RU2074507C1 - Wide-band high-pass amplifier - Google Patents
Wide-band high-pass amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2074507C1 RU2074507C1 SU5028251A RU2074507C1 RU 2074507 C1 RU2074507 C1 RU 2074507C1 SU 5028251 A SU5028251 A SU 5028251A RU 2074507 C1 RU2074507 C1 RU 2074507C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistor
- transistor
- circuit
- emitter
- final
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в радиоприемных устройствах различного назначения. The invention relates to the field of radio engineering and can be used in radio receivers for various purposes.
Известна схема для регулирования усиления полупроводникового усилителя по патенту CША N 3500222, кл. 330-29, в котором переменный нагрузочный импеданс диод введен в цепь нагрузки усилителя. Этот импеданс управляется сигналом АРУ, вследствие чего усиление регулируется без изменения параметров активных элементов. Недостатком усилителя является регулировка коэффициента усиления в режиме усиления слабых сигналов, поскольку сопротивление нелинейного элемента зависит от изменения уровня сигнала. A known circuit for controlling the gain of a semiconductor amplifier according to US patent N 3500222, class. 330-29, in which a variable load impedance diode is introduced into the load circuit of the amplifier. This impedance is controlled by the AGC signal, as a result of which the gain is controlled without changing the parameters of the active elements. The disadvantage of the amplifier is the adjustment of the gain in the mode of amplification of weak signals, since the resistance of a nonlinear element depends on a change in the signal level.
Известен транзисторный усилитель с регулируемым усилием по авт.св. N 425309, содержащий усилительный каскад на транзисторе, в цепь эмиттера которого включены последовательно соединенные диод и конденсатор, а к базе подключен источник управляющего напряжения и аттенюатор на входе. Недостатком известного усилителя являются большие нелинейные искажения при регулировании усиливаемых сигналов. Known transistor amplifier with adjustable force by auth. N 425309, comprising an amplifier stage on a transistor, in the emitter circuit of which are connected diode and capacitor in series, and a control voltage source and an attenuator at the input are connected to the base. A disadvantage of the known amplifier is large non-linear distortion in the regulation of amplified signals.
Наиболее близким по своей технической сущности к предлагаемому широкополосному усилителю высокой частоты является широкополосный интегральный усилитель напряжения по авт.св. N 343355, кл. Н 03 f 1/30. The closest in its technical essence to the proposed broadband high-frequency amplifier is a broadband integrated voltage amplifier according to autosw. N 343355, class H 03 f 1/30.
Однако в известном устройстве не обеспечивается регулировка коэффициента усиления по напряжения и его стабильность в интервале температур, а также маленький динамический диапазон входных сигналов. К ранее сказанному следует добавить еще одно существенное обстоятельство. Дело в том, что к эмиттеру транзистора каскада предварительного усиления широкополосного усилителя, принятого за прототип, подключена параллельная цепочка, одна ветвь которой выполнена из резистора термостабилизации, а другая из последовательно соединенных резистора и конденсатора, осуществляющих последовательную отрицательную обратную связь на частоте усиливаемых сигналов. Эта ветвь изменяет глубину отрицательной обратной связи по сигналу без действия на режим по постоянному току. Параллельно упомянутому конденсатору для расширениячастотной характеристики в области нижних частот подключается дополнительный конденсатор. Однако при усилении высокочастотных сигналов вследствие разряда этих конденсаторов через последовательное соединение резисторов термостабилизации и отрицательной обратной связи происходит расширение длительности импульса из-за увеличения времени среза, что ухудшает верность воспроизведения радиоимпульсов малой длительности. However, the known device does not provide adjustment of the voltage gain and its stability in the temperature range, as well as a small dynamic range of input signals. To the foregoing, one more significant circumstance should be added. The fact is that a parallel circuit is connected to the emitter of the transistor cascade of the preamplifier of the broadband amplifier adopted for the prototype, one branch of which is made of a thermostabilization resistor, and the other of a resistor and capacitor connected in series, providing sequential negative feedback at the frequency of the amplified signals. This branch changes the depth of negative feedback on the signal without affecting the direct current mode. In addition to the capacitor mentioned, an additional capacitor is connected to extend the frequency response in the low frequency region. However, when high-frequency signals are amplified due to the discharge of these capacitors through a series connection of thermostabilization resistors and negative feedback, the pulse duration expands due to an increase in the cutoff time, which impairs the fidelity of reproducing radio pulses of short duration.
Целью изобретения является обеспечение в широких пределах глубины регулировки коэффициента усиления по напряжению и динамического диапазона входных сигналов. The aim of the invention is to provide a wide range of depths of the voltage gain and the dynamic range of the input signals.
Цель достигается тем, что между эмиттером транзистора каскада предварительного усиления и резистора термостабилизации введена цепь отрицательной обратной связи по току, выполненная в виде параллельного соединения резистора и диода в проводящем направлении и соединенная с конденсатором высокочастотной коррекции, шунтирующим резистор термостабилизации, между коллекторами транзисторов каскадов оконечного и предварительного усиления включен варикап, а в цепи эмиттера транзистора каскада оконечного усиления, выполненного в виде усилителя с комбинированной усилительной обратной связью, к точке соединения резистора термостабилизации и резистора отрицательной обратной связи по току подключена параллельная ветвь, выполненная в виде последовательного соединения диода в непроводящем направлении и стабилизатора, зашунтированного конденсатором и соединенного через резистор с источником питания, при этом управляющее напряжение подается на базу вспомогательного транзистора, включенного по схеме с ОЭ и соединенного своим участком Э-К с тем резистором делителя напряжения, который включен между общей шиной и базой транзистора каскада предварительного усиления. The goal is achieved in that between the emitter of the transistor of the pre-amplification cascade and the thermal stabilization resistor, a negative current feedback circuit is introduced, made in the form of a parallel connection of the resistor and the diode in the conducting direction and connected to the high-frequency correction capacitor shunting the thermal stabilization resistor between the collectors of the terminal and pre-amplification included a varicap, and in the emitter circuit of the transistor of the final amplification cascade, made in the form of an amplifier a combined amplifier amplifier feedback, a parallel branch connected to the connection point of the thermal stabilization resistor and the negative current feedback resistor is made in the form of a series connection of a diode in a non-conducting direction and a stabilizer shunted by a capacitor and connected through a resistor to a power source, while the control voltage is supplied to the base of the auxiliary transistor connected according to the scheme with OE and connected by its section EK to that divider resistor I, which is connected between the common bus and the base of transistor preamplification stage.
На чертеже приведена электрическая принципиальная схема предлагаемого широкополосного усилителя высокой частоты. The drawing shows an electrical schematic diagram of the proposed broadband high-frequency amplifier.
Усилитель состоит из каскада предварительного усиления на транзисторе 1 и каскада оконечного усиления на транзисторе 2. Транзисторы 1 и 2 включены по схеме с общим эмиттером. Транзистор 1 через резистор 3 и варикап 4 цепи параллельной обратной связи, нагрузочный резистор 5 и резистор 6 фильтра нижних частот, содержащего также конденсатор 7, подключается к источнику питания +Е. К эмиттеру транзистора 1 подключено последовательное соединение двух цепей, одна из которых содержит параллельно соединенные резистор 8 отрицательной обратной связи и диод 9 в проводящем направлении, а вторая - параллельно включенные резистор 10 термостабилизации и конденсатор 11 высокочастотной коррекции, осуществляющего последовательную отрицательную обратную связь на частоте усиливаемых сигналов. The amplifier consists of a pre-amplification cascade on transistor 1 and a final amplification cascade on transistor 2. Transistors 1 and 2 are connected in a circuit with a common emitter. The transistor 1 through a resistor 3 and a varicap 4 of the parallel feedback circuit, a load resistor 5 and a resistor 6 of a low-pass filter, also containing a capacitor 7, is connected to a power supply + E. A series connection of two circuits is connected to the emitter of transistor 1, one of which contains a negative feedback resistor 8 and a diode 9 in parallel in the conductive direction, and the second includes a thermal stabilization resistor 10 and a high-frequency correction capacitor 11 that provides serial negative feedback at a frequency of amplified signals.
Режим работы по постоянному току транзистора 1 определяется делителем напряжения в цепи его базы, выполненным на резисторах 12 и 13. В цепи базы транзистора включен вспомогательный транзистор 14. Участок Э-К вспомогательного транзистора 14 включен параллельно резистору 13, а на его базу, соединенную с общей шиной, через резистор 15 подается регулирующее (управляющее) напряжение. В эмиттерную цепь транзистора 2 каскада оконечного усиления включено последовательное соединение резистора 16 термостабилизации, зашунтированного конденсатором 17, и резистора 18 отрицательной обратной связи. К средней точке соединения резисторов 17 и 18 подключен диод 19, соединенный со стабилизатором 20 и конденсатором 21 и через резистор 22 с источником питания. The DC current mode of transistor 1 is determined by a voltage divider in its base circuit, made on resistors 12 and 13. A transistor 14 is included in the base circuit of the transistor 14. The EC section of auxiliary transistor 14 is connected in parallel with resistor 13, and its base connected to common bus, through the resistor 15 is fed regulatory (control) voltage. In the emitter circuit of the transistor 2 of the terminal amplification stage, a series connection of the thermal stabilization resistor 16, shunted by the capacitor 17, and the negative feedback resistor 18 is included. A diode 19 connected to a stabilizer 20 and a capacitor 21 and through a resistor 22 with a power source is connected to the midpoint of the connection of the resistors 17 and 18.
Работу предлагаемого широкополосного усилителя высокой частоты рассмотрим, исходя из следующих предпосылок. The work of the proposed broadband high-frequency amplifier will consider, based on the following premises.
1. "Определяющие коэффициент усиления каскада параметры h 21 и h 11 весьма чувствительны к изменению тока эмиттера в то время как изменение напряжения на коллекторе практически не оказывает на эти параметры сколько-нибудь заметного влияния". 1. "The parameters h 21 and h 11 that determine the gain of the cascade are very sensitive to changes in the emitter current, while changes in the collector voltage have practically no noticeable effect on these parameters."
(Крылов Г. М. Смирнов Г.А. Транзисторные усилители с автоматической регулировкой усиления, М.-Л. Энергия, 1967, стр.18. (Krylov G.M. Smirnov G.A. Transistor amplifiers with automatic gain control, M.-L. Energia, 1967, p. 18.
Как известно, коэффициент усиления по току транзистора зависит от тока базы [h21= f(iδ)]. Эта зависимость имеет вид кривой, изображенной на рис. 10. Максимальное значение 21 имеет место при токе базы iδ = I′δ.As you know, the current gain of the transistor depends on the base current [h 21 = f (iδ)]. This dependence has the form of a curve depicted in Fig. 10. The maximum value of 21 takes place at the base current iδ = I′δ.
(Крылов Г. М. Смирнов Г.А. Транзисторные усилители с автоматической регулировкой усиления, М.-Л. Энергия, 1967, с. 19. (Krylov G.M. Smirnov G.A. Transistor amplifiers with automatic gain control, M.-L. Energia, 1967, p. 19.
3. Как показали проведенные расчеты и экспериментальные исследования, сумма коллекторных токов транзисторов каскадов предварительного и оконечного усиления при изменении тока базы транзистора каскада предварительного усиления остается практически неизменной с точностью до 5% происходит лишь их перераспределение между коллекторными цепями. 3. As the calculations and experimental studies have shown, the sum of the collector currents of the transistors of the preliminary and final amplification cascades with a change in the base current of the transistor of the preliminary amplification cascade remains almost unchanged with an accuracy of 5%; only their redistribution between the collector circuits occurs.
4. Зависимость дифференциального сопротивления нелинейного элемента (в данном случае полупроводникового диода) от управляющего напряжения приведена на рис. 77). 4. The dependence of the differential resistance of a nonlinear element (in this case, a semiconductor diode) on the control voltage is shown in Fig. 77).
Крылов Г.М. Смирнов Г.А. Транзисторные усилители с автоматической регулировкой усиления, М.-Л. Энергия, с. 125. Krylov G.M. Smirnov G.A. Transistor amplifiers with automatic gain control, M.-L. Energy, p. 125.
При отсутствии управляющего напряжения на базе вспомогательного транзистора 14 коллекторные тока и транзисторов 1 и 2 отличаются не слишком сильно, имеют достаточно большие величины, в результате чего дифференциальные сопротивления диодов 9 и 19, а также емкость варикапа 4 достаточно малы, в результате чего коэффициенты усиления по напряжению каскадов предварительного и окончательного усиления, а следовательно и широкополосного усилителя высокой частоты имеют максимальное значение. In the absence of control voltage on the basis of the auxiliary transistor 14, the collector currents and transistors 1 and 2 do not differ too much, they are quite large, as a result of which the differential resistances of the diodes 9 and 19, as well as the capacitance of the varicap 4, are quite small, as a result of which the gain voltage cascades of preliminary and final amplification, and hence the broadband high-frequency amplifier are of maximum value.
При подаче управляющего напряжения на базу вспомогательного транзистора 14 происходит уменьшение коэффициента передачи по току в схеме с общим эмиттером транзистора 1, в результате чего его коллекторный ток уменьшается, уменьшается напряжение на резисторе 8, а следовательно, и на диоде 9, вследствие чего дифференциальное сопротивление последнего увеличивается. Это приводит к тому, что глубина отрицательной обратной связи по току возрастает, а коэффициент усиления по напряжению каскада предварительного усиления падает. Вследствие уменьшения коллекторного тока транзистора 1 возрастает его коллекторное напряжение, уменьшается напряжение смещения на варикапе 4, а его емкость возрастает, а следовательно, возрастает и глубина параллельной отрицательной обратной связи. When a control voltage is applied to the base of the auxiliary transistor 14, the current transfer coefficient decreases in the circuit with the common emitter of transistor 1, as a result of which its collector current decreases, the voltage across the resistor 8, and therefore also on the diode 9, decreases, as a result of which the differential resistance of the latter increases. This leads to the fact that the depth of the negative current feedback increases, and the voltage gain of the pre-amplification stage decreases. Due to the decrease in the collector current of the transistor 1, its collector voltage increases, the bias voltage on the varicap 4 decreases, and its capacitance increases, and therefore the depth of the parallel negative feedback increases.
В то же время коллекторный ток транзистора 2 возрастает, увеличивается напряжение на катоде диода 19, тогда как напряжение на его аноде фиксировано стабистором 20. В результате это дифференциальное сопротивление диода 19 возрастает. Пpи этом возpастает и глубина отрицательной обратной связи по току. При увеличении глубины параллельной отрицательной обратной связи и глубины отрицательной обратной связи по току коэффициент усиления по напряжению каскада оконечного усиления уменьшается. Следовательно, уменьшается и становится минимальным коэффициент усиления по напряжению предлагаемого широкополосного усилителя высокой частоты. At the same time, the collector current of the transistor 2 increases, the voltage at the cathode of the diode 19 increases, while the voltage at its anode is fixed by the stabilizer 20. As a result, this differential resistance of the diode 19 increases. In this case, the depth of negative current feedback increases. As the depth of parallel negative feedback and the depth of negative current feedback increase, the voltage gain of the terminal amplification stage decreases. Therefore, the voltage gain of the proposed broadband high-frequency amplifier decreases and becomes minimal.
К сказанному ранее необходимо добавить что при подаче управляющего напряжения на базу транзистора 14 сопротивление его участка "коллектор-эмиттер" уменьшается, а следовательно уменьшается и напряжение усиливаемого сигнала, поступающее на базу транзистора 1 каскада предварительного усиления. В связи с тем, что выходное напряжение каскадов предварительного и оконечного усиления является постоянной величиной, а коэффициент усиления при регулировке уменьшается, увеличивается динамический диапазон входных сигналов. To the above, it is necessary to add that when the control voltage is applied to the base of the transistor 14, the resistance of its collector-emitter section decreases, and therefore the voltage of the amplified signal supplied to the base of the transistor 1 of the pre-amplification stage decreases. Due to the fact that the output voltage of the cascades of preliminary and final amplification is constant, and the gain during adjustment decreases, the dynamic range of the input signals increases.
Предлагаемый широкополосный усилитель высокой частоты обладает еще одним свойством, заключающимся в том, что при регулировке коэффициент усиления, по напряжению последний, является стабильным в интервале температур. В самом деле, при повышении температуры вследствие уменьшения глубины отрицательной обратной связи по току возрастает коэффициент усиления по напряжению каскада предварительного усиления. В то же время при повышении температуры глубина отрицательной обратной связи по току каскада оконечного усиления увеличивается, а следовательно и уменьшается его коэффициент усиления по напряжению. Таким образом, вследствие компенсации коэффициент усиления по напряжению широкополосного усилителя высокой частоты при повышении температуры не изменяется. При понижении температуры рассматриваемые ранее процессы происходят в обратном порядке. Но и в этом случае коэффициент усиления по напряжению широкополосного усилителя высокой частоты также не изменяется. The proposed broadband high-frequency amplifier has another property, namely, that when adjusting the gain, the voltage of the latter, is stable in the temperature range. In fact, with increasing temperature due to a decrease in the depth of negative current feedback, the voltage gain of the pre-amplification stage increases. At the same time, with increasing temperature, the depth of negative feedback on the current of the terminal amplification cascade increases, and therefore its voltage gain increases. Thus, due to compensation, the voltage gain of the broadband high-frequency amplifier does not change with increasing temperature. With decreasing temperature, the previously considered processes occur in the reverse order. But even in this case, the voltage gain of the broadband high-frequency amplifier also does not change.
Таким образом, из ранее сказанного видно, что нелинейные сопротивления (диоды) и нелинейная емкость (варикап) включены соответственно в цепи отрицательной обратной связи по току и в цепи отрицательной обратной связи по напряжению в соответствующие цепи каскадов предварительного и оконечного усиления без применения дополнительных емкостей, что особенно важно в широкополосном усилителе высокой частоты, где происходит усиление импульсных сигналов малой длительности, исключающих измерение их формы. Thus, it can be seen from the foregoing that non-linear resistances (diodes) and non-linear capacitance (varicaps) are included, respectively, in the negative current feedback circuit and in the negative voltage feedback circuit in the corresponding chains of preliminary and final amplification cascades without the use of additional capacitors, which is especially important in a high-frequency broadband amplifier, where the amplification of pulsed signals of short duration, excluding the measurement of their shape.
Изменение глубины отрицательной связи по току в цепях эмиттеров и глубины отрицательной обратной связи по напряжению в цепи коллектора происходит путем подачи в цепь базы вспомогательного транзистора только одного управляющего напряжения. Согласованные изменения глубин отрицательной обратной связи по току каскада предварительного усиления и комбинированной инерционной отрицательной обратной связи каскада оконечного усилителя обеспечивают в широких пределах регулировку коэффициента усиления по напряжению предлагаемого широкополосного усилителя высокой частоты. The depth of the negative current feedback in the circuits of the emitters and the depth of the negative voltage feedback in the collector circuit are changed by applying only one control voltage to the base circuit of the auxiliary transistor. The coordinated changes in the depths of the negative current feedback of the preamplifier stage and the combined inertial negative feedback of the terminal amplifier cascade provide a wide adjustment of the voltage gain of the proposed high-frequency broadband amplifier.
При подаче напряжения управления и его увеличении появляется и возрастает ток базы вспомогательного транзистора и уменьшается сопротивление между его коллектором и эмиттером. Последнее шунтирует входное сопротивление каскада предварительного усиления, в результате чего уменьшается коэффициент передачи на входе этого каскада. В то же время, поскольку максимальное выходное напряжение каскада определяется нагрузкой и является величиной постоянной, то увеличение уровня входных сигналов достигается уменьшением в широких пределах коэффициента усиления по напряжению. When the control voltage is applied and its increase, the base current of the auxiliary transistor appears and increases and the resistance between its collector and emitter decreases. The latter shunts the input impedance of the pre-amplification stage, as a result of which the transmission coefficient at the input of this stage is reduced. At the same time, since the maximum output voltage of the cascade is determined by the load and is a constant value, an increase in the level of input signals is achieved by reducing the voltage gain over a wide range.
При экспериментальном исследовании предлагаемый широкополосный усилитель высокой частоты был выполнен на транзисторах 2Т3106А-2 и обеспечивал в полосе частот 20-350 МГц коэффициент усиления по напряжению в пределах 30 дБ. При этом глубина регулировки коэффициента усиления по напряжению составляет около 28 дБ, а динамический диапазон по входным сигналам при максимальном выходном напряжении 450 мВ составляет более 40 дБ. In an experimental study, the proposed high-frequency broadband amplifier was made on 2T3106A-2 transistors and provided a voltage gain of 30 dB in the frequency band 20-350 MHz. In this case, the depth of voltage gain adjustment is about 28 dB, and the dynamic range of the input signals at a maximum output voltage of 450 mV is more than 40 dB.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5028251 RU2074507C1 (en) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | Wide-band high-pass amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5028251 RU2074507C1 (en) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | Wide-band high-pass amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2074507C1 true RU2074507C1 (en) | 1997-02-27 |
Family
ID=21597351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5028251 RU2074507C1 (en) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | Wide-band high-pass amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2074507C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2517698C1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Broadband attenuator for high-speed analogue and analogue-digital interfaces |
| RU2536380C1 (en) * | 2013-05-14 | 2014-12-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | High-frequency attenuator |
| RU2616573C1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-04-17 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Differential operation amplifier |
-
1992
- 1992-02-19 RU SU5028251 patent/RU2074507C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Патент США N 3500222, кл. H 03 F 3/30, 1967. 2. Авторское свидетельство СССР N 425309, кл. H 03 G 1/04, 1974. 3. Авторское свидетельство СССР N 343355, кл. H 03 F 1/30, 1972. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2517698C1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Broadband attenuator for high-speed analogue and analogue-digital interfaces |
| RU2536380C1 (en) * | 2013-05-14 | 2014-12-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | High-frequency attenuator |
| RU2616573C1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-04-17 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Differential operation amplifier |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU648364B2 (en) | Linear gain control amplifier | |
| US4560949A (en) | High speed AGC circuit | |
| US4388540A (en) | Controllable multiplier circuit with expanded gain control range | |
| US6933786B1 (en) | Amplifier circuit and method | |
| EP0601888B1 (en) | Variable gain RF amplifier with linear gain control | |
| JPS5823012B2 (en) | gain control signal amplifier | |
| RU2074507C1 (en) | Wide-band high-pass amplifier | |
| US6542045B2 (en) | High-frequency variable attenuator having a controllable reference voltage | |
| US5012140A (en) | Logarithmic amplifier with gain control | |
| CA1124805A (en) | Radio frequency amplifier with gain control | |
| JPH0573285B2 (en) | ||
| CA1260081A (en) | High frequency amplifier circuit | |
| US6218906B1 (en) | Amplifier circuit | |
| JPH0314818Y2 (en) | ||
| US5027015A (en) | Non-linear conversion of input from a sensor to an output with two different slopes | |
| US5023564A (en) | Amplfier circuit | |
| RU2072624C1 (en) | Integrating high-frequency amplifier | |
| KR910000373B1 (en) | Variable phase compensation device | |
| EP0152151B1 (en) | Broadband control amplifier | |
| JPS646597Y2 (en) | ||
| JPS6048609A (en) | Automatic level adjusting circuit | |
| JPH0537530Y2 (en) | ||
| SU1246333A1 (en) | Amplifier with controlled gain factor | |
| SU248007A1 (en) | TWO-LINE HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER ON TRANSISTORS WITH ADJUSTMENT OF THE COEFFICIENT | |
| KR930007296B1 (en) | Gain control circuit for video signal amplifier |