RU2071150C1 - Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений - Google Patents

Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений Download PDF

Info

Publication number
RU2071150C1
RU2071150C1 SU5041755A RU2071150C1 RU 2071150 C1 RU2071150 C1 RU 2071150C1 SU 5041755 A SU5041755 A SU 5041755A RU 2071150 C1 RU2071150 C1 RU 2071150C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mol
mole
linbo
superconductivity
concentrations
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Исаак Маркович Зарицкий
Людмила Григорьевна Ракитина
Андрей Андреевич Кончиц
Габор Корради
Каталин Полгар
Original Assignee
Институт физики полупроводников АН Украины
Исследовательская лаборатория физики кристаллов АН Венгрии
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики полупроводников АН Украины, Исследовательская лаборатория физики кристаллов АН Венгрии filed Critical Институт физики полупроводников АН Украины
Priority to SU5041755 priority Critical patent/RU2071150C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2071150C1 publication Critical patent/RU2071150C1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Использование: при изготовлении устройств для сверхпроводниковой электроники. Сущность изобретения:исходный материал LiNbO3 легируют одновременно одним из двухвалентных элементов Mg или Zn и одним из элементов группы железа Cr или Fe, при этом Mg с Cr используют в концентрациях 4 < Mg < 15 мол.% и 0,01 < Cr < 2,5 мол.%, Mg c Fe используют в концентрациях 6 < 15 мол.% и 0,01 < Fe < 2,5 мол.%, Zn c Cr или Fe используют в концентрациях 7 < Zn < 15 мол.% и 0,01 < Cr, Fe < 2,5 мол.%.

Description

Изобретение касается высокотемпературной сверхпроводимости, физики сегнетоэлектриков и может быть использовано при изготовлении устройств для сверхпроводниковой электроники.
Изобретение решает задачу регистрации высокочастотного радиоизлучения и измерения слабых магнитных полей геомагнитного диапазона.
Ниобат лития (LiNbO3) относится к непроводящим металлоксидным сегнетоэлектрикам со структурой перовскита и находит широкое применение в нелинейной и интегральной оптике и акустооптике.
Известен способ получения сверхпроводимости в этом материале путем существенного изменения соотношения входящих в него компонент по работе: Geselbracht M.J. et al. Superconductiviti in the layered compound LixNbO2//Nature, 1990, vol. 345, N. 6273, p.p. 324 326. Таким способом в соединении Li0.45NbO2 была получена критическая температура Тс≈5.5К.
Недостатками этого способа являются низкая критическая температура и критичность соединения к количественному составу входящих в него компонент.
Известны способы получения сверхпроводящих материалов на основе металлоксидных соединений со структурой перовскита путем легирования исходных несверхпроводящих материалов различными примесями (см. Bednorz I.G. Muller K. A. Perovskite-type oxides the new approach to high-Tc superconductivity. //Rev.Mod.Phys. 1988, vol. 60, N 3, p. 585 600; Слоистые сверхпроводящие соединения на оксиде меди //Заявка на патент ЕПВ N 0287749, кл. Н 01 L 39/12, ВНИИПИ 129-11-89), например La2CuO4,легированный примесями Ba, Sr, Ca. В качестве прототипа выбран способ по заявке ЕПВ N 0332309, кл. Н 01 L 39/12, 39/24, C 04 B 35/00, ВНИИПИ 129-09-90, включающий легирование, приводящее к получению сверхпроводящего материала с критической температурой Тc≈ 120 K.
Его недостатками являются:
низкая критическая температура,
сложность технологического процесса.
Способ является многостадийным и включает приготовление смеси компонент в необходимой пропорции, процессы гомогенизации, прессования, декарбонизации, спекания, выдержки в течение определенного времени при высокой температуре в атмосфере кислорода и последующее медленное охлаждение в определенном режиме. Все это делается для того, чтобы достичь желаемого соотношения компонент, которое весьма критично к получению сверхпроводящего состава. При этом образцы получают в виде керамики. Еще более сложной является технология получения монокристаллов, особенно крупных размеров.
Общими недостатками известных способов являются низкая критическая температура и сложная технология получения материала.
Техническим результатом настоящего изобретения является получение сверхпроводящих областей в сегнетоэлектрике LiNbO3 с высокими критическими температурами, в том числе близкими к комнатной, и упрощение технологии получения материала.
Указанный результат достигается следующим образом. Кристаллы LiNbO3 c примесями Mg и Cr в концентрациях: 4 < СMg < 15 мол. 0,01 < СCr < 2,5 мол. или Mg и Fe в концентрациях: 6 < CMg < 15 мол. 0,01 < СFe < 2,5 мол. или Zn и Cr (либо Fe) в концентрациях: 7 < CZn < 15 мол. 0,01 <СCr, CFe < 2,5 мол. выращивают по стандартной технологии методом Чохральского из расплава соответствующих оксидов, ниобатов или других соединений, превращающихся в оксиды или ниобаты при нагревании (карбонаты, нитраты, ацетаты, оксалаты и т.п.). Этот способ не очень критичен к концентрациям вводимых примесей в указанных выше интервалах. Материал выращивается на воздухе. Перечисленные факторы обуславливают простоту получения материала.
Материал может быть получен также в виде керамики путем прессования смеси порошкообразных компонент оксидов, карбонатов, нитратов, ацетатов, оксалатов и т.п. в той же пропорции, что и для монокристаллов, с последующим спеканием и отжигом в окислительной атмосфере. Технология получения керамики на основе LiNbO3 также проще по сравнению с используемой в способе-прототипе, поскольку она не критична к соотношению компонент в указанных выше интервалах концентраций и не требует ряда технологических операций, например медленного охлаждения. Отжиг в кислороде также не обязателен.
Концентрация Mg или Zn в кристалле должна быть выше определенной "пороговой" концентрации, которая, в свою очередь, зависит от типа второй легирующей примеси (Cr, Fe). Так, например, для LiNbO3:Mg:Cr концентрация Mg должна быть выше 4 мол. а для LiNbO3:Mg:Fe выше 6 мол. Эта "пороговость", по мнению авторов, обусловлена улучшением стехиометрии LiNbO3 при легировании его двухвалентными примесями, такими как Mg или Zn, которые, заполняя вакансии лития, уменьшают концентрацию антиструктурных дефектов типа NbLi (Nb на месте Li). Этот процесс завершается при концентрации, равной пороговой. При этом, как известно, резко возрастает подвижность носителей в LiNbO3, что является благоприятным для последующего формирования сверхпроводящих областей.
Верхний предел по концентрации Mg или Zn не столь критичен. Он обусловлен тем, что при концентрации этих ионов выше 15 мол. возникают трудности в получении совершенных монокристаллов.
Таким образом, указанный интервал концентраций Mg и Zn является оптимальным для получения однородных монокристаллов LiNbO3, содержащих сверхпроводящие области.
Эффект менее критичен к концентрации Cr и Fe и слабо зависит от нее в интервале 0,01 2,5 мол. По мнению авторов, в указанном интервале концентраций парамагнетизм ионов Cr3+ или Fe3+ заметно не ухудшает сверхпроводимость в соседних с ними областях в LiNbO3 (см. пример 4).
Поскольку в целом материал остается непроводящим и сверхпроводимость не может быть зарегистрирована по транспортным свойствам, она регистрируется с помощью спектрометра электронного парамагнитного резонанса по появлению характерного нерезонансного сигнала микроволнового отклика вблизи нулевого магнитного поля (см. Романюха А.А. Швачко Ю.Н. Устинов В.В. Электронный парамагнитный резонанс и связанные с ним явления в высокотемпературных сверхпроводниках. //УФН, 1991, т.161, N 10, с.37 78). Преимущество такого метода регистрации состоит в том, что удается зарегистрировать сверхпроводимость во внутренних, изолированных друг от друга областях, находящихся внутри несверхпроводящего (в данном случае непроводящего) материала.
Хотя теория высокотемпературной сверхпроводимости в настоящее время не создана, по предположению авторов, причиной столь высокого значения Тc является реализация биполярного механизма сверхпроводимости в LiNbO3 вследствие резкого повышения подвижности поляронов (и биполяронов) при легировании Mg или Zn и подходящих условий для их спаривания благодаря высокой диэлектрической проницаемости и поляризуемости матрицы. Этому способствует также малые размеры сверхпроводящих областей (по оценке 0,25 • 0,25 мкм2).
Известно, что при легировании Mg или Zn кристаллы LiNbO3 остаются диэлектрическими. Дополнительное легирование Cr или Fe в указанных концентрациях не должно заметным образом влиять на эти свойства. Авторами изобретения установлено, что при одновременном легировании этими примесями возникают благоприятные условия для формирования сверхпроводящих микрообластей в остающемся в целом диэлектрическом кристалле LiNbO3.
Помимо указанных преимуществ по сравнению со способом прототипом предложенный способ позволяет получить оптически прозрачный материал, поскольку наличие сверхпроводящих микрообластей заметно не влияет на его оптические характеристики. Кроме того, легко могут быть получены монокристаллы объемом в несколько десятков кубических сантиметров.
Полученный материал, в частности, в виде тонких пленок может найти широкое применение ввиду сочетания его сегнетоэлектрических и оптических свойств со сверхпроводимостью микрообластей с Тc вблизи комнатной температуры. Областью его применения может быть квантовая электроника - управление лазерным лучом, нелинейная и интегральная оптика в сочетании со сверхпроводниковой электроникой, СВЧ электроника, поиск геомагнитных аномалий, а также другие области науки и техники.
Пример 1. В расплав, содержащий компоненты LiNbO3 конгруэнтного состава, добавляют 6 мол. Mg и 0,03 мол. Cr либо 0,06 мол. Fe. Кристалл выращивают методом Чохральского, затем отжигают в окислительной атмосфере при Т 1200oС в течение часа.
Признаки сверхпроводимости обнаружены с помощью радиоспектрометра (см. Романюха А.А. Швачко Ю.Н. Устинов В.В. Электронный парамагнитный резонанс и связанные с ним явления в высокотемпературных сверхпроводниках. //УФН. 1991, т.161, N 10, с.37-78) при Т≅ 280 К.
Пример 2.
В технологическом цикле по примеру 1 добавляют 4 мол. Mg и 0,06 мол. Fe. Признаки сверхпроводимости не обнаруживаются в интервале Т 12 300 К. Эффект отсутствует потому, что не достигнута пороговая концентрация Mg и тем самым не реализованы подходящие условия для образования сверхпроводящих областей в LiNbO3:Mg:Fe.
Пример 3. К смеси порошков оксидов Li2O и Nb2O5 добавляют 10 мол. Zn и 0,33 мол. Cr. Смесь тщательно перемешивают, прессуют, спекают и затем отжигают в окислительной атмосфере при Т 1050oC в течение часа. В керамике указанного состава наблюдаются признаки сверхпроводимости при Т ≅ 150 К.
Пример 4. Образец изготавливается по керамической технологии, описанной в примере 3. Однако в смеси оксидов содержится 7 мол. Mg и 3 мол. Cr. Признаки сверхпроводимости не обнаруживаются при Т 77 К, что свидетельствует о неоптимальной, слишком высокой концентрации Cr. При концентрации Cr CCr 0,01 2,5 мол. признаки сверхпроводимости легко фиксируются. Подавление сверхпроводимости при повышении содержания Cr может быть связано с возрастанием парамагнетизма ионов Cr3+ и разрушением за счет влияния их локальных магнитных моментов сверхпроводимости в соседних с ними микрообластях образца.

Claims (1)

  1. Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений, включающий легирование исходного материала, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют LiNbO3, легирование производят одновременно одним из двухвалентных элементов Mg или Zn и одним из элементов группы железа Cr или Fe, при этом Mg с Cr используют в концентрациях 4 < CMg < 15 моль% и 0,01 < Ccr < 2,5 моль% Mg с Fe используют в концентрациях 6 < CMg < 15 моль% и 0,01 < CFe < 2,5 моль% Zn с Cr или Fe используют в концентрациях 7 < CZn < 15 моль% и 0,01 < CCr, CFe < 2,5 моль%
SU5041755 1992-05-12 1992-05-12 Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений RU2071150C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5041755 RU2071150C1 (ru) 1992-05-12 1992-05-12 Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5041755 RU2071150C1 (ru) 1992-05-12 1992-05-12 Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2071150C1 true RU2071150C1 (ru) 1996-12-27

Family

ID=21603991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5041755 RU2071150C1 (ru) 1992-05-12 1992-05-12 Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2071150C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174220U1 (ru) * 2016-11-29 2017-10-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет" Устройство для отжига сегнетоэлектрика лазерным излучением с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Geselbracht M.J. et al. Superconductivity in the layered compound Li x NbO 2 Nature. 1990, v. 345, N 6273, p. 324 - 326. 2. Bednorr I.G., Muller K.A. Perovskitetyre oxides - the new approach to high - T c superconductivity. Rev. Mod. Phys., 1988, v. 60, N 3, p. 585 - 600. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174220U1 (ru) * 2016-11-29 2017-10-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет" Устройство для отжига сегнетоэлектрика лазерным излучением с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3855246T2 (de) Supraleitende dünne Schicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5024992A (en) Preparation of highly oxidized RBa2 Cu4 O8 superconductors
Cockroft et al. Local-and distant-charge compensation of Eu 3+ ions in defect centers of SrTiO 3
DE3851462T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Materials des Oxydverbundtyps.
RU2071150C1 (ru) Способ создания сверхпроводящих областей в материале на основе металлоксидных соединений
EP0558160B1 (en) Process for preparing a single crystal of oxide superconducting material
EP0510806B1 (en) Metal oxide material
DE3854493T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsupraleiters.
US5492886A (en) Method of producing highly oxidized superconductors containing barium, copper, and a third metal
MURAKAMI et al. Electrical Conduction of Rare‐Earth‐Doped BaTiO3 Single Crystals
US5270292A (en) Method for the formation of high temperature semiconductors
JPS63297203A (ja) 超電導材料の作製方法
US5314871A (en) Substrate of single crystal of oxide, device using said substrate and method of producing said superconductive device
Jia et al. Photoluminescence of Mn2+‐Doped ZnGa2 O 4 Single‐Crystal Fibers
JP3219563B2 (ja) 金属酸化物とその製造方法
Vidyalal et al. Electrical and Magenetic measurements on some High Tc Superconductors
JP2817170B2 (ja) 超電導材料の製造方法
JP3059464B2 (ja) 酸化物材料
JP3787613B2 (ja) 臨界電流密度特性および/または不可逆磁場特性に優れた高温超伝導銅酸化物および該高温超伝導銅酸化物を含む高温超伝導材料
EP0446552B1 (en) Superconductive compounds and process for producing said compounds
Krishna et al. Thermal Expansion and Superconductivity in Alkali Metal‐and Silver‐doped Bi Sr Ca Cu O System
JPH02221125A (ja) 酸化物超電導体および製造方法
Mastalli-Kelly Systematic Investigation of the Pr-Ba-Cu-O Phase Diagram
Barilo et al. X‐Ray Study of the Structure and Thermal Properties of Ba1–xKxBiO3 at Different Temperatures
Morris Preparation of highly oxidized RBa. sub. 2 Cu. sub. 4 O. sub. 8 superconductors