RU2051445C1 - Superconductor current amplifier using josephson effect - Google Patents
Superconductor current amplifier using josephson effectInfo
- Publication number
- RU2051445C1 RU2051445C1 SU5035748A RU2051445C1 RU 2051445 C1 RU2051445 C1 RU 2051445C1 SU 5035748 A SU5035748 A SU 5035748A RU 2051445 C1 RU2051445 C1 RU 2051445C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- josephson
- superconducting
- current
- amplifier
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано в сверхпроводниковых интегральных схемах, в качестве усилителей в сверхпроводящих квантовых измерителях магнитного потока (СКИМП) и для создания СКИМПов. The invention relates to superconducting electronics and can be used in superconducting integrated circuits, as amplifiers in superconducting quantum magnetic flux meters (SKIMP) and for creating SKIMPs.
При создании цифровых интегральных схем, а также аналоговых приборов на основе эффекта Джозефсона применяются устройства, в которых величина критического тока через один или несколько переходов Джозефсона управляется входным током. When creating digital integrated circuits, as well as analog devices based on the Josephson effect, devices are used in which the critical current through one or more Josephson junctions is controlled by the input current.
Известен сверхпроводниковый усилитель тока, содержащий сверхпроводниковый интерферометр, индуктивно связанный со сверхпроводящей катушкой, имеющей большую по отношению к нему индуктивность [1] Коэффициент усиления по току, т.е. отношение изменения критического тока интерферометра к вызвавшему его изменению входного тока сверхпроводящей катушки, при оптимальных параметрах близко к корню квадратному из отношения индуктивностей катушки и интерферометра. A superconducting current amplifier is known, comprising a superconducting interferometer inductively coupled to a superconducting coil having a large inductance with respect to it [1] Current gain, i.e. the ratio of the change in the critical current of the interferometer to the change in the input current of the superconducting coil that caused it, at optimal parameters, is close to the square root of the ratio of the inductances of the coil and interferometer.
Недостатком данного устройства для применения в микроэлектронике является относительно большая площадь, им занимаемая. The disadvantage of this device for use in microelectronics is the relatively large area it occupies.
Известен принимаемый за прототип [2] сверхпроводниковый усилитель тока на основе эффекта Джозефсона, включающий длинный, т.е. длиной L, большей, и шириной w, меньшей джозефсоновской глубины проникновения магнитного поля λj, элемент Джозефсона с сэндвичной структурой, содержащий сверхпроводящий слой, служащий базовым электродом, сверхпроводящий слой, служащий противоэлектродом, и расположенную между ними зону слабого связывания, сверхпроводниковые выводы для подачи выходного тока, подведенные к широким сторонам базового электрода и противоэлектрода, и сверхпроводниковый вывод для подачи входного тока, подведенный к узкой стороне базового электрода, причем длины базового электрода и противоэлектрода равны или близки к длине зоны слабого связывания, а их толщина меньше или ближе к величине лондоновской глубины проникновения магнитного поля.Known for the prototype [2] is a superconductor current amplifier based on the Josephson effect, including a long, i.e. a length L greater and a width w less than the Josephson penetration depth of the magnetic field λ j , a Josephson element with a sandwich structure, comprising a superconducting layer serving as a base electrode, a superconducting layer serving as a counter electrode, and a weak binding zone between them, superconducting leads for supplying output current supplied to the wide sides of the base electrode and the counter electrode, and a superconducting terminal for supplying input current supplied to the narrow side of the base electrode, and for The spins of the base electrode and counter electrode are equal or close to the length of the weak binding zone, and their thickness is less or closer to the value of the London penetration depth of the magnetic field.
Недостатком этого усилителя является то, что при длине перехода Джозефсонa L, большей двух длин джозефсоновской глубины проникновения магнитного поля λj, ее дальнейшее увеличение не приводит к увеличению коэффициента усиления β и не позволяет получить коэффициент усиления по току заметно больше двух.The disadvantage of this amplifier is that when the Josephson transition length L is greater than two Josephson penetration depths of the magnetic field λ j , its further increase does not increase the gain β and does not allow one to obtain a current gain much greater than two.
Изобретение позволяет создавать усилитель с коэффициентом усиления по току, пропорциональными квадрату отношения длины и джозефсоновской глубины проникновения магнитного поля составляющих его элементов Джозефсона и достигающим величины 103.The invention allows to create an amplifier with a current gain proportional to the square of the ratio of the length and Josephson penetration depth of the magnetic field of its constituent Josephson elements and reaching a value of 10 3 .
Это достигается тем, что в сверхпроводниковом усилителе тока на основе эффекта Джозефсона, включающем длинный элемент Джозефсона с сэндвичной структурой, содержащий сверхпроводящий слой, служащий первым (базовым) электродом, сверхпроводящий слой, служащий вторым электродом (противоэлектродом), и расположенный между ними тонкий слой изолятора, полупроводника или нормального металла (зона слабого связывания) и сверхпроводящие выводы для подачи входного и выходного тока при толщине сверхпроводящих слоев, меньшей или близкой к их лондоновской глубине проникновения магнитного поля, новым является то, что он дополнительно содержит второй элемент Джозефсона, который расположен на верхней стороне второго электрода (противоэлектрода) первого элемента Джозефсона, образован этим вторым электродом (противоэлектродом), дополнительным тонким слоем изолятора, полупроводника или нормального металла (зона слабого связывания) и дополнительным третьим сверхпроводящим электродом и близок или совпадает по размерам с первым элементом Джозефсона, причем их длина больше, а ширина меньше их джозефсоновской глубины проникновения магнитного поля, ширина второго электрода (противоэлектрода) близка или равна ширине элементов Джозефсона, а длина первого и третьего электродов близка или равна длине элементов Джозефсона, сверхпроводящие выводы для подачи входного тока подведены к узким краям второго электророда (противоэлектрода), а сверхпроводящие выводы для подачи выходного тока подведены к широким сторонам первого (базового) и третьего (дополнительного) электродов. This is achieved by the fact that in a superconductor current amplifier based on the Josephson effect, including a long Josephson element with a sandwich structure, containing a superconducting layer serving as the first (base) electrode, a superconducting layer serving as the second electrode (counter electrode), and a thin insulator layer located between them , semiconductor or normal metal (weak binding zone) and superconducting leads for supplying input and output current with a thickness of superconducting layers smaller or close to their London The depth of magnetic field penetration is new in that it additionally contains a second Josephson element, which is located on the upper side of the second electrode (counter electrode) of the first Josephson element, is formed by this second electrode (counter electrode), an additional thin layer of an insulator, semiconductor or normal metal ( weak binding zone) and an additional third superconducting electrode and is close or coincides in size with the first Josephson element, moreover, their length is greater and the width is less e their Josephson penetration depth of the magnetic field, the width of the second electrode (counter electrode) is close to or equal to the width of the Josephson cells, and the length of the first and third electrodes is close to or equal to the length of the Josephson cells, the superconducting leads for supplying the input current are brought to the narrow edges of the second electrode (counter electrode), and the superconducting leads for supplying the output current are connected to the wide sides of the first (base) and third (additional) electrodes.
Выполнение усилителя указанным способом позволяет получить большой коэффициент усиления по току при нулевом входном сопротивлении за счет использования дополнительного перехода Джозефсона для инжекции выходного тока во второй электрод (противоэлектрод) и за счет того, что выводы для подачи входного тока составляют единое целое с вторым электродом (противоэлектрордом). Предлагаемая конструкция позволяет исключить экранирование выводами для подачи выходного тока магнитного поля, создаваемого входным током в переходе, которое имеет место в конструкции, предложенной в прототипе. The implementation of the amplifier in this way allows you to get a large current gain at zero input resistance due to the use of an additional Josephson junction to inject the output current into the second electrode (counter electrode) and due to the fact that the conclusions for supplying the input current are integral with the second electrode (counter electrode ) The proposed design eliminates the shielding of the findings for supplying the output current of the magnetic field generated by the input current in the junction, which takes place in the design proposed in the prototype.
На фиг. 1 приведен предлагаемый сверхпроводниковый усилитель тока; на фиг.2 приведена схема его включения. In FIG. 1 shows the proposed superconducting current amplifier; figure 2 shows a diagram of its inclusion.
Усилитель 1 содержит длинный элемент Джозефсона с сэндвичной структурой, включающий последовательно расположенные на подложке 2 первый (базовый) электрод 3, тонкий слой 4 изолятора, полупроводника или нормального металла (зону слабого связывания), второй электрод (противоэлектрод) 5, и дополнительный элемент Джозефсона, образованный вторым электродом (противоэлектродом) 5, дополнительным тонким слоем 6 изолятора, полупроводника или нормального металла (зоной слабого связывания) и третьим (дополнительным) сверхпроводящим электродом 7. Сверхпроводящие выводы 8 для подачи входного тока Iвх соединены с узкими краями второго электрода (противоэлектрода) 5, а сверхпроводящие выводы 9 для подачи выходного тока Iвых соединены с широкими сторонами первого (базового) 3 и третьего (дополнительного) 7 электродов.The
В конкретном варианте сверхпроводниковый усилитель изготовляется методами напыления и литографии. В качестве сверхпроводящих слоев могут быть, например, использованы пленки ниобия, в качестве подложки пластина кремния, а в качестве зоны слабого связывания окись алюминия. В этом случае первый (базовый) электрод методами литографии изготовляется из сверхпроводящей пленки ниобия, напыленной на кремниевую подложку, заодно с выводом для подачи выходного тока. Зона слабого связывания первого перехода Джозефсона образуется напылением на базовый электрод тонкого слоя алюминия с его последующим окиcлением. Второй электрод (противоэлектрод) образуется методом литографии заодно с выводами для подачи входного тока из сверхпроводящей пленки ниобия, напыленной поверх окиси алюминия (зоны слабого связывания). Дополнительная зона слабого связывания образуется напылением на противоэлектрод тонкого слоя алюминия с его последующим окислением. Третий (дополнительный) электрод образуется методом литографии заодно с выводом для подачи выходного тока из сверхпроводящей пленки ниобия, напыленной поверх дополнительного слоя окиси алюминия (зоны слабого связывания). In a specific embodiment, the superconductor amplifier is manufactured by spraying and lithography. For example, niobium films can be used as superconducting layers, a silicon wafer as a substrate, and alumina as a weak binding zone. In this case, the first (base) electrode by lithography methods is made of a superconducting niobium film deposited on a silicon substrate, at the same time with the output for supplying the output current. The weak binding zone of the first Josephson junction is formed by sputtering a thin layer of aluminum on the base electrode with its subsequent oxidation. The second electrode (counter electrode) is formed by lithography along with the leads for supplying input current from a superconducting niobium film deposited on top of aluminum oxide (weak binding zone). An additional zone of weak binding is formed by sputtering a thin layer of aluminum on the counter electrode with its subsequent oxidation. The third (additional) electrode is formed by lithography along with the output for supplying the output current from a superconducting niobium film deposited on top of an additional layer of aluminum oxide (weak binding zone).
Предлагаемый усилитель тока работает следующим образом. The proposed current amplifier operates as follows.
На выводы 8 для подачи входного тока подается входной ток Iвх. Протекая вдоль второго электрода (противоэлектрода) 4, он изменяет величину критического тока переходов Джозефсона. Ток смещения Iсмраспределяется между выходом усилителя и шунтирующим его сопротивлением Rш 10, по величине меньшим или близким к величине сопротивления переходов Джозефсона в резистивном состоянии Rвых (фиг.2). Величина тока смещения выбирается такой, чтобы на выходе усилителя было небольшое напряжение конечной величины. Изменение выходного тока Iвых., проходящего через оба перехода Джозефсона, происходит в результате перераспределения тока смещения между шунтом и выходом усилителя вследствие изменения величины критического тока переходов Джозефсона Iс. Наилучший результат достигается при сопротивлении шунта, много меньшем выходного сопротивления усилителя, которое равно сопротивлению образующих его переходов Джозефсона в резистивное состоянии, Rш << Rвых. В этом случае величина выходного тока близка к величине критического тока переходов Джозефсона Iвых ≃ Iс и величина коэффициента усиления, определяемого как отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока β= Δ Iвых/Δ Iвх, близка к отношению изменения критического тока к вызвавшему его изменению входного тока, β ≃ ΔIc/ΔIвх. Как показали вычисления, величина коэффициента усиления зависит от величины входного тока Iвх. Например, в усилителе, образованном элементами Джозефсона с одинаковой величиной плотности критического тока Iс, при Iвх, близкой к величине, определяемой выражением 23/2 λjjc, коэффициент усиления достигает максимальной величины, равной 2-1/2(L/ λj)2. Эта величина пропорциональна плотности критического тока переходов jс, квадрату длины переходов Джосефсона, (L2, квадрату лондоновской глубины проникновения магнитного поля λL 2 и обратно пропорциональна толщине второго электрода (противоэлектрода) d. Например, при использовании переходов Джосефсона ниобий окись алюминия ниобий длиной L 30 мкм с плотностью критического тока 105 А/см2, толщиной второго электрода (противоэлектрода) d 0,02 мкм величина коэффициента усиления равна 870.At
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5035748 RU2051445C1 (en) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | Superconductor current amplifier using josephson effect |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5035748 RU2051445C1 (en) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | Superconductor current amplifier using josephson effect |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2051445C1 true RU2051445C1 (en) | 1995-12-27 |
Family
ID=21601053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5035748 RU2051445C1 (en) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | Superconductor current amplifier using josephson effect |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2051445C1 (en) |
-
1992
- 1992-04-03 RU SU5035748 patent/RU2051445C1/en active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1. Foglietti v., Double dc SQUID for flux-locked-lopp operation Appl. Phys. Lett. 1991, v.59, N 4, p. 476-478. * |
2. Bart J. Van Zeghbroeck, Supereonducting Current Ingection Transistor with very High. Critical-Current-Density Edge-Junction, IEEE Trans Magn., 1985, v.21, N 2, p.916. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6518673B2 (en) | Capacitor for signal propagation across ground plane boundaries in superconductor integrated circuits | |
US6300617B1 (en) | Magnetic digital signal coupler having selected/reversal directions of magnetization | |
US4589001A (en) | Quasiparticle injection control type superconducting device | |
CA2261312A1 (en) | Magnetic current sensor | |
RU2051445C1 (en) | Superconductor current amplifier using josephson effect | |
JPH0834320B2 (en) | Superconducting element | |
JP3123164B2 (en) | Superconducting device | |
US4178602A (en) | Thin film cryotron | |
US5306927A (en) | High current amplifier utilizing a josephson junction Schottky diode three terminal device | |
JP2867956B2 (en) | Superconducting transistor | |
JPS6288381A (en) | Superconducting switching apparatus | |
JP3024400B2 (en) | Josephson junction device and method of manufacturing the same | |
JP3669891B2 (en) | Superconducting single flux quantum circuit | |
JP3026482B2 (en) | Superconducting element, method of manufacturing and operating method | |
JP2596337B2 (en) | Superconducting element | |
JP3212088B2 (en) | Superconducting device | |
Tolpygo et al. | Nb/AlO/sub x//Al/AlO/sub x//Nb double-barrier junctions with high critical current densities: influence of barrier asymmetry | |
JP2829173B2 (en) | Superconducting element | |
JPH0590652A (en) | Superconducting device | |
JP2955415B2 (en) | Superconducting element | |
JP3469675B2 (en) | Magnetic spin element | |
JPS5928074B2 (en) | Josefson Voltage Standard Device | |
JP2759508B2 (en) | Photo detector | |
JPH01202874A (en) | Superconductor element | |
JPS6124289A (en) | Superconducting amplifying element |