RU95109547A - Способ выращивания алмаза из графита - Google Patents

Способ выращивания алмаза из графита

Info

Publication number
RU95109547A
RU95109547A RU95109547/25A RU95109547A RU95109547A RU 95109547 A RU95109547 A RU 95109547A RU 95109547/25 A RU95109547/25 A RU 95109547/25A RU 95109547 A RU95109547 A RU 95109547A RU 95109547 A RU95109547 A RU 95109547A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
graphite
laser emission
chamber
layer
Prior art date
Application number
RU95109547/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2083272C1 (ru
Inventor
А.Г. Молчанов
В.Б. Розанов
Original Assignee
Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН filed Critical Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН
Priority to RU9595109547A priority Critical patent/RU2083272C1/ru
Priority to FR9606855A priority patent/FR2735040B1/fr
Priority to US08/657,549 priority patent/US5690794A/en
Priority to JP8144609A priority patent/JPH0999231A/ja
Publication of RU95109547A publication Critical patent/RU95109547A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2083272C1 publication Critical patent/RU2083272C1/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25—Diamond
    • C01B32/26—Preparation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
    • B01J2203/061—Graphite
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/065—Composition of the material produced
    • B01J2203/0655—Diamond
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06—High pressure synthesis
    • B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/068—Crystal growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Предлагается способ выращивания алмаза из графита в камере высокого давления, воздействуя импульсно-периодическим лазерным излучением на границу алмаз-графит через одну из прозрачных для лазерного излучения стенок камеры. В камере, типа алмазной наковальни, поддерживается давление примерно от 5 до 50 ГПа, зависящее от возможностей камеры, а импульс лазерного излучения нагревает очень узкий скин-слой графита примерно до температур 1000К, достаточных для превращения графита в алмаз. Вследствии больших градиентов температуры в скин-слое и высокой теплопроводности алмаза происходит аномально быстрое охлаждение слоя и превращение его в прозрачный для лазерного излучения алмаз. Длина волны лазерного излучения должна попадать в область прозрачности алмаза примерно от 0,2 до 5 мкм. Следующий лазерный импульс должен нагревать следующий слой графита и превращать его в алмаз.

Claims (1)

  1. Предлагается способ выращивания алмаза из графита в камере высокого давления, воздействуя импульсно-периодическим лазерным излучением на границу алмаз-графит через одну из прозрачных для лазерного излучения стенок камеры. В камере, типа алмазной наковальни, поддерживается давление примерно от 5 до 50 ГПа, зависящее от возможностей камеры, а импульс лазерного излучения нагревает очень узкий скин-слой графита примерно до температур 1000К, достаточных для превращения графита в алмаз. Вследствии больших градиентов температуры в скин-слое и высокой теплопроводности алмаза происходит аномально быстрое охлаждение слоя и превращение его в прозрачный для лазерного излучения алмаз. Длина волны лазерного излучения должна попадать в область прозрачности алмаза примерно от 0,2 до 5 мкм. Следующий лазерный импульс должен нагревать следующий слой графита и превращать его в алмаз.
RU9595109547A 1995-06-07 1995-06-07 Способ выращивания алмаза из графита RU2083272C1 (ru)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9595109547A RU2083272C1 (ru) 1995-06-07 1995-06-07 Способ выращивания алмаза из графита
FR9606855A FR2735040B1 (fr) 1995-06-07 1996-06-04 Procede pour croissance du diamant a partir du graphite
US08/657,549 US5690794A (en) 1995-06-07 1996-06-04 Method of growing diamond from graphite
JP8144609A JPH0999231A (ja) 1995-06-07 1996-06-06 グラファイトからダイヤモンドを成長させる方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9595109547A RU2083272C1 (ru) 1995-06-07 1995-06-07 Способ выращивания алмаза из графита

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95109547A true RU95109547A (ru) 1997-06-20
RU2083272C1 RU2083272C1 (ru) 1997-07-10

Family

ID=20168714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU9595109547A RU2083272C1 (ru) 1995-06-07 1995-06-07 Способ выращивания алмаза из графита

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5690794A (ru)
JP (1) JPH0999231A (ru)
FR (1) FR2735040B1 (ru)
RU (1) RU2083272C1 (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6126741A (en) * 1998-12-07 2000-10-03 General Electric Company Polycrystalline carbon conversion
US7736472B2 (en) * 2001-10-31 2010-06-15 Tokai University Educational System Method and device for generating ultra-high pressure
US7172745B1 (en) * 2003-07-25 2007-02-06 Chien-Min Sung Synthesis of diamond particles in a metal matrix
US8454714B2 (en) * 2004-03-01 2013-06-04 Chien-Min Sung Diamond growth devices and methods
US20100178233A1 (en) * 2004-04-14 2010-07-15 Hatleberg John N Synthetic diamonds prepared from organic materials
CN1313366C (zh) * 2004-12-20 2007-05-02 天津大学 激光轰击碳粉合成纳米金刚石的方法
CN100552396C (zh) * 2008-03-18 2009-10-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吸收辐射复合金刚石热交换膜片及其制备方法
JP6245805B2 (ja) * 2009-08-07 2017-12-13 スマーター アロイズ インコーポレーテッド 形状記憶材料の処理方法および形状記憶材料の処理装置
US8939107B2 (en) * 2010-02-26 2015-01-27 Purdue Research Foundation Confined pulsed laser deposition method for depositing metastable thin film
WO2014027470A1 (ja) * 2012-08-16 2014-02-20 国立大学法人愛媛大学 六方晶ダイヤモンド単相バルク焼結体およびその製造方法
US10442007B2 (en) * 2015-10-30 2019-10-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite polycrystal
JP6819093B2 (ja) * 2016-06-29 2021-01-27 株式会社Ihi 材料製造装置、および、材料製造方法
RO131730B1 (ro) * 2016-10-03 2021-07-30 Institutul Naţional Pentru Fizica Laserilor Procedeu de producere a unui strat nanometric din carbon şi wolfram cu conţinut de nano- particule de diamant sau fulerene prin utili- zarea radiaţiei laser de putere
JP7085194B2 (ja) * 2018-05-17 2022-06-16 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 物質生成方法
CN112357918B (zh) * 2020-11-03 2023-08-25 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 以植物纤维为原料制备的纳米金刚石及其方法
CN113088849B (zh) * 2021-03-09 2022-08-05 武汉大学 激光诱导合成纳米金刚石的复合强化方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5462772A (en) * 1957-06-27 1995-10-31 Lemelson; Jerome H. Methods for forming artificial diamond
FR1370722A (fr) * 1963-07-12 1964-08-28 Comp Generale Electricite Dispositif pour la synthèse du diamant
US4536442A (en) * 1979-08-23 1985-08-20 General Electric Company Process for making diamond and cubic boron nitride compacts
US4522680A (en) * 1982-04-15 1985-06-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing crystals
EP0110897A1 (en) * 1982-05-20 1984-06-20 MITCHELL, Mark K. Process for manufacturing diamond
US4849199A (en) * 1987-03-30 1989-07-18 Crystallume Method for suppressing growth of graphite and other non-diamond carbon species during formation of synthetic diamond
US5366556A (en) * 1992-01-10 1994-11-22 Robert Prince Process and apparatus for production of diamond-like films
US5360477A (en) * 1992-03-04 1994-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming diamond and apparatus for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
FR2735040B1 (fr) 1998-08-21
US5690794A (en) 1997-11-25
FR2735040A1 (fr) 1996-12-13
JPH0999231A (ja) 1997-04-15
RU2083272C1 (ru) 1997-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU95109547A (ru) Способ выращивания алмаза из графита
US6570704B2 (en) High average power chirped pulse fiber amplifier array
Wang et al. Highly efficient and stable near‐infrared broadband garnet phosphor for multifunctional phosphor‐converted light‐emitting diodes
EP0904132B1 (en) High fluence diode laser device and method for the fabrication thereof
Kushida et al. Optical refrigeration in Nd-doped yttrium aluminum garnet
ES8704043A1 (es) Una cavidad de bomba de laser perfeccionada
ATE51253T1 (de) Vorrichtung zur chemischen dampfassscheidung.
Karrai et al. Doppler optomechanics of a photonic crystal
US20170040768A1 (en) Multi-Wavelength Laser Diode Package Arrangement
CN103633544B (zh) 基于多通道光学超晶格的多波长可调谐激光器
CN105411675B (zh) 一种基于高功率半导体激光器的医疗装置
US4803439A (en) Glass bead laser amplifier with phase conjugate mirror
US6654627B2 (en) Method and device for recording polarized electromagnetic radiation of inactivated strain of pathogenic microorganisms onto a crystal, method and device for changing activity of strain of pathogenic microorganisms, method for eliminating strain of pathogenic microorganisms from human or animal organism
EP2775230B1 (en) Enhanced photo-thermal energy conversion
Ignatieva et al. Effect of optical fiber type and absorption medium on the endovenous laser ablation mechanism
Clapp Entropy flow in cyclic biological processes
Gorelik Pulsed uv excitation of biological structures
CN1618409A (zh) 一种双波长激光治疗机
AU694550B2 (en) Method and device for changing the temperature of a discrete material
TW200905022A (en) New laser uses for single-crystal CVD diamond
EP4385444A1 (en) Ipl skin care or hair care device
RU2131951C1 (ru) Способ получения нитевидных кристаллов оксида цинка
RU2083489C1 (ru) Способ получения алмазов
CN104795723B (zh) 一种577nm黄光激光器及577nm黄光激光产生方法
Chen et al. Investigation on the performance of high power long pulse laser diode arrays for hair removal and illumination

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140608