RU2100835C1 - Позитивный фоторезист - Google Patents
Позитивный фоторезист Download PDFInfo
- Publication number
- RU2100835C1 RU2100835C1 RU94045238A RU94045238A RU2100835C1 RU 2100835 C1 RU2100835 C1 RU 2100835C1 RU 94045238 A RU94045238 A RU 94045238A RU 94045238 A RU94045238 A RU 94045238A RU 2100835 C1 RU2100835 C1 RU 2100835C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photoresist
- photosensitivity
- diester
- sulfonic acid
- phenylenediamine
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 40
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- BGNGWHSBYQYVRX-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)benzaldehyde Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C=O)C=C1 BGNGWHSBYQYVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)benzaldehyde Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C=O)C=C1 MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- UCMYJOPIPDLTRT-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-2-nitrosoaniline Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1N=O UCMYJOPIPDLTRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 21
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 21
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 150000002085 enols Chemical group 0.000 description 3
- VOOLKNUJNPZAHE-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;2-methylphenol Chemical compound O=C.CC1=CC=CC=C1O VOOLKNUJNPZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-methoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.COCCO STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- -1 methylene blue amine Chemical class 0.000 description 1
- LGDPTPLJZGPOJL-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-2-nitrosoaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1N=O LGDPTPLJZGPOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000005588 protonation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. Предложен позитивный фоторезист, содержащий, мас.%: крезолформальдегидную новолачную смолу 60 - 66,5; диэфир 1,2 - нафтохинодиазид-(2), 5 - сульфокислоты и 2,4 - диокисибензофенона 30 - 33; органическое соединение, обладающее электродонорными свойствами, выбранное из ряда: п-диметиламинобензальдегид, п-диэтиламинобензальдегид, п-фенилендиамин, нитрозодиэтиланилин, о-фенилендиамин, ферроцен 2 - 9 и органический растворитель остальное. Фоторезист обладает высокой чувствительностью к изучению в ближнем ультрафиолете, высокой контрастностью и резестентностью в кислых средах.
Description
Изобретение относится к позитивным фоторезистам, которые используются в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике и других отраслях промышленности.
Известны позитивные фоторезисты [1] которые содержат в качестве фотоактиватора диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,4,4'- ди-, три-, тетрагидроксибензофенона или смесь сульфоэфиров [2 и 3] в качестве полимерного связующего фенолформальдегидную смолу и органический растворитель.
Недостатком известных фоторезистов является невысокая светочувствительность (250 мДж/см2).
Наиболее близким к предлагаемому по составу и свойствам является позитивный фоторезист [3] содержащий в качестве фотоактиватора смесь сульфоэфиров: диэфир 1,2- нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона (1); диэфир 1,2- нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,2, 4,4-тетраосибензофенона (II); диэфир 1,2- нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и метиленбис(2,4-диолксибензофенона) (III); кремнийорганический блоксополимер; пленкообразующий компонент - крезолформальдегидную смолу марки СФ-142Б (ТУ 6-05-231-277-88) и формулы
где n= 6-12; средний м. в.7000-17000 и органический растворитель смесь монометилового эфира ацетат этиленгликоля, диметилового эфир диэтиленгликоля и ксилола при следующем соотношении компонентов, мас.
где n= 6-12; средний м. в.7000-17000 и органический растворитель смесь монометилового эфира ацетат этиленгликоля, диметилового эфир диэтиленгликоля и ксилола при следующем соотношении компонентов, мас.
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона
1,3 1,57
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,2,4,4-тетраоксибензофенона 3,14 5,2
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и метилен-бис(2,4-диоксибензофенона) 3,8 5,4
Кремнийорганический блоксополимер 0,015 0,03
Крезолформальдегидная новолачная смола 18,1 21,75
Диметиловый эфир диэтиленглиголя 5,52 7,19
Ксилол 3,45 4,97
Монометиловый эфир ацетатэленгликоля Остальное
Фоторезист обладает светочувствительность 80 мДж/см2, а разрешение материала, т. е. минимальная ширина воспроизводимого элемента, составляет 0,8 - 1,0 мкм. Коэффициент кнтрастности в прототипе не указан.
1,3 1,57
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,2,4,4-тетраоксибензофенона 3,14 5,2
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и метилен-бис(2,4-диоксибензофенона) 3,8 5,4
Кремнийорганический блоксополимер 0,015 0,03
Крезолформальдегидная новолачная смола 18,1 21,75
Диметиловый эфир диэтиленглиголя 5,52 7,19
Ксилол 3,45 4,97
Монометиловый эфир ацетатэленгликоля Остальное
Фоторезист обладает светочувствительность 80 мДж/см2, а разрешение материала, т. е. минимальная ширина воспроизводимого элемента, составляет 0,8 - 1,0 мкм. Коэффициент кнтрастности в прототипе не указан.
Недостатком прототипа является низкая светочувствительность, что ограничивает области использования фоторезиста.
Изобретение решает задачу повышения светочувствительности без ухудшения разрешения позитивного фоторезиста.
Задача решается тем, что позитивный фоторезист, содержащий диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,4-ди-оксибензофенона и крезолформальдегидную смолу формулы (1) дополнительно содержит органическое соединение, являющееся донором электронов, выбранное из ряда: п-диметиламинобензальдегид, или п-диэтиламинобензальдегид, или нитрозодиэтиланилин, или п-фенилендиамин, или о-фенилендиамин, или ферроцен. В качестве растворителя взят диметиловый эфир диэтиленглиголя или монометиловый эфир ацетатэтиленгликоля.
Выбор крезолформальдегидной смолы в качестве пленкообразующей матрицы обусловлен ее растворимость в водно-щелочных растворах и химической стойкостью, т.е. резистентностью, в кислых средах, обычно используемых для травления металлооксидных слов. Кроме того, крезолформальдегидная смола в силу своей ароматической природы обладает достаточной резистентностью в условиях сухого травления, например при ионной бомбардировке.
Соотношение указанных компонентов следующие, мас.
Крезолформальдегидная новолачная смола 60 66,5
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона
30 33
Органическое соединение 2 9
Органический растворитель Остальное
Использование добавки указанного органического соединения в указанных количествах приводит к повышению коэффициента контрастности позитивного фоторезиста в 1,1 1,5 раза и светочувствительности в 1,4 2 раза по сравнению с композицией без добавок (примеры 1 10), а по сравнению с прототипом светочувствительность повышается в 1,7 4,5 раза.
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2), 5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона
30 33
Органическое соединение 2 9
Органический растворитель Остальное
Использование добавки указанного органического соединения в указанных количествах приводит к повышению коэффициента контрастности позитивного фоторезиста в 1,1 1,5 раза и светочувствительности в 1,4 2 раза по сравнению с композицией без добавок (примеры 1 10), а по сравнению с прототипом светочувствительность повышается в 1,7 4,5 раза.
Органическое соединение, используемое в качестве добавки к композиции для позитивного фоторезиста, должно непременно обладать электронодонорными свойствами. Введение в композицию недонорного соединения (например, метиленового голубого амина, обладающего акцепторными свойствами) не приводит ни к повышению светочувствительности, ни коэффициента контрастности (пример 11).
Авторам известно, что амины и диамины применяются в композициях на основе новолачной смолы и о-нафтохинондиазидов с целью обращения позитивных фоторезистов в низкочувствительные негативные [4] Что касается эффекта повышения светочувствительности позитивного фоторезиста на основе новолачной смолы и о-нафтохинондиазида при введении в слой тех же добавок, но в указанных в предлагаемой заявке концентрациях, то в литературе он не известен.
Авторам также известно, что п-диметиламинобензальдегид используется с целью повышения светочувствительности негативных фоторезистов [5] В указанных слоях после первичной засветки идут термические реакции процесса химического усиления, связанные с протонированием п-диметиламинобензальдегида и образованием енольной формы протонированного п-диметиламинобензальдегида с низким потенциалом окисления (0,49 В относительно хлорсеребряного электрода). В этих же композициях при замене п-диметиламинобензальдегида на п-диэтиламинобензальдегид эффект химического усиления отсутствует. Связано это с тем, что п-диэтиламинобензальдегид не образует енольной формы с низким потенциалом окисление [6] Протонированные же формы других использованных в предлагаемом фоторезисте соединений не образуют енольного таутомера. Из всего сказанного следует, что увеличение светочувствительности в нашем случае не связано с процессами химического усиления, а протекает по другому механизму.
Пример 1. Фоторезист получают путем растворения в диметиловом эфире диэтиленгликоля диэфира 1,2-нафтохинодиазид (2), 5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона, крезолформальдегидной новолачной смолы марки СФ-141, мас.
Смола 66,5
Фотоактиватор 33
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Приготовленную композицию наносят на технологическую подложку и после полного удаления растворителя слой фоторезиста облучают УФ-светом и проявляют 60 с в 0,6%-ном растворе КОН. Светочувствительность определялась как экспозиция, необходимая для полного удаления экспонированных участков с подложки и составляла 46,5 мДж/см2, коэффициент контрастности 1,1.
Фотоактиватор 33
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Приготовленную композицию наносят на технологическую подложку и после полного удаления растворителя слой фоторезиста облучают УФ-светом и проявляют 60 с в 0,6%-ном растворе КОН. Светочувствительность определялась как экспозиция, необходимая для полного удаления экспонированных участков с подложки и составляла 46,5 мДж/см2, коэффициент контрастности 1,1.
Пример 2. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 65
Фотоактиватор 32,7
п-Диметиламинобензальдегид 2
Растворитель диметиловый эфир диэтиленгликоля Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляет 40 мДж/см2, коэффициент контрастности 1,15.
Фотоактиватор 32,7
п-Диметиламинобензальдегид 2
Растворитель диметиловый эфир диэтиленгликоля Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляет 40 мДж/см2, коэффициент контрастности 1,15.
Пример 3. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 63
Фотоактиватор 31,6
п-Диметиламинобензальдегид 4,7
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 26,5 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,8.
Фотоактиватор 31,6
п-Диметиламинобензальдегид 4,7
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 26,5 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,8.
Пример 4. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 60,7
Фотоактиватор 30,5
п-Диметиламинобензальдегид 8,1
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 23 мДж/см2, а коэффициент контрастности 2,0.
Фотоактиватор 30,5
п-Диметиламинобензальдегид 8,1
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 23 мДж/см2, а коэффициент контрастности 2,0.
Пример 5. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 60,3
Фотоактиватор 30
п-Диметиламинобензальдегид 9
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 38 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,2.
Фотоактиватор 30
п-Диметиламинобензальдегид 9
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 38 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,2.
Пример 6. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 64,5
Фотоактиватор 33
Нитрозодиметиланилин 2,3
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста оставляла 30 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,4.
Фотоактиватор 33
Нитрозодиметиланилин 2,3
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста оставляла 30 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,4.
Пример 7. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 62,5
Фотоактиватор 31
п-Фетилендиамин 5,8
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 18 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,7.
Фотоактиватор 31
п-Фетилендиамин 5,8
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 18 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,7.
Пример 8. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 64,5
Фотоактиватор 31,7
о-Фенилендиамин 3
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 23 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,5.
Фотоактиватор 31,7
о-Фенилендиамин 3
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 23 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,5.
Пример 9. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 60,7
Фотоактиватор 30,5
п-Диэтиламинобензальдегид 8,1
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 37 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,5.
Фотоактиватор 30,5
п-Диэтиламинобензальдегид 8,1
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 37 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,5.
Пример 10. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 при соотношении компонентов, мас.
Смола 65
Фотоактиватор 32,6
Ферроцен 2,1
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 35 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,8.
Фотоактиватор 32,6
Ферроцен 2,1
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 35 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,8.
Пример 11. Фоторезист готовят, наносят и обрабатывают, как указано в примере 1 соотношении компонентов, мас.
Смола 62,5
Фотоактиватор 31
Метиленовый голубой 5,8
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 46,5 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,1.
Фотоактиватор 31
Метиленовый голубой 5,8
Растворитель диметиловый эфир диэтиленглиголя Остальное
Светочувствительность фоторезиста составляла 46,5 мДж/см2, а коэффициент контрастности 1,1.
Таким образом, разработанный фоторезист обладает сочетанием высокой чувствительности к излучению в ближнем ультрафиолете с высокой контрастностью и резистентностью в кислых средах, в том числе и при ионной бомбардировке.
Благодаря этому он наиболее подходящ для применения в процессах проекционной фотографии с ионоплазменных травлением, используемых, например, в технологии СБИС ДОЗУ с емкостью памяти 1 16 Мбайт, где необходимо формирование резистных масок с элементами шириной 1,0 0,6 мкм с почти вертикальным наклоном стенок и повышение производительности на операциях помодульного экспонирования.
Claims (1)
- Позитивный фоторезистор, содержащий диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2),5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона, крезолформальдегидную новолачную смолу и органический растворитель, отличающийся тем, что дополнительно фоторезист содержит органическое соединение, обладающее электронодонорными свойствами, выбираемое из ряда: п-диметиламинобензальдегид, или п-диэтиламинобензальдегид, или нитрозодиэтиланилин, или п-фенилендиамин, или о-фенилендиамин, или ферроцен, при следующем соотношении компонентов, мас.Крезолформальдегидная новолачная смола 60 66,5
Диэфир 1,2-нафтохинодиазид-(2),5-сульфокислоты и 2,4-диоксибензофенона - 30 33
Органическое соединение, обладающее электронодонорными свойствами 2 9
Органический растворитель Остальноек
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94045238A RU2100835C1 (ru) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Позитивный фоторезист |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94045238A RU2100835C1 (ru) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Позитивный фоторезист |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94045238A RU94045238A (ru) | 1996-10-10 |
| RU2100835C1 true RU2100835C1 (ru) | 1997-12-27 |
Family
ID=20163480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94045238A RU2100835C1 (ru) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Позитивный фоторезист |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2100835C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552461C1 (ru) * | 2014-04-24 | 2015-06-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ формирования фоторезистной маски позитивного типа (варианты) |
| RU2692678C1 (ru) * | 2019-01-30 | 2019-06-26 | Общество с ограниченной ответственностью "Поликетон" | Фоторезистивная композиция высокочувствительного позитивного электронорезиста |
-
1994
- 1994-12-26 RU RU94045238A patent/RU2100835C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. US, патент, 3201.239, кл. 96 - 36, 1965. 2. US, патент, 5358823, кл. G 03 F 7/023, 1994. 3. SU, авторское свидетельство, 1825426, кл. G 03 F 7/023, 1993. 4. Введение в фотолитографию /Под ред. В.П.Лаврищева. - М.: Энергия, 1977, с. 29 - 32. 4. Mend.Communication. - 1991, N 1, p. 34 - 36. 6. Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. - 1992, N 3, с. 218. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552461C1 (ru) * | 2014-04-24 | 2015-06-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ формирования фоторезистной маски позитивного типа (варианты) |
| RU2692678C1 (ru) * | 2019-01-30 | 2019-06-26 | Общество с ограниченной ответственностью "Поликетон" | Фоторезистивная композиция высокочувствительного позитивного электронорезиста |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU94045238A (ru) | 1996-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4141733A (en) | Development of light-sensitive quinone diazide compositions | |
| JPH052226B2 (ru) | ||
| KR20120093777A (ko) | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 | |
| CA2045917C (en) | Positive photoresist composition | |
| CA1263822A (en) | Method for producing a positive photoresist | |
| US5106718A (en) | Positive photoresist composition containing alkali-soluble phenolic resin, photosensitive quinonediazide compound and sulfonyl containing compound | |
| JPS59142538A (ja) | 感光性組成物 | |
| GB2192636A (en) | A positive-working photoresist composition | |
| KR950001004B1 (ko) | 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법 | |
| KR910006541B1 (ko) | 방사선 흡수물질을 함유하는 음성 작동성 감광성내식막 조성물 | |
| RU2100835C1 (ru) | Позитивный фоторезист | |
| US5204225A (en) | Process for producing negative images | |
| EP0337188B1 (de) | In wässrigem Alkali lösliche, Silanylgruppen in der Seitenkette enthaltende Bindemittel, Verfahren zu deren Herstellung sowie lichtempfindliches Gemisch, enthaltend diese Verbindungen | |
| US5629127A (en) | Positive electron beam resist composition containing cresolnovolak resin, select additive and methyl gallate/1,2-naphthoquinonediazido-4-sulfonyl chloride reaction product | |
| JPH0727202B2 (ja) | フォトレジスト並びに該フォトレジストを有する製品の製法 | |
| EP0298393A2 (de) | Verfahren zur Herstellung negativer Bilder aus einem positiv arbeitenden Photoresist mit einem Gehalt an Curcumin und lichtemfindlichen Gemisch enthaltend Curcumin | |
| JPH06167812A (ja) | 感光材料組成物 | |
| KR910005031B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| JPH0727219B2 (ja) | ネガ型感光性組成物用現像液 | |
| JP2607870B2 (ja) | 画像形成方法 | |
| JPH0656487B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト用組成物 | |
| KR950000480B1 (ko) | 비스-1,2-나프토퀴논-2-디아지드-설폰산 아미드-함유 감광성 혼합물 | |
| JP2914172B2 (ja) | ポジ型電子線レジスト組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 | |
| EP0265135B1 (en) | Antistatic photo-resist | |
| US5290666A (en) | Method of forming a positive photoresist pattern utilizing contrast enhancement overlayer containing trifluoromethanesulfonic, methanesulfonic or trifluoromethaneacetic aromatic diazonium salt |