RU2086050C1 - Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния - Google Patents

Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2086050C1
RU2086050C1 RU94033448A RU94033448A RU2086050C1 RU 2086050 C1 RU2086050 C1 RU 2086050C1 RU 94033448 A RU94033448 A RU 94033448A RU 94033448 A RU94033448 A RU 94033448A RU 2086050 C1 RU2086050 C1 RU 2086050C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
porous silicon
anodic oxidation
silicon base
producing porous
luminescent films
Prior art date
Application number
RU94033448A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94033448A (ru
Inventor
С.А. Гаврилов
И.Н. Сорокин
Ю.Н. Сосновских
Original Assignee
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский государственный институт электронной техники (технический университет) filed Critical Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Priority to RU94033448A priority Critical patent/RU2086050C1/ru
Publication of RU94033448A publication Critical patent/RU94033448A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2086050C1 publication Critical patent/RU2086050C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии изготовления электролюминесцентных приборов с пористым кремнием в качестве активного слоя. Сущность изобретения: способ включает анодное окисление кремниевых пластин со сформированным на них слоем пористого кремния в 0,1-0,5М водном растворе дигидрофосфата аммония при плотностях тока 1-10 мА/см2. Достигается коротковолновый сдвиг спектра излучения и увеличение интенсивности люминесценции по сравнению с неокисленным таким образом пористым кремнием, а именно, сдвиг спектра от 750 до 590 нм и увеличение интенсивности с 2,5•103 до 5•105 отн. ед. Процесс анодирования в гальваностатическом режиме характеризуется достижением максимального значения клеммного напряжения 250 В, что обеспечивает высокую глубину анодного окисления.

Description

Изобретение относится к технологии изготовления электролюминесцентных приборов, а именно, светодиодов с пористым кремнием в качестве активного слоя.
Известны два основных метода обработки слоев пористого кремния, при которых улучшаются излучательные характеристики материала. Один из них заключается в быстром термическом окислении пористого кремния в смеси кислорода и азота при температуре 900oC [1] другой осуществляется посредством анодного окисления пористого слоя на кремниевой многокристаллической подложке в растворе HCl:H2O 1:7 (объемные доли) [2] За прототип выбираем способ по [2] как наиболее близкий по существу.
Недостатком известного способа анодного окисления является использование в качестве электропроводной добавки соляной кислоты, которая является химически активной по отношению к пористому кремнию и не дает возможности получения толстых анодных оксидных пленок на пористом кремнии (максимальное клеммное напряжение анодирования не превышает 30 В).
Техническим результатом является улучшение электронно-оптических свойств пористого кремния посредством анодного окисления на большую глубину.
Результат достигается тем, что в способе получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния, включающем процесс анодного окисления кремниевых пластин со сформированным на них слоем пористого кремния при плотностях тока 1-10 мА/см2, отличающийся тем, что в качестве электролита используется 0,1-0,5 М водный раствор дигидрофосфата аммония.
Концентрация электролита выбрана из предпосылок стабильности процесса. При концентрации меньше 0,1 М наблюдается существенный нагрев электролита из-за повышения сопротивления. При концентрациях больше 0,5 М наблюдается искрение и пробой оксидной пленки при достижении высоких значений клеммного напряжения в процессе анодного окисления.
Традиционно для анодного окисления кремния применялись водный раствор соляной кислоты или раствор нитрата калия в этиленгликоле. Однако в состав первого входит химически активная по отношению к пористому кремнию соляная кислота, а второй из-за высокой вязкости не обеспечивает стабильного анодного окисления в глубине микропористого слоя. Водные растворы дигидрофосфата аммония применялись ранее для анодного окисления арсенида галлия, алюминия и тантала. Авторам не известны из уровня техники сведения об использовании для анодного окисления слоев пористого кремния водных растворов дигидрофосфата аммония, что позволяет сделать вывод о новизне и достижении технического уровня изобретения.
Пример. Пленки пористого кремния, сформированные в растворе HF:C2H5OH 1: 1 (объемные доли) при плотности тока 10 мА/см2 в течение 4 мин, погружали на 1 мин в деионизованную воду. Затем образцы анодно окисляли в растворе дигидрофосфата аммония.
Характеристики люминесценции регистрировали при возбуждении аргоновым лазером мощностью 0,1 Вт/см2. Слои пористого кремния, которые не были анодно окислены характеризовались люминесценцией с длиной волны 750 нм и интенсивностью 2,5•103 отн. ед. На слоях, подвергнутых анодному окислению, получены следующие результаты:
В результате достигнуты сдвиг спектра излучения до 590 нм в коротковолновую область и увеличение интенсивности люминесценции на два порядка за счет увеличения глубины анодирования в предлагаемом электролите, что превосходит результаты, достигнутые при анодировании в растворе соляной кислоты и составляющие 650 нм и 5•104 отн. ед. [2]

Claims (1)

  1. Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния, включающий процесс анодного окисления кремниевых пластин со сформированным на них слоем пористого кремния при плотностях тока 1 10 мА/см2 в растворе электролита, отличающийся тем, что в качестве электролита используют 0,1 0,5 М водный раствор дигидрофосфата аммония.
RU94033448A 1994-09-14 1994-09-14 Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния RU2086050C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94033448A RU2086050C1 (ru) 1994-09-14 1994-09-14 Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94033448A RU2086050C1 (ru) 1994-09-14 1994-09-14 Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94033448A RU94033448A (ru) 1997-01-10
RU2086050C1 true RU2086050C1 (ru) 1997-07-27

Family

ID=20160435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94033448A RU2086050C1 (ru) 1994-09-14 1994-09-14 Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2086050C1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075820A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-26 Elam-T Limited Electroluminescent devices
RU2461916C1 (ru) * 2011-01-12 2012-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Полупроводниковый светоизлучающий прибор
RU2504867C2 (ru) * 2012-01-10 2014-01-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Способ изготовления светодиода
RU2568954C1 (ru) * 2014-06-03 2015-11-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией
RU2809636C1 (ru) * 2023-03-01 2023-12-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ изменения длины волны фотолюминесценции пористого кремния

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Shiba K., Sakamoto, Migazaki S., Hirose M. // Grp. J.Appl. Phys. Pt 1 - 1993, v 32, N 6А, р. 2722 - 2724. Shih S., Jung K.H. Kwond D.L. // Appl. Phys.Lett. - 1993, v. 62, N 15, р. 1788 - 1792. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075820A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-26 Elam-T Limited Electroluminescent devices
RU2461916C1 (ru) * 2011-01-12 2012-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Полупроводниковый светоизлучающий прибор
RU2504867C2 (ru) * 2012-01-10 2014-01-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Способ изготовления светодиода
RU2568954C1 (ru) * 2014-06-03 2015-11-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией
RU2809636C1 (ru) * 2023-03-01 2023-12-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ изменения длины волны фотолюминесценции пористого кремния

Also Published As

Publication number Publication date
RU94033448A (ru) 1997-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bsiesy et al. Photoluminescence of high porosity and of electrochemically oxidized porous silicon layers
Vial et al. Mechanisms of visible-light emission from electro-oxidized porous silicon
US5458735A (en) Process for the production of electroluminescent silicon structures
Jung et al. Intense photoluminescence from laterally anodized porous Si
JPH06509212A (ja) エレクトロルミネセンスシリコン素子
US6017773A (en) Stabilizing process for porous silicon and resulting light emitting device
KR20080034444A (ko) 결정 실리콘소자 및 그 제조방법
RU2086050C1 (ru) Способ получения люминесцентных пленок на основе пористого кремния
US5567954A (en) Light emitting device with porous material
Muller et al. Photoluminescence and electroluminescence from electrochemically oxidized porous silicon layers
Dubin et al. In situ luminescence and ir study of porous silicon during and after anodic oxidation
US4857803A (en) Method of producing electroluminescence and electroluminescing lamp
US20110204290A1 (en) Silicon-based blue-green phosphorescent material of which luminescence peak can be controlled by excitation wavelength and process for producing silicon-based blue-green phosphorescent material
JPH0524636B2 (ru)
Gomyou et al. Effect of electrochemical treatments on the photoluminescence from porous silicon
Xiong et al. Flat layered structure and improved photoluminescence emission from porous silicon microcavities formed by pulsed anodic etching
Vial et al. Visible light emission from silicon: a quantum effect in highly porous materials
JP4164150B2 (ja) 光機能性薄膜の製造方法
JPH0568078B2 (ru)
JP3395810B2 (ja) ポーラスシリコン発光素子の製造方法
JPH07254729A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP3259247B2 (ja) ポーラス・シリコンおよびその製造方法
Billat et al. Electroluminescent Properties of Porous Silicon Films under Electrochemical Oxidation
Bustarret et al. Anodized amorphous silicon: present status
JP2002344012A (ja) 多孔性シリコン基板及びそれを用いた発光素子並びに多孔性シリコン基板の製造方法