RU2054636C1 - Method of testing photoelectric parameters of photocell unit - Google Patents

Method of testing photoelectric parameters of photocell unit Download PDF

Info

Publication number
RU2054636C1
RU2054636C1 SU5012412A RU2054636C1 RU 2054636 C1 RU2054636 C1 RU 2054636C1 SU 5012412 A SU5012412 A SU 5012412A RU 2054636 C1 RU2054636 C1 RU 2054636C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
active surface
photocells
illumination
photocell
elements
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
М.Л. Хейфец
В.В. Комаров
Original Assignee
Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" filed Critical Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод"
Priority to SU5012412 priority Critical patent/RU2054636C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2054636C1 publication Critical patent/RU2054636C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

FIELD: electronics. SUBSTANCE: method comprises steps of applying illumination onto an active surface of all photocells in order to evaluate quality of separate photocells; then placing a member for differential illumination between the light source and active surface of the photocells; scanning the active surface of the photocells; measuring their output voltage; removing the light source; applying a bias voltage on each photocell, being tested, and measuring dark current, being occurred in the circuit. EFFECT: enhanced accuracy of parameter testing. 1 cl, 2 dwg

Description

Изобретение относится к способам испытания блоков фотоэлементов, а точнее к способам испытания целостности или испытания на наличие вышедшего из строя элемента в матрицах фотоэлементов. The invention relates to methods for testing blocks of solar cells, and more specifically to methods for testing the integrity or testing for the presence of a failed element in the matrix of solar cells.

Известны способы контроля фотоэлектрических параметров фотодиодов, включенных в цепь, и способы контроля темновых токов единичных фотодиодов (фотодиод ФД-292 ТУ 3-1174-88, Горохов В.А. Принципы построения схем с фотодиодами и фототранзисторами для регистрации малых световых сигналов. Сб. Полупроводниковые приборы и их применение./Под ред. Я.А.Федотова. М. Советское радио, вып. 10, 1961). Known methods for monitoring the photovoltaic parameters of photodiodes included in the circuit, and methods for controlling the dark currents of individual photodiodes (photodiode FD-292 TU 3-1174-88, Gorokhov V.A. Semiconductor devices and their application / Edited by Ya.A. Fedotov, M. Sovetskoe Radio, vol. 10, 1961).

Недостатком известных способов является невозможность контроля темнового тока каждого фотоэлемента в составе блока по окончании их монтажа. A disadvantage of the known methods is the inability to control the dark current of each photocell in the unit at the end of their installation.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ испытания блока фотоэлементов, включающий подачу освещения на активную поверхность всех элементов, помещение элемента дифференциального освещения между источником освещения и активной поверхностью элементов, перемещение элемента дифференциального освещения вдоль активной поверхности, измерение выходного напряжения (патент США N 3630627, кл. G 01 J 1/42, H 01 J 39/12, 27.02.70). Closest to the invention, the technical solution is a method of testing a block of photocells, including applying light to the active surface of all the elements, placing the differential lighting element between the light source and the active surface of the elements, moving the differential lighting element along the active surface, measuring the output voltage (US Pat. No. 3,630,627, C. G 01 J 1/42, H 01 J 39/12, 02.27.70).

Наиболее близкое техническое решение не предусматривает и, как следствие, не позволяет осуществлять контроль темновых токов фотодиодов, ввиду чего способ не пригоден для оценки качества блоков фотоэлементов при относительно низких уровнях освещенности и, как следствие, малых значениях фототоков (менее 1 мкА). The closest technical solution does not provide and, as a result, does not allow monitoring the dark currents of photodiodes, which is why the method is not suitable for assessing the quality of photocell blocks at relatively low light levels and, as a result, low photocurrents (less than 1 μA).

Целью изобретения является контроль качества блока фотоэлементов путем обеспечения возможности контроля темновых токов каждого фотоэлемента в составе блока. The aim of the invention is to control the quality of the block of solar cells by providing the ability to control the dark currents of each solar cell in the block.

Цель достигается тем, что по способу после подачи освещения на активную поверхность блока фотоэлементов, помещения элемента дифференциального освещения (осветителя) между источником освещения и активной поверхностью фотоэлементов, сканирования активной поверхности фотоэлементов и измерения выходного напряжения освещение убирается и осуществляется контроль темнового тока при подаче прямого или обратного напряжения смещения такой величины, при которой уравнения прямой и обратной ветвей становится идентичными. The goal is achieved in that according to the method, after applying light to the active surface of the photocell block, placing the differential lighting element (illuminator) between the light source and the active surface of the photocells, scanning the active surface of the photocells and measuring the output voltage, the lighting is removed and the dark current is monitored when direct or reverse bias voltage of a magnitude at which the equations of the forward and reverse branches becomes identical.

Способ контроля фотоэлектрических параметров блока фотоэлементов поясняется на фиг.1 и 2, где представлены схемы включения фотоэлементов для поэлементного контроля темновых токов в составе блока. The method of monitoring the photoelectric parameters of the block of solar cells is illustrated in figures 1 and 2, which shows the inclusion of photocells for element-by-element control of dark currents in the block.

Предлагаемый способ контроля фотоэлектрических параметров блока фотоэлементов осуществляется следующим образом. The proposed method for monitoring the photoelectric parameters of the block of solar cells is as follows.

На активную поверхность всех элементов подают освещение. Затем между источником освещения и активной поверхностью помещают элемент дифференциального освещения и перемещают его вдоль активной поверхности, измеряя выходное напряжение с целью оценки работоспособности блока. После этого освещение убирают, подают напряжение смещения на каждый контролируемый фотоэлемент, включенный в общую цепь, и измеряют темновый ток, возникающий в цепи. При этом контроль темнового тока проводится по схемам, представленным на фиг.1 и 2 следующим образом. On the active surface of all elements serves lighting. Then, a differential lighting element is placed between the light source and the active surface and moved along the active surface, measuring the output voltage in order to assess the health of the unit. After that, the lighting is removed, bias voltage is applied to each monitored photocell included in the common circuit, and the dark current arising in the circuit is measured. In this case, the control of the dark current is carried out according to the schemes presented in figures 1 and 2 as follows.

При отсутствии напряжения смещения ток в цепи близок к нулю. После подачи напряжения, величина которого экспериментально подбирается такой, что обеспечивается идентичность прямого и обратного токов, протекающих через диоды VД2 и VД1 (фиг.1) и VД1 и VД2 (фиг.2) соответственно при изменении полярности прикладываемого напряжения смещения, величина тока растет. Величина тока в каждом конкретном случае измеряется прибором А и на основании этого производится оценка качества фотодиодов по заранее выбранному критерию максимально допустимому значению темнового тока. In the absence of bias voltage, the current in the circuit is close to zero. After applying a voltage, the value of which is experimentally selected such that the forward and reverse currents flowing through the diodes VD2 and VD1 (figure 1) and VD1 and VD2 (figure 2), respectively, are provided when the polarity of the applied bias voltage changes, the current increases. The current value in each case is measured by device A and on the basis of this, the quality of the photodiodes is evaluated according to a pre-selected criterion for the maximum allowable value of the dark current.

Пример осуществления способа. An example implementation of the method.

На активную поверхность элементов VД1 и VД2 подают освещение. Затем между источником освещения и активной поверхностью элементов VД1 и VД2 помещают элемент дифференциального освещения и перемещают его вдоль активной поверхности, измеряя выходное напряжение и по нему определяя работоспособность блока. После этого освещение убирают. При отсутствии напряжения смещения ток в цепи составляет 1-2 нА. После подачи напряжения смещения, равного 0,1 В, ток в цепи возрастает до значений не менее 10 нА. Максимальное значение темнового тока любого фотодиода, определяемое из условий работы прибора, должно быть не более 50 нА. Максимальное значение темнового тока любого фотодиода (результирующего тока в цепи) при любой полярности прикладываемого смещения не должно превышать 50 нА. Фотодиоды, темновые токи которых превышают 50 нА для данного прибора, извлекаются из прибора и заменяются. On the active surface of the elements VD1 and VD2 serves lighting. Then, between the light source and the active surface of the elements VD1 and VD2, a differential lighting element is placed and moved along the active surface, measuring the output voltage and determining the operability of the unit from it. After that, the lighting is removed. In the absence of bias voltage, the current in the circuit is 1-2 nA. After applying a bias voltage of 0.1 V, the current in the circuit rises to values of at least 10 nA. The maximum value of the dark current of any photodiode, determined from the operating conditions of the device, should be no more than 50 nA. The maximum value of the dark current of any photodiode (the resulting current in the circuit) for any polarity of the applied bias should not exceed 50 nA. Photodiodes whose dark currents exceed 50 nA for a given device are removed from the device and replaced.

Предлагаемый способ контроля фотоэлектрических параметров блока фотоэлементов позволяет производить оценку качества отдельных фотоэлементов непосредственно в собранной схеме. The proposed method for monitoring the photoelectric parameters of the block of solar cells allows you to evaluate the quality of individual solar cells directly in the assembled circuit.

Claims (1)

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БЛОКА ФОТОЭЛЕМЕНТОВ, согласно которому подают освещение на активную поверхность всех элементов, размещают элемент дифференциального освещения между источником освещения и активной поверхностью элементов, сканируют активную поверхность элементов, измеряют выходное напряжение, отличающийся тем, что после измерения выходного напряжения освещение убирают, подают напряжение смещения на каждый контролируемый фотоэлемент, при котором прямой и обратный токи идентичны, измеряют темновой ток в общей цепи, сравнивают его с эталонным значением и по результатам сравнения выявляют непригодные фотоэлементы. METHOD FOR CONTROL OF PHOTOELECTRIC PARAMETERS OF A PHOTOCELL ELEMENT, according to which illumination is applied to the active surface of all elements, a differential illumination element is placed between the illumination source and the active surface of the elements, the active surface of the elements is scanned, the output voltage is measured, characterized in that the illumination is removed after the output voltage is measured, the illumination is fed, fed the bias voltage for each monitored photocell, at which the forward and reverse currents are identical, measure the dark current in bschey chain, comparing it with the reference value and the comparison results reveal unsuitable photocells.
SU5012412 1991-08-16 1991-08-16 Method of testing photoelectric parameters of photocell unit RU2054636C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5012412 RU2054636C1 (en) 1991-08-16 1991-08-16 Method of testing photoelectric parameters of photocell unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5012412 RU2054636C1 (en) 1991-08-16 1991-08-16 Method of testing photoelectric parameters of photocell unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2054636C1 true RU2054636C1 (en) 1996-02-20

Family

ID=21589453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5012412 RU2054636C1 (en) 1991-08-16 1991-08-16 Method of testing photoelectric parameters of photocell unit

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2054636C1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент США N 3630627, кл. G 01J 1/42, H 01J 39/12, 27.02.70. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004281706A (en) Method and device for evaluating solar battery using led
DE69113299D1 (en) Chemical luminescence detection apparatus.
SE446774B (en) APPARATUS FOR SEATING THE OPTICAL TRANSMISSION FORM TO THE ATMOSPHERE
Bajaj et al. Spatially resolved characterization of HgCdTe materials and devices by scanning laser microscopy
JPS5780546A (en) Detecting device for foreign substance
FR2571148B1 (en) PHOTODIODE LIGHT BEAM DETECTOR WITH OPERATING POINT ADJUSTMENT CIRCUIT
RU2054636C1 (en) Method of testing photoelectric parameters of photocell unit
ATE103714T1 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR EVALUATING THE OUTPUT SIGNALS OF A PHOTODIODE UNIT.
Chong et al. Novel optical scanner using photodiodes array for two-dimensional measurement of light flux distribution
US5179423A (en) Gain stabilized self-scanning photo-diode array
AU2022295557A1 (en) Outdoor photoluminescence imaging of photovoltaic arrays via optical string modulation
Agostinelli et al. Local inversion of photocurrent in cadmium telluride solar cells
KR880002252A (en) Foreign object detection device
KR101749565B1 (en) Measurement Apparatus for differential spectral responsivity on photovoltaic cells
JPS5629112A (en) Distance measurement unit
NL2034159B1 (en) Optical transmission measuring device and method of measurement
US4793704A (en) Photometric circuit
JP2939026B2 (en) Semiconductor wafer inspection apparatus and inspection method
JPS6476544A (en) Device for testing semiconductor laser driving circuit
CN106855420B (en) Noise reduction method for photoelectric sensor
Murad Improvements in IR photocurrent scanning
JPS61108931A (en) Measuring method of light quantity
Chung et al. High-speed high-dynamic range linear array
JPS6384078A (en) Method for measuring spectral response of solar cell
JPS58100739A (en) Detection apparatus for deterioration of oil