RU192630U1 - Амплитудный модулятор - Google Patents
Амплитудный модулятор Download PDFInfo
- Publication number
- RU192630U1 RU192630U1 RU2019119044U RU2019119044U RU192630U1 RU 192630 U1 RU192630 U1 RU 192630U1 RU 2019119044 U RU2019119044 U RU 2019119044U RU 2019119044 U RU2019119044 U RU 2019119044U RU 192630 U1 RU192630 U1 RU 192630U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- terminal
- transistor
- capacitor
- resistor
- common bus
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/36—Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Предлагаемая полезная модель относится к технике формирования радиосигналов и может быть использована в радиопередающих устройствах, телекоммуникационных системах и других устройствах, где требуется формирование амплитудно-модулированных сигналов.Технический результат полезной модели состоит в том, что амплитудный модулятор позволяет сформировать амплитудно-модулированный сигнал с верхней частотой работы существенно выше в сравнении с прототипом и аналогами.Это достигается тем, что в амплитудный модулятор дополнительно введены четвертый, пятый и шестой резисторы, где вторые выводы четвертого и пятого резисторов и первый вывод шестого резистора соединены с вторым выводом третьего конденсатора, к первому выводу четвертого резистора относительно общей шины прикладывается гармонический сигнал, являющийся несущим колебанием, к первому выводу пятого резистора относительно общей шины прикладывается модулирующий сигнал, второй вывод шестого резистора и первый вывод четвертого конденсатора соединены с общей шиной. 4 ил.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к технике формирования радиосигналов и может быть использована в радиопередающих устройствах, телекоммуникационных системах и других устройствах, где требуется формирование амплитудно-модулированных сигналов.
Известно устройство амплитудного модулятора (Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. 3-е изд. перераб. и доп. М.: Высшая школа, с. 291), включающее биполярный транзистор n-p-n-типа, первый и второй конденсаторы, катушку индуктивности, источник несущего колебания uнес(t), источник модулирующего сигнала uмод(t) и источник, обеспечивающий напряжение смещения U0 между базой и эмиттером транзистора на постоянном токе. В этом устройстве эмиттер транзистора соединен с общей шиной. Источники несущего колебания uнес(t), модулирующего сигнала uмод(t) и напряжения смещения U0 соединены последовательно и это последовательное соединение включено между базой транзистора и общей шиной. Первые выводы первого конденсатора и индуктивной катушки соединены между собой. К этому узлу соединения прикладывается положительное напряжение +Епит источника питания. Вторые выводы первого конденсатора и индуктивной катушки соединены между собой. Отвод от индуктивной катушки соединен с коллектором транзистора и первым выводом второго конденсатора. Второй вывод второго конденсатора является выходом устройства.
Признаками аналога, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие биполярного транзистора n-p-n-типа, первого и второго конденсаторов и индуктивной катушки.
К недостаткам аналога можно отнести следующее. В этом устройстве транзистор работает с отсечкой тока, формируя импульсы тока, управляющие колебательным контуром, что обеспечивает формирование амплитудно-модулированного сигнала на выходе устройства. Проходная характеристика транзистора на начальном участке имеет явно выраженную нелинейную зависимость тока коллектора транзистора от напряжения, прикладываемого между базой и эмиттером транзистора. Это приводит к сильным нелинейным искажениям импульсов тока и соответственно напряжения на выходе амплитудного модулятора. Кроме этого следует отметить, что сигналы от источников несущего колебания и модулирующего сигнала подаются на базу транзистора, а нагрузка в виде колебательного контура включена в коллекторную цепь транзистора. Это говорит о том, что транзистор включен по схеме с общим эмиттером. При подобном включении проявляется эффект Миллера, который приводит к уменьшению верхней частоты работы амплитудного модулятора. Суть этого эффекта состоит в том, что паразитная емкость p-n-перехода коллектор-база транзистора, увеличенная в число раз, равное коэффициенту усиления тока транзистором при включении его по схеме с общим эмиттером, приводится к базе транзистора. Тогда можно считать, что относительно базы транзистора включен фильтр нижних частот с большой паразитной емкостью. Это сильно снижает верхнюю частоту работы усилительного каскада и соответственно в данном случае амплитудного модулятора. Для примера в работе [Усилители на биполярных транзисторах: Методические указания / Перм. ун-т; Сост.И.Л. Вольхин, Н.Н. Коротаев, А.Г. Михайловский - Пермь, 1998. - 36 с.] приведен расчет частотных свойств каскада, в котором транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Выбран транзистор КТ315Б с параметрами: (β=50÷350, fг=250 МГц, Сбк≈Скэ=7 пФ, где Скэ - емкость между коллектором и эмиттером транзистора; Ск6 - емкость p-n-перехода коллектор-база транзистора; β - коэффициент усиления базового тока при включении транзистора по схеме с общим эмиттером; fг - граничная частота работы транзистора. Расчеты показывают, что верхняя частота работы усилительного каскада, когда коэффициент усиления каскада снижается до уровня 0,707, равна 2,1 МГц, что в 119 раз меньше граничной частоты транзистора.
Известно устройство амплитудного модулятора (Радиотехнические цепи и сигналы: учеб. пособие для вузов / И.С. Гоноровский. - 5-е изд., испр. и доп. - М.: Дрофа, 2006. - с. 363, рис. 8.45), включающее биполярный транзистор n-p-n-типа, два трансформатора, индуктивную катушку, переменный резистор и четыре конденсатора. Первый вывод вторичной обмотки первого трансформатора соединен с базой транзистора. Второй вывод вторичной обмотки первого трансформатора соединен с первым выводом вторичной обмотки второго трансформатора и первым выводом второго конденсатора. Второй вывод второго конденсатора, эмиттер транзистора и первый вывод третьего конденсатора соединены с общей шиной. Второй вывод вторичной обмотки второго трансформатора соединен со средним выводом переменного резистора. Второй вывод переменного резистора соединен с общей шиной. Между общей шиной и первым выводом переменного резистора прикладывается постоянное напряжение Еб0, которое обеспечивает приложение напряжения смещения Есм между базой и эмиттером транзистора, что определяет положение рабочей точки транзистора на постоянном токе. К первому и второму выводам первичной обмотки второго трансформатора прикладывается модулирующий сигнал s(t). Первые выводы первичной обмотки первого трансформатора и первого конденсатора соединены между собой. К узлу их соединения прикладывается несущее колебание, изменяющееся по гармоническому закону с частотой ω0. Вторые выводы первичной обмотки первого трансформатора и первого конденсатора соединены с общей шиной. Первые выводы индуктивной катушки и четвертого конденсатора соединены с коллектором транзистора. Этот узел соединения является выходом устройства. Вторые выводы индуктивной катушки и четвертого конденсатора соединены с вторым выводом третьего конденсатора и положительным выводом источника напряжения питания. Отрицательный вывод источника напряжения питания соединен с общей шиной. В этом устройстве вторичные обмотки первого и второго трансформаторов и переменный резистор включены последовательно, что позволяет приложить между базой и эмиттером транзистора, относительно напряжения смещения Еск, сумму напряжений: Ecos(ω0t)+еΩ(t), где первое слагаемое определяет несущее колебание, а второе - модулирующий сигнал.
Признаками аналога, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие биполярного транзистора, четырех конденсаторов, индуктивной катушки и резистора.
К недостаткам аналога следует отнести следующее. В аналоге имеются два трансформатора. Наличие этих элементов приводит к возникновению искажений, как входных сигналов, так и выходного амплитудно-модулированного сигнала. В устройстве транзистор работает с отсечкой тока, что обеспечивает формирование импульсов тока, которые управляют колебательным контуром. Это обеспечивает формирование амплитудно-модулированного сигнала на выходе устройства. Однако проходная характеристика транзистора на начальном участке имеет явно выраженную нелинейную зависимость тока коллектора транзистора от напряжения, прикладываемого между базой и эмиттером транзистора. Это приводит к возникновению сильных нелинейных искажений импульсов тока и соответственно напряжения на выходе амплитудного модулятора. Кроме этого в устройстве транзистор включен по схеме с общим эмиттером. При подобном включении транзистора проявляется эффект Миллера, приводящий к снижению верхней частоты работы устройства. Действие этого эффекта заключается в том, что паразитная емкость p-n-перехода коллектор-база транзистора, увеличенная в число раз, равное коэффициенту усиления тока транзистором при включении его по схеме с общим эмиттером, приводится к базе транзистора. Это сильно снижает верхнюю частоту работы усилительного каскада и соответственно в данном случае амплитудного модулятора. В работе [Усилители на биполярных транзисторах: Методические указания / Перм. ун-т; Сост. И.Л. Вольхин, Н.Н. Коротаев, А.Г. Михайловский - Пермь, 1998. - 36 с.] приведен расчет частотных свойств каскада, в котором транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Выбран транзистор КТ315Б с параметрами: β=50÷350, fг=250 МГц, Сбк≈Скэ=7 пФ, где Скэ - емкость между коллектором и эмиттером транзистора; Скб - емкость p-n-перехода коллектор-база транзистора; β - коэффициент усиления базового тока при включении транзистора по схеме с общим эмиттером; fг - граничная частота работы транзистора. Расчеты показывают, что верхняя частота работы усилительного каскада, когда коэффициент усиления каскада снижается до уровня 0,707, равна 2,1 МГц, что в 119 раз меньше граничной частоты транзистора.
Из известных технических решений наиболее близким по технической сущности к заявляемому является амплитудный модулятор (Формирование модулированных сигналов, рис. 23. - URL: http://conture.bv/post/443. Дата обращения 01.04.2019). В этом амплитудном модуляторе имеются: биполярный транзистор p-n-p-типа, первый, второй и третий резисторы, первый, второй, третий и четвертый конденсаторы и индуктивная катушка. Второй вывод первого резистора, первый вывод второго резистора и второй вывод четвертого конденсатора соединены с базой транзистора. Первые выводы первого резистора, первого конденсатора и индуктивной катушки соединены с шиной источника отрицательного напряжения питания. Вторые выводы первого конденсатора, индуктивной катушки и первый вывод второго конденсатора соединены с коллектором транзистора. Первые выводы третьего резистора и третьего конденсатора соединены с эмиттером транзистора. Вторые выводы второго и третьего резисторов соединены с общей шиной. К первому выводу четвертого конденсатора прикладывается гармонический сигнал s(t), который выполняет роль несущего колебания. К второму выводу третьего конденсатора прикладывается модулирующий сигнал u(t). С второго вывода второго конденсатора снимается выходной амплитудно-модулированный сигнал sAM(t).
Признаками прототипа, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие биполярного транзистора, первого, второго и третьего резисторов, первого, второго, третьего и четвертого конденсаторов и индуктивной катушки. Причем второй вывод первого резистора, первый вывод второго резистора и второй вывод четвертого конденсатора соединены с базой транзистора. Первые выводы первого резистора, первого конденсатора и индуктивной катушки соединены с шиной источника напряжения питания. Вторые выводы первого конденсатора, индуктивной катушки и первый вывод второго конденсатора соединены с коллектором транзистора. Второй вывод второго конденсатора является выходом устройства. Первые выводы третьего резистора и третьего конденсатора соединены с эмиттером транзистора. Вторые выводы второго и третьего резисторов соединены с общей шиной.
Прототипу свойственны следующие недостатки.
В устройстве относительно гармонического сигнала, прикладываемого к базе транзистора, транзистор работает с отсечкой тока, что позволяет сформировать импульсы тока, управляющие колебательным контуром. Это обеспечивает формирование амплитудно-модулированного сигнала на выходе устройства. Так как проходная характеристика транзистора на начальном участке имеет сильную нелинейную зависимость тока коллектора транзистора от напряжения, прикладываемого между базой и эмиттером транзистора, то это приводит к большим нелинейным искажениям импульсов тока и соответственно напряжения на выходе амплитудного модулятора. Кроме этого следует отметить, что частота изменения гармонического сигнала, прикладываемого к базе транзистора, на несколько порядков выше частоты изменения модулирующего сигнала. В этом случае относительно гармонического сигнала транзистор будет включен по схеме с общим эмиттером. В этом случае применительно к транзистору будет проявляется эффект Миллера, приводящий к уменьшению верхней частоты работы устройства. Действие этого эффекта заключается в том, что паразитная емкость p-n-перехода коллектор-база транзистора, увеличенная в число раз, равное коэффициенту усиления тока базы транзистора, приводится к базе транзистора. Это сильно снижает верхнюю частоту работы амплитудного модулятора. В работе [Усилители на биполярных транзисторах: Методические указания / Перм. ун-т; Сост. И.Л. Вольхин, Н.Н. Коротаев, А.Г. Михайловский - Пермь, 1998. - 36 с.] приведен расчет частотных свойств каскада, в котором транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Выбран транзистор КТ315Б с параметрами: β=50÷350, fг=250 МГц, Сбк≈Скэ=7 пФ, где Скэ - емкость между коллектором и эмиттером транзистора; Скб - емкость p-n-перехода коллектор-база транзистора; β - коэффициент усиления базового тока при включении транзистора по схеме с общим эмиттером; fг - граничная частота работы транзистора.. Расчеты показывают, что верхняя частота работы усилительного каскада, когда коэффициент усиления каскада снижается до уровня 0,707, равна 2,1 МГц, что в 119 раз меньше граничной частоты транзистора.
Технический результат амплитудного модулятора состоит в том, что он позволяет сформировать амплитудно-модулированный сигнал с верхней частотой работы существенно выше в сравнении с прототипом и аналогами.
Доказательство наличия причинно-следственной связи между заявляемой совокупностью признаков и достигаемым техническим результатом приводится далее.
Для достижения технического результата в известное устройство дополнительно введены: четвертый, пятый и шестой резисторы.
Технический результат достигается тем, что в амплитудный модулятор, содержащий биполярный транзистор 7, первый 9, второй 10 и третий 8 резисторы, первый 6, второй 12, третий 4 и четвертый 11 конденсаторы и индуктивную катушку 5, где второй вывод первого резистора 9, первый вывод второго резистора 10, второй вывод четвертого конденсатора 11 соединены с базой транзистора 7, первые выводы первого резистора 9, первого конденсатора 6 и индуктивной катушки 5 соединены с шиной источника напряжения питания 15, вторые выводы первого конденсатора 6, индуктивной катушки 5 и первый вывод второго конденсатора 12 соединены с коллектором транзистора 7, второй вывод второго конденсатора 12 является выходом устройства 16, первый вывод третьего резистора 8 и первый вывод третьего конденсатора 4 соединены с эмиттером транзистора 7, вторые выводы второго 10 и третьего 8 резисторов соединены с общей шиной 17, введены четвертый 1, пятый 2 и шестой 3 резисторы, причем вторые выводы четвертого 1 и пятого 2 резисторов и первый вывод шестого резистора 3 соединены с вторым выводом третьего 4 конденсатора, к первому выводу четвертого резистора 1 относительно общей шины 17 прикладывается гармонический сигнал 13, являющийся несущим колебанием, к первому выводу пятого резистора 2 относительно общей шины 17 прикладывается модулирующий сигнал 14, второй вывод шестого резистора 3 и первый вывод четвертого конденсатора 11 соединены с общей шиной 17.
Сущность предлагаемого устройства поясняется чертежами.
На фиг. 1 представлена схема электрическая принципиальная амплитудного модулятора.
На фиг. 2 представлены диаграммы суммарного сигнала, включающего гармонический сигнал и одну спектральную составляющую модулирующего сигнала (верхняя диаграмма) и амплитудно-модулированный сигнал на выходе амплитудного модулятора (нижняя диаграмма).
На фиг. 3 представлены диаграммы суммарного сигнала, включающего гармонический сигнал и две спектральных составляющих модулирующего сигнала (верхняя диаграмма) и амплитудно-модулированный сигнал на выходе амплитудного модулятора (нижняя диаграмма).
На фиг. 4 представлены диаграммы гармонического сигнала, изменяющегося с частотой 30 МГц, (верхняя диаграмма) и амплитудно-модулированный сигнал, полученный при использовании данного гармонического сигнала и модулирующего сигнала с одной спектральной составляющей (нижняя диаграмма).
Диаграммы, представленные на фиг. 2 - фиг. 4, получены моделированием амплитудного модулятора (фиг. 1). Моделирование выполнено с использованием программы схемотехнического моделирования Micro-Cap 9.
Амплитудный модулятор содержит биполярный транзистор 7, первый 9, второй 10, третий 8, четвертый 1, пятый 2 и шестой 3 резисторы, первый 6, второй 12, третий 4 и четвертый 11 конденсаторы и индуктивную катушку 5. Второй вывод первого резистора 9, первый вывод второго резистора 10 и второй вывод четвертого конденсатора 11 соединены с базой транзистора 7. Первые выводы первого резистора 9, первого конденсатора 6 и индуктивной катушки 5 соединены с шиной источника напряжения питания 15. Вторые выводы первого конденсатора 6, индуктивной катушки 5 и первый вывод второго конденсатора 12 соединены с коллектором транзистора 7. Второй вывод второго конденсатора 12 является выходом устройства 16. Первый вывод третьего резистора 8 и первый вывод третьего конденсатора 4 соединены с эмиттером транзистора 7. Вторые выводы четвертого 1 и пятого 2 резисторов и первый вывод шестого резистора 3 соединены с вторым выводом третьего 4 конденсатора. К первому выводу 13 четвертого резистора 1 относительно общей шины 17 прикладывается гармонический сигнал, являющийся несущим колебанием. К первому выводу 14 пятого резистора 2 относительно общей шины 17 прикладывается модулирующий сигнал. Вторые выводы второго 10, третьего 8 и шестого 3 резисторов и первый вывод четвертого конденсатора 11 соединены с общей шиной 17.
Работает амплитудный модулятор следующим образом.
На постоянном токе резистивный делитель, состоящий из первого 9 и второго 10 резисторов, формирует на базе транзистора 7 постоянное напряжение
где Еп - величина напряжения источника питания, прикладываемого между шиной подключения источника питания 15 и общей шиной 17.
В этом случае на третьем резисторе 8 будет падать напряжение
где V0 - напряжение, падающее на прямосмещенном p-n-переходе база-эмиттер транзистора 7.
Величина сопротивления третьего резистора 8 будет определять на постоянном токе величину тока эмиттера транзистора 7.
На переменном токе четвертый 1, пятый 2 и шестой 3 резисторы образуют резистивный сумматор для суммирования гармонического сигнала, прикладываемого к первому выводу 13 четвертого резистора 1, и модулирующего сигнала, прикладываемого к первому выводу 14 пятого резистора 2. На третьем резисторе 6 будет формироваться сумма этих сигналов (фиг. 2 и фиг. 3, верхние диаграммы). С шестого резистора 3 суммарный сигнал через третий конденсатор 4 передается в узел соединения первого вывода третьего конденсатора 4, первого вывода третьего резистора 8 и эмиттера транзистора 7. В этом случае относительно сигнальной составляющей транзистор 7 включен по схеме с общей базой. Положительные полуволны суммарного сигнала будут запирать транзистор 7, снижая ток, протекающий через него, а отрицательные полуволны суммарного сигнала будут открывать транзистор 7, где с ростом интенсивности суммарного сигнала будет возрастать и ток эмиттера транзистора 7. В этом случае будет расти и доля энергии, которая будет передаваться в реактивные элементы колебательного контура, выполненного на первом конденсаторе 6 и индуктивной катушке 5. Колебательный контур, имеющий резонансную частоту, равную частоте гармонического сигнала, за счет переходных процессов, происходящих в нем, обеспечивает выделение спектральной составляющей несущего колебания (гармонического сигнала) и боковых спектральных составляющих, включающих спектральные составляющие модулирующего сигнала. В результате этого на выходе 16 устройства появится амплитудно-модулированный сигнал (фиг. 2 и фиг. 3, нижние диаграммы).
Четвертый конденсатор 11, подключенный к базе транзистора 7, за счет заряда, накопленного в нем, обеспечивает постоянство потенциала на базе транзистора 7 при работе амплитудного модулятора, что обеспечивает качественную работу амплитудного модулятора.
Подача суммарного сигнала в узел подключения эмиттера транзистора 7 позволяет существенно снизить уровень нелинейных искажений амплитудно-модулированного сигнала на выходе устройства, поскольку транзистор работает в режиме близком к линейному.
Включение в амплитудном модуляторе транзистора 7 по схеме с общей базой позволяет существенно увеличить верхнюю частоту работы устройства. Это обеспечивается тем, что при подобном включении транзистора 7 эффект Миллера не проявляется, соответственно верхняя частота работы устройства стремится к граничной частоте транзистора. Для примера на фиг.4 на верхней диаграмме приведен гармонический сигнал, изменяющийся с частотой 30 МГц, а на нижней диаграмме приведен амплитудно-модулированный сигнал, при формировании которого использован данный гармонический сигнал, изменяющийся с частотой 30 МГц.
Таким образом, доказана практическая реализуемость заявляемого устройства амплитудного модулятора.
Промышленная применимость этого устройства возможна в технике формирования радиосигналов и может быть использована в радиопередающих устройствах, телекоммуникационных системах и других устройствах, где требуется формирование амплитудно-модулированных сигналов.
Claims (1)
- Амплитудный модулятор, содержащий биполярный транзистор, первый, второй и третий резисторы, первый, второй, третий и четвертый конденсаторы и индуктивную катушку, где второй вывод первого резистора, первый вывод второго резистора, второй вывод четвертого конденсатора соединены с базой транзистора, первые выводы первого резистора, первого конденсатора и индуктивной катушки соединены с шиной источника напряжения питания, вторые выводы первого конденсатора, индуктивной катушки и первый вывод второго конденсатора соединены с коллектором транзистора, второй вывод второго конденсатора является выходом устройства, первый вывод третьего резистора и первый вывод третьего конденсатора соединены с эмиттером транзистора, вторые выводы второго и третьего резисторов соединены с общей шиной, отличающийся тем, что в него дополнительно введены четвертый, пятый и шестой резисторы, причем вторые выводы четвертого и пятого резисторов и первый вывод шестого резистора соединены с вторым выводом третьего конденсатора, к первому выводу четвертого резистора относительно общей шины прикладывается гармонический сигнал, являющийся несущим колебанием, к первому выводу пятого резистора относительно общей шины прикладывается модулирующий сигнал, второй вывод шестого резистора и первый вывод четвертого конденсатора соединены с общей шиной.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019119044U RU192630U9 (ru) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | Амплитудный модулятор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019119044U RU192630U9 (ru) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | Амплитудный модулятор |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU192630U1 true RU192630U1 (ru) | 2019-09-24 |
RU192630U9 RU192630U9 (ru) | 2019-12-04 |
Family
ID=68064040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019119044U RU192630U9 (ru) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | Амплитудный модулятор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU192630U9 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2783621C1 (ru) * | 2022-05-24 | 2022-11-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Модулятор амплитудно-модулированных сигналов |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU203724U1 (ru) * | 2020-09-07 | 2021-04-19 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Формирователь шумового сигнала |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4520328A (en) * | 1981-07-20 | 1985-05-28 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Amplitude modulation circuit having stable modulation characteristics |
EP1211800A2 (en) * | 2000-11-08 | 2002-06-05 | Marconi Communications SPA | Amplitude modulator using a bipolar transistor |
RU2252482C1 (ru) * | 2003-10-10 | 2005-05-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Рязанское конструкторское бюро "Глобус" | Импульсный модулятор |
KR100743282B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2007-07-26 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 통신 장치 |
US20100052806A1 (en) * | 2006-04-21 | 2010-03-04 | Van Zeijl Paulus T M | Modulation for amplitude-modulating a signal |
-
2019
- 2019-06-18 RU RU2019119044U patent/RU192630U9/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4520328A (en) * | 1981-07-20 | 1985-05-28 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Amplitude modulation circuit having stable modulation characteristics |
KR100743282B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2007-07-26 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 통신 장치 |
EP1211800A2 (en) * | 2000-11-08 | 2002-06-05 | Marconi Communications SPA | Amplitude modulator using a bipolar transistor |
RU2252482C1 (ru) * | 2003-10-10 | 2005-05-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Рязанское конструкторское бюро "Глобус" | Импульсный модулятор |
US20100052806A1 (en) * | 2006-04-21 | 2010-03-04 | Van Zeijl Paulus T M | Modulation for amplitude-modulating a signal |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2783621C1 (ru) * | 2022-05-24 | 2022-11-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Модулятор амплитудно-модулированных сигналов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU192630U9 (ru) | 2019-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106537767B (zh) | 限幅振荡电路 | |
US6922101B2 (en) | Phase shift modulation class D amplifier | |
RU192630U1 (ru) | Амплитудный модулятор | |
US3253228A (en) | Modulator-demodulator amplifier | |
US3401327A (en) | Inverter circuit having increased frequency starting | |
US4301499A (en) | Inverter circuit with current equalization | |
US20110267113A1 (en) | Frequency multiplier | |
RU192802U1 (ru) | Амплитудный модулятор | |
US2324275A (en) | Electric translating circuit | |
US3145334A (en) | Devices supplying stabilised feed voltages | |
RU172883U1 (ru) | Устройство для формирования радиоимпульсов | |
US4056786A (en) | Single ended class d amplifier | |
US3783304A (en) | Constant pulse width generator | |
RU2783621C1 (ru) | Модулятор амплитудно-модулированных сигналов | |
US3641462A (en) | L-c oscillator tunable by external dc voltage through phase shifted feedback network | |
RU205933U1 (ru) | Амплитудный модулятор | |
RU191295U1 (ru) | Умножитель частоты гармонических колебаний | |
US3122715A (en) | Frequency converter systems | |
US3106672A (en) | Output voltage control for power conversion apparatus | |
RU2581569C1 (ru) | Удвоитель частоты синусоидального сигнала | |
RU174639U1 (ru) | Устройство для формирования радиоимпульсов | |
RU173469U1 (ru) | Умножитель частоты гармонических колебаний | |
US3435378A (en) | Apparatus for generating modulated waves from pulse-type modulating signal | |
RU182445U1 (ru) | Умножитель частоты гармонических колебаний | |
RU206024U1 (ru) | Синхронный детектор |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TK9K | Amendment to the publication (utility model) |
Free format text: CORRECTION TO CHAPTER -FG4K- IN JOURNAL 27-2019 FOR INID CODE(S) (73) |
|
TH91 | Specification republication (utility model) |