any one of claims 9 to 15, characterized in that the second end of the conductors constituting the antenna is free of galvanic connections. 17. Устройство по любому из пп.9-16, отличающееся тем, что нижняя граница частоты ω генератора переменного напряжения выбрана в диапазоне 50 Мгц<
Figure 00000011

18. Устройство по любому из пп.9-17, отличающееся тем, что расстояние d между соседними участками проводников лежит в пределах
Min[1,5•D, λs] < d < 2•λt,
где D - поперечный размер проводника см;
λs - глубина проникновения поверхностной волны в плазму, см;
H - расстояние от поверхности антенны до внешней границы плазмы см;
λt - длина теплопроводимости электронного газа, см.17. The device according to any one of paragraphs.9-16, characterized in that the lower frequency limit ω of the alternator is selected in the range of 50 MHz <
Figure 00000011

18. The device according to any one of paragraphs.9-17, characterized in that the distance d between adjacent sections of the conductors lies within
Min [1,5 • D, λ s ] <d <2 • λ t ,
where D is the transverse dimension of the conductor cm;
λ s is the penetration depth of the surface wave into the plasma, cm;
H is the distance from the surface of the antenna to the outer boundary of the plasma, cm;
λ t is the length of the thermal conductivity of the electron gas, see 19. Устройство по любому из пп.9-18, отличающееся тем, что расстояние H от поверхности антенны до внешней границы плазмы, удолетворяет условию H>d/2, где d (см) - расстояние между соседними участками проводников. 19. The device according to any one of paragraphs.9-18, characterized in that the distance H from the surface of the antenna to the outer boundary of the plasma satisfies the condition H> d / 2, where d (cm) is the distance between adjacent sections of the conductors. 20. Устройство по любому из пп.9-19, отличающееся тем, что проводники антенны подключены к генераторам переменного напряжения с различными некратными друг другу частотами, при этом используются по крайней мере два генератора, причем проводники антенны так размещены в пространстве, что любые два соседних участка различных проводников подключены к генераторам, имеющим различные частоты. 20. The device according to any one of claims 9 to 19, characterized in that the antenna conductors are connected to alternating voltage generators with different frequencies that are not multiple to each other, at least two generators are used, and the antenna conductors are so arranged in space that any two neighboring sections of different conductors are connected to generators having different frequencies. 21. Устройство по любому из пп.9-20, отличающееся тем, что проводники антенны покрыты изолирующим слоем. 21. A device according to any one of claims 9 to 20, characterized in that the antenna conductors are coated with an insulating layer. 22. Устройство по любому из пп.9-21, отличающееся тем, что содержит дополнительный генератор переменного напряжения с частотой Ω не выше частоты ω основного генератора, проводящий подложкодержатель, подсоединенный линией передачи к дополнительному генератору, согласующее устройство, включенное между дополнительным генератором переменного напряжения и подложкодержателем. 22. The device according to any one of paragraphs.9-21, characterized in that it comprises an additional alternating voltage generator with a frequency Ω not higher than the frequency ω of the main generator, a conductive substrate holder connected by a transmission line to the additional generator, a matching device connected between the additional alternating voltage generator and substrate holder. 23. Устройство по п.22, отличающееся тем, что объект обработки находится под плавающим потенциалом. 23. The device according to item 22, wherein the processing object is at a floating potential. 24. Устройство по любому из пп. 22 и 23, отличающееся тем, что поверхности подложки и подложкодержателя - плоские и ориентированные параллельно друг другу, а отрезки антенных проводников расположены эквидистантно на плоской поверхности симметрично относительно подложкодержателей. 24. The device according to any one of paragraphs. 22 and 23, characterized in that the surfaces of the substrate and the substrate holder are flat and oriented parallel to each other, and the segments of the antenna conductors are located equidistantly on a flat surface symmetrically with respect to the substrate holders.
RU96118746A 1996-09-20 1996-09-20 Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options) RU2124248C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96118746A RU2124248C1 (en) 1996-09-20 1996-09-20 Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96118746A RU2124248C1 (en) 1996-09-20 1996-09-20 Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2124248C1 true RU2124248C1 (en) 1998-12-27
RU96118746A RU96118746A (en) 1999-01-10

Family

ID=20185624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96118746A RU2124248C1 (en) 1996-09-20 1996-09-20 Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2124248C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2507628C2 (en) * 2009-02-10 2014-02-20 ЭЛИССЕН Сарл Apparatus for plasma treatment of large areas
RU2529633C1 (en) * 2013-03-27 2014-09-27 Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" Device for plasma etch chemistry
RU2808957C2 (en) * 2021-10-29 2023-12-05 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Рязанское гвардейское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище имени генерала армии В.Ф. Маргелова" Министерства обороны Российской Федерации Device for measuring conductivity and impedance of plasma of glow gas discharge dc

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Asmussen J. Microwave Plasma processing for material synthe sis. Jn.: " Microwave plasma and its applications," edited by Y. Lebedev, Moscow: "The Moscow Physical Society," 1995, pp. 52-83. Pelletier J. et al. Distributed ECR Plasma sources: Reactor scale-up and performance. Jn: "Microwave plasma and its applications," edited by Y. Lebedev. - M.: Moscow Physical Society, 1995, pp. 352-365. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2507628C2 (en) * 2009-02-10 2014-02-20 ЭЛИССЕН Сарл Apparatus for plasma treatment of large areas
RU2529633C1 (en) * 2013-03-27 2014-09-27 Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" Device for plasma etch chemistry
RU2808957C2 (en) * 2021-10-29 2023-12-05 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Рязанское гвардейское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище имени генерала армии В.Ф. Маргелова" Министерства обороны Российской Федерации Device for measuring conductivity and impedance of plasma of glow gas discharge dc

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6204606B1 (en) Slotted waveguide structure for generating plasma discharges
JP4944198B2 (en) Plasma processing apparatus and processing method
Degeling et al. Plasma production from helicon waves
US4101411A (en) Plasma etching apparatus
Wu et al. The influence of antenna configuration and standing wave effects on density profile in a large-area inductive plasma source
KR101183039B1 (en) Plasma processing apparatus and method for using plasma processing apparatus
Dine et al. A novel technique for plasma density measurement using surface-wave transmission spectra
US5975014A (en) Coaxial resonant multi-port microwave applicator for an ECR plasma source
KR101095602B1 (en) Processing device and generating device for plasma
JP2010525155A (en) Plasma generator
JP4564213B2 (en) Plasma generating antenna and CVD apparatus
JP4982783B2 (en) Sheet plasma generator
Suzuki et al. Effects of capacitance termination of the internal antenna in inductively coupled plasma
KR0174070B1 (en) Plasma treatment device and plasma treatment method
US5237152A (en) Apparatus for thin-coating processes for treating substrates of great surface area
Yasaka et al. Production of large-diameter uniform plasma in mTorr range using microwave discharge
RU2124248C1 (en) Method and device for generating homogeneous plasma with large working area based on discharge in high-frequency or microwave range (options)
US5580387A (en) Corrugated waveguide for a microwave plasma applicator
Niazi et al. Operation of a helical resonator plasma source
Stevens et al. Uniformity of radio frequency bias voltages along conducting surfaces in a plasma
KR100785960B1 (en) Plasma processing apparatus
JPH01184922A (en) Plasma processor useful for etching, ashing, film formation and the like
JP3071814B2 (en) Plasma processing apparatus and processing method thereof
Yoshida Disk plasma generation using a holey-plate surface-wave structure on a coaxial waveguide
Madveika et al. Investigation of silicon wafers' influence on the local microwave power values in a resonator-type plasmatron

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090921