RU209006U1 - Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов - Google Patents

Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов Download PDF

Info

Publication number
RU209006U1
RU209006U1 RU2020123413U RU2020123413U RU209006U1 RU 209006 U1 RU209006 U1 RU 209006U1 RU 2020123413 U RU2020123413 U RU 2020123413U RU 2020123413 U RU2020123413 U RU 2020123413U RU 209006 U1 RU209006 U1 RU 209006U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
scanning electron
distance
atomic force
diameter
centers
Prior art date
Application number
RU2020123413U
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Павлович Леонтьев
Илья Владимирович Росляков
Елена Олеговна Гордеева
Кирилл Сергеевич Напольский
Original Assignee
Алексей Павлович Леонтьев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Алексей Павлович Леонтьев filed Critical Алексей Павлович Леонтьев
Priority to RU2020123413U priority Critical patent/RU209006U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU209006U1 publication Critical patent/RU209006U1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q40/00Calibration, e.g. of probes
    • G01Q40/02Calibration standards and methods of fabrication thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области измерения малых длин отрезков, характеризующих геометрические параметры субмикронных и наноразмерных объектов, с помощью сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии. Калибровочная решетка выполнена в виде алюминиевого диска толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм, на поверхности которого имеется заглубленная область диаметром не менее 3 мм, представляющая собой совокупность полусферических углублений, упорядоченных в двумерный гексагональный массив таким образом. Причем расстояние между их центрами составляет 100 или 50 нм, полуширина распределения на полувысоте составляет менее 6 нм, а доля углублений с шестью соседями составляет более 90%. Техническим результатом является существенное увеличение точности измерения малых длин отрезков, характеризующих морфологию объекта на субмикронном и нанометровом масштабе. 1 з. п. ф-лы, 5 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Полезная модель относится к области измерения малых длин отрезков, характеризующих геометрические параметры субмикронных и наноразмерных объектов, с помощью сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии.
Уровень техники
Анодное окисление (анодирование) алюминия в кислых растворах электролитов приводит к формированию пористой оксидной пленки на поверхности металла. Расстояние между порами, образующимися перпендикулярно поверхности пленки, а также их диаметр линейно зависят от напряжения анодирования [W. Lee, S.J. Park. Porous Anodic Aluminum Oxide: Anodization and Templated Synthesis of Functional Nanostructures // Chemical Reviews, 2014, v. 114, pp. 7487-7556]. В определенных условиях анодирования поры формируют двумерный гексагональный массив в плоскости пленки [H. Masuda, K. Fukuda. Ordered metal nanohole arrays made by a 2-step replication of honeycomb structures of anodic alumina // Science, 1995, v. 268 pp. 1466-1468], что обеспечивает рекордно узкое распределение геометрических параметров пористой структуры по размерам. После селективного удаления пористой оксидной пленки поверхность алюминия представляет собой совокупность упорядоченных в гексагональную сетку полусферических углублений, расстояние между которыми совпадает с расстоянием между центрами пор и может варьироваться в диапазоне от десятков до сотен нанометров. Узкое распределение расстояния между центрами пор в оксидной пленке и углублений на поверхности алюминия позволяет создавать на их основе калибровочные решетки для различных видов микроскопических методов исследования, в том числе атомно-силовой и растровой электронной микроскопии. Стоит сказать, что характерные расстояния между углублениями позволяют калибровать микроскоп в нанометровом диапазоне. Для формирования подобных калибровочных решеток на основе кремния, наиболее часто применяемых в микронном диапазоне, требуется использование гораздо более сложно реализуемых методов электронной литографии или фотолитографии.
Известны калибровочные решетки (аналог) на основе пористых пленок анодного оксида алюминия [К.С. Напольский, И.В. Росляков, А.А. Елисеев, А.В. Лукашин, В.А. Лебедев, Д.М. Иткис, Ю.Д. Третьяков. Калибровочные решетки на основе самоорганизующихся структур пористого оксида алюминия // Альтернативная энергетика и экология, 2009, №11 (79), стр. 86-89]. Аналог представляет собой рентгеноаморфную пленку оксида алюминия толщиной порядка 200 мкм, обладающую системой сквозных, непересекающихся, перпендикулярных поверхности пленки каналов, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку. Расстояние между каналами составляет 104,5±0,5 нм. Аналог получают анодированием алюминия в 0,3 М растворе щавелевой кислоты при напряжении 40 В. В качестве исходного материала используют алюминий толщиной 0,5 мм, предварительно отожженный при температуре 500°C в течение 10 ч. Оставшийся не окисленным алюминий селективно удаляют в растворе, содержащем 1,4 М соляной кислоты и 0,5 M хлорида меди (II). Барьерный слой оксида алюминия химически растворяют в 5 вес. % растворе H3PO4 при температуре 60°C в течение 5 минут. В качестве калибровочной решетки используют нижнюю сторону пористой оксидной пленки.
В аналоге, как и в заявленной полезной модели, для калибровки микроскопов используется наноструктурированный материал со строго заданным периодом рельефа поверхности. Однако описанный аналог имеет ряд недостатков:
1) резкий перепад высот на поверхности оксидной пленки, вызванный наличием протяженных пор диаметром 35 нм, в совокупности с высокой твердостью материала приводит к частому повреждению зонда, использующегося для сканирования образца;
2) получение калибровочной решетки на основе анодного оксида алюминия требует проведения дополнительной технологической стадии удаления барьерного слоя, что усложняет способ изготовления аналога и уменьшает его воспроизводимость;
3) аналог обладает низкой механической стабильностью из-за хрупкости пористых пленок анодного оксида алюминия.
Известен другой тип материала, пригодный для изготовления калибровочных решеток, выбранный в качестве наиболее близкого аналога (прототипа) [I.V. Roslyakov, E.O. Gordeeva, K.S. Napolskii. Role of Electrode Reaction Kinetics in Self-Ordering of Porous Anodic Alumina // Electrochimica Acta, 2017, v. 241, pp. 362-369]. Прототипом является алюминиевая пластина, поверхность которой представляет собой массив полусферических углублений, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку. Для структурирования поверхности используют анодирование алюминия в электролитах на основе серной или щавелевой кислот с последующим селективным удалением пленки оксида алюминия в водном растворе H3PO4 и CrO3.
На поверхности прототипа, как и на поверхности заявленной полезной модели, имеется система полусферических углублений. Недостатком прототипа является низкая степень упорядочения структуры, что увеличивает ширину распределения расстояний между центрами углублений и снижает точность калибровки.
Раскрытие полезной модели
Задачей, на решение которой направлена данная полезная модель, является повышение точности измерения с помощью сканирующей зондовой (в частности, атомно-силовой) и растровой электронной микроскопии малых длин отрезков, характеризующих морфологию изучаемых объектов на субмикронном и нанометровом масштабе.
Поставленная задача решается калибровкой шкалы микроскопа с помощью заявленной полезной модели, которой является алюминиевый диск толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм, на поверхности которого имеется область диаметром не менее 3 мм, представляющая собой двумерный гексагональный массив полусферических углублений с расстоянием между их центрами 100 или 50 нм, при этом полуширина распределения данной величины на полувысоте составляет менее 6 нм, а доля углублений в гексагональном окружении составляет более 90%.
Отличительной особенностью заявленной полезной модели является высокая степень упорядочения углублений в гексагональный массив, характеризующаяся их долей в гексагональном окружении, что обеспечивает узкое распределение расстояния между центрами углублений и, тем самым, увеличивает точность калибровки.
Краткое описание рисунков
Сущность полезной модели поясняется рисунками.
На фиг. 1 представлен чертеж полезной модели, представляющей собой алюминиевый диск толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм. На поверхности диска имеется круглая область диаметром не менее 3 мм, находящаяся вровень с поверхностью или заглубленная на не более чем 0,2 мм, являющаяся рабочей областью калибровочной решетки. Поверхность рабочей области выполнена в виде массива полусферических углублений, образующих гексагональную сетку с периодом 100 или 50 нм.
На фиг. 2 представлено изображение поверхности рабочей области полезной модели, полученное с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ) и демонстрирующее систему полусферических углублений на поверхности алюминия, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку таким образом, что расстояние между их центрами составляет 100 нм.
На фиг. 3 представлено распределение расстояний между центрами соседних углублений в полезной модели с периодом рельефа поверхности 100 нм, полученное с помощью статистической обработки РЭМ изображений. На рисунке представлены среднее значение расстояния между центрами соседних углублений (<Dint>) и полуширина распределения (HWHM), определенные с помощью описания распределения функцией Гаусса.
На фиг. 4 представлено изображение поверхности полезной модели, полученное с помощью растрового электронного микроскопа и демонстрирующее систему полусферических углублений на поверхности алюминия, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку таким образом, что расстояние между их центрами составляет 50 нм.
На фиг. 5 представлено распределение расстояний между центрами соседних углублений в полезной модели с периодом рельефа поверхности 50 нм, полученное с помощью статистической обработки РЭМ изображений. На рисунке представлены среднее значение расстояния между центрами соседних углублений (<Dint>) и полуширина распределения (HWHM), определенные с помощью описания распределения функцией Гаусса.
Осуществление полезной модели
Полезная модель представляет собой калибровочную решетку для сканирующих зондовых (в том числе атомно-силовых) и растровых электронных микроскопов. Для калибровки полезную модель помещают в микроскоп и с его помощью регистрируют трехмерный профиль (в случае сканирующей зондовой микроскопии) или изображение (в случае растровой электронной микроскопии) произвольного участка рабочей области. Далее с помощью статистической обработки полученного изображения, основанной на триангуляции для множества центров углублений, строят распределение расстояний между центрами углублений и определяют среднее значение искомой величины. Для калибровки среднее расстояние приравнивают к расстоянию между центрами углублений в заявленной полезной модели (100 или 50 нм).

Claims (2)

1. Калибровочная решётка для сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии в виде пластины со структурированной поверхностью, отличающаяся тем, что пластина выполнена из алюминия в форме диска с толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм, на поверхности которого имеется рабочая область диаметром не менее 3 мм, заглублённая на менее чем на 0,2 мм, на поверхности которой присутствуют полусферические углубления, упорядоченные в двумерный гексагональный массив таким образом, что расстояние между их центрами составляет 100 или 50 нм, при этом полуширина распределения на полувысоте составляет менее 6 нм, а доля углублений в гексагональном окружении составляет более 90%.
2. Калибровочная решётка для сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии по п.1, отличающаяся тем, что средний перепад высот на поверхности полезной модели составляет не более 40 нм в случае расстояния между углублениями 100 нм и не более 25 нм в случае расстояния между углублениями 50 нм.
RU2020123413U 2020-07-15 2020-07-15 Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов RU209006U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020123413U RU209006U1 (ru) 2020-07-15 2020-07-15 Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020123413U RU209006U1 (ru) 2020-07-15 2020-07-15 Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU209006U1 true RU209006U1 (ru) 2022-01-27

Family

ID=80445127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020123413U RU209006U1 (ru) 2020-07-15 2020-07-15 Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU209006U1 (ru)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0676614A1 (en) * 1994-04-11 1995-10-11 International Business Machines Corporation Calibration standards for profilometers and methods of producing them
RU2121131C1 (ru) * 1997-02-11 1998-10-27 Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ" Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа
RU2386989C2 (ru) * 2007-03-28 2010-04-20 ООО "Старт инноваций" Калибровочный эталон для профилометров и сканирующих зондовых микроскопов
RU2402021C1 (ru) * 2009-04-24 2010-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Тестовая структура для градуировки сканирующих зондовых микроскопов
DE102011113817A1 (de) * 2011-09-21 2013-03-21 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Vorrichtung zum Vermessen eines Messobjektes mittels Röntgenstrahlung
EP3407012A1 (de) * 2017-05-26 2018-11-28 QS GRIMM GmbH Kalibrierkörper
DE102019000247A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Mitutoyo Corporation Röntgenstrahlen-ct-messvorrichtung und kalibrierungsverfahren dafür

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0676614A1 (en) * 1994-04-11 1995-10-11 International Business Machines Corporation Calibration standards for profilometers and methods of producing them
RU2121131C1 (ru) * 1997-02-11 1998-10-27 Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ" Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа
RU2386989C2 (ru) * 2007-03-28 2010-04-20 ООО "Старт инноваций" Калибровочный эталон для профилометров и сканирующих зондовых микроскопов
RU2402021C1 (ru) * 2009-04-24 2010-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Тестовая структура для градуировки сканирующих зондовых микроскопов
DE102011113817A1 (de) * 2011-09-21 2013-03-21 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Vorrichtung zum Vermessen eines Messobjektes mittels Röntgenstrahlung
EP3407012A1 (de) * 2017-05-26 2018-11-28 QS GRIMM GmbH Kalibrierkörper
DE102019000247A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Mitutoyo Corporation Röntgenstrahlen-ct-messvorrichtung und kalibrierungsverfahren dafür

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Takenaga et al. Exploration for the self-ordering of porous alumina fabricated via anodizing in etidronic acid
Sulka et al. Structural features of self-organized nanopore arrays formed by anodization of aluminum in oxalic acid at relatively high temperatures
Zaraska et al. The effect of n-alcohols on porous anodic alumina formed by self-organized two-step anodizing of aluminum in phosphoric acid
Stępniowski et al. Synthesis of anodic aluminum oxide (AAO) at relatively high temperatures. Study of the influence of anodization conditions on the alumina structural features
Kikuchi et al. Self-ordering behavior of anodic porous alumina via selenic acid anodizing
Zaraska et al. The effect of electrolyte change on the morphology and degree of nanopore order of porous alumina formed by two-step anodization
Zaraska et al. Analysis of nanopore arrangement of porous alumina layers formed by anodizing in oxalic acid at relatively high temperatures
JP6404070B2 (ja) マルチスケール変形計測用格子パターンとその製作方法
RU209006U1 (ru) Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов
KR101399982B1 (ko) 높은 규칙도를 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그제조방법
KR101165396B1 (ko) 금속 나노 링 패턴을 이용한 나노 구조물의 제조 방법
Sulka et al. Defects analysis in self-organized nanopore arrays formed by anodization of aluminium at various temperatures
US11579524B2 (en) Electrochemical imprinting of micro- and nano-structures in porous silicon, silicon, and other semiconductors
Masuda Highly ordered nanohole arrays in anodic porous alumina
Yanagishita et al. Preparation of ordered nanohole arrays with high aspect ratios by anodization of prepatterned 304 stainless steel
JP5344850B2 (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
Jeong et al. Three-dimensional (3D) anodic aluminum surfaces by modulating electrochemical method
Gong et al. Tailoring morphology in free-standing anodic aluminium oxide: Control of barrier layer opening down to the sub-10 nm diameter
RU2324015C1 (ru) Способ получения пористого анодного оксида алюминия
JP4423077B2 (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
CN104792764B (zh) 表面构筑有金、银纳米丝的金纳米管阵列及其制备方法和用途
Zaraska et al. Effect of Al polishing conditions on the growth and morphology of porous anodic alumina films
Choi et al. Fabrication of a tungsten master stamp using self-ordered porous alumina
JP5642362B2 (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
RU2555366C2 (ru) Способ получения анодного оксида алюминия с высокоупорядоченной пористой структурой и способ формирования массивов анизотропных наноструктур на его основе