RU2107116C1 - Device for production of thermoelectric materials - Google Patents

Device for production of thermoelectric materials Download PDF

Info

Publication number
RU2107116C1
RU2107116C1 RU95110083/25A RU95110083A RU2107116C1 RU 2107116 C1 RU2107116 C1 RU 2107116C1 RU 95110083/25 A RU95110083/25 A RU 95110083/25A RU 95110083 A RU95110083 A RU 95110083A RU 2107116 C1 RU2107116 C1 RU 2107116C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
container
production
ingot
furnace
synthesis
Prior art date
Application number
RU95110083/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU95110083A (en
Inventor
Г.Ф. Аристов
С.А. Зинихин
Original Assignee
Горно-химический комбинат
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Горно-химический комбинат filed Critical Горно-химический комбинат
Priority to RU95110083/25A priority Critical patent/RU2107116C1/en
Publication of RU95110083A publication Critical patent/RU95110083A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2107116C1 publication Critical patent/RU2107116C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

FIELD: production of branches of thermocouples based on bismuth telluride Bi2Te3. SUBSTANCE: device for production of thermoelectric materials has airtight container from quartz glass in which ingot shaper is made integral with container reactor part. Combined container is located horizontally on the device and provided with driven coupling which rotates it in tube furnace for synthesis. In addition, the device has unit for floating-zone refinement with mechanism moving the furnace along ingot shaper. EFFECT: increased output of materials due to increased diameter of produced crystal and its length on the existing equipment and production areas and reduced cost of produced materials. 2 dwg

Description

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах. The invention relates to thermoelectric instrumentation and may find application in the creation of highly efficient converters based on semiconductor materials for the direct conversion of thermal energy into electrical energy, for example, in refrigerators, thermostats, air conditioning units and other devices.

Преимущественно изобретение может быть использовано в производстве слитков для ветвей термоэлементов на основе теллурида висмута Bi2Te3.Advantageously, the invention can be used in the manufacture of ingots for branches of thermoelements based on bismuth telluride Bi 2 Te 3 .

В литературе имеются данные об установках для получения высокоэффективных кристаллов, например, устройство для синтеза и направленной перекристаллизации термоэлектрических материалов (ТЭМ), предложенное Курганским государственным педагогическим институтом (Куликов В.А. Исследования влияния ультразвука на свойства теллуридов висмута и сурьмы при их получении. Отчет Курганского государственного педагогического института. Курган, 1989, инв. N 029.00 035062, N гос. рег. 01870094774, с. 23 - 27) и содержащее печь для проведения синтеза, а также кварцевую ампулу (контейнер), где находится синтезируемый материал. Недостатком известного устройства является то, что получение ТЭМ производят в формообразователях из кварцевого стекла, которые имеют одноразовое использование, что значительно увеличивает стоимость материала. There is data in the literature on facilities for producing highly efficient crystals, for example, a device for the synthesis and directed recrystallization of thermoelectric materials (TEM), proposed by the Kurgan State Pedagogical Institute (V. Kulikov. Research on the effect of ultrasound on the properties of bismuth and antimony tellurides upon receipt. Report Kurgan State Pedagogical Institute, Kurgan, 1989, inv.N 029.00 035062, N state reg. 01870094774, pp. 23-27) and containing a synthesis furnace, as well as a quartz ampu y (container) where the synthesized material. A disadvantage of the known device is that TEM is produced in quartz glass shapers that are disposable, which significantly increases the cost of the material.

Известно также устройство, наиболее близкое по технической сущности и достигаемому результату, которым является устройство для получения ТЭМ, разработанное в институте физики Ан Азерб. ССР (Бабаев Г.М. О возможности получения высокоэффективных термоэлектрических параметров в разъемных ампулах многоразового использования. Отчет института физики АН Азерб. ССР, СКБ "Теллур", 1989, инв. N 028.90 044945, N гос. рег. 01.88.00.36.797, 9 - 11) и содержащее герметичный контейнер из кварцевого стекла, печь для проведения синтеза, установку зонной перекристаллизации и устройство, ее перемещающее. В этом устройстве синтез и перекристаллизация проводятся в одном контейнере без дополнительных операций, контейнер многоразового использования. Несмотря на положительные стороны, недостатками известного устройства, принятого за прототип, являются сложность конструкции, обусловленная выполнением формообразователя из стеклоуглерода, небольшой выход ТЭМ с одной операции, а также и то, что при увеличении выпуска материалов (увеличение диаметра получаемого кристалла и его длины) предложенная конструкция приведет к увеличению рабочих органов всей установки, что повлечет увеличение числа оборудования и площадей, следовательно, стоимость материала возрастет, а это, если учесть, что в мощных устройствах количество термоэлементов исчисляется сотнями и даже тысячами. Also known is the device that is closest in technical essence and the achieved result, which is a device for TEM, developed at the Institute of Physics, An Azerb. SSR (Babaev G.M. On the possibility of obtaining highly efficient thermoelectric parameters in split ampoules of refillable use. Report of the Institute of Physics of the Academy of Sciences of Azerbaijan. SSR, SKB Tellur, 1989, inv. N 028.90 044945, N state reg. 01.88.00.36.797 , 9 - 11) and containing a sealed container of quartz glass, a synthesis furnace, a zone recrystallization unit and a device for moving it. In this device, synthesis and recrystallization are carried out in one container without additional operations, the container is reusable. Despite the positive aspects, the disadvantages of the known device adopted for the prototype are the design complexity due to the execution of the former from glassy carbon, a small TEM yield in one operation, and also the fact that with an increase in the output of materials (increasing the diameter of the resulting crystal and its length), the proposed the design will lead to an increase in the working bodies of the entire installation, which will entail an increase in the number of equipment and areas, therefore, the cost of the material will increase, and this, given that powerful devices the number of thermocouples in the hundreds and even thousands.

Целью изобретения является повышение производительности и эффективности устройства в условиях промышленного производства слитков для ветвей термоэлементов. The aim of the invention is to increase the productivity and efficiency of the device in the conditions of industrial production of ingots for branches of thermocouples.

Указанная цель обеспечивается тем, что в устройстве, содержащем герметичный контейнер из кварцевого стекла, печь для проведения синтеза, установку зонной перекристаллизации и механизм, перемещающий печь относительно формообразователя слитка, согласно изобретению формообразователь слитка термоэлектрического материала изготовлен из кварцевого стекла заодно с реакторной частью контейнера, который размещен на установке горизонтально и снабжен устройством вращения вокруг его горизонтальной оси. This goal is ensured by the fact that in a device containing a sealed container of quartz glass, a synthesis furnace, a zone recrystallization unit and a mechanism moving the furnace relative to the ingot moulder, according to the invention, the thermoelectric material ingot maker is made of quartz glass integral with the reactor part of the container, which placed horizontally on the installation and equipped with a rotation device around its horizontal axis.

По имеющимся у заявителя сведениям совокупность существенных признаков, характеризующих сущность заявляемого устройства, неизвестна из уровня техники, что позволяет сделать вывод о соответствии изобретения критерию "новизна". According to the information available to the applicant, the set of essential features characterizing the essence of the claimed device is unknown from the prior art, which allows us to conclude that the invention meets the criterion of "novelty."

По мнению заявителя, сущность заявляемого изобретения для специалиста явным образом не следует из уровня техники, из чего можно заключить, что изобретение соответствует критерию "изобретательский уровень". According to the applicant, the essence of the claimed invention for a specialist does not explicitly follow from the prior art, from which it can be concluded that the invention meets the criterion of "inventive step".

На фиг. 1 изображено устройство в момент процесса синтеза; на фиг. 2 - то же, в процессе зонной перекристаллизации. In FIG. 1 shows the device at the time of the synthesis process; in FIG. 2 - the same in the process of zone recrystallization.

Устройство для получения ТЭМ содержит совмещенный контейнер 1 из кварцевого стекла, состоящий из хвостовика 2, формообразователя 3 слитка, реактора 4 для синтеза и горловины 5, устанавливаемой в приводную муфту 6, содержащую накидную гайку 7, уплотнительную прокладку 8, штуцер 9 и отсечное устройство 10, а также трубчатую печь 11 для ведения синтеза и установку зонной перекристаллизации, представляющую собой трубчатую печь 12 с механизмом 13 перемещения ее вдоль формообразователя 3 слитка. A device for producing a TEM contains a combined quartz glass container 1, consisting of a shank 2, an ingot mold 3, a synthesis reactor 4 and a neck 5 mounted in a drive coupling 6 containing a union nut 7, a gasket 8, a fitting 9 and a shut-off device 10 and also a tubular furnace 11 for conducting synthesis and a zone recrystallization unit, which is a tubular furnace 12 with a mechanism 13 for moving it along the former 3 of the ingot.

Устройство для получения ТЭМ работает следующим образом. A device for obtaining TEM works as follows.

В реактор 4 совмещенного контейнера 1 через горловину 5 загружаются компоненты твердых растворов, после чего реакторная часть 4 для синтеза помещается в печь 10 и совмещенный контейнер 1 горизонтально монтируется на самой установке (условно не показана) при помощи хвостовика 2. Далее контейнер герметизируется с помощью уплотнительной прокладки 8 приводной муфты 6 и подключается к откачной системе через штуцер 9. После откачки воздуха до определенного остаточного давления контейнер заполняется через штуцер 9 инертным газом (аргоном), а затем включаются отсечное устройство 10, обеспечивающее постоянство технологического процесса, проходящего в реакторной части 4, и печь 11 синтеза, в которой совмещенный контейнер 1 вращается вокруг своей оси при помощи приводной муфты 6 и двигателя (условно не показан). Таким образом, примерно 60 мин идет процесс синтеза. После его окончания совмещенный контейнер 1 при помощи ручного привода наклоняется и синтезированный материал из реактора 4 попадает в формообразователь 3, где происходит кристаллизация слитка. Затем совмещенный контейнер 1 возвращается на установке в горизонтальное положение, печь 11 синтеза демонтируется, а формообразователь 3 со слитком устанавливается в печь 12, которая передвигается вдоль формообразователя 3 во время процесса зонной перекристаллизации. После окончания перекристаллизации печь 12 и механизм 13 ее передвижения отключаются для полного остывания контейнера 1, который затем снимают с установки, и через горловину 5 извлекают слиток ТЭМ. The components of solid solutions are loaded into the reactor 4 of the combined container 1 through the neck 5, after which the reactor part 4 for synthesis is placed in the furnace 10 and the combined container 1 is horizontally mounted on the installation itself (not shown conditionally) using a shank 2. The container is then sealed with a sealing gaskets 8 of the drive coupling 6 and is connected to the pumping system through the nozzle 9. After pumping the air to a certain residual pressure, the container is filled through the nozzle 9 with inert gas (argon), and then into The shut-off device 10 is switched on, ensuring the constancy of the technological process taking place in the reactor part 4, and the synthesis furnace 11, in which the combined container 1 rotates around its axis by means of a drive coupling 6 and an engine (not shown conventionally). Thus, the synthesis process takes about 60 minutes. After its completion, the combined container 1 with the help of a manual drive tilts and the synthesized material from the reactor 4 enters the former 3, where the ingot crystallizes. Then the combined container 1 is returned to the installation in a horizontal position, the synthesis furnace 11 is dismantled, and the former 3 with the ingot is installed in the furnace 12, which moves along the former 3 during the zone recrystallization process. After recrystallization is completed, furnace 12 and its movement mechanism 13 are turned off to completely cool container 1, which is then removed from the unit, and a TEM ingot is removed through neck 5.

На контейнерах такой конструкции было получено более 50 слитков (с равномерными электрофизическими характеристиками вдоль слитка) диаметром 150 мм, длиной 220 - 230 мм и весом до 300 г. On containers of this design, more than 50 ingots (with uniform electrophysical characteristics along the ingot) were obtained with a diameter of 150 mm, a length of 220 - 230 mm and a weight of up to 300 g.

Совокупность существенных признаков, характеризующих сущность изобретения, может быть многократно осуществлена с реализацией поставленной цели, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого устройства критерию "промышленная применимость". The set of essential features characterizing the essence of the invention can be repeatedly implemented with the implementation of the goal, which allows us to conclude that the claimed device meets the criterion of "industrial applicability".

Claims (1)

Устройство для получения слитков термоэлектрических материалов, включая полупроводники, содержащее герметичный контейнер из кварцевого стекла, печь для проведения синтеза, установку зонной перекристаллизации с механизмом, перемещающим печь относительно формообразователя слитка, отличающееся тем, что формообразователь слитка термоэлектрического материала и реакторная часть контейнера выполнены заодно в виде горизонтального кварцевого совмещенного контейнера, снабженного устройством вращения вокруг его горизонтальной оси. A device for producing ingots of thermoelectric materials, including semiconductors, containing a sealed container of quartz glass, a synthesis furnace, a zone recrystallization unit with a mechanism moving the furnace relative to the ingot mold, characterized in that the thermoelectric material ingot former and the reactor part of the container are made in the form horizontal quartz combined container equipped with a rotation device around its horizontal axis.
RU95110083/25A 1995-06-14 1995-06-14 Device for production of thermoelectric materials RU2107116C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95110083/25A RU2107116C1 (en) 1995-06-14 1995-06-14 Device for production of thermoelectric materials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95110083/25A RU2107116C1 (en) 1995-06-14 1995-06-14 Device for production of thermoelectric materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95110083A RU95110083A (en) 1997-06-20
RU2107116C1 true RU2107116C1 (en) 1998-03-20

Family

ID=20168946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95110083/25A RU2107116C1 (en) 1995-06-14 1995-06-14 Device for production of thermoelectric materials

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2107116C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102108554A (en) * 2010-11-30 2011-06-29 江西纳米克热电电子股份有限公司 Method for preparing high-performance p-type bismuth telluride-based thermoelectric materials

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Бабаев Г.М. О возможности получения высокоэффективных термоэлектрических параметров в разъемных ампулах многоразового использования. Отчет института физики АН Азерб. ССР, СКБ "Теллур", Баку, 1989, ин.в N 028.90044945, N гос.рег.01880036797, с. 9-11. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102108554A (en) * 2010-11-30 2011-06-29 江西纳米克热电电子股份有限公司 Method for preparing high-performance p-type bismuth telluride-based thermoelectric materials
CN102108554B (en) * 2010-11-30 2015-06-10 江西纳米克热电电子股份有限公司 Method for preparing high-performance p-type bismuth telluride-based thermoelectric materials

Also Published As

Publication number Publication date
RU95110083A (en) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104047047A (en) Horizontal growth device and growth method of phosphorus silicon cadmium mono-crystal
US4264406A (en) Method for growing crystals
US3857679A (en) Crystal grower
CN102191541B (en) Dual-temperature-zone synthesis method and apparatus for phosphorus-silicon-cadmium polycrystal material
RU2107116C1 (en) Device for production of thermoelectric materials
CN102344126B (en) Synthesis method and synthesis container of phosphorus-silicon-cadmium polycrystal
GB1322582A (en) Pressure- and temperature-controlled crystal growing apparatus
US3468363A (en) Method of producing homogeneous ingots of mercury cadmium telluride
CN109851360B (en) P-type bismuth telluride-based bulk thermoelectric material (Bi)1-xSbx)2Te3Preparation method of (1)
CN101469940A (en) Annular region smelting furnace
CN114561707B (en) Infrared heating zone smelting furnace and method for preparing N-type bismuth telluride alloy by using same
CN115353080B (en) Cadmium telluride synthesizing method
GB682203A (en) Process for growing a single crystal of quartz
US2984626A (en) Production of metal halide ingots
Webster et al. Solution growth of magnesium oxide crystals
CN105293450A (en) Preparation method of PbTe nano thermoelectric material
US4764350A (en) Method and apparatus for synthesizing a single crystal of indium phosphide
JPH05139886A (en) Production of arsenic compound single crystal
US3933990A (en) Synthesization method of ternary chalcogenides
CN100408731C (en) Method and appts. of using molten lead iodide to grow monocrystal
US3101257A (en) Preparation of high purity silicon by decomposition of silicon nitride powder having a graphite target buried therein
CN113403689A (en) Preparation method and device of low-defect tellurium-zinc-cadmium crystal
US4559217A (en) Method for vacuum baking indium in-situ
CN1017730B (en) Method and apparatus for obtaining oriented crystals for semiconductor refrigeration
KR101272235B1 (en) Refine furnace for poly silicon

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040615