RU205933U1 - Амплитудный модулятор - Google Patents

Амплитудный модулятор Download PDF

Info

Publication number
RU205933U1
RU205933U1 RU2021109552U RU2021109552U RU205933U1 RU 205933 U1 RU205933 U1 RU 205933U1 RU 2021109552 U RU2021109552 U RU 2021109552U RU 2021109552 U RU2021109552 U RU 2021109552U RU 205933 U1 RU205933 U1 RU 205933U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
terminal
resistor
transistor
capacitor
transistors
Prior art date
Application number
RU2021109552U
Other languages
English (en)
Inventor
Петр Андреевич Землянухин
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет»
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет» filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет»
Priority to RU2021109552U priority Critical patent/RU205933U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU205933U1 publication Critical patent/RU205933U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Abstract

Предполагаемая полезная модельотносится к технике формирования радиосигналов и может быть использованав радиопередающих устройствах,телекоммуникационных системах и устройствах, где требуется перемножение радиосигналов. Технический результат полезной модели заключается в том, что она позволяет обеспечить улучшенную линейность амплитудной характеристики амплитудного модулятора. Это достигается тем, что в амплитудный модулятор дополнительно введены пятый и шестой транзисторы n-p-n-типа, девятый, десятый и одиннадцатый резисторы, второй и третий источники тока, вторые выводы второго, четвертого и восьмого резисторов, первого, второго и третьего источников тока, первого вывода третьего конденсатора соединены с шиной источника отрицательного напряжения питания, первый вывод пятого резистора соединен с эмиттером первого транзистора, первый вывод шестого резистора и эмиттер второго транзистора соединены между собой, вторые выводы пятого и шестого резисторов соединены с первым выводом первого источника тока, первый вывод десятого резистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, первый вывод одиннадцатого резистора и эмиттер третьего транзистора соединены между собой, вторые выводы десятого и одиннадцатого резисторов соединены с первым выводом второго источника тока, коллекторы второго и четвертого транзисторов соединены с вторым выводом девятого резистора и первым выводом четвертого конденсатора, базы второго, четвертого и шестого транзисторов соединены с общей шиной, на первый вывод второго конденсатора поступает модулирующий сигнал, коллекторы пятого и шестого транзисторов, первый вывод девятого резистора соединены с шиной источника положительного напряжения питания, эмиттеры пятого и шестого транзисторов, первый вывод третьего источника тока и первый вывод катушки индуктивности соединены между собой, база пятого транзистора подключена к узлу соединения второго вывода седьмого резистора, первого вывода восьмого резистора и второго вывода четвертого конденсатора. 4 ил.

Description

Предполагаемая полезная модель относится к технике формирования радиосигналов и может быть использована в радиопередающих устройствах, телекоммуникационных системах и устройствах, где требуется перемножение радиосигналов.
Известно устройство амплитудного модулятора (Радиотехнические цепи и сигналы: учеб. пособие для вузов / И.С. Гоноровский. – 5-е изд., испр. и доп. – М.: Дрофа, 2006. – с.363, рис.8.45), которое включает биполярный транзистор n-p-n-типа, два трансформатора, индуктивную катушку, переменный резистор и четыре конденсатора. Первый вывод вторичной обмотки первого трансформатора соединен с базой транзистора. Второй вывод вторичной обмотки первого трансформатора соединен с первым выводом вторичной обмотки второго трансформатора и первым выводом второго конденсатора. Второй вывод второго конденсатора, эмиттер транзистора и первый вывод третьего конденсатора соединены с общей шиной. Второй вывод вторичной обмотки второго трансформатора соединен со средним выводом переменного резистора. Второй вывод переменного резистора соединен с общей шиной. Между общей шиной и первым выводом переменного резистора прикладывается постоянное напряжение Eб0, которое обеспечивает напряжение смещения Eсм между базой и эмиттером транзистора, что определяет положение рабочей точки транзистора на постоянном токе. К первому и второму выводам первичной обмотки второго трансформатора прикладывается модулирующий сигнал s(t). Первые выводы первичной обмотки первого трансформатора и первого конденсатора соединены между собой. К узлу их соединения приклыдывается несущее колебание, изменяющееся по гармоническому закону с частотой ω0. Вторые выводы первичной обмотки первого трансформатора и первого конденсатора соединены с общей шиной. Первые выводы индуктивной катушки и четвертого конденсатора соединены с коллектором транзистора. Этот узел соединения является выходом устройства. Вторые выводы индуктивной катушки и четвертого конденсатора соединены с вторым выводом третьего конденсатора и положительным выводом источника напряжения питания. Отрицательный вывод источника напряжения питания соединен с общей шиной. В этом устройстве вторичные обмотки первого и второго трансформаторов и переменный резистор включены последовательно, что позволяет приложить между базой и эмиттером транзистора, относительно напряжения смещения Eсм, сумму напряжений:
Figure 00000001
, где первое слагаемое определяет несущее колебание, а второе – модулирующий сигнал.
Признаками аналога, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие биполярного транзистора n-p-n-типа, четырех конденсаторов и катушки индуктивности.
К недостаткам аналога можно отнести следующее. В амплитудном модуляторе транзистор работает с отсечкой тока. При этом в коллекторной цепи транзистора формируются импульсы тока, управляющие колебательным контуром. Это обеспечивает формирование амплитудно-модулированного сигнала на выходе устройства. Проходная характеристика транзистора на начальном участке имеет явно выраженную нелинейную зависимость тока коллектора транзистора от напряжения, прикладываемого между базой и эмиттером транзистора, что приводит к нарушению линейности амплитудной характеристики модулятора и соответственно приводит к сильным нелинейным искажениям импульсов тока и напряжения на выходе амплитудного модулятора.
Известно устройство амплитудного модулятора (АС СССР 678634, МПК H03С 1/38, Сургуладзе Д.К., Долидзе Т.Д., Чиковани Н.М., опубл. 05 августа 1979, БИ № 29). В этом устройстве имеются четыре транзистора n-p-n-типа, девять резисторов и два полупроводниковых диода. Первые выводы первого и пятого резисторов соединены с шиной источника положительного напряжения питания +E. Второй вывод первого резистора соединен с коллектором первого транзистора. Второй вывод пятого резистора соединен с коллектором второго транзистора. Коллекторы первого и второго транзисторов являются выходом устройства. Первый вывод второго резистора соединен с эмиттером первого транзистора и анодом первого диода. Первый вывод шестого резистора соединен с эмиттером второго транзистора и анодом второго диода. Вторые выводы второго и шестого резисторов соединены с коллектором третьего транзистора. Катоды первого и второго диодов соединены с коллектором четвертого транзистора. Первый вывод третьего резистора и база второго транзистора соединены с общей шиной. Вторые выводы третьего и четвертого резисторов соединены с базой третьего транзистора. Первые выводы седьмого и восьмого резисторов соединены с базой четвертого транзистора. Эмиттеры третьего и четвертого транзисторов соединены с первым выводом девятого резистора. Вторые выводы четвертого, девятого и восьмого резисторов соединены с шиной источника отрицательного напряжения питания –E. К базе первого транзистора относительно общей шины прикладывается гармонический сигнал несущего колебания. Между вторым выводом седьмого резистора и общей шиной прикладывается модулирующий сигнал.
Признаками аналога, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие четырех транзисторов n-p-n-типа и девяти резисторов. Причем эмиттер первого транзистора соединен с первым выводом второго резистора, эмиттер второго транзистора соединен с первым выводом шестого резистора. Вторые выводы второго и шестого резисторов соединены между собой. Коллектор второго транзистора соединен с вторым выводом пятого резистора, первый вывод пятого резистора соединен с шиной источника положительного напряжения питания. Второй вывод седьмого и первый вывод восьмого резисторов соединены с базой четвертого транзистора. Второй вывод восьмого резистора соединен с шиной источника отрицательного напряжения питания.
К недостаткам аналога следует отнести следующее. Аналог подходит для применения, когда модулирующий сигнал является дискретным (цифровым) сигналом. Это снижает его функциональные возможности. При использовании в качестве модулирующего сигнала непрерывного сигнала в амплитудном модуляторе возникают сильные нелинейные искажения, что вызвано сильной нелинейностью амплитудной характеристики модулятиора. Это происходит исходя из следующего. В случае, когда потенциал базы четвертого транзистора выше потенциала базы третьего транзистора, ток в цепи протекает через девятый резистор и четвертый транзистор. Этот ток замыкается на первый диод и первый транзистор, либо второй диод и второй транзистор, что определяется уровнем потенциала на базе первого транзистора. Это приводит к тому, что последовательно будут включены два прямосмещенных p-n-перехода, что и вызывает возникновение сильных нелинейных искажений. В случае, когда потенциал базы четвертого транзистора будет ниже потенциала базы третьего транзистора, ток в цепи протекает через девятый резистор и третий транзистор, далее через второй резистор и первый транзистор, либо шестой резистор и второй транзистор, что определяется уровнем сигнала на базе первого транзистора. Это приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада, выполненного с использованием первого и второго транзисторов, что также снижает линейность амплитудной характеристики модулятора. Следует отметить, что выходной амплитудно-модулированный сигнал будет искажаться в связи с возникновением линейных искажений. Вызвано это следующим. Модулирующий сигнал поступает на базу четвертого транзистора, проходя через седьмой резистор. Однако имеются нелинейные паразитные емкости, приведенные к базе четвертого транзистора. В этом случае сопротивление седьмого резистора, паразитные емкости транзистора, приведенные к базе транзистора, и паразитная емкость монтажа будут выполнять роль фильтра нижних частот. Наличие этого фильтра приводит к возникновению линейных искажений модулирующего сигнала и соответственно нарушает линейность амплитудной характеристики модулятора, что приводит к искажению выходного амплитудно-модулированного сигнала.
Из известных технических решений наиболее близким по технической сущности к заявляемому является амплитудный модулятор (Патент на полезную модель RU №192802, МПК H03C 1/00, Землянухин П.А., опубл. 01.10.2019, БИ №28). В этом устройстве имеются четыре транзистора n-p-n-типа, восемь резисторов, пять конденсаторов, катушка индуктивности и источник тока. Первые выводы первого, третьего, седьмого и пятого резисторов, катушки индуктивности, третьего конденсатора и коллекторов первого и третьего транзисторов соединены с шиной положительного источника напряжения питания. Второй вывод первого резистора, первый вывод второго резистора и второй вывод первого конденсатора соединены с базой первого транзистора. Коллектор второго транзистора соединен со вторыми выводами катушки индуктивности и третьего конденсатора и является выходом устройства. Второй вывод третьего резистора, первый вывод четвертого резистора и второй вывод второго конденсатора соединены с базой четвертого транзистора. К первому выводу первого конденсатора прикладывается гармонический сигнал, являющийся несущим колебанием. К первому выводу второго конденсатора прикладывается модулирующий сигнал. Эмиттеры первого и второго транзисторов соединены с коллектором четвертого транзистора. Первый вывод источника тока соединен с эмиттерами третьего и четвертого транзисторов. Второй вывод седьмого резистора, первый вывод восьмого резистора и первый вывод четвертого конденсатора соединены с базой третьего транзистора. Второй вывод пятого резистора, первый вывод шестого резистора и первый вывод пятого конденсатора соединены с базой второго транзистора. Вторые выводы второго, четвертого, шестого и восьмого резисторов, четвертого и пятого конденсаторов и источника тока соединены с общей шиной.
Признаками прототипа, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие четырех транзисторов n-p-n-типа, восьми резисторов, четырех конденсаторов, катушки индуктивности и источника тока. Причем первые выводы первого, третьего и седьмого резисторов, коллекторы первого и третьего транзисторов соединены с шиной источника положительного напряжения питания. Второй вывод первого резистора, первый вывод второго резистора и второй вывод первого конденсатора соединены с базой первого транзистора. Второй вывод третьего резистора, первый вывод четвертого резистора и второй вывод второго конденсатора соединены с базой четвертого транзистора. Второй вывод седьмого резистора, первый вывод восьмого резистора и второй вывод четвертого конденсатора соединены между собой. Вторые выводы катушки индуктивности и третьего конденсаторы соединены между собой и с шиной выхода модулятора. К первому выводу первого конденсатора прикладывается гармонический сигнал несущего колебания. К первому выводу второго конденсатора прикладывается модулирующий сигнал.
Прототипу свойственны следующие недостатки.
В прототипе первый, второй транзисторы и третий, четвертый транзисторы образуют две дифференциальные пары транзисторов, когда ток, характеризующий модулирующий сигнал, с коллектора четвертого транзистора будет поступать в точку соединения эмиттеров первого и второго транзисторов. Сигнал несущего колебания, поступающий через первый конденсатор на базу первого транзистора, будет изменяться относительно опорного напряжения, формируемого резистивным делителем, выполненным с использованием пятого и шестого резисторов, на базе второго транзистора. Модулирующий сигнал, поступающий через второй конденсатор на базу четвертого транзистора, будет изменяться относительно опорного напряжения, формируемого резистивным делителем, выполненным с использованием седьмого и восьмого резисторов, на базе третьего транзистора. В этом случае, учитывая, что входная и соответственно проходная характеристики транзисторов носят явно выраженный нелинейный характер на начальном участке, при переключении дифференциальных пар транзисторов будут возникать нелинейные искажения токов, характеризующих сигналы несущего колебания и модулирующего, и соответственно тока в коллекторе второго транзистора. Все это будет приводить к снижению линейности амплитудной характеристики амплитудного модулятора.
Технический результат амплитудного модулятора состоит в том, что он позволяет обеспечить улучшенную линейность амплитудной характеристики амплитудного модулятора.
Доказательство наличия причинно-следственной связи между заявляемой совокупностью признаков и достигаемым техническим результатом приводится далее.
Для достижения технического результата в известное устройство дополнительно введены: два транзистора n-p-n-типа, три резистора и два источника тока.
Технический результат достигается тем, что в амплитудный модулятор, содержащий первый 4, второй 7, третий 14 и четвертый 10 транзисторы n-p-n-типа, первый 2, второй 3, третий 16, четвертый 17, пятый 5, шестой 8, седьмой 19 и восьмой 20 резисторы, первый 1, второй 18, третий 25 и четвертый 12 конденсаторы, катушку индуктивности 24 и источник тока 6, где первые выводы первого 2, третьего 16 и седьмого 19 резисторов, коллектора первого 4 и третьего 14 транзисторов соединены с шиной источника положительного напряжения питания 27. Второй вывод первого резистора 2, первый вывод второго резистора 3 и второй вывод первого конденсатора 1 соединены с базой первого транзистора 4. К первому выводу первого конденсатора 1 прикладывается гармонический сигнал несущего колебания. Второй вывод третьего резистора 16, первый вывод четвертого резистора 17 и второй вывод второго конденсатора 18 соединены с базой третьего транзистора 14. Второй вывод седьмого резистора 19, первый вывод восьмого резистора 20 и второй вывод четвертого конденсатора 12 соединены между собой. Вторые выводы катушки индуктивности 24 и третьего конденсаторы 25 соединены между собой, представляя шину выходного сигнала 28 модулятора, введены пятый 21 и шестой 23 транзисторы n-p-n-типа, девятый 9, десятый 11 и одиннадцатый 15 резисторы, второй 13 и третий 22 источники тока, причем вторые выводы второго 3, четвертого 17 и восьмого 20 резисторов, первого 6, второго 13 и третьего 22 источников тока, первого вывода третьего конденсатора 25 соединены с шиной источника отрицательного напряжения питания 29. Первый вывод пятого резистора 5 соединен с эмиттером первого транзистора 4, первый вывод шестого резистора 8 и эмиттер второго транзистора 7 соединены между собой, вторые выводы пятого 5 и шестого 8 резисторов соединены с первым выводом первого источника тока 6. Первый вывод десятого резистора 11 соединен с эмиттером четвертого транзистора 10, первый вывод одиннадцатого резистора 15 и эмиттер третьего транзистора 14 соединены между собой, вторые выводы десятого 11 и одиннадцатого 15 резисторов соединены с первым выводом второго источника тока 13. Коллекторы второго 7 и четвертого 10 транзисторов соединены с вторым выводом девятого резистора 9 и первым выводом четвертого конденсатора 12. Базы второго 7, четвертого 10 и шестого 23 транзисторов соединены с общей шиной 30. На первый вывод второго конденсатора 18 по шине 31 подается модулирующий сигнал. Коллекторы пятого 21 и шестого 23 транзисторов, первый вывод девятого резистора 9 соединены с шиной источника положительного напряжения питания 22. Эмиттеры пятого 21 и шестого 23 транзисторов, первый вывод третьего источника тока 22 и первый вывод катушки индуктивности 24 соединены между собой. База пятого транзистора 21 подключена к узлу соединения второго вывода седьмого резистора 19, первого вывода восьмого резистора 20 и второго вывода четвертого конденсатора 12.
Сущность предлагаемого устройства поясняется чертежами.
На фиг.1 представлена схема электрическая принципиальная амплитудного модулятора.
На фиг.2 представлены диаграммы модулированного сигнала (верхняя диаграмма) и напряжения в узле соединения коллекторов второго и четвертого транзисторов, второго вывода девятого резистора и первого вывода четвертого конденсатора, когда модулирующий сигнал представляет собой тональный сигнал (нижняя диаграмма).
На фиг.3 представлены диаграммы модулированного сигнала (верхняя диаграмма) и модулирующего сигнала, представляющего собой сумму двух спектральных составляющих, имеющих различные частоты и амплитуды (нижняя диаграмма).
На фиг.4 представлены диаграммы модулированного сигнала (верхняя диаграмма) и модулирующего сигнала, представляющего собой дискретный сигнал (нижняя диаграмма).
Диаграммы, представленные на фиг.2, фиг.3 и фиг.4, получены моделированием амплитудного модулятора (фиг.1). Моделирование выполнено с использованием программы схемотехнического моделирования Micro-Cap 9.
Амплитудный модулятор, содержит первый 4, второй 7, третий 14 и четвертый 10 транзисторы n-p-n-типа, первый 2, второй 3, третий 16, четвертый 17, пятый 5, шестой 8, седьмой 19, восьмой 20, девятый 9, десятый 11 и одиннадцатый 15 резисторы, первый 1, второй 18, третий 25 и четвертый 12 конденсаторы, катушку индуктивности 24 и первый 6, второй 13, третий 22 источники тока. Первые выводы первого 2, третьего 16, седьмого 19 и девятого 9 резисторов, коллекторы первого 4, третьего 14, пятого 21 и шестого 23 транзисторов соединены с шиной источника положительного напряжения питания 27. Второй вывод первого резистора 2, первый вывод второго резистора 3 и второй вывод первого конденсатора 1 соединены с базой первого транзистора 4. К первому выводу первого конденсатора 1 прикладывается гармонический сигнал несущего колебания 26. Первый вывод пятого резистора 5 соединен с эмиттером первого транзистора 4. Первый вывод шестого резистора 8 соединен с эмиттером второго транзистора 7. Вторые выводы пятого 5 и шестого 8 резисторов соединены с первым выводом первого источника тока 6. Базы второго 7, четвертого 10 и шестого 23 транзисторов соединены с общей шиной 30. Коллекторы второго 7 и четвертого 10 транзисторов соединены с вторым выводом девятого резистора 9 и первым выводом четвертого конденсатора 12. Первый вывод десятого резистора 11 соединен с эмиттером четвертого транзистора 10. Первый вывод одиннадцатого резистора 15 соединен с эмиттером третьего транзистора 14. Вторые выводы десятого 11 и одиннадцатого 15 резисторов соединены с первым выводом второго источника тока 13. Второй вывод третьего резистора 16 и первый вывод четвертого резистора 17 соединены с базой третьего 14 транзистора и вторым выводом второго конденсатора 18. К первому выводу второго конденсатора 18, соединенного с шиной 31, прикладывается модулирующий сигнал. Второй вывод седьмого резистора 19 и первый вывод восьмого резистора 20 соединены с базой пятого транзистора 21 и вторым выводом четвертого конденсатора 12. Эмиттеры пятого 21 и шестого 23 транзисторов соединены с первым выводом третьего источника тока 22 и первым выводом катушки индуктивности 24. Второй вывод катушки индуктивности 24 и второй вывод третьего конденсатора 25 соединены между собой. Этот узел соединения является выходом 28 амплитудного модулятора. Вторые выводы второго 3, четвертого 17 и восьмого 20 резисторов, вторые выводы первого 6, второго 13 и третьего 22 источников тока и первый вывод третьего конденсатора 25 соединены с шиной источника отрицательного напряжения питания 29.
Работает амплитудный модулятор следующим образом.
На постоянном токе напряжение на базах второго 7, четвертого 10 и шестого 23 транзисторов равно нулю вольт. Делители напряжения, выполненные с использованием первого 2 и второго 3 резисторов, третьего 16 и четвертого 17 резисторов, седьмого 19 и восьмого 20 резисторов, на постоянном токе так же на базах первого 4, третьего 14 и пятого 21 транзисторов поддерживают напряжение близкое к нулю вольт. В этом случае токи первого 6, второго 13 и третьего 22 источников тока распределяются поровну между первым 4 и вторым 7 транзисторами, четвертым 10 и третьим 14 транзисторами, пятым 21 и шестым 23 транзисторами. На сопротивлении девятого резистора 9 падает постоянное напряжение, определяющее напряжение в рабочей точке между коллектором и эмиттером второго 7 и четвертого 10 транзисторов. Сигнал на выходе 28 амплитудного модулятора отсутствует.
На переменном токе через первый конденсатор 1 на базу первого транзистора 4 подается несущее колебание, являющееся гармоническим сигналом. В этом случае в коллекторной цепи второго транзистора 7 начнет протекать ток, изменяющийся по гармоническому закону. При приложении к первому выводу второго конденсатора 18 модулирующего сигнала этот сигнал будет прикладываться к базе третьего транзистора 14. В результате этого в коллекторной цепи третьего транзистора 14 начнет протекать ток, отражающий изменения модулирующего сигнала. В узле соединения коллекторов второго 7 и четвертого 10 транзисторов, второго вывода девятого резистора 9 будет формироваться сигнал, представляющий собой произведение гармонического сигнала, являющегося несущим колебанием, и модулирующего сигнала (фиг.2, нижняя диаграмма). Произведение сигналов через четвертый конденсатор 12 подается на базу пятого транзистора 21. Пятый 21 и шестой 23 транзисторы включены таким образом, что в эмиттерной цепи этих транзисторов будут формироваться импульсы напряжения, следующие с частотой несущего колебания, а амплитуды импульсов будут определяться изменениями модулирующего сигнала. Сформированные импульсы напряжения прикладываются к последовательному колебательному контуру, включающему последовательно соединенные катушку индуктивности 24 и третий конденсатор 25. На выходе 28 амплитудного модулятора появится амплитудно-модулированный сигнал. Для примера на фиг.2 (верхняя диаграмма) приведен амплитудно-модулированный сигнал при тональной модуляции, а на фиг.3 (верхняя диаграмма) приведен амплитудно-модулированный сигнал, когда модулирующий сигнал включает две спектральные составляющие с разными частотами и амплитудами (фиг.3, нижняя диаграмма). На фиг.4 приведены амплитудно-модулированный (амплитудно-манипулированный) сигнал (верхняя диаграмма) и модулирующий сигнал, представляющий собой последовательность разнополярных импульсов.
В амплитудном модуляторе имеются пятый 5, шестой 8, десятый 11 и одиннадцатый 15 резисторы, каждый из которых последовательно соединен с эмиттерами первого 4, второго 7, четвертого 10 и третьего 14 транзисторов, соответственно. Это позволяет повысить линейность проходной характеристики транзисторов, что обеспечивает улучшение линейности амплитудной характеристики амплитудного модулятора.
Можно видеть, что при формировании амплитудно-модулированных сигналов в качестве модулирующего сигнала может использоваться как непрерывный сигнал, там и дискретный сигнал, при этом амплитудный модулятор имеет улучшенную линейность амплитудной характеристики.
Таким образом, доказана практическая реализуемость заявляемого устройства амплитудного модулятора.
Промышленная применимость этого устройства возможна в технике формирования радиосигналов и может быть использована в радиопередающих устройствах, телекоммуникационных системах и устройствах, где требуется перемножение радиосигналов с низким уровнем искажений амплитудно-модулированного сигнала не зависимо от формы модулирующего сигнала.

Claims (1)

  1. Амплитудный модулятор, содержащий первый, второй, третий и четвертый транзисторы n-p-n-типа, первый, второй, третий, четвертый, пятый, шестой, седьмой и восьмой резисторы, первый, второй, третий и четвертый конденсаторы, катушку индуктивности и источник тока, где первые выводы первого, третьего и седьмого резисторов, коллекторы первого и третьего транзисторов соединены с шиной источника положительного напряжения питания, второй вывод первого резистора, первый вывод второго резистора и второй вывод первого конденсатора соединены с базой первого транзистора, к первому выводу первого конденсатора прикладывается гармонический сигнал несущего колебания, второй вывод третьего резистора, первый вывод четвертого резистора и второй вывод второго конденсатора соединены с базой третьего транзистора, второй вывод седьмого резистора, первый вывод восьмого резистора и второй вывод четвертого конденсатора соединены между собой, вторые выводы катушки индуктивности и третьего конденсатора соединены между собой, этот узел соединения является выходом амплитудного модулятора, отличающийся тем, что в него дополнительно введены пятый и шестой транзисторы n-p-n-типа, девятый, десятый и одиннадцатый резисторы, второй и третий источники тока, причем вторые выводы второго, четвертого и восьмого резисторов, первого, второго и третьего источников тока, первого вывода третьего конденсатора соединены с шиной источника отрицательного напряжения питания, первый вывод пятого резистора соединен с эмиттером первого транзистора, первый вывод шестого резистора и эмиттер второго транзистора соединены между собой, вторые выводы пятого и шестого резисторов соединены с первым выводом первого источника тока, первый вывод десятого резистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, первый вывод одиннадцатого резистора и эмиттер третьего транзистора соединены между собой, вторые выводы десятого и одиннадцатого резисторов соединены с первым выводом второго источника тока, коллекторы второго и четвертого транзисторов соединены с вторым выводом девятого резистора и первым выводом четвертого конденсатора, базы второго, четвертого и шестого транзисторов соединены с общей шиной, на первый вывод второго конденсатора поступает модулирующий сигнал, коллекторы пятого и шестого транзисторов, первый вывод девятого резистора соединены с шиной источника положительного напряжения питания, эмиттеры пятого и шестого транзисторов, первый вывод третьего источника тока и первый вывод катушки индуктивности соединены между собой, база пятого транзистора подключена к узлу соединения второго вывода седьмого резистора, первого вывода восьмого резистора и второго вывода четвертого конденсатора.
RU2021109552U 2021-04-07 2021-04-07 Амплитудный модулятор RU205933U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021109552U RU205933U1 (ru) 2021-04-07 2021-04-07 Амплитудный модулятор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021109552U RU205933U1 (ru) 2021-04-07 2021-04-07 Амплитудный модулятор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU205933U1 true RU205933U1 (ru) 2021-08-12

Family

ID=77348844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021109552U RU205933U1 (ru) 2021-04-07 2021-04-07 Амплитудный модулятор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU205933U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU216552U1 (ru) * 2022-11-08 2023-02-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" Модифицированный инвариантный амплитудный модулятор с двумя опорными сигналами

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4672300A (en) * 1985-03-29 1987-06-09 Braydon Corporation Direct current power supply using current amplitude modulation
RU2049372C1 (ru) * 1992-04-28 1995-11-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Генератор" Система связи
RU53519U1 (ru) * 2005-11-30 2006-05-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ (ТУ)") Векторный фазовый модулятор
RU192802U1 (ru) * 2019-06-18 2019-10-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Амплитудный модулятор

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4672300A (en) * 1985-03-29 1987-06-09 Braydon Corporation Direct current power supply using current amplitude modulation
RU2049372C1 (ru) * 1992-04-28 1995-11-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Генератор" Система связи
RU53519U1 (ru) * 2005-11-30 2006-05-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ (ТУ)") Векторный фазовый модулятор
RU192802U1 (ru) * 2019-06-18 2019-10-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Амплитудный модулятор

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU216552U1 (ru) * 2022-11-08 2023-02-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" Модифицированный инвариантный амплитудный модулятор с двумя опорными сигналами

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2321269A (en) Frequency modulation
RU205933U1 (ru) Амплитудный модулятор
RU192802U1 (ru) Амплитудный модулятор
US4301499A (en) Inverter circuit with current equalization
US4609879A (en) Circuitry for a selective push-pull amplifier
RU192630U1 (ru) Амплитудный модулятор
RU2783621C1 (ru) Модулятор амплитудно-модулированных сигналов
US7546095B2 (en) Frequency multiplier
JPH0766643A (ja) 電圧−電流変換器
US3783304A (en) Constant pulse width generator
Grebene Monolithic waveform generation
RU206024U1 (ru) Синхронный детектор
RU169928U1 (ru) Умножитель частоты гармонических колебаний
CN112039515B (zh) 一种并联型非对称二极管桥忆阻模拟器
RU191295U1 (ru) Умножитель частоты гармонических колебаний
RU2273088C1 (ru) Генератор хаотических колебаний
RU191375U1 (ru) Транзисторный двухтактный формирователь однополярных прямоугольных импульсов
RU173469U1 (ru) Умножитель частоты гармонических колебаний
US3440564A (en) Astable relaxation oscillator including a bilateral limiter in the output circuit
US4255721A (en) Temperature compensated integratable RC oscillator
GB754216A (en) Improvements in or relating to circuit arrangements for the generation of frequency modulated oscillations
RU201125U1 (ru) Формирователь шумового сигнала
RU2581569C1 (ru) Удвоитель частоты синусоидального сигнала
RU2533314C1 (ru) Гармонический умножитель частоты
RU2793281C1 (ru) Генератор хаотических колебаний