RU2089001C1 - Source of electrons and method of its manufacture - Google Patents

Source of electrons and method of its manufacture Download PDF

Info

Publication number
RU2089001C1
RU2089001C1 RU96103426/07A RU96103426A RU2089001C1 RU 2089001 C1 RU2089001 C1 RU 2089001C1 RU 96103426/07 A RU96103426/07 A RU 96103426/07A RU 96103426 A RU96103426 A RU 96103426A RU 2089001 C1 RU2089001 C1 RU 2089001C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive film
hole
dielectric layer
layer
expanding
Prior art date
Application number
RU96103426/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU96103426A (en
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" filed Critical Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ"
Priority to RU96103426/07A priority Critical patent/RU2089001C1/en
Priority to PCT/RU1997/000051 priority patent/WO1998025287A1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2089001C1 publication Critical patent/RU2089001C1/en
Publication of RU96103426A publication Critical patent/RU96103426A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/32—Secondary-electron-emitting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

FIELD: electronics, information display systems based on autoemitting devices. SUBSTANCE: source of electrons comprises insulating backing with first conductive film formed on it and forming the pulling electrode drawing electrons from autoemitting cathode and having area of surface from which secondary electron emission is conducted, dielectric layer of cathode holder with holes above first conductive film having part expanding over outline of area of hole adjacent to first conductive film, second conductive film part of which is arranged on walls of hole excluding walls of expanding part, another part positioned on first conductive film in hole to form region of secondary electron emission, part protruding into expanding part of hole directed to edge of part of conductive film located on bottom of hole and having vacuum gap with films on bottom of hole. Butt of protruding part forms autoemitting electrode. For manufacturing the source of electrons on backing with elements of first conductive film there are formed isles of additional coat of two layers above elements of first conductive layer and dielectric layer is deposited. In agreement with another version for manufacturing source of electrons isles of additional coat made of two layers are formed above elements of first conductive film located on insulated backing, dielectric layer is deposited and holes up to lower layer of additional coat are formed. Additional coat is etched, second conductive layer is formed by method of vacuum sputtering with formation of its break over outline of holes in shadow of directed flow of particles. Then upper layer of isle of additional coat is etched and interconnections are formed. EFFECT: higher efficiency. 5 cl, 11 dwg

Description

Изобретение относится к электронной технике, в частности, к системам отображения информации на основе автоэмиссионных устройств и экранов с катодолюминесцентным покрытием и системам управления. The invention relates to electronic equipment, in particular, to information display systems based on field emission devices and screens with a cathodoluminescent coating and control systems.

Известно плоское устройство воспроизведения изображения (Патент ЕПВ(УР) N 046493Э от 8.01.92г. МКИ HOIJ 31/12), имеющее в своем составе источник электронов. Known flat device image reproduction (Patent EPO (UR) N 046493E from 8.01.92 MKI HOIJ 31/12), which includes an electron source.

Устройство состоит из передней панели с люминофором, с прикрепленной к ней через перегородки задней стенкой корпуса. В корпусе установлено несколько источников электронов, включающих в себя каналы передачи. Стенки каналов выполнены из электроизолирующего материала. Коэффициент вторичной электронной эмиссии которого обеспечивает передачу электронов в виде электронных токов. Каждая из точек вывода электронных токов связана со структурой с отверстиями, расположенной между каналами передачи и люминесцентным экраном, имеющей возбуждающий электрод, выводящий электроны через отверстия, которые специальным устройством направляются на люминесцентный экран. The device consists of a front panel with a phosphor, with the rear wall of the housing attached to it through partitions. The housing has several electron sources, including transmission channels. The walls of the channels are made of electrically insulating material. The secondary electron emission coefficient of which provides the transfer of electrons in the form of electronic currents. Each of the output points of the electronic currents is associated with a structure with holes located between the transmission channels and the fluorescent screen, having an exciting electrode that outputs electrons through the holes, which are directed by a special device to the fluorescent screen.

Недостатком устройства является наличие технологических ограничений по материалу стенок канала, который должен быть электроизолирующим, что не позволяет выбрать другие материалы, обладающие большей величиной коэффициента вторичной электронной эмиссии и обеспечивающие более воспроизводимую передачу электронных токов. The disadvantage of this device is the presence of technological limitations on the material of the channel walls, which must be electrically insulating, which does not allow selecting other materials that have a larger value of the secondary electron emission coefficient and provide a more reproducible transmission of electronic currents.

Известен автоэлектронный катод [1] состоящий из подложки, на поверхности которой расположена проводящая пленка и покрывающая ее диэлектрическая пленка с расположенным на ней слоем держателя катода. Слой держателя катода имеет отверстия до поверхности диэлектрической пленки. На поверхности держателя катода расположена катодная пленка, края которой выступают над отверстиями и расположены параллельно поверхности подложки. Выступающие над отверстиями края катодной пленки имеют эмиттирующие электроны торцы. На некотором расстоянии от поверхности подложки расположен коллектор электронов. При подаче на проводящую пленку относительно катода положительного потенциала определенной величины возникает эффект автоэлектронной эмиссии из торцов катода, а эмиттированные электроны, бомбардирующие поверхность диэлектрической пленки, вызывают вторичную электронную эмиссию. Выбитые вторичные электроны попадают на коллектор. Known autoelectronic cathode [1] consisting of a substrate on the surface of which is a conductive film and a dielectric film covering it with a layer of a cathode holder located on it. The cathode holder layer has openings up to the surface of the dielectric film. A cathode film is located on the surface of the cathode holder, the edges of which protrude above the holes and are parallel to the surface of the substrate. The edges of the cathode film protruding above the holes have electron emitting ends. At some distance from the surface of the substrate is an electron collector. When a positive potential of a certain value is applied to the conductive film relative to the cathode, the effect of field emission from the ends of the cathode occurs, and the emitted electrons bombarding the surface of the dielectric film cause secondary electron emission. Knocked out secondary electrons enter the collector.

На фиг.1 представлено схематическое изображение автоэлектронного катода, где 1 подложка; 2 проводящая пленка; 3 диэлектрическая пленка; 4 - держатель катода: 5 катодная пленка; 6 выступающие края катода; 7 - эмиттирующие торцы катода; 8 коллектор. Figure 1 presents a schematic representation of the field-emission cathode, where 1 is a substrate; 2 conductive film; 3 dielectric film; 4 - cathode holder: 5 cathode film; 6 protruding edges of the cathode; 7 - emitting ends of the cathode; 8 collector.

В соответствии с описанием авторского свидетельства способ изготовления прибора включает последовательное напыление на диэлектрическую подложку проводящей пленки, диэлектрической пленки, слоя держателя катода и катодной пленки, формирование методом фотолитографии окна в катодной пленке, вытравливание в слое держателя катода окна с использованием в качестве маски катодной пленки с подтравом под катодную пленку, в результате чего формируется выступающая кромка катода. In accordance with the description of the copyright certificate, the method of manufacturing the device includes sequential sputtering of a conductive film, a dielectric film, a layer of a cathode holder and a cathode film on a dielectric substrate, formation of a window in a cathode film by photolithography, etching in a layer of a cathode holder of a window using a cathode film with undermining under the cathode film, as a result of which a protruding edge of the cathode is formed.

Устройство автоэлектронного катода является наиболее близким к предлагаемому источнику электронов и выбрано в качестве прототипа. The auto-electronic cathode device is the closest to the proposed electron source and is selected as a prototype.

Недостатком источника электронов по прототипу является ограничение по материалу пленки, из которой осуществляется вторичная электронная эмиссия, что, в свою очередь, ограничивает технологические возможности его реализации и не позволяет использовать, в частности, проводящие материалы с оптимальными свойствами как по величине коэффициента вторичной электронной эмиссии, так и по стабильности и воспроизводимости характеристик устройства. Другим недостатком является повышенное значение рабочего напряжения источника электронов на величину падения напряжения на диэлектрической пленке, покрывающей проводящую пленку. Данный недостаток проявляется в начальный период работы источника. Наличие диэлектрической пленки в зазоре катод - проводящая пленка снижает воспроизводимость электрофизических параметров устройства. Недостатком варианта, при котором держатель катода выполнен из проводящего материала, является снижение надежности, выхода годных изделия и воспроизводимости электрофизических характеристик устройств вследствие того, что роль изолятора между катодной пленкой и проводящей пленкой выполняет тонкая диэлектрическая пленка, нанесенная на проводящую пленку. The disadvantage of the electron source of the prototype is the restriction on the material of the film from which the secondary electron emission is carried out, which, in turn, limits the technological capabilities of its implementation and does not allow the use, in particular, of conductive materials with optimal properties as the value of the secondary electron emission coefficient, and the stability and reproducibility of the characteristics of the device. Another disadvantage is the increased value of the working voltage of the electron source by the magnitude of the voltage drop across the dielectric film covering the conductive film. This disadvantage manifests itself in the initial period of the source. The presence of a dielectric film in the gap of the cathode - conductive film reduces the reproducibility of the electrophysical parameters of the device. The disadvantage of the option in which the cathode holder is made of conductive material is a decrease in reliability, product yield and reproducibility of the electrophysical characteristics of the devices due to the fact that the role of the insulator between the cathode film and the conductive film is played by a thin dielectric film deposited on the conductive film.

Известен способ изготовления источника электронов (Авт. св. СССР N 3768826 от 05.04.1973г. МКИ HOIJ 1/30), включающий нанесение на изолирующую подложку первой проводящей пленки, удаление ее части, нанесение диэлектрического слоя, формирование в нем, по крайней мере, одного отверстия, образующего рельеф поверхности, вакуумное нанесение второй проводящей пленки с формированием разрыва второй проводящей пленки по контуру рельефа. A known method of manufacturing an electron source (Aut. St. USSR N 3768826 from 04/05/1973 MKI HOIJ 1/30), including applying to the insulating substrate the first conductive film, removing part of it, applying a dielectric layer, forming at least one hole forming a surface relief, vacuum deposition of a second conductive film with the formation of a gap of the second conductive film along the contour of the relief.

Недостатком данного способа является невоспроизводимость геометрических параметров источника электронов. The disadvantage of this method is the irreproducibility of the geometric parameters of the electron source.

Способ изготовления источника электронов является наиболее близки к предлагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа для способа изготовления источника электронов. A method of manufacturing an electron source is closest to the proposed invention and is selected as a prototype for a method of manufacturing an electron source.

Целью настоящего изобретения является следующая техническая задача - повышение стабильности и воспроизводимости электрофизических параметров источника электронов, повышение выхода годных и надежности изделия, расширение технологических возможностей изготовления изделий. The aim of the present invention is the following technical task is to increase the stability and reproducibility of the electrophysical parameters of the electron source, increase yield and reliability of the product, expanding the technological capabilities of manufacturing products.

Поставленная техническая задача достигается тем, что в предлагаемом источнике электронов в качестве материала, из которого осуществляется вторичная электронная эмиссия, используется проводящая, в частности, металлическая или полупроводниковая пленка, между торцом автоэмиссионного катода и вытягивающим электродом отсутствует диэлектрическая пленка, роль изолятора между катодом и вытягивающим электродом вне зазора выполняет диэлектрический слой, толщина которого не лимитируется конструкцией устройства, зазор между катодом и вытягивающим электродом имеет постоянную величину при воспроизводимой форме острия. The stated technical problem is achieved by the fact that in the proposed source of electrons as a material from which secondary electron emission is carried out, a conductive, in particular, metal or semiconductor film is used, there is no dielectric film between the end of the field emission cathode and the extraction electrode, the role of an insulator between the cathode and the extraction the electrode outside the gap performs a dielectric layer, the thickness of which is not limited by the design of the device, the gap between the cathode and the draw the waving electrode has a constant value with the reproducible shape of the tip.

Это достигается тем, что источник электронов состоит из изолирующей пленки с размещенной на ней первой проводящей пленкой, образующей токоведущие дорожки, электроды, вытягивающие электроны из автоэмиссионных катодов, и часть областей поверхности, из которых осуществляется вторичная электронная эмиссия, из диэлектрического слоя держателя автоэмиссионного катода, покрывающего часть поверхности изолирующей подложки и первой проводящей пленки и имеющего отверстия над первой проводящей пленкой с расширяющейся частью, расположенной по контуру области, прилегающей к поверхности первой проводящей пленки, из второй проводящей пленки, образующей токоведущие дорожки и автоэмиссионные катоды и имеющей часть, расположенную на поверхности диэлектрического слоя и стенках отверстия, исключая ее расширяющуюся часть, часть, расположенную на первой проводящей пленке в отверстии и образующую вторую область поверхностей, из которых осуществляется вторичная электронная эмиссия, и часть, выступающую в пространство, ограниченное расширяющейся частью отверстия, направленную к краю находящейся в отверстии части второй проводящей пленки, расположенной на первой проводящей пленке, и имеющую с ними вакуумный зазор. Части второй проводящей пленки, выступающие в пространств, ограниченно расширяющейся частью отверстия, образуют автоэмиссионные катоды, представляющие собой торцы, нависающие над проводящими пленками в отверстии и имеющие острия. Толщина диэлектрического слоя над расширяющейся частью отверстия равна толщине над изолирующей подложкой и первой проводящей пленкой. Расстояние от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности части второй проводящей пленки, расположенной на первой проводящей пленке в отверстии, выбрано в интервале от 0,05 до 5,0 мкм. Край части второй проводящей пленки, расположенной в отверстии на первой проводящей пленке, совпадает или выступает за проекцию контура нерасширяющейся части отверстия на плоскость первой проводящей пленки в сторону периферии расширяющейся части отверстия. Толщина второй проводящей пленки должна быть меньше десятикратной величины расстояния от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности первой проводящей пленки. Диаметр расширяющейся части отверстия превышает диаметр ее нерасширяющейся части на величину не менее удвоенной суммы расстояния от поверхности первой проводящей пленки до поверхности расширяющейся части отверстия в диэлектрическом слое, прилегающей к выступающей части второй проводящей пленки, и величины рассовмещения при литографии, но не превышает восьмикратную толщину диэлектрического слоя. This is achieved by the fact that the electron source consists of an insulating film with a first conductive film placed on it, forming current-carrying tracks, electrodes that draw electrons from the field emission cathodes, and part of the surface areas from which secondary electron emission is carried out, from the dielectric layer of the field emission cathode holder, covering a portion of the surface of the insulating substrate and the first conductive film and having openings above the first conductive film with an expanding portion located along the outline of the region adjacent to the surface of the first conductive film from the second conductive film forming current paths and field emission cathodes and having a part located on the surface of the dielectric layer and the walls of the hole, excluding its expanding part, a part located on the first conductive film in the hole and forming the second region of the surfaces from which the secondary electron emission is carried out, and the part protruding into the space bounded by the expanding part of the hole directed towards the edge part of the second conductive film located in the hole, located on the first conductive film, and having a vacuum gap with them. The parts of the second conductive film protruding in spaces limited by the expanding part of the hole form field emission cathodes, which are ends hanging over the conductive films in the hole and having points. The thickness of the dielectric layer over the expanding part of the hole is equal to the thickness over the insulating substrate and the first conductive film. The distance from the end face of the protruding part of the second conductive film to the surface of the part of the second conductive film located on the first conductive film in the hole is selected in the range from 0.05 to 5.0 μm. The edge of the portion of the second conductive film located in the hole on the first conductive film coincides or stands for the projection of the contour of the non-expandable part of the hole on the plane of the first conductive film in the direction of the periphery of the expanding part of the hole. The thickness of the second conductive film should be less than ten times the distance from the end face of the protruding part of the second conductive film to the surface of the first conductive film. The diameter of the expanding part of the hole exceeds the diameter of its non-expanding part by at least twice the sum of the distance from the surface of the first conductive film to the surface of the expanding part of the hole in the dielectric layer adjacent to the protruding part of the second conductive film, and the misregistration value during lithography, but not exceeding eight times the thickness of the dielectric layer.

Это также достигается тем, что способ изготовления источника электронов включает следующие операции. Нанесение на изолирующую подложку первой проводящей пленки и удаление части первой проводящей пленки. Формирование на оставшейся части первой проводящей пленки, по крайней мере, одного островка дополнительного покрытия, имеющего два слоя нижний и верхний. Формирование по крайней мере одного отверстия до нижнего слоя дополнительного покрытия методом локального анизотропного травления диэлектрического слоя и верхнего дополнительного покрытия так, чтобы контур отверстия находился внутри конура островка. Селективное изотропное травление нижнего слоя островка до его полного удаления с подтравом под диэлектрический слой на величину расстояния от контура отверстия до контура островка. В результате проведения операций формирования отверстия и травления нижнего слоя дополнительного покрытия по контуру отверстия формируется рельеф поверхности, представляющий собой козырек диэлектрического слоя, нависающий над поверхностью первой проводящей пленки. Таким образом формируется отверстие с расширяющейся у первой проводящей пленки частью. This is also achieved by the fact that the method of manufacturing an electron source includes the following operations. Applying a first conductive film to an insulating substrate and removing a portion of the first conductive film. Formation on the remaining part of the first conductive film of at least one island of an additional coating having two layers lower and upper. The formation of at least one hole to the lower layer of the additional coating by local anisotropic etching of the dielectric layer and the upper additional coating so that the contour of the hole is inside the island contour. Selective isotropic etching of the lower layer of the island until it is completely removed with etching under the dielectric layer by the distance from the hole contour to the island contour. As a result of the operations of forming the hole and etching the lower layer of the additional coating along the contour of the hole, a surface relief is formed, which is a visor of the dielectric layer hanging over the surface of the first conductive film. Thus, an opening is formed with a part expanding at the first conductive film.

Далее проводят вакуумное нанесение второй проводящей пленки из потока частиц, направленных от поверхностного источника частиц к подложке. Такой метода нанесения обеспечивает формирование разрыва второй проводящей пленки в тени направленного потока по контуру рельефа, в области расширяющейся части отверстия. Затем селективно травят верхний слой островка дополнительного покрытия, который находился над нижним слоем дополнительного покрытия до его травления, через разрыв во второй проводящей пленке. В результате его формируется выступающая часть второй проводящей пленки, имеющая длину, равную толщине верхнего слоя дополнительного покрытия. Далее формируют токоведущие дорожки по второй проводящей пленки и контактные площадки. Это также достигается тем, что диэлектрический слой наносят методом осаждения из смесей кремнийсодержащих соединений и газов из группы кислорода, азот, закись азота, аммиак при 150-450o. Островки дополнительного покрытия формируют нанесением нижнего, а затем верхнего слоя и последующим травлением обоих слоев или путем нанесения нижнего слоя, его локального травления, нанесения верхнего слоя и последующего его локального травления.Next, vacuum deposition of a second conductive film from a stream of particles directed from a surface source of particles to the substrate is carried out. This application method ensures the formation of a rupture of the second conductive film in the shadow of a directed flow along the contour of the relief, in the region of the expanding part of the hole. Then selectively etch the upper layer of the island of the additional coating, which was above the lower layer of the additional coating before etching, through a gap in the second conductive film. As a result, a protruding part of the second conductive film is formed having a length equal to the thickness of the upper layer of the additional coating. Next, conductive paths are formed along the second conductive film and contact pads. This is also achieved by the fact that the dielectric layer is deposited by the method of deposition from mixtures of silicon-containing compounds and gases from the group of oxygen, nitrogen, nitrous oxide, ammonia at 150-450 o . The islands of the additional coating are formed by applying the lower and then the upper layer and subsequent etching of both layers or by applying the lower layer, its local etching, applying the upper layer and its subsequent local etching.

Отличительными от прототипа признаками настоящего изобретения в части устройства являются следующие признаки:
отверстие имеет расширяющуюся часть по контуру области отверстия, прилегающей к поверхности первой проводящей пленки, причем диаметр расширяющейся части отверстия превышает диаметр ее нерасширяющейся части на величину не менее удвоенной суммы расстояния от поверхности первой проводящей пленки до поверхности расширяющейся части отверстия в диэлектрическом слое, прилегающей к выступающей части второй проводящей пленки и величины рассовмещения при литографии, но не превышает восьмикратную толщину диэлектрического слоя;
вторая проводящая пленка имеет часть, расположенную на первой проводящей пленке в отверстии, образующую вторую область поверхности, из которой осуществляется вторичная электронная эмиссия. Часть расположенную на стенках отверстия, исключая расширяющуюся часть отверстия и часть, выступающую в расширяющуюся часть отверстия, прилегающую к поверхности первой проводящей пленки, и направленную к краю находящейся в отверстии части второй проводящей пленки и имеющую с ней вакуумный зазор;
толщина диэлектрического покрытия над расширяющейся частью отверстия равна толщине диэлектрического покрытия над изолирующей подложкой и первой проводящей пленкой;
расстояние от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности части второй проводящей пленки, расположенной на первой проводящей пленке в отверстии, выбрано в интервале от 0,05 до 560 мкм;
край части второй проводящей пленки, расположенной в отверстии на первой проводящей пленке, совпадает или выступает за проекцию контура нерасширяющейся части отверстия на плоскость первой проводящей пленки в сторону периферии расширяющейся части отверстия;
толщина второй проводящей пленки меньше десятикратной величины расстояния от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности первой проводящей пленки.Distinctive features of the prototype of the features of the present invention in terms of the device are the following features:
the hole has an expanding part along the contour of the region of the hole adjacent to the surface of the first conductive film, the diameter of the expanding part of the hole exceeding the diameter of its non-expanding part by at least twice the sum of the distance from the surface of the first conductive film to the surface of the expanding part of the hole in the dielectric layer adjacent to the protruding parts of the second conductive film and the misregistration value in lithography, but does not exceed eight times the thickness of the dielectric layer;
the second conductive film has a part located on the first conductive film in the hole, forming a second region of the surface from which the secondary electron emission. A part located on the walls of the hole, excluding the expanding part of the hole and the part protruding into the expanding part of the hole adjacent to the surface of the first conductive film, and directed to the edge of the part of the second conductive film in the hole and having a vacuum gap with it;
the thickness of the dielectric coating over the expanding part of the hole is equal to the thickness of the dielectric coating over the insulating substrate and the first conductive film;
the distance from the end face of the protruding part of the second conductive film to the surface of the part of the second conductive film located on the first conductive film in the hole is selected in the range from 0.05 to 560 μm;
the edge of the part of the second conductive film located in the hole on the first conductive film coincides or stands for the projection of the contour of the non-expandable part of the hole on the plane of the first conductive film in the direction of the periphery of the expanding part of the hole;
the thickness of the second conductive film is less than ten times the distance from the end of the protruding part of the second conductive film to the surface of the first conductive film.

Отличительным от прототипа признаками в части способа изготовления являются:
после удаления части первой проводящей пленки на ее поверхности формируют, по крайней мере, один островок дополнительного покрытия, имеющего два слоя нижний и верхний;
островки дополнительного покрытия формируют, например, нанесением верхнего и нижнего слоев и локального анизотропного травления слоев или повторением двух циклов нанесения и травления слоев;
наносят диэлектрический слой и формируют методом локального анизотропного травления, по крайней мере, одно отверстие до нижнего слоя дополнительного покрытия таким образом, чтобы контур отверстия находился внутри контура островка;
селективно изотропно травят нижний слой островка дополнительного покрытия до его удаления с подтравом под диэлектрический слой;
проводят вакуумное нанесение второй проводящей пленки из потока частиц, направленных от поверхностного источника частиц к подложке, в результате чего формируется разрыв второй проводящей пленки в тени направленного потока по контуру рельефа, сформированного при травлении нижнего слоя дополнительного покрытия под диэлектрический слой;
селективно травят верхний слой островка дополнительного покрытия;
отверстие формируют, например, анизотропным травлением диэлектрического слоя и верхнего слоя дополнительного покрытия;
-после нанесения второй проводящей пленки проводят селективное травление верхнего слоя дополнительного покрытия через разрыв второй проводящей пленки до его удаления в результате чего формируется выступающая часть второй проводящей пленки, имеющая длину, равную толщине верхнего слоя дополнительного покрытия;
диэлектрический слой наносят методом осаждения из смесей кремнийсодержащих соединений и газов из группы кислород, азот, закись азота, аммиак при температуре 150 450oC.Distinctive features of the prototype in terms of the manufacturing method are:
after removing a portion of the first conductive film, at least one island of an additional coating having two layers lower and upper is formed on its surface;
islands of additional coating are formed, for example, by applying the upper and lower layers and local anisotropic etching of the layers or by repeating two cycles of applying and etching the layers;
a dielectric layer is applied and formed by local anisotropic etching, at least one hole to the bottom layer of the additional coating so that the hole contour is inside the island contour;
selectively isotropically etch the lower layer of the island of the additional coating until it is removed with etching under the dielectric layer;
conducting a vacuum deposition of a second conductive film from a stream of particles directed from a surface source of particles to the substrate, resulting in a rupture of the second conductive film in the shadow of a directed flow along the contour of the relief formed by etching the lower layer of the additional coating under the dielectric layer;
selectively etching the top layer of the island of additional coverage;
the hole is formed, for example, by anisotropic etching of the dielectric layer and the upper layer of the additional coating;
-after applying the second conductive film, selective etching of the upper layer of the additional coating is carried out through tearing of the second conductive film until it is removed, as a result of which a protruding part of the second conductive film is formed having a length equal to the thickness of the upper layer of the additional coating;
the dielectric layer is applied by deposition from mixtures of silicon-containing compounds and gases from the group of oxygen, nitrogen, nitrous oxide, ammonia at a temperature of 150 450 o C.

Ограничения геометрических параметров заявляемого источника электронов, связанные со способом его изготовления, имеют следующие обоснования. При расстоянии от выступающей части второй проводящей пленки до поверхности части второй проводящей пленки, расположенном на первой проводящей пленке в отверстии, меньшем 0,05 мкм, невозможно реализовать стабильную структуру вследствие возможности закоротки электродов, образующих вакуумный зазор, микровыступами проводящих пленок. При расстоянии больше 5 мкм повышается вероятность утечек и микропробоев на различных участках структуры, т.е. снижается стабильность и надежность, так как при таком расстоянии необходимо использовать более высокое напряжение для обеспечения необходимой величины напряженности электрического поля. Limitations of the geometric parameters of the claimed electron source associated with the method of its manufacture have the following justifications. When the distance from the protruding part of the second conductive film to the surface of the part of the second conductive film located on the first conductive film in the hole is less than 0.05 μm, it is impossible to realize a stable structure due to the possibility of short-circuiting of the electrodes forming the vacuum gap by microprotrusions of the conductive films. At a distance of more than 5 μm, the probability of leaks and micro-breakdowns in different parts of the structure increases, i.e. stability and reliability are reduced, since at such a distance it is necessary to use a higher voltage to provide the necessary magnitude of the electric field strength.

При толщинах второй проводящей пленки, превышающих десятикратную величину расстояния от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности первой проводящей пленки, повышается вероятность смыкания электродов, образующих вакуумный зазор. When the thickness of the second conductive film is more than ten times the distance from the end face of the protruding part of the second conductive film to the surface of the first conductive film, the likelihood of closing electrodes forming a vacuum gap increases.

При разности диаметров расширяющейся и нерасширяющейся частей меньше удвоенной суммы толщины дополнительного покрытия и величины рассовмещения при литографии не обеспечивается формирование воспроизводимого разрыва второй проводящей пленки над расширяющейся частью отверстия ввиду отсутствия необходимой области геометрической тени при напылении второй проводящей пленки. При разности диаметров, превышающей восьмикратную толщину диэлектрического слоя, не обеспечивается воспроизведение геометрических параметров структуры, например, вакуумного зазора из-за деформаций части диэлектрического слоя, нависающей над расширяющейся частью отверстия вследствие наличия механических напряжений в слоях. Это приводит к невоспроизводимости электрофизических параметров источника электронов, снижению выхода годных и надежности. When the diameter difference between the expanding and non-expanding parts is less than twice the sum of the thickness of the additional coating and the misregistration value, lithography does not provide the formation of a reproducible rupture of the second conductive film over the expanding part of the hole due to the absence of the necessary region of geometric shadow when spraying the second conductive film. When the diameter difference exceeds eight times the thickness of the dielectric layer, the geometric parameters of the structure, for example, the vacuum gap, are not reproduced due to deformations of the part of the dielectric layer hanging over the expanding part of the hole due to the presence of mechanical stresses in the layers. This leads to the irreproducibility of the electrophysical parameters of the electron source, lower yield and reliability.

Заявленные параметры, характеризующие соотношение размеров конструктивных элементов источника, обеспечивают наиболее выгодную конфигурацию полей, обеспечивающих оптимальные электрофизические характеристики. The claimed parameters characterizing the ratio of the size of the structural elements of the source, provide the most favorable configuration of the fields, providing optimal electrophysical characteristics.

В предлагаемом устройстве имеет место повышение выхода годных, стабильности и воспроизводимости электрофизических параметров за счет того, что роль изолятора между вытягивающим электродом и автоэмиссионным катодом выполняет диэлектрический слой, толщина которого выбирается из условий оптимальных характеристик изоляции, а не расстояния между вытягивающим электродом и острием автоэмиссионного катода. В предлагаемом устройстве также снижается рабочее напряжение за счет того, что между автоэмиссионным катодом и вытягивающим электродом отсутствует диэлектрическая пленка. Кроме того, в предлагаемом устройстве расширяются технологические возможности его реализации в части применения в качестве материала, из поверхности которой осуществляется вторичная электронная эмиссия, например, полупроводников, металлов и их сплавов. In the proposed device, there is an increase in the yield, stability and reproducibility of electrophysical parameters due to the fact that the role of the insulator between the extraction electrode and the field emission cathode is played by a dielectric layer, the thickness of which is selected from the conditions of optimal insulation characteristics, and not the distance between the extraction electrode and the edge of the field emission cathode . The proposed device also reduces the operating voltage due to the fact that between the field emission cathode and the extraction electrode there is no dielectric film. In addition, the proposed device expands the technological capabilities of its implementation in terms of use as a material from the surface of which secondary electronic emission of, for example, semiconductors, metals and their alloys takes place.

Повышение выхода годных и надежности изделий достигается за счет того, что способ изготовления включает формирование островков дополнительного покрытия, фиксирующих размеры расширяющейся области отверстий, зазор между острием торца автоэмиссионного катода и вытягивающим электродом и величину части второй проводящей пленки, выступающей в расширяющуюся часть отверстия. Кроме того, повышается воспроизводимость формы острия автоэмиссионного катода за счет более равномерного запыления стенок отверстия по его контуру при формировании второй проводящей пленки, что повышает воспроизводимость электрофизических параметров источника электронов. Improving the yield and reliability of the products is achieved due to the fact that the manufacturing method includes the formation of islands of additional coating, fixing the size of the expanding region of the holes, the gap between the tip of the end of the field emission cathode and the drawing electrode and the size of the part of the second conductive film protruding into the expanding part of the hole. In addition, the reproducibility of the shape of the tip of the field emission cathode increases due to a more uniform dusting of the walls of the hole along its contour during the formation of the second conductive film, which increases the reproducibility of the electrophysical parameters of the electron source.

На фиг. 2 представлено схематическое изображение сечения предлагаемого источника электронов, состоящего из изолирующей подложки 1, первой проводящей пленки 2, изолирующего слоя 3 держателя катода, отверстия 4 с расширяющейся частью 5, второй проводящей пленки 6,7,8 с выступающей частью 9 и торцом 10, имеющим зазор 11 относительно части 8 второй проводящей пленки и первой проводящей пленки 2. In FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the proposed electron source, consisting of an insulating substrate 1, a first conductive film 2, an insulating layer 3 of the cathode holder, an opening 4 with an expanding part 5, a second conductive film 6,7,8 with a protruding part 9 and an end face 10 having the gap 11 relative to part 8 of the second conductive film and the first conductive film 2.

На фиг.3-11 представлена последовательность изготовления источника электронов по предлагаемому способу в виде схематического изображения сечения устройства на различных этапах изготовления:
На фиг.3 после формирования на изолирующей подложке 1 рисунка по первой проводящей пленке 2.Figure 3-11 shows the sequence of manufacture of the electron source according to the proposed method in the form of a schematic representation of the cross section of the device at various stages of manufacture:
Figure 3 after forming on the insulating substrate 1 pattern on the first conductive film 2.

На фиг. 4 после нанесения нижнего слоя 3 и верхнего слоя 4 дополнительного покрытия. In FIG. 4 after applying the lower layer 3 and the upper layer 4 of the additional coating.

На фиг.5 после формирования островка 5 дополнительного покрытия. Figure 5 after the formation of the island 5 additional coverage.

На фиг.6 после нанесения диэлектрического слоя 6. Figure 6 after applying the dielectric layer 6.

На фиг. 7 после формирования окна 7 до нижнего слоя дополнительного покрытия. In FIG. 7 after the formation of the window 7 to the lower layer of the additional coating.

На фиг.8 после травления нижнего слоя дополнительного покрытия. On Fig after etching of the lower layer of the additional coating.

На фиг.9 после нанесения второй проводящей пленки 8,9. In Fig.9 after applying the second conductive film of 8.9.

На фиг. 10 после травления верхнего слоя дополнительного покрытия с образованием выступающей части 10 с торцем 11. In FIG. 10 after etching of the upper layer of the additional coating with the formation of the protruding part 10 with the end face 11.

На фиг.11 после формирования рисунка 12 по второму проводящему слою. 11, after the formation of Figure 12 along the second conductive layer.

Источник электронов (фиг.2) включает изолирующую подложку 1 с расположенной на ней первой проводящей пленкой 2, образующей токоведущие дорожки и электрод, вытягивающий электроны из автоэмиссионного катоды и имеющий область поверхности, из которой осуществляется вторичная электронная эмиссия, диэлектрический слой 3 держателя катода с отверстием 4, имеющим расширяющуюся часть 56 вторую проводящую пленку 6, расположенную на поверхности диэлектрического слоя и имеющую часть 7, расположенную на стенках отверстия, исключая стенки расширяющейся части отверстия, часть 9, выступающую в расширяющуюся часть отверстия, торец 10, который имеет острие, из которого осуществляется автоэлектронная эмиссия, и часть 8, расположенную на первой проводящей пленке в отверстии. Выступающая в расширяющуюся часть отверстия часть второй проводящей пленки направлена к краю находящейся в отверстии на первой проводящей пленке части второй проводящей пленки. Между острием и первой проводящей пленкой, а также острием и частью второй проводящей пленки в отверстии на первой проводящей пленке имеется вакуумный зазор 11. The electron source (figure 2) includes an insulating substrate 1 with a first conductive film 2 located on it, forming current paths and an electrode that draws electrons from the field emission cathode and having a surface region from which secondary electron emission is carried out, a dielectric layer 3 of the cathode holder with a hole 4, having an expanding portion 56, a second conductive film 6 located on the surface of the dielectric layer and having a portion 7 located on the walls of the hole, excluding the walls of the expanding part of the hole, part 9, protruding into the expanding part of the hole, end face 10, which has a tip from which field emission is carried out, and part 8 located on the first conductive film in the hole. The portion of the second conductive film protruding into the expanding portion of the hole is directed toward the edge of the portion of the second conductive film located in the hole in the first conductive film. There is a vacuum gap 11 between the tip and the first conductive film, as well as the tip and part of the second conductive film in the hole on the first conductive film.

Источник электронов (фиг. 2) функционирует следующим образом. Под действием электрического поля, создаваемого в вакуумном зазоре разностью потенциалов, приложенных к вытягивающему электроду, образованному первой проводящей пленкой 2 с расположенной на ней частью второй проводящей пленки 8, и автоэмиссионному катоду, образованному частями 6,7,9,10 второй проводящей пленки, возникает автоэлектронная эмиссия из торца 10 выступающей части 9 второй проводящей пленки. Формируется поток электронов, который бомбардирует открытую часть поверхности первой проводящей пленки 2 в окне и часть 8 поверхности второй проводящей пленки в окне. В результате возникает вторичная эмиссия электронов и формируется поток вторичных электронов, эмиттируемый источником электронов. При использовании источника электронов в матрицах элементов изображения катодолюминесцентного экрана вблизи источника размещается анод с расположенным на нем слоем катодолюминесцентного материала, при бомбардировке которого электронами возникает свечение. Меняя величину потенциалов на электродах осуществляют управление плотностью и энергией потоков электронов. The electron source (Fig. 2) operates as follows. Under the action of an electric field created in the vacuum gap by the potential difference applied to the drawing electrode formed by the first conductive film 2 with a part of the second conductive film 8 located on it and the field emission cathode formed by parts 6,7,9,10 of the second conductive film, field emission from the end face 10 of the protruding part 9 of the second conductive film. An electron stream is formed which bombards the exposed part of the surface of the first conductive film 2 in the window and part 8 of the surface of the second conductive film in the window. As a result, secondary electron emission occurs and a stream of secondary electrons emitted by the electron source is formed. When using an electron source in the image element matrices of a cathodoluminescent screen, an anode with a layer of cathodoluminescent material located on it is placed near the source, during which electron bombardment creates a glow. By varying the potentials at the electrodes, the density and energy of the electron flows are controlled.

Возможность реализации способа изготовления источника электронов подтверждается примером. The possibility of implementing a method of manufacturing an electron source is confirmed by an example.

Пример. Изготовление источника электронов включает следующие операции. На стеклянную подложку наносят пленку хрома и формируют по ней рисунок. Наносят слой алюминия толщиной 0,15 мкм и методом фотолитографии формируют над хромовыми элементами алюминиевые островки. Наносят пленку кремния толщиной 0,15 мкм методом магнетронного распыления мишени на установке типа 01НИ-7-006 при температуре подложки 150oC. Методом фотолитографии формируют островки по слою кремния, топологически совпадающие с островками алюминия над хромовыми элементами. Травление кремния осуществляют в травителе на основе азотной и плавиковой кислот. Наносят слой двуокиси кремния толщиной 1 мкм плазмохимическим методом. Формируют из фоторезиста маску под травление отверстий над островками и методом реактивного ионно-плазменного травления на установке типа 08ПХО-100Т-005 во фторосодержащей плазме травят слой двуокиси кремния и слой кремния до слоя алюминия. Удаляют маску из фоторезиста в кислородсодержащей плазме и вытравливают островки алюминия через отверстия. Наносят вторую пленку хрома толщиной 0,15 мкм из направленного источника методом магнетронного распыления мишени при температуре подложки 200oC на установке типа 01НИ-7-006 и проводят травление кремния через разрыв во второй пленке хрома в травителе на основе азотной и плавиковой кислот. Методом фотолитографии формируют рисунок по второй пленке хрома, а затем наносят вторую пленку алюминия и формируют контактные площадки.Example. The manufacture of an electron source includes the following operations. A chromium film is applied to the glass substrate and a pattern is formed on it. A layer of aluminum with a thickness of 0.15 μm is applied and aluminum islands are formed over the chrome elements by photolithography. A 0.15 μm thick silicon film is deposited by magnetron sputtering of a target using a 01NI-7-006 type apparatus at a substrate temperature of 150 o C. The islands are formed by the silicon layer by photolithography and coincide topologically with the islands of aluminum above the chromium elements. Silicon etching is carried out in an etchant based on nitric and hydrofluoric acids. Apply a layer of silicon dioxide with a thickness of 1 μm by plasma-chemical method. A mask is formed from the photoresist for etching the holes over the islands and using a reactive ion-plasma etching method on a 08PHO-100T-005 type apparatus in a fluorine-containing plasma, a silicon dioxide layer and a silicon layer are etched to an aluminum layer. Remove the mask from the photoresist in an oxygen-containing plasma and etch the aluminum islands through the holes. A second chromium film 0.15 μm thick is applied from a directional source by magnetron sputtering of the target at a substrate temperature of 200 ° C using a 01NI-7-006 type apparatus and silicon is etched through a gap in a second chromium film in an etchant based on nitric and hydrofluoric acids. Using photolithography, a pattern is formed on a second chromium film, and then a second aluminum film is applied and pads are formed.

Claims (5)

1. Источник электронов, состоящий из изолирующей подложки с расположенной на ней первой проводящей пленкой, образующей токоведущие дорожки, электрод, вытягивающий электроны из автоэмиссионного катода и имеющий область поверхности, из которой осуществляется вторичная электронная эмиссия, из диэлектрического слоя держателя катода, покрывающего часть поверхности изолирующей подложки и первой проводящей пленки и имеющего по крайней мере одно отверстие над первой проводящей пленкой, из второй проводящей пленки, частично расположенной на поверхности диэлектрического слоя и образующей токоведущие дорожки и автоэмиссионный катод, представляющий собой торцы второй проводящей пленки, нависающие над первой проводящей пленкой в отверстии и имеющие с ней вакуумный зазор, отличающийся тем, что отверстие в диэлектрическом слое имеет расширяющуюся часть по контуру области отверстия прилегающей к поверхности первой проводящей пленки, вторая проводящая пленка имеет часть, расположенную на первой проводящей пленке в отверстии, образующую вторую область поверхности, из которой осуществляется вторичная электронная эмиссия, часть, расположенную на стенках отверстия, исключая стенки расширяющейся части отверстия, и часть, выступающую в расширяющуюся часть отверстия и направленную к краю находящейся в отверстии на первой проводящей пленке части второй проводящей пленки и имеющую с ней вакуумный зазор, причем расстояние от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности части второй проводящей пленки, расположенной на первой проводящей пленке в отверстии, равно 0,05 5 мкм, край части второй проводящей пленки, расположенной в отверстии на первой проводящей пленке, совпадает или выступает за проекцию контура нерасширяющейся части отверстия на плоскость первой проводящей пленки в сторону периферии расширяющейся части отверстия, толщина второй проводящей пленки меньше 10-кратной величины расстояния от торца выступающей части второй проводящей пленки до поверхности первой проводящей пленки, диаметр расширяющейся части отверстия превышает диаметр ее нерасширяющейся части на величину не менее удвоенной суммы расстояния от поверхности первой проводящей пленки до поверхности расширяющейся части отверстия в диэлектрическом слое, прилегающей к выступающей части второй проводящей пленки, и величины рассовмещения при литографии, но не превышает восьмикратную толщину диэлектрического слоя, а толщина диэлектрического слоя над расширяющейся частью отверстия равна толщине над изолирующей подложкой и первой проводящей пленкой. 1. The electron source, consisting of an insulating substrate with a first conductive film located on it, forming current paths, an electrode that draws electrons from the field emission cathode and having a surface region from which secondary electron emission is carried out, from the dielectric layer of the cathode holder covering part of the surface of the insulating a substrate and a first conductive film and having at least one hole above the first conductive film, from a second conductive film, partially located on the surface of the dielectric layer and forming the current paths and the field emission cathode, which is the ends of the second conductive film, hanging over the first conductive film in the hole and having a vacuum gap with it, characterized in that the hole in the dielectric layer has an expanding part along the contour of the hole region adjacent to the surface the first conductive film, the second conductive film has a part located on the first conductive film in the hole, forming a second surface region, of which about There is secondary electron emission, a part located on the walls of the hole, excluding the walls of the expanding part of the hole, and a part protruding into the expanding part of the hole and directed to the edge of the second conductive film in the hole on the first conductive film and having a vacuum gap therewith, from the end of the protruding part of the second conductive film to the surface of the part of the second conductive film located on the first conductive film in the hole is 0.05 5 μm, the edge of the part of the second conductive th film located in the hole on the first conductive film, coincides or stands for the projection of the contour of the non-expandable part of the hole on the plane of the first conductive film in the direction of the periphery of the expanding part of the hole, the thickness of the second conductive film is less than 10 times the distance from the end of the protruding part of the second conductive film to the surface of the first conductive film, the diameter of the expanding part of the hole exceeds the diameter of its non-expanding part by at least twice the sum of the distance from the surface the first conductive film to the surface of the expanding part of the hole in the dielectric layer adjacent to the protruding part of the second conductive film, and the misregistration value in lithography, but does not exceed eight times the thickness of the dielectric layer, and the thickness of the dielectric layer over the expanding part of the hole is equal to the thickness over the insulating substrate and the first conductive film. 2. Способ изготовления источника электронов, включающий нанесение на изолирующую подложку первой проводящей пленки, удаление ее части, нанесение диэлектрического слоя, формирование в нем по крайней мере одного отверстия, образующего рельеф поверхности, вакуумное нанесение второй проводящей пленки с формированием разрыва второй проводящей пленки по контуру рельефа, отличающийся тем, что после удаления части первой проводящей пленки на ее поверхности формируют по крайней мере один островок дополнительного покрытия, имеющего два слоя верхний и нижний, путем нанесения и локального травления, наносят диэлектрический слой, формируют по крайней мере одно отверстие до нижнего слоя дополнительного покрытия методом локального анизотропного травления диэлектрического слоя и верхнего слоя дополнительного покрытия так, чтобы контур отверстия находился внутри контура островка, селективно изотропно травят нижний слой островка дополнительного покрытия до его удаления с подтравом под электрический слой, проводят вакуумное нанесение второй проводящей пленки из потока частиц, направленных от поверхностного источника частиц к подложке, в результате чего формируется разрыв второй проводящей пленки в тени направленного потока по контуру рельефа, сформированного при травлении нижнего слоя дополнительного покрытия под диэлектрический слой, селективно изотропно травят верхний слой островка дополнительного покрытия через разрыв второй проводящей пленки, после чего формируют токоведущие дорожки по второму проводящему слою и контактные площадки. 2. A method of manufacturing an electron source, including applying a first conductive film to an insulating substrate, removing part of it, applying a dielectric layer, forming at least one hole in it to form a surface topography, vacuum applying a second conductive film to form a rupture of a second conductive film along the contour relief, characterized in that after removing part of the first conductive film on its surface, at least one island of an additional coating is formed having two layers of upper and lower, by applying and local etching, a dielectric layer is applied, at least one hole is formed to the lower layer of the additional coating by local anisotropic etching of the dielectric layer and the upper layer of the additional coating so that the hole contour is inside the island contour, the lower one is selectively isotropically etched the layer of the island of the additional coating until it is removed with etching under the electric layer, vacuum deposition of the second conductive film from the particle stream is carried out, n directed from the surface source of particles to the substrate, as a result of which a rupture of the second conductive film is formed in the shadow of the directed flow along the contour of the relief formed by etching the lower layer of the additional coating under the dielectric layer, selectively isotropically etch the upper layer of the island of the additional coating through the rupture of the second conductive film, after which form current paths along the second conductive layer and contact pads. 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что островки дополнительного покрытия формируют путем нанесения нижнего, а затем верхнего слоев и последующего анизотропного травления обоих слоев. 3. The method according to p. 2, characterized in that the islands of additional coating form by applying the lower and then the upper layers and subsequent anisotropic etching of both layers. 4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что островки дополнительного покрытия формируют путем нанесения нижнего слоя, его локального травления, нанесения верхнего слоя и последующего его локального травления. 4. The method according to p. 2, characterized in that the islands of additional coating form by applying the lower layer, its local etching, applying the upper layer and subsequent local etching. 5. Способ по п. 2, отличающийся тем, что диэлектрический слой наносят методом осаждения из смесей кремнийсодержащих соединений и газов из группы: кислород, азот, закись азота, аммиак, аргон при температуре 150 450oС.5. The method according to p. 2, characterized in that the dielectric layer is deposited by deposition from mixtures of silicon-containing compounds and gases from the group: oxygen, nitrogen, nitrous oxide, ammonia, argon at a temperature of 150 450 o C.
RU96103426/07A 1996-02-29 1996-02-29 Source of electrons and method of its manufacture RU2089001C1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96103426/07A RU2089001C1 (en) 1996-02-29 1996-02-29 Source of electrons and method of its manufacture
PCT/RU1997/000051 WO1998025287A1 (en) 1996-02-29 1997-03-03 Electron source and method for making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96103426/07A RU2089001C1 (en) 1996-02-29 1996-02-29 Source of electrons and method of its manufacture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2089001C1 true RU2089001C1 (en) 1997-08-27
RU96103426A RU96103426A (en) 1997-11-27

Family

ID=20177230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96103426/07A RU2089001C1 (en) 1996-02-29 1996-02-29 Source of electrons and method of its manufacture

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2089001C1 (en)
WO (1) WO1998025287A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2629013C2 (en) * 2015-07-06 2017-08-24 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Auto-emission super-frequency diode and method of its manufacture

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW403931B (en) 1998-01-16 2000-09-01 Sony Corp Electron emitting apparatus, manufacturing method therefor and method of operating electron emitting apparatus
TWI260669B (en) * 2005-07-26 2006-08-21 Ind Tech Res Inst Field emission light-emitting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3789471A (en) * 1970-02-06 1974-02-05 Stanford Research Inst Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures
SU376826A1 (en) * 1971-03-09 1973-04-05 C P AND WITH A N AND E YOUR INVENTIONS
US5412285A (en) * 1990-12-06 1995-05-02 Seiko Epson Corporation Linear amplifier incorporating a field emission device having specific gap distances between gate and cathode
US5348182A (en) * 1991-03-05 1994-09-20 Portola Packaging, Inc. Means for attaching fitment and method of applying fitment
DE69331709D1 (en) * 1993-01-19 2002-04-18 Leonid Danilovic Karpov FIELD EFFECT EMISSION DEVICE
US5473218A (en) * 1994-05-31 1995-12-05 Motorola, Inc. Diamond cold cathode using patterned metal for electron emission control

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 376826, кл. H 01 J 1/30, 1973. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2629013C2 (en) * 2015-07-06 2017-08-24 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Auto-emission super-frequency diode and method of its manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
WO1998025287A1 (en) 1998-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4926056A (en) Microelectronic field ionizer and method of fabricating the same
US4095133A (en) Field emission device
US4168213A (en) Field emission device and method of forming same
US5302238A (en) Plasma dry etch to produce atomically sharp asperities useful as cold cathodes
EP0501785A2 (en) Electron emitting structure and manufacturing method
US20040043219A1 (en) Pattern forming method for carbon nanotube, and field emission cold cathode and method of manufacturing the cold cathode
JPS6226821A (en) Rf sputter/etching apparatus
US6258287B1 (en) Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates in an AC or DC plasma environment
US5415719A (en) Two parallel plate electrode type dry etching apparatus
US7981305B2 (en) High-density field emission elements and a method for forming said emission elements
US5965898A (en) High aspect ratio gated emitter structure, and method of making
US6010918A (en) Gate electrode structure for field emission devices and method of making
US5496200A (en) Sealed vacuum electronic devices
RU2089001C1 (en) Source of electrons and method of its manufacture
US6039621A (en) Gate electrode formation method
JPH08319588A (en) Plasma etching device
JP4576011B2 (en) Plasma processing equipment
JPS60246546A (en) Grid for ion beam device
JP2569816B2 (en) Dry etching equipment
JP2574838B2 (en) Al sputter etching equipment
RU96103426A (en) SOURCE OF ELECTRONS AND METHOD OF ITS PRODUCTION
KR100278502B1 (en) Manufacturing method of volcanic metal FEA with double gate
KR100370414B1 (en) Method for etching hole in electric field effect electron emission device
JPH07207471A (en) Plasma etching device
US6664721B1 (en) Gated electron field emitter having an interlayer

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050301