RU2054056C1 - Method for obtaining isotopically pure diamond films - Google Patents
Method for obtaining isotopically pure diamond films Download PDFInfo
- Publication number
- RU2054056C1 RU2054056C1 SU5001007A RU2054056C1 RU 2054056 C1 RU2054056 C1 RU 2054056C1 SU 5001007 A SU5001007 A SU 5001007A RU 2054056 C1 RU2054056 C1 RU 2054056C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- isotopically pure
- diamond
- substrate
- monocrystalline
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-IGMARMGPSA-N Carbon-12 Chemical compound [12C] OKTJSMMVPCPJKN-IGMARMGPSA-N 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-OUBTZVSYSA-N Carbon-13 Chemical compound [13C] OKTJSMMVPCPJKN-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010900 secondary nucleation Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к способу получения монокристаллических алмазных пленок, в частности, из изотопически чистого алмаза. The invention relates to a method for producing single-crystal diamond films, in particular, from isotopically pure diamond.
Алмазы с высокой удельной теплопроводностью, например природные алмазы типа 11А, отличаются очень высокой степенью чистоты и имеют удельную теплопроводность при 25оС (298оК) порядка примерно 21 Вт/см.К. Алмазы с такой высокой удельной теплопроводностью используют в качестве поглощающего тепло материала, какие используются для подложек полупроводников.Diamonds with a high thermal conductivity, such as natural diamonds of type 11A, a very high degree of purity, and have a thermal conductivity at 25 ° C (about 298 K) of the order of about 21 W / sm.K. Diamonds with such a high thermal conductivity are used as heat absorbing material, which are used for semiconductor substrates.
Несмотря на свою высокую стоимость, природные алмазы типа 11А используют в качестве поглощающего тепло материала из-за того, что он имеет самое высокое из известных значений удельной теплопроводности. Традиционно получаемые при высоком давлении и высокой температуре синтетические ювелирные алмазы могут иметь аналогичную высокую удельную теплопроводность. В большинстве своем алмазы, получаемые методами химического отложения паров (ХОП) при низком давлении, не являются монокристаллическими алмазами и имеют значительно более низкие значения удельной теплопроводности, обычно порядка 12 Вт/см.К примерно при 300оК (далее называемой "теплопроводностью при комнатной температуре").Despite its high cost, type 11A natural diamonds are used as heat absorbing material due to the fact that it has the highest known thermal conductivity. Synthetic jewelry diamonds traditionally obtained under high pressure and high temperature can have a similar high thermal conductivity. Most of the diamonds produced by chemical vapor deposition (CVD) at low pressure, are not single crystal diamond and have significantly lower thermal conductivity value, typically about 12 W / sm.K at about 300 ° K (hereinafter called "thermal conductivity at room temperature ").
Известны различные алмазные материалы, которые имеют высокие значения удельной теплопроводности и используются в качестве оптических элементов для очень высокомощных лазерных пучков [1] Эти синтетические алмазы выращены из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13 и могут использоваться для указанных целей при значениях теплопроводности при комнатной температуре в пределах 10 20 Вт /см К. Однако методов получения таких алмазов не предложено. Various diamond materials are known which have high values of thermal conductivity and are used as optical elements for very high-power laser beams [1]. These synthetic diamonds are grown from isotopically pure carbon-12 or carbon-13 and can be used for these purposes at thermal conductivity values at room temperature. temperature within 10 20 W / cm K. However, methods for producing such diamonds are not proposed.
Данное изобретение направлено на получение монокристаллического алмаза, состоящего из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13. Алмаз выращивают на подложке из монокристалла непосредственно из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13. Один из способов получения изотопически чистого монокристаллического алмаза включает стадию введения в реакционную камеру монокристаллической подложки и нагрев ее до температуры образования алмаза. В камеру подают газообразную смесь водорода и углерода с изотопически чистым углеродом-12 или углеродом-13. Затем газообразная смесь хотя бы частично разлагается в камере с образованием изотопически чистого монокристаллического алмазного слоя на монокристаллическом субстрате. Полученный таким образом изотопически чистый монокристаллический алмазный слой необязательно можно удалить с монокристаллического субстрата. This invention is directed to the production of single crystal diamond consisting of isotopically pure carbon-12 or carbon-13. Diamond is grown on a single crystal substrate directly from isotopically pure carbon-12 or carbon-13. One of the methods for producing isotopically pure single-crystal diamond involves the step of introducing a single-crystal substrate into the reaction chamber and heating it to the temperature of diamond formation. A gaseous mixture of hydrogen and carbon with isotopically pure carbon-12 or carbon-13 is fed into the chamber. Then the gaseous mixture at least partially decomposes in the chamber with the formation of an isotopically pure single-crystal diamond layer on a single-crystal substrate. The isotopically pure single crystal diamond layer thus obtained can optionally be removed from the single crystal substrate.
Другой способ получения изотопически чистого монокристаллического алмаза включает процесс химического переноса, когда графит и водород помещают в реакционную камеру, в которой поддерживают температурный режим и давление, характерные для ХОП. Вероятно водород (или атомарный водород) взаимодействует с графитом, в результате чего образуется газообразный углеводород, который затем разлагается как и в обычном процессе ХОП. В этом способе используют изотопически чистый углерод-12 или углерод-13 в виде графита. Another method for producing isotopically pure single-crystal diamond involves a chemical transfer process when graphite and hydrogen are placed in a reaction chamber in which the temperature and pressure typical of OCP are maintained. Most likely, hydrogen (or atomic hydrogen) interacts with graphite, resulting in the formation of gaseous hydrocarbon, which then decomposes as in the usual process of OCP. This method uses isotopically pure carbon-12 or carbon-13 in the form of graphite.
Предполагается, что изотопически чистые монокристаллические алмазные пленки данного изобретения обладают высокой удельной теплопроводностью. Прогнозируемая высокая удельная теплопроводность делает изотопически чистые монокристаллические алмазные пленки данного изобретения идеально пригодными для использования в качестве поглощающего тепло материала в производстве полупроводников, элементов схем из оптических волокон и т.п. It is believed that the isotopically pure single crystal diamond films of the present invention have high thermal conductivity. The predicted high thermal conductivity makes the isotopically pure single crystal diamond films of the present invention ideally suited for use as heat absorbing material in the manufacture of semiconductors, circuit elements from optical fibers, and the like.
П р и м е р. Данное изобретение отличается от предшествующих разработок тем, что изотопически чистый углерод-12 или углерод-13 непосредственно превращается в изотопически чистые монокристаллические алмазные пленки, а не образует изотопически чистого поликристаллического алмаза, который затем измельчают, и превращают его в изотопически чистые монокристаллические алмазные пленки. Касательно способа ХОП для получения алмазных пленок, раскрытых в данном изобретения, различные процессы ХОП могут быть использованы в данном изобретении и обычно практикуются. В этих процессах газообразные смеси углеводород/водород подают в ХОП реактор на начальной стадии. Источником углеводородов могут быть газы серии метана, например, метан, этан, пропан, ненасыщенные углеводороды, этилен, ацетилен, циклогексен и бензол и т.п. PRI me R. This invention differs from previous developments in that isotopically pure carbon-12 or carbon-13 is directly converted to isotopically pure single-crystal diamond films, and does not form isotopically pure polycrystalline diamond, which is then crushed, and converted into isotopically pure single-crystal diamond films. Regarding the OCP process for producing the diamond films disclosed in this invention, various OCP processes can be used in the present invention and are usually practiced. In these processes, gaseous hydrocarbon / hydrogen mixtures are fed to the OCP reactor at an initial stage. The hydrocarbon source can be methane series gases, for example methane, ethane, propane, unsaturated hydrocarbons, ethylene, acetylene, cyclohexene and benzene, and the like.
Однако предпочтительным является метан. Источники углеводородов, в отличие от известных решений, основаны на изотопически чистом углероде-12 или углероде-13, например, 12СН4. Как указано выше, источником газообразного углеводорода может служить изотопически чистый 12С или 13С графит и газообразный водород. Молярное отношение изотопически чистого углеводорода к водороду колеблется в широких пределах от 1:10 до 1:1000, предпочтительным является 1: 100. Эта газообразная смесь необязательно может быть разбавлена инертным газом, например аргоном. Газообразная смесь подвергается по крайней мере частичному разложению с помощью одного из нескольких известных способов. Один из таких способов предусматривает использование горячего волокна, которое обычно изготовлено из вольфрама, молибдена, тантала или их сплавов.However, methane is preferred. Sources of hydrocarbons, in contrast to the known solutions, are based on isotopically pure carbon-12 or carbon-13, for example, 12 CH 4 . As indicated above, the source of gaseous hydrocarbon can be isotopically pure 12 C or 13 C graphite and hydrogen gas. The molar ratio of isotopically pure hydrocarbon to hydrogen varies widely from 1:10 to 1: 1000, 1: 100 is preferred. This gaseous mixture may optionally be diluted with an inert gas, such as argon. The gaseous mixture undergoes at least partial decomposition using one of several known methods. One such method involves the use of hot fiber, which is usually made of tungsten, molybdenum, tantalum or their alloys.
Следует отметить, что имеются данные о том, что вторичное зародышеобразование во время роста монокристаллических алмазных слоев увеличивается при введении эффективного количества металлоцена или продукта его термического распада, где металл выбирают из класса, включающего железо, кобальт и никель. Сообщается, что используемые металлоцены включают, например, ферроцен и соединения никеля, такие как бис(1-5-циклооктодтен)никель, и кобальта, такие как бис(циклопентадианил)кобальт. Как указывается, эффективное количество металлоцена лежит в пределах примерно от 10-4 до 1% по объему. Для целей настоящего изобретения было бы важно использовать изотопически чистый углерод в ферроцене, чтобы избежать загрязнения откладываемого алмазного слоя.It should be noted that there is evidence that secondary nucleation during the growth of single-crystal diamond layers increases with the introduction of an effective amount of metallocene or its thermal decomposition product, where the metal is selected from the class comprising iron, cobalt and nickel. The metallocenes used are reported to include, for example, ferrocene and nickel compounds such as bis (1-5-cyclooctodten) nickel, and cobalt such as bis (cyclopentadianyl) cobalt. As indicated, an effective amount of metallocene is in the range of about 10 -4 to 1% by volume. For the purposes of the present invention, it would be important to use isotopically pure carbon in ferrocene to avoid contamination of the deposited diamond layer.
Частичное разложение газообразной смеси может быть осуществлено с помощью разряда постоянного тока или электромагнитного излучения высокой частоты с целью получения плазмы. Partial decomposition of the gaseous mixture can be carried out using a direct current discharge or high frequency electromagnetic radiation in order to obtain a plasma.
Субстратом, используемым для отложения и роста монокристаллической алмазной пленки, является монокристаллический материал, которым предпочтительно является монокристаллический алмаз. Могут быть также использованы дополнительно и другие материалы, чья решетка соответствует алмазу, в том числе, например, сплавы медь/никель или кубические кристаллы нитрида бора. The substrate used for the deposition and growth of a single crystal diamond film is a single crystal material, which is preferably a single crystal diamond. Other materials can also be used in addition whose lattice corresponds to diamond, including, for example, copper / nickel alloys or cubic boron nitride crystals.
Независимо от конкретного способа, использованного для получения частично разложенной газообразной смеси, монокристаллический субстрат поддерживают при повышенной температуре образования алмаза ХОП, что обычно составляет примерно 500 1100оС, и предпочтительно лежит в пределах примерно 850 950оС. Обычно для этих целей на практике используют давления в пределах примерно 0,01- 1000 торр, преимущественно примерно 1-800 торр, причем предпочтительным является пониженное давление.Regardless of the particular method used to obtain the partially decomposed gaseous mixture, the single crystal substrate is maintained at an elevated CVD diamond formation temperature that is typically about 500 1100 ° C, and is preferably in the range of 850 950 ° C. Typically these objectives into practice using pressures in the range of about 0.01-1000 torr, preferably about 1-800 torr, with reduced pressure being preferred.
Чтобы избежать загрязнения изотопически чистого углеводорода, в используемом оборудовании не должен содержаться природный углерод в качестве примеси. С этой целью ХОП камера должна быть изготовлена из материалов, практически не растворяющих углерод. Типичными материалами этого типа являются кварц и медь. To avoid contamination of isotopically pure hydrocarbon, the equipment used should not contain natural carbon as an impurity. For this purpose, the OCP camera should be made of materials that practically do not dissolve carbon. Typical materials of this type are quartz and copper.
Из углерода-12 и углерода-13 первый является особенно предпочтительным по ряду причин. Углерод-12 присутствует в природе в значительно большем количестве, чем углерод-13, последний обычно встречается в количествах не более примерно 1% по массе. Удельная теплопроводность обратно пропорциональна квадрату массового числа изотопа и алмазы, полученные из углерод-12, поэтому могут иметь удельную теплопроводность примерно на 17% больше, чем алмазы, полученные из углерода-13. Of carbon-12 and carbon-13, the former is particularly preferred for a number of reasons. Carbon-12 is present in nature in a much larger amount than carbon-13, the latter usually occurring in amounts of not more than about 1% by weight. The thermal conductivity is inversely proportional to the squared mass number of the isotope and diamonds obtained from carbon-12, therefore, they can have a specific thermal conductivity of about 17% more than diamonds obtained from carbon-13.
Толщина алмазной пленки, откладываемой на подложке, не является определяющим параметром. Как правило, удобно откладывать такое количество алмаза, которое необходимо для получения монокристалла требуемого размера. The thickness of the diamond film deposited on the substrate is not a determining parameter. As a rule, it is convenient to save as much diamond as is necessary to obtain a single crystal of the required size.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5001007 RU2054056C1 (en) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Method for obtaining isotopically pure diamond films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5001007 RU2054056C1 (en) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Method for obtaining isotopically pure diamond films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2054056C1 true RU2054056C1 (en) | 1996-02-10 |
Family
ID=21585037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5001007 RU2054056C1 (en) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Method for obtaining isotopically pure diamond films |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2054056C1 (en) |
-
1991
- 1991-07-01 RU SU5001007 patent/RU2054056C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Патент США N 4822466, кл. C 23D 14/00, 1989. 2. Патент США N 3895313, кл. H 031S 3/02, 1975. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5360479A (en) | Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation | |
| US4623425A (en) | Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide | |
| US5391409A (en) | Low temperature method for synthesizing diamond with high quality by vapor phase deposition | |
| AU614605B2 (en) | Diamond growth | |
| US6162412A (en) | Chemical vapor deposition method of high quality diamond | |
| US5387310A (en) | Method for producing single crystal diamond film | |
| WO1996029441A2 (en) | High growth rate homoepitaxial diamond film deposition at high temperatures by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition | |
| US20100126406A1 (en) | Production of Single Crystal CVD Diamond at Rapid Growth Rate | |
| JPS62103367A (en) | Carbon membrane synthesis method | |
| JPH04958B2 (en) | ||
| JPH06107494A (en) | Vapor growth method of diamond | |
| US20010001385A1 (en) | Boron-doped isotopic diamond and process for producing the same | |
| RU2054056C1 (en) | Method for obtaining isotopically pure diamond films | |
| US5441013A (en) | Method for growing continuous diamond films | |
| JPS61158898A (en) | Production of ornamental diamond | |
| JPS6120514B2 (en) | ||
| US5535905A (en) | Etching technique for producing cubic boron nitride films | |
| EP0413974B1 (en) | Method of making a single crystal CVD diamond | |
| JPS6115150B2 (en) | ||
| JPH1081590A (en) | Diamond containing carbon isotope at an appropriate atomic ratio and method for producing the same | |
| JPS6152119B2 (en) | ||
| JPS63185894A (en) | Production of diamond thin film or diamond-like thin film | |
| CN116348639A (en) | methods of producing diamonds | |
| JPS5830280B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide crystal layer | |
| JPH07157394A (en) | Formation of diamond single crystal film |