RU2083272C1 - Способ выращивания алмаза из графита - Google Patents
Способ выращивания алмаза из графита Download PDFInfo
- Publication number
- RU2083272C1 RU2083272C1 RU9595109547A RU95109547A RU2083272C1 RU 2083272 C1 RU2083272 C1 RU 2083272C1 RU 9595109547 A RU9595109547 A RU 9595109547A RU 95109547 A RU95109547 A RU 95109547A RU 2083272 C1 RU2083272 C1 RU 2083272C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- graphite
- laser
- layer
- transparent
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/061—Graphite
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/0655—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/068—Crystal growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Предлагается способ выращивания алмаза из графита в камере высокого давления, воздействуя импульсно-периодическим лазерным излучением на границу алмаз-графит через одну из прозрачных для лазерного излучения стенок камеры. В камере типа алмазной наковальни поддерживается давление от ≈5 до ≈50 ГПа, зависящее от возможностей камеры, а импульс лазерного излучения нагревает очень узкий скин-слой графита до температур ≈1000 К, достаточных для превращения графита в алмаз. Вследствие больших градиентов температуры в скин-слое и высокой теплопроводности алмаза происходит аномально быстрое охлаждение слоя и превращение его в прозрачный для лазерного излучения алмаз. Длина волны лазерного излучения должна попадать в область прозрачности алмаза от ≈0,2 до ≈5 мкм. Следующий лазерный импульс должен нагревать следующий слой графита и превращать его в алмаз, т.е. лазерное излучение стимулирует прорастание прозрачного алмаза в непрозрачный графит. 1 ил.
Description
Изобретение относится к способу производства искусственных алмазов.
Хорошо известно, что алмаз обладает уникальными физическими и химическими свойствами. Он является самым твердым и наименее сжимаемым веществом, имеет чрезвычайно высокую химическую стойкость к кислотам, обладает рекордным значением поля электрического пробоя и теплопроводностью, в несколько раз превышающей теплопроводность меди при комнатной температуре. Эти свойства обуславливают широкое применение алмаза в таких областях промышленности, как электроника, машиностроение, производство буровых инструментов и абразивов, камнеобработка, медицина, ювелирное дело и т.п.
В настоящее время существует несколько способов синтеза алмазов. Наиболее распространенным способом является кристаллизация алмаза из раствора углерода в расплавленном металле путем поатомной сборки.
Этот способ характеризуется низкой скоростью синтеза, не превышающей величину ≈10-6 см/с, и присутствием в образующемся алмазе металлических примесей. Другим, близким к первому, является синтез алмаза из некристаллических форм углерода, получаемого термическим разложением углеводородов в конденсированном состоянии. Хотя при этом способе удается избавиться от металлических примесей, скорость синтеза остается такой же низкой, как и в предыдущем случае.
К третьему способу можно отнести выращивание эпитаксиальных пленок алмаза из газовой фазы. Получение атомарного углерода в этом случае осуществляется в результате термического разложения углеводородов в газовых смесях с водородом. Для получения паров углерода путем термического разложения углесодержащих веществ иногда используется лазерное излучение, которое в этом случае используется только для испарения углесодержащих веществ.
Другой большой класс способов синтеза алмаза относится к так называемой прямой трансформации решетки графита в алмазную. Как установлено, при комнатной температуре при гидростатическом сжатии графита образование алмазной структуры не происходит вплоть до давлений 80 ГПа. Для образования алмазной фазы необходимы дополнительно либо наличие пластической сдвиговой деформации, либо повышение температуры. Образование алмазной структуры при пластической сдвиговой деформации при комнатной температуре наблюдалось в камере высокого давления с алмазными наковальнями, одна из которых могла вращаться. При давлении 19 ГПа и сдвиговой деформации около 3 ГПа в аморфной фазе начинают расти алмазные зародыши. При наличии только одноосного сжатия монокристалла графита при комнатной температуре наблюдается обратимый переход его в аморфную фазу при давлении 13 ГПа. Нагрев сжатого образца при этом давлении выше 1300 К приводит к образованию и росту зародышей лонсдейлита. Образующаяся фаза сохраняется при последовательном снятии температуры и давления. Дальнейший нагрев до 2000 К приводит к переходу лонсдейлита в алмаз.
Интенсивные пластические деформации в графите одновременно с его сжатием происходят за фронтами сильных ударных волн, в результате чего при давлениях за фронтом 20-40 ГПа наблюдался фазовый переход графита в алмаз. Однако вследствие сохранения высоких температур за ударной волной после разгрузки образцов происходит практически полный отжиг синтезированного алмаза, т.е. его обратный переход в графит, и выход алмазного порошка не превышает долей процента. Для получения ударных волн, а также ударных сжатий с регулированием температуры предлагалось использовать профилированные лазерные импульсы большой интенсивности 1012-1014 Вт/см2, которые, падая на внешнюю сторону мишеней, создают высокие давления за счет реактивной силы испаряющегося материала. Предлагалось также осуществлять нагрев графита импульсом электрического тока со сжатием образцов собственным магнитным полем тока. Однако быстрый отвод тепла и сохранение алмазной фазы в этих предложениях остается достаточно сложной и пока не решенной задачей. Наиболее часто используемым методом быстрого отвода тепла при ударном нагружении служит способ использования смесей графита с порошками металлов, которые в силу меньшей сжимаемости по сравнению с графитом, подвержены значительно меньшему нагреву и играют роль охладителей. При промышленном синтезе алмазов используются меднографитовые смеси с содержанием графита до 8% из которых 75% переходит в алмазный порошок. При этом размер поликристаллов алмаза колеблется от 0,1 до 60 мкм, а средний размер частиц, составляющих поликристалл равен ≈10 нм. Ударный способ синтеза алмаза с выходом до 50% от массы исходного графита реализуется также в области 6 фазовой диаграммы при ударном сжатии графита в смеси с конденсированными инертными газами (N, He, Ar,) и последующим быстром охлаждении твердой фазы за счет теплоотвода в быстро охлаждающийся при адиабатической разгрузке инертный газ. При этом выход алмаза приблизительно такой же, как и в предыдущем случае смесей графита с металлическими порошками.
Прототипом предлагаемого способа синтеза алмаза служит способ превращения графита в алмаз в сжатом состоянии при нагреве импульсом электрического тока. При этом способе статическое давление создавалось в наковальне типа "belt" и достигало 20 ГПа, а максимальная температура могла доходить до 5000 К. Синтез алмаза происходил в графитовом цилиндре высотой 3 мм и диаметром 2 мм, через который пропускался электрический ток в области давлений 10-20 ГПа при температурах 3000-4000 К. Недостатком такого способа является неоднородный прогрев исходного материала и как следствие получение темных поликристаллических образцов алмаза.
Предлагаемый способ решает задачу синтеза прозрачных алмазов в больших объемах.
В предлагаемом способе, как и в прототипе, сжатие и нагрев графита осуществляются независимо друг от друга. Однако нагрев в предлагаемом способе осуществляется импульсно-периодическим лазерным излучением через прозрачную для него стенку камеры высокого давления, пройдя которую излучение поглощается в очень тонком скин-слое графита. В качестве прозрачной стенки может служить сам алмаз либо другой прозрачный и достаточно прочный материал, например, сапфир или нитрид бора. Для того чтобы лазерное излучение проходило через выращиваемый алмаз, необходимо, чтобы величина кванта фотона hν не превышала величины запрещенной зоны алмаза E0≈5,2 эВ, т.е. длина волны лазера должна быть больше ≈230 нм. С другой стороны, длина волны лазерного излучения не должна заходить в далекую инфракрасную область, где начинается примесное и решетчатое поглощение алмаза, т.е. должна быть меньше ≈5 мкм. Лазерное излучение в графите поглощается на глубине скин-слоя удельная проводимость графита, ω частота лазерного излучения. Для Nd-лазера (λ = 1,06 мкм) глубина скин-слоя в графите составляет δ = 0,26 мкм а для XeCl-лазера (λ = 0,31 мкм) она составляет 0,14 мкм, т.е. во всем оптическом диапазоне можно считать δ ≈ 0,2 Время остывания тонкого прогретого слоя толщиной δ по порядку величины равно: Δt = δ2/a, где a=k/ρC- коэффициент температуро-проводности, k коэффициент теплопроводности, ρ плотность, C теплоемкость. Толщина нагретого слоя равна d ~ 0,2 мкм подставляя известные значения величин для алмаза k=10 Вт/см град, ρ = 3,5 г/см3, C=2 Дж/г•град, получаем величину характерного времени остывания слоя ΔT = 1 нс Поведение во времени температуры прогреваемого слоя находится из решения уравнения теплопроводности, решение которого для частотно-импульсного лазерного излучения с импульсами прямоугольной формы (I(t)=I0, для 0 < t < τo I(t)=0 для остального времени) дает условие нагрева графита в скин-слое до необходимой температуры, которая по порядку величины равна так называемой температуре "графитизации" ≈2000 К. Это условие имеет вид: Ioτo ≥ 0,1 Дж/см2. При интенсивности I0 ≈50 МВт/см2 указанная температура достигается за время 2 нс. После остывания нагретого слоя и превращения его в слой алмаза процесс может быть повторен уже для следующего слоя графита с последующим его превращением в новый слой алмаза и т.д. Временной интервал между последовательными лазерными импульсами определяется общим временем отвода тепла в стенки камеры высокого давления и может доходить до микросекунды в зависимости от ее размеров. Средняя плотность мощности лазерного излучения определяется возможностями охлаждения камеры и может доходить до ≈10 кВт/см2.
На чертеже изображена общая схема камеры для синтеза алмазной фазы при лазерном облучении графита в сжатом состоянии, где 1 стенки камеры высокого давления; 2 область поглощения лазерного излучения; 3 прозрачная стенка камеры высокого давления. Использование лазерного излучения для нагрева графита (а в более общем случае непрозрачных углеродосодержащих веществ), прижимаемого к алмазу, приводит к качественно новым результатам. Благодаря аномально малой глубине прогреваемого слоя и возникающей вследствие этого большим градиентам температуры, а также вследствие большой величины теплопроводности алмаза тепло из тонкого прогретого слоя уходит в окружающие стенки наковальни за аномально короткие времена. При этом большие градиенты температуры вызывают в материале также касательные напряжения, которые, как показывают опыты, способствуют образованию алмаза. Изменяя интенсивность лазерного импульса, можно создавать в слое графита практически любые температуры от начальной до температур ≈5000 К и выше. Верхняя граница по давлению в камере определяется типом наковальни, создающей внешнее объемное давление, и для типичных алмазных наковален может достигать нескольких десятков ГПа. Нижняя граница согласно опытам лежит в районе 10 ГПа. После нагрева одного слоя графита и превращения его в алмаз следующий импульс лазерного излучения проходит через образованный алмазный слой и нагревает следующий слой графита и т. д. т.е. процесс может быть многократно повторен, пока весь облучаемый графит не превратится в алмаз. В отличие от нагрева электрическим током лазерное излучение нагревает даже случайно образующиеся в алмазе непрозрачные включения графита, заставляя их превращаться в алмаз. Поэтому предлагаемый способ позволяет получать особо чистые и прозрачные образцы алмаза в больших объемах.
Способ осуществляется следующим образом. Графит помещают в камеру давления, одна из стенок которых является прозрачной для лазерного излучения. Давление в камере, например, с помощью гидростатического пресса, поддерживается все время постоянным, на уровне ≈10 ГПа. Через прозрачную стенку камеры подается импульсно-периодическое лазерное излучение, например, 2-й гармоники Nd-лазера λ = 0,53 мкм в котором произведение плотности интенсивности в импульсе на длительность импульса удовлетворяет условию Ioτo ≥ 0,2 Дж/см2. При интенсивности I0 ≈50 МВт/см2 температура ≈1000 К достигается за время ≈2 нс. После остывания нагретого слоя за такое же по порядку величины время и превращения его в алмаз следующий лазерный импульс нагревает следующий слой сжатого графита и процесс продолжается до полной трансформации графита в алмаз. После выключения лазерного излучения и снятия давления полученный алмаз вынимается из камеры.
Следует отметить, что лазерное излучение, особенно в ультрафиолетовой области спектра, кроме чисто теплового воздействия на графит может способствовать перестройке сжатого графита в алмаз переводя атомы углерода в электронно-возбужденное состояние, тем самым стимулируя перестройку валентных связей, характерную для структуры алмаза. При этом синтез алмаза может происходить без существенного повышения температуры путем фотохимического воздействия лазерного излучения на фазовый переход сжатый графит-алмаз. В последнем случае для синтеза алмаза можно использовать непрерывное лазерное излучение слабой интенсивности.
Скорость границы наращивания алмаза можно оценить из соображений размерности: vd = I/(ΔEgNg) где I средняя интенсивность лазерного излучения, поглощенного в графите, ΔEg характерная энергия, необходимая для перестройки одного атома углерода из решетки графита в решетку алмаза, она по порядку величины равна ΔEg = kTg где Tg=2000, k температура "графитизации", Ng=1022 см-3 плотность атомов углерода. При средней плотности поглощаемой в графите лазерной мощности в 10 Вт/см2 скорость роста алмаза должна составлять около 1 мм/с.
Величина выращиваемых алмазов определяется только величиной объема, в котором внешним устройством, например, гидростатическим прессом, создается необходимое для синтеза алмаза давление, и в настоящее время может доходить до нескольких кубических сантиметров. Отметим, что предлагаемый способ отличается как высокой скоростью роста, так и высокой чистотой получаемых алмазов, так как не связан с использованием катализаторов и внесением посторонних примесей в процессе синтеза. Он может быть использован для стимулирования роста любого прозрачного для лазерного излучения вещества, находящегося в контакте с непрозрачным материалом, служащего для него исходным продуктом.
Claims (1)
- Способ выращивания алмаза из графита в камере высокого давления путем сжатия до давлений от ~5 до ~50 Гпа, нагрева не ниже 1000 К и последующего охлаждения, отличающийся тем, что нагрев и охлаждение графита осуществляют в скин-слое, воздействуя на графит импульсно-периодическим лазерным излучением с длиной волны больше 0,23 мкм, но меньше 5 мкм, через прозрачную для него стенку камеры высокого давления.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU9595109547A RU2083272C1 (ru) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Способ выращивания алмаза из графита |
FR9606855A FR2735040B1 (fr) | 1995-06-07 | 1996-06-04 | Procede pour croissance du diamant a partir du graphite |
US08/657,549 US5690794A (en) | 1995-06-07 | 1996-06-04 | Method of growing diamond from graphite |
JP8144609A JPH0999231A (ja) | 1995-06-07 | 1996-06-06 | グラファイトからダイヤモンドを成長させる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU9595109547A RU2083272C1 (ru) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Способ выращивания алмаза из графита |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU95109547A RU95109547A (ru) | 1997-06-20 |
RU2083272C1 true RU2083272C1 (ru) | 1997-07-10 |
Family
ID=20168714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU9595109547A RU2083272C1 (ru) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Способ выращивания алмаза из графита |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5690794A (ru) |
JP (1) | JPH0999231A (ru) |
FR (1) | FR2735040B1 (ru) |
RU (1) | RU2083272C1 (ru) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6126741A (en) * | 1998-12-07 | 2000-10-03 | General Electric Company | Polycrystalline carbon conversion |
US7736472B2 (en) * | 2001-10-31 | 2010-06-15 | Tokai University Educational System | Method and device for generating ultra-high pressure |
US7172745B1 (en) * | 2003-07-25 | 2007-02-06 | Chien-Min Sung | Synthesis of diamond particles in a metal matrix |
US8454714B2 (en) * | 2004-03-01 | 2013-06-04 | Chien-Min Sung | Diamond growth devices and methods |
EP1735237A4 (en) * | 2004-04-14 | 2009-02-25 | John N Hatleberg | SYNTHETIC DIAMONDS MANUFACTURED FROM ORGANIC SUBSTANCES |
CN1313366C (zh) * | 2004-12-20 | 2007-05-02 | 天津大学 | 激光轰击碳粉合成纳米金刚石的方法 |
CN100552396C (zh) * | 2008-03-18 | 2009-10-21 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 吸收辐射复合金刚石热交换膜片及其制备方法 |
US9186853B2 (en) * | 2009-08-07 | 2015-11-17 | Smarter Alloys Inc. | Methods and systems for processing materials, including shape memory materials |
US8939107B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-01-27 | Purdue Research Foundation | Confined pulsed laser deposition method for depositing metastable thin film |
JP6045000B2 (ja) * | 2012-08-16 | 2016-12-14 | 国立大学法人愛媛大学 | 六方晶ダイヤモンド単相バルク焼結体およびその製造方法 |
WO2017073297A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 住友電気工業株式会社 | 複合多結晶体 |
JP6819093B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2021-01-27 | 株式会社Ihi | 材料製造装置、および、材料製造方法 |
RO131730B1 (ro) * | 2016-10-03 | 2021-07-30 | Institutul Naţional Pentru Fizica Laserilor | Procedeu de producere a unui strat nanometric din carbon şi wolfram cu conţinut de nano- particule de diamant sau fulerene prin utili- zarea radiaţiei laser de putere |
JP7085194B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2022-06-16 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 物質生成方法 |
CN112357918B (zh) * | 2020-11-03 | 2023-08-25 | 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 | 以植物纤维为原料制备的纳米金刚石及其方法 |
CN113088849B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-08-05 | 武汉大学 | 激光诱导合成纳米金刚石的复合强化方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5462772A (en) * | 1957-06-27 | 1995-10-31 | Lemelson; Jerome H. | Methods for forming artificial diamond |
FR1370722A (fr) * | 1963-07-12 | 1964-08-28 | Comp Generale Electricite | Dispositif pour la synthèse du diamant |
US4536442A (en) * | 1979-08-23 | 1985-08-20 | General Electric Company | Process for making diamond and cubic boron nitride compacts |
EP0092405B1 (en) * | 1982-04-15 | 1986-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing crystals |
WO1983004016A1 (en) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | Mitchell Mark K | Process for manufacturing diamond |
US4849199A (en) * | 1987-03-30 | 1989-07-18 | Crystallume | Method for suppressing growth of graphite and other non-diamond carbon species during formation of synthetic diamond |
US5366556A (en) * | 1992-01-10 | 1994-11-22 | Robert Prince | Process and apparatus for production of diamond-like films |
US5360477A (en) * | 1992-03-04 | 1994-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming diamond and apparatus for forming the same |
-
1995
- 1995-06-07 RU RU9595109547A patent/RU2083272C1/ru not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-04 FR FR9606855A patent/FR2735040B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-04 US US08/657,549 patent/US5690794A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-06 JP JP8144609A patent/JPH0999231A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 1820890, кл. C 01 B 31/06, 1993. Bundy F.P. Direct conversion of grapn: te diamondin static pressure apparatus "J.Chem.Phys.", v. 38, N 3, p. 631 - 643, 1963. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0999231A (ja) | 1997-04-15 |
FR2735040A1 (fr) | 1996-12-13 |
FR2735040B1 (fr) | 1998-08-21 |
RU95109547A (ru) | 1997-06-20 |
US5690794A (en) | 1997-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2083272C1 (ru) | Способ выращивания алмаза из графита | |
Blank et al. | Ultrahard and superhard carbon phases produced from C60 by heating at high pressure: structural and Raman studies | |
Yang et al. | Preparation of nano-crystalline diamonds using pulsed laser induced reactive quenching | |
He et al. | Direct transformation of cubic diamond to hexagonal diamond | |
Dremin et al. | Processes occurring in solids under the action of powerful shock waves | |
Sumiya et al. | High pressure synthesis of cubic boron nitride from amorphous state | |
US5080752A (en) | Consolidation of diamond packed powders | |
Yang et al. | Pulsed-laser-induced transformation path of graphite to diamond via an intermediate rhombohedral graphite | |
Evans | Diamonds | |
Sui et al. | Laser effects on phase transition for cubic Sb 2 O 3 microcrystals under high pressure | |
Prakapenka et al. | Carbon transport in diamond anvil cells | |
Kanaev et al. | Femtosecond and ultraviolet laser irradiation of graphitelike hexagonal boron nitride | |
Blank et al. | A new carbon structure formed at MeV neutron irradiation of diamond: Structural and spectroscopic investigations | |
US6315871B1 (en) | Method for forming diamonds from carbonaceous material | |
Lenz et al. | Processing of amorphous carbon films by ultrafast temperature treatment in a confined geometry | |
Resnina et al. | Influence of pre-heating temperature and ultrasonic vibration treatment on the structure and martensitic transformations in NiTi foams produced by SHS | |
Chen et al. | Structural analysis of dynamically synthesized diamonds | |
Yogo et al. | Synthesis of boron-dispersed carbon by pressure pyrolysis of organoborane copolymer | |
Valiev et al. | MgAl2O4 ceramics doped with rare earth ions: Synthesis and luminescent properties | |
Sorb et al. | Diamond: high-pressure synthesis | |
Hong et al. | Diamond formation from a system of SiC and a metal | |
Onari et al. | Temperature dependence of the infrared absorption spectrum of antiferromagnetic semiconductor MnTe | |
Hosaka et al. | Hydrothermal growth of α-quartz using high-purity α-cristobalite as feed material | |
Gou et al. | Investigation of the process of diamond formation from SiC under high pressure and high temperature | |
Il'ichev et al. | Photovoltaic effect in water induced by a 2.92-μm Cr3+: Yb3+: Ho3+: YSGG laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140608 |