RU209006U1 - Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов - Google Patents
Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов Download PDFInfo
- Publication number
- RU209006U1 RU209006U1 RU2020123413U RU2020123413U RU209006U1 RU 209006 U1 RU209006 U1 RU 209006U1 RU 2020123413 U RU2020123413 U RU 2020123413U RU 2020123413 U RU2020123413 U RU 2020123413U RU 209006 U1 RU209006 U1 RU 209006U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- scanning electron
- distance
- atomic force
- diameter
- centers
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q40/00—Calibration, e.g. of probes
- G01Q40/02—Calibration standards and methods of fabrication thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области измерения малых длин отрезков, характеризующих геометрические параметры субмикронных и наноразмерных объектов, с помощью сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии. Калибровочная решетка выполнена в виде алюминиевого диска толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм, на поверхности которого имеется заглубленная область диаметром не менее 3 мм, представляющая собой совокупность полусферических углублений, упорядоченных в двумерный гексагональный массив таким образом. Причем расстояние между их центрами составляет 100 или 50 нм, полуширина распределения на полувысоте составляет менее 6 нм, а доля углублений с шестью соседями составляет более 90%. Техническим результатом является существенное увеличение точности измерения малых длин отрезков, характеризующих морфологию объекта на субмикронном и нанометровом масштабе. 1 з. п. ф-лы, 5 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Полезная модель относится к области измерения малых длин отрезков, характеризующих геометрические параметры субмикронных и наноразмерных объектов, с помощью сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии.
Уровень техники
Анодное окисление (анодирование) алюминия в кислых растворах электролитов приводит к формированию пористой оксидной пленки на поверхности металла. Расстояние между порами, образующимися перпендикулярно поверхности пленки, а также их диаметр линейно зависят от напряжения анодирования [W. Lee, S.J. Park. Porous Anodic Aluminum Oxide: Anodization and Templated Synthesis of Functional Nanostructures // Chemical Reviews, 2014, v. 114, pp. 7487-7556]. В определенных условиях анодирования поры формируют двумерный гексагональный массив в плоскости пленки [H. Masuda, K. Fukuda. Ordered metal nanohole arrays made by a 2-step replication of honeycomb structures of anodic alumina // Science, 1995, v. 268 pp. 1466-1468], что обеспечивает рекордно узкое распределение геометрических параметров пористой структуры по размерам. После селективного удаления пористой оксидной пленки поверхность алюминия представляет собой совокупность упорядоченных в гексагональную сетку полусферических углублений, расстояние между которыми совпадает с расстоянием между центрами пор и может варьироваться в диапазоне от десятков до сотен нанометров. Узкое распределение расстояния между центрами пор в оксидной пленке и углублений на поверхности алюминия позволяет создавать на их основе калибровочные решетки для различных видов микроскопических методов исследования, в том числе атомно-силовой и растровой электронной микроскопии. Стоит сказать, что характерные расстояния между углублениями позволяют калибровать микроскоп в нанометровом диапазоне. Для формирования подобных калибровочных решеток на основе кремния, наиболее часто применяемых в микронном диапазоне, требуется использование гораздо более сложно реализуемых методов электронной литографии или фотолитографии.
Известны калибровочные решетки (аналог) на основе пористых пленок анодного оксида алюминия [К.С. Напольский, И.В. Росляков, А.А. Елисеев, А.В. Лукашин, В.А. Лебедев, Д.М. Иткис, Ю.Д. Третьяков. Калибровочные решетки на основе самоорганизующихся структур пористого оксида алюминия // Альтернативная энергетика и экология, 2009, №11 (79), стр. 86-89]. Аналог представляет собой рентгеноаморфную пленку оксида алюминия толщиной порядка 200 мкм, обладающую системой сквозных, непересекающихся, перпендикулярных поверхности пленки каналов, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку. Расстояние между каналами составляет 104,5±0,5 нм. Аналог получают анодированием алюминия в 0,3 М растворе щавелевой кислоты при напряжении 40 В. В качестве исходного материала используют алюминий толщиной 0,5 мм, предварительно отожженный при температуре 500°C в течение 10 ч. Оставшийся не окисленным алюминий селективно удаляют в растворе, содержащем 1,4 М соляной кислоты и 0,5 M хлорида меди (II). Барьерный слой оксида алюминия химически растворяют в 5 вес. % растворе H3PO4 при температуре 60°C в течение 5 минут. В качестве калибровочной решетки используют нижнюю сторону пористой оксидной пленки.
В аналоге, как и в заявленной полезной модели, для калибровки микроскопов используется наноструктурированный материал со строго заданным периодом рельефа поверхности. Однако описанный аналог имеет ряд недостатков:
1) резкий перепад высот на поверхности оксидной пленки, вызванный наличием протяженных пор диаметром 35 нм, в совокупности с высокой твердостью материала приводит к частому повреждению зонда, использующегося для сканирования образца;
2) получение калибровочной решетки на основе анодного оксида алюминия требует проведения дополнительной технологической стадии удаления барьерного слоя, что усложняет способ изготовления аналога и уменьшает его воспроизводимость;
3) аналог обладает низкой механической стабильностью из-за хрупкости пористых пленок анодного оксида алюминия.
Известен другой тип материала, пригодный для изготовления калибровочных решеток, выбранный в качестве наиболее близкого аналога (прототипа) [I.V. Roslyakov, E.O. Gordeeva, K.S. Napolskii. Role of Electrode Reaction Kinetics in Self-Ordering of Porous Anodic Alumina // Electrochimica Acta, 2017, v. 241, pp. 362-369]. Прототипом является алюминиевая пластина, поверхность которой представляет собой массив полусферических углублений, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку. Для структурирования поверхности используют анодирование алюминия в электролитах на основе серной или щавелевой кислот с последующим селективным удалением пленки оксида алюминия в водном растворе H3PO4 и CrO3.
На поверхности прототипа, как и на поверхности заявленной полезной модели, имеется система полусферических углублений. Недостатком прототипа является низкая степень упорядочения структуры, что увеличивает ширину распределения расстояний между центрами углублений и снижает точность калибровки.
Раскрытие полезной модели
Задачей, на решение которой направлена данная полезная модель, является повышение точности измерения с помощью сканирующей зондовой (в частности, атомно-силовой) и растровой электронной микроскопии малых длин отрезков, характеризующих морфологию изучаемых объектов на субмикронном и нанометровом масштабе.
Поставленная задача решается калибровкой шкалы микроскопа с помощью заявленной полезной модели, которой является алюминиевый диск толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм, на поверхности которого имеется область диаметром не менее 3 мм, представляющая собой двумерный гексагональный массив полусферических углублений с расстоянием между их центрами 100 или 50 нм, при этом полуширина распределения данной величины на полувысоте составляет менее 6 нм, а доля углублений в гексагональном окружении составляет более 90%.
Отличительной особенностью заявленной полезной модели является высокая степень упорядочения углублений в гексагональный массив, характеризующаяся их долей в гексагональном окружении, что обеспечивает узкое распределение расстояния между центрами углублений и, тем самым, увеличивает точность калибровки.
Краткое описание рисунков
Сущность полезной модели поясняется рисунками.
На фиг. 1 представлен чертеж полезной модели, представляющей собой алюминиевый диск толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм. На поверхности диска имеется круглая область диаметром не менее 3 мм, находящаяся вровень с поверхностью или заглубленная на не более чем 0,2 мм, являющаяся рабочей областью калибровочной решетки. Поверхность рабочей области выполнена в виде массива полусферических углублений, образующих гексагональную сетку с периодом 100 или 50 нм.
На фиг. 2 представлено изображение поверхности рабочей области полезной модели, полученное с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ) и демонстрирующее систему полусферических углублений на поверхности алюминия, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку таким образом, что расстояние между их центрами составляет 100 нм.
На фиг. 3 представлено распределение расстояний между центрами соседних углублений в полезной модели с периодом рельефа поверхности 100 нм, полученное с помощью статистической обработки РЭМ изображений. На рисунке представлены среднее значение расстояния между центрами соседних углублений (<Dint>) и полуширина распределения (HWHM), определенные с помощью описания распределения функцией Гаусса.
На фиг. 4 представлено изображение поверхности полезной модели, полученное с помощью растрового электронного микроскопа и демонстрирующее систему полусферических углублений на поверхности алюминия, упорядоченных в двумерную гексагональную сетку таким образом, что расстояние между их центрами составляет 50 нм.
На фиг. 5 представлено распределение расстояний между центрами соседних углублений в полезной модели с периодом рельефа поверхности 50 нм, полученное с помощью статистической обработки РЭМ изображений. На рисунке представлены среднее значение расстояния между центрами соседних углублений (<Dint>) и полуширина распределения (HWHM), определенные с помощью описания распределения функцией Гаусса.
Осуществление полезной модели
Полезная модель представляет собой калибровочную решетку для сканирующих зондовых (в том числе атомно-силовых) и растровых электронных микроскопов. Для калибровки полезную модель помещают в микроскоп и с его помощью регистрируют трехмерный профиль (в случае сканирующей зондовой микроскопии) или изображение (в случае растровой электронной микроскопии) произвольного участка рабочей области. Далее с помощью статистической обработки полученного изображения, основанной на триангуляции для множества центров углублений, строят распределение расстояний между центрами углублений и определяют среднее значение искомой величины. Для калибровки среднее расстояние приравнивают к расстоянию между центрами углублений в заявленной полезной модели (100 или 50 нм).
Claims (2)
1. Калибровочная решётка для сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии в виде пластины со структурированной поверхностью, отличающаяся тем, что пластина выполнена из алюминия в форме диска с толщиной от 0,2 до 2 мм и диаметром от 4 до 10 мм, на поверхности которого имеется рабочая область диаметром не менее 3 мм, заглублённая на менее чем на 0,2 мм, на поверхности которой присутствуют полусферические углубления, упорядоченные в двумерный гексагональный массив таким образом, что расстояние между их центрами составляет 100 или 50 нм, при этом полуширина распределения на полувысоте составляет менее 6 нм, а доля углублений в гексагональном окружении составляет более 90%.
2. Калибровочная решётка для сканирующей зондовой (в том числе атомно-силовой) или растровой электронной микроскопии по п.1, отличающаяся тем, что средний перепад высот на поверхности полезной модели составляет не более 40 нм в случае расстояния между углублениями 100 нм и не более 25 нм в случае расстояния между углублениями 50 нм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020123413U RU209006U1 (ru) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020123413U RU209006U1 (ru) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU209006U1 true RU209006U1 (ru) | 2022-01-27 |
Family
ID=80445127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020123413U RU209006U1 (ru) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU209006U1 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0676614A1 (en) * | 1994-04-11 | 1995-10-11 | International Business Machines Corporation | Calibration standards for profilometers and methods of producing them |
RU2121131C1 (ru) * | 1997-02-11 | 1998-10-27 | Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ" | Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа |
RU2386989C2 (ru) * | 2007-03-28 | 2010-04-20 | ООО "Старт инноваций" | Калибровочный эталон для профилометров и сканирующих зондовых микроскопов |
RU2402021C1 (ru) * | 2009-04-24 | 2010-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Тестовая структура для градуировки сканирующих зондовых микроскопов |
DE102011113817A1 (de) * | 2011-09-21 | 2013-03-21 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Vorrichtung zum Vermessen eines Messobjektes mittels Röntgenstrahlung |
EP3407012A1 (de) * | 2017-05-26 | 2018-11-28 | QS GRIMM GmbH | Kalibrierkörper |
DE102019000247A1 (de) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Mitutoyo Corporation | Röntgenstrahlen-ct-messvorrichtung und kalibrierungsverfahren dafür |
-
2020
- 2020-07-15 RU RU2020123413U patent/RU209006U1/ru active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0676614A1 (en) * | 1994-04-11 | 1995-10-11 | International Business Machines Corporation | Calibration standards for profilometers and methods of producing them |
RU2121131C1 (ru) * | 1997-02-11 | 1998-10-27 | Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ" | Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа |
RU2386989C2 (ru) * | 2007-03-28 | 2010-04-20 | ООО "Старт инноваций" | Калибровочный эталон для профилометров и сканирующих зондовых микроскопов |
RU2402021C1 (ru) * | 2009-04-24 | 2010-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Тестовая структура для градуировки сканирующих зондовых микроскопов |
DE102011113817A1 (de) * | 2011-09-21 | 2013-03-21 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Vorrichtung zum Vermessen eines Messobjektes mittels Röntgenstrahlung |
EP3407012A1 (de) * | 2017-05-26 | 2018-11-28 | QS GRIMM GmbH | Kalibrierkörper |
DE102019000247A1 (de) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Mitutoyo Corporation | Röntgenstrahlen-ct-messvorrichtung und kalibrierungsverfahren dafür |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Takenaga et al. | Exploration for the self-ordering of porous alumina fabricated via anodizing in etidronic acid | |
Sulka et al. | Structural features of self-organized nanopore arrays formed by anodization of aluminum in oxalic acid at relatively high temperatures | |
Zaraska et al. | The effect of n-alcohols on porous anodic alumina formed by self-organized two-step anodizing of aluminum in phosphoric acid | |
Stępniowski et al. | Synthesis of anodic aluminum oxide (AAO) at relatively high temperatures. Study of the influence of anodization conditions on the alumina structural features | |
Kikuchi et al. | Self-ordering behavior of anodic porous alumina via selenic acid anodizing | |
Zaraska et al. | The effect of electrolyte change on the morphology and degree of nanopore order of porous alumina formed by two-step anodization | |
Zaraska et al. | Analysis of nanopore arrangement of porous alumina layers formed by anodizing in oxalic acid at relatively high temperatures | |
JP6404070B2 (ja) | マルチスケール変形計測用格子パターンとその製作方法 | |
RU209006U1 (ru) | Калибровочная решётка для атомно-силовых и растровых электронных микроскопов | |
KR101399982B1 (ko) | 높은 규칙도를 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그제조방법 | |
KR101165396B1 (ko) | 금속 나노 링 패턴을 이용한 나노 구조물의 제조 방법 | |
Sulka et al. | Defects analysis in self-organized nanopore arrays formed by anodization of aluminium at various temperatures | |
US11579524B2 (en) | Electrochemical imprinting of micro- and nano-structures in porous silicon, silicon, and other semiconductors | |
Masuda | Highly ordered nanohole arrays in anodic porous alumina | |
Yanagishita et al. | Preparation of ordered nanohole arrays with high aspect ratios by anodization of prepatterned 304 stainless steel | |
JP5344850B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
Jeong et al. | Three-dimensional (3D) anodic aluminum surfaces by modulating electrochemical method | |
Gong et al. | Tailoring morphology in free-standing anodic aluminium oxide: Control of barrier layer opening down to the sub-10 nm diameter | |
RU2324015C1 (ru) | Способ получения пористого анодного оксида алюминия | |
JP4423077B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
CN104792764B (zh) | 表面构筑有金、银纳米丝的金纳米管阵列及其制备方法和用途 | |
Zaraska et al. | Effect of Al polishing conditions on the growth and morphology of porous anodic alumina films | |
Choi et al. | Fabrication of a tungsten master stamp using self-ordered porous alumina | |
JP5642362B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
RU2555366C2 (ru) | Способ получения анодного оксида алюминия с высокоупорядоченной пористой структурой и способ формирования массивов анизотропных наноструктур на его основе |