RU2046450C1 - Process of formation of thin films on semiconductor substrate and device for its implementation - Google Patents
Process of formation of thin films on semiconductor substrate and device for its implementation Download PDFInfo
- Publication number
- RU2046450C1 RU2046450C1 SU5056720A RU2046450C1 RU 2046450 C1 RU2046450 C1 RU 2046450C1 SU 5056720 A SU5056720 A SU 5056720A RU 2046450 C1 RU2046450 C1 RU 2046450C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- valve
- application chamber
- vessel
- tank
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к способу и устройству для формирования тонких пленок, например пленок фоторезиста на полупроводниковых пластинах. The invention relates to a technology for the production of semiconductor devices, in particular to a method and apparatus for forming thin films, for example photoresist films on semiconductor wafers.
В настоящее время известны многочисленные способы и устройства для формирования пленок фоторезиста на полупроводниковых пластинах. Наиболее широко распространенным является способ формирования пленок фоторезиста методом центрифугирования. Numerous methods and devices for forming photoresist films on semiconductor wafers are currently known. The most common is the method of forming photoresist films by centrifugation.
Типичный способ получения тонких пленок фоторезиста на поверхности кремниевой подложки способом центрифугирования описан, например, в работе. При использовании этого способа доза фоторезиста подается с помощью дозирующего устройства на центральный участок пластины, установленной на вращающемся столике центрифуги. При включении центрифуги жидкий фоторезист растекается под действием центробежных сил. За счет уравновешивания центробежной силы, пропорциональной числу оборотов, и силы сопротивления, зависящей от когезии молекул резиста, фоторезист формирует тонкую равномерную по толщине пленку. Данный способ позволяет формировать на центрифуге качественные пленки фоторезиста. Однако этот способ обладает и рядом недостатков, основным из которых является большой расход фоторезиста, поскольку обычно на изготовление самой пленки идет менее 1% от общего количества расходуемого фоторезиста. Регенерация бывшего в употреблении фоторезиста для его повторно использования вызывает большие трудности из-за потери им своих первоначальных свойств (вязкость, степень чистоты и т.д.) из-за контакта с окружающей средой при первичном использовании. Большие проблемы вызывает также утилизация отработанного фоторезиста из-за высокой токсичности его компонентов. A typical method for producing thin photoresist films on the surface of a silicon substrate by centrifugation is described, for example, in the work. When using this method, the dose of the photoresist is supplied using a metering device to the central portion of the plate mounted on a rotating centrifuge table. When you turn on the centrifuge, the liquid photoresist spreads under the action of centrifugal forces. By balancing the centrifugal force, which is proportional to the number of revolutions, and the resistance force, which depends on the cohesion of the resist molecules, the photoresist forms a thin film that is uniform in thickness. This method allows the formation of high-quality photoresist films in a centrifuge. However, this method also has a number of disadvantages, the main of which is the high consumption of the photoresist, since usually it takes less than 1% of the total amount of spent photoresist to produce the film itself. The regeneration of a used photoresist for its reuse causes great difficulties due to its loss of its original properties (viscosity, degree of purity, etc.) due to contact with the environment during initial use. Big problems are also caused by the disposal of spent photoresist due to the high toxicity of its components.
Известен способ нанесения пленки фоторезиста, выбранный авторами в качестве прототипа, при котором фоторезист наносится на подложку путем окунания последней в резервуар с жидким фоторезистом с вращением ее при этом с малой скоростью и последующим вращением на воздухе с повышенной скоростью с целью получения пленки заданной толщины. Данный способ осуществляют на устройстве, содержащем резервуар с наносимой жидкостью, вращающийся столик с вакуумным захватом для фиксации обрабатываемой подложки, снабженный механизмом поворота на 180о вокруг горизонтальной оси и механизмом для вертикального перемещения.There is a known method of applying a photoresist film, selected by the authors as a prototype, in which the photoresist is applied to the substrate by dipping the latter into a reservoir with a liquid photoresist and rotating it at a low speed and subsequent rotation in air at an increased speed in order to obtain a film of a given thickness. This process is carried out on an apparatus comprising a tank with the applied liquid, a rotating table with vacuum grip for fixing the treated substrate provided with a mechanism of rotation 180 about a horizontal axis and the vertical movement mechanism.
Данный способ позволяет уменьшить расход фоторезиста по сравнению с описанным выше способом за счет комбинации нанесения покрытия окунанием с последующим центрифугированием. Однако этот способ имеет и значительные недостатки. В процессе последовательной обработки подложек в одном и том же резервуаре идет постепенное загрязнение фоторезиста инородными частицами. Известно, что сама подложка является носителем значительного количества инородных частиц (до 600 шт. размером с 0,1-10 мкм), захваченных ею при контактах с кассетой, механизмом транспортировки, окружающей средой, оператором и т.д. В момент соприкосновения рабочей поверхности подложки с поверхностью фоторезиста часть этих частиц захватывается границей раздела пленка-подложка, а другая часть смывается с поверхности в объем фоторезиста, причем концентрация последних в фоторезисте с каждой обрабатываемой подложкой возрастает. Тем самым увеличивается возможность загрязнения формируемой на подложке пленки. С другой стороны, большая поверхность резервуара с фоторезистом, ведет к большим потерям фоторезиста через испарения и к загрязнению окружающей атмосферы экологически вредными веществами, входящими в состав фоторезиста. This method allows to reduce the consumption of photoresist in comparison with the method described above due to the combination of coating by dipping and subsequent centrifugation. However, this method has significant disadvantages. In the process of sequential processing of the substrates in the same tank there is a gradual contamination of the photoresist with foreign particles. It is known that the substrate itself is a carrier of a significant amount of foreign particles (up to 600 pieces with a size of 0.1-10 microns), captured by it in contact with the cartridge, transport mechanism, environment, operator, etc. At the moment of contact of the working surface of the substrate with the surface of the photoresist, part of these particles is captured by the film-substrate interface, and the other part is washed off the surface into the volume of the photoresist, and the concentration of the latter in each photographic resist increases with each processed substrate. This increases the possibility of contamination of the film formed on the substrate. On the other hand, the large surface of the reservoir with the photoresist leads to large losses of the photoresist through evaporation and to the pollution of the surrounding atmosphere with environmentally harmful substances that make up the photoresist.
Цель изобретения создание способа и устройства для нанесения тонких пленок, позволяющих осуществить изготовление бездефектных пленок, сокращение расхода наносимой жидкости и обеспечение экологически чистых условий производства. The purpose of the invention is the creation of a method and device for applying thin films, allowing the manufacture of defect-free films, reducing the flow rate of the applied liquid and ensuring environmentally friendly production conditions.
Для достижения цели в способе формирования тонких пленок на полупроводниковой подложке, включающем закрепление подложки на вращающемся столике, снабженном вакуумным захватом, поворот подложки на 180о вокруг горизонтальной оси и опускание в резервуар с наносимой жидкостью, вращение подложки, возвращение подложки в исходное положение и вращение подложки с увеличенной скоростью, подложку опускают в резервуар, изолированный от окружающей среды, с образованием зазора между подложкой и поверхностью, находящейся в резервуаре жидкости, снизу под давлением на поверхность вращающейся подложки подают фильтрованную наносимую жидкость, затем вращающийся столик переключают на более высокую частоту вращения, обеспечивающую сброс излишков наносимой жидкости, столик с подложкой возвращают в исходное положение, а отработанную жидкость в количестве, равном количеству, поданному на подложку в процессе цикла нанесения, сбрасывают из резервуара в систему рециркуляции и через фильтр направляют на повторный цикл нанесения пленки.To achieve the goal in a method of forming thin films on a semiconductor substrate, including fixing the substrate on a rotating table equipped with a vacuum grip, rotate the substrate 180 ° about the horizontal axis and lower it into the reservoir with the applied liquid, rotate the substrate, return the substrate to its original position and rotate the substrate with increased speed, the substrate is lowered into the tank, isolated from the environment, with the formation of a gap between the substrate and the surface in the liquid tank, from below under pressure, the filtered applied liquid is supplied to the surface of the rotating substrate, then the rotating stage is switched to a higher rotation speed, which ensures the discharge of excess applied liquid, the stage with the substrate is returned to its original position, and the spent liquid in an amount equal to the amount applied to the substrate during the cycle application, discharged from the tank into the recirculation system and through the filter is sent to a repeated film deposition cycle.
Отличительными признаками способа является то, что подложку опускают в резервуар, изолированный от окружающей среды, с образованием зазора между подложкой и поверхностью находящейся в резервуаре жидкости, снизу под давлением на поверхность вращающейся подложки подают фильтрованную наносимую жидкость, затем вращающийся столик переключают на более высокую частоту вращения, обеспечивающую сброс излишков наносимой жидкости, столик с подложкой возвращают в исходное положение, а отработанную жидкость в количестве, равном количеству, поданному на подложку в процессе цикла нанесения, сбрасывают из резервуара в систему рециркуляции и через фильтр направляют на повторный цикл нанесения пленки. Distinctive features of the method is that the substrate is lowered into the tank, isolated from the environment, with the formation of a gap between the substrate and the surface of the liquid in the tank, the filtered applied liquid is supplied from below to the surface of the rotating substrate under pressure, then the rotating table is switched to a higher speed , providing discharge of excess applied liquid, the table with the substrate is returned to its original position, and the spent liquid in an amount equal to the amount to the substrate during the deposition cycle, they are discharged from the reservoir into the recirculation system and sent through the filter to a repeated deposition cycle of the film.
Цель достигается также за счет того, что в устройстве для формирования тонких пленок на полупроводниковой подложке, содержащем резервуар с наносимой жидкостью, вращающийся столик с вакуумным захватом для фиксации обрабатываемой подложки, снабженный механизмом поворота на 180о вокруг горизонтальной оси и механизмом для вертикального перемещения, резервуар для наносимой жидкости состоит из камеры нанесения и гофрированной емкости с приводом для ее сжатия в вертикальном направлении, отделенных друг от друга коническим клапаном, седлом которого является наружная поверхность донной части корпуса камеры нанесения, а сам клапан установлен на цилиндрической пружине, закрепленной на донной поверхности гофрированной емкости, вверху клапан заканчивается горизонтальной площадкой, диаметр которой не превышает диаметр обрабатываемой подложки, в корпусе клапана закреплен фильтр, вход которого соединен с объемом гофрированной емкости, а выход через канал, выполненный в корпусе конического клапана, соединен с объемом камеры нанесения, камера нанесения снабжена цилиндрической или шаровой крышкой и механизмом для ее поворота на 180о относительно камеры нанесения, внутри крышки выполнена полость, в которой установлен вращающийся столик с вакуумным захватом и приводом для перемещения столика с обрабатываемой подложкой в камеру нанесения, а наружная поверхность крышки сопрягается с верхней поверхностью стенок камеры нанесения.The aim is also achieved due to the fact that in an apparatus for forming thin films on a semiconductor substrate, comprising a tank with the applied liquid, a rotating table with vacuum grip for fixing the treated substrate provided with a mechanism of rotation through 180 ° about a horizontal axis and a mechanism for vertical movement, a reservoir for the applied liquid consists of a coating chamber and a corrugated container with a drive for compressing it in the vertical direction, separated from each other by a conical valve, a seat to the outer surface of the bottom part of the application chamber body is thick and the valve itself is mounted on a cylindrical spring fixed on the bottom surface of the corrugated container, at the top of the valve ends with a horizontal platform, the diameter of which does not exceed the diameter of the processed substrate, a filter is fixed in the valve body, the input of which is connected to the volume corrugated capacity, and the output through the channel made in the conical valve body is connected to the volume of the application chamber, the application chamber is provided with a cylindrical and whether the ball cap and the mechanism for its rotation 180 ° relative to the application chamber, a cavity is made inside the cover in which a rotating table with a vacuum grip and a drive is installed to move the table with the substrate to be processed into the application chamber, and the outer surface of the cover mates with the upper surface of the chamber walls application.
Отличительными признаками устройства является то, что резервуар для наносимой жидкости состоит из камеры нанесения и гофрированной емкости с приводом для ее сжатия в вертикальном направлении, отделенных друг от друга коническим клапаном, седлом которого является обратная сторона донной части корпуса камеры нанесения, а сам клапан установлен на цилиндрической пружине, закрепленной на донной поверхности гофрированной емкости, вверху клапан заканчивается горизонтальной площадкой, диаметр которой не превышает диаметр обрабатываемой подложки, в корпусе клапана закреплен фильтр, вход которого соединен с объемом гофрированной емкости, а выход через канал, выполненный в корпусе конического клапана, соединен с объемом камеры нанесения, камера нанесения снабжена цилиндрической или шаровой крышкой и механизмом для ее поворота на 180о относительно камеры нанесения, внутри крышки выполнена полость, в которой установлен вращающийся столик с вакуумным захватом и приводом для перемещения столика с обрабатываемой подложкой в камеру нанесения, а наружная поверхность крышки сопрягается с верхней поверхностью стенок камеры нанесения.Distinctive features of the device is that the reservoir for the applied liquid consists of a coating chamber and a corrugated container with a drive for compressing it in a vertical direction, separated from each other by a conical valve, the seat of which is the back side of the bottom of the coating chamber, and the valve itself is mounted on a cylindrical spring mounted on the bottom surface of the corrugated container, at the top of the valve ends with a horizontal platform, the diameter of which does not exceed the diameter of the processed layers, a filter is fixed in the valve body, the inlet of which is connected to the volume of the corrugated container, and the outlet through the channel made in the conical valve body is connected to the volume of the application chamber, the application chamber is equipped with a cylindrical or ball cover and a mechanism for its rotation through 180 ° relative to the chamber application, inside the lid there is a cavity in which a rotating table with a vacuum grip and a drive is installed to move the table with the processed substrate into the application chamber, and the outer surface of the lid is mating bends with the upper surface of the walls of the application chamber.
Проведенные патентные исследования показали, что совокупность признаков патентуемого способа и устройства является новой, и патентуемое изобретение соответствует критерию новизны. Conducted patent studies have shown that the combination of features of the patented method and device is new, and the patented invention meets the criterion of novelty.
Опускание подложки в изолированный от окружающей среды резервуар с образованием зазора между обрабатываемой подложкой и поверхностью наносимой жидкости устраняет возможность загрязнения формируемой пленки под воздействием окружающей среды и жидкости, находящейся в резервуаре. Если учесть, что нанесение пленки производится не посредством окунания в постепенно загрязняемую жидкость, а посредством подачи на поверхность подложки фильтрованной жидкости, то это позволяет смыть частицы, захваченные поверхностью пластины в результате контакта с окружающей средой. Все это позволяет формировать бездефектные пленки, а циклическое фильтрование жидкости, накапливающейся в резервуаре и направляемой через фильтр на повторное использование, позволяет резко снизить расход наносимой жидкости. Lowering the substrate into a tank isolated from the environment with the formation of a gap between the substrate being treated and the surface of the applied liquid eliminates the possibility of contamination of the formed film under the influence of the environment and the liquid in the tank. If we take into account that the film is applied not by dipping into a gradually polluted liquid, but by applying filtered liquid to the surface of the substrate, this allows us to wash off particles captured by the surface of the plate as a result of contact with the environment. All this allows the formation of defect-free films, and the cyclical filtering of the liquid that accumulates in the tank and is sent through the filter for reuse, can dramatically reduce the flow rate of the applied liquid.
Отличительные признаки патентуемого устройства позволяют осуществить оптимальную реализацию способа, поскольку наличие пьедестала в камере нанесения, реализующего зазор между поверхностью подложки и поверхностью наносимой жидкости, позволяет оптимизировать смачивание подложки наносимой жидкостью. Гофрированная емкость, конический клапан и встроенный фильтр позволяют осуществлять многократное использование наносимой жидкости, а поворотная крышка, имеющая цилиндрическую или шаровую поверхность, сопряженную с поверхностью стенок камеры нанесения, обеспечивает изоляцию камеры нанесения от окружающей среды, чем достигается сохранность физико-химических свойств наносимой жидкости и экологически чистые условия окружающей среды. Distinctive features of the patented device allow for the optimal implementation of the method, since the presence of a pedestal in the application chamber that implements the gap between the surface of the substrate and the surface of the applied liquid allows optimizing the wetting of the substrate with the applied liquid. The corrugated container, the conical valve and the built-in filter allow reuse of the applied liquid, and a rotary cover having a cylindrical or spherical surface mating with the surface of the walls of the application chamber ensures isolation of the application chamber from the environment, thereby preserving the physicochemical properties of the applied liquid and environmentally friendly environmental conditions.
На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство для формирования тонких пленок в исходном положении; на фиг.2 фрагмент устройства для реализации способа в момент формирования пленки. In FIG. 1 shows the proposed device for forming thin films in the initial position; figure 2 fragment of a device for implementing the method at the time of film formation.
Устройство содержит резервуар для заливки наносимой жидкости, образуемый камерой 1 нанесения и гофрированной емкостью 2 и закрытый цилиндрической крышкой 3, в теле которой выполнена полость 4, внутри которой размещен вращающийся столик 5, снабженный вакуумным захватом для фиксации подложки 6 и пневмоприводом 7 для вертикального перемещения. Электропривод 8 обеспечивает поворот цилиндрической крышки 3 на 180о относительно камеры 1 нанесения. Внутри гофрированной емкости 2 на пружине 9 установлен конический клапан 10, на корпусе которого закреплен фильтр 11 глубокой очистки. Верхняя часть конического клапана 10 заканчивается горизонтальной площадкой 12, через центр которой проходит канал 13 для подачи фильтрованной жидкости в процессе нанесения. Кожух 14 и донная часть основания гофрированной емкости 2 образуют пневмопривод 15 вертикального сжатия гофрированной емкости 2.The device contains a reservoir for pouring the applied liquid, formed by the
Способ осуществляют следующим образом. The method is as follows.
Кремниевая подложка 6, поступившая на обработку, фиксируется с помощью вакуума на поверхности столика 5, находящегося в крайнем верхнем положении, после чего по соответствующей команде на пневмопривод 7 столик 5 с подложкой 6 опускается вниз, в полость 4, выполненную в теле цилиндрической крышки 3. В нижнем положении столика 5 включают электропривод 8 и поворачивают цилиндрическую крышку 3 на 180о.The
Поверхность крышки 3 сопряжена с поверхностью боковой стенки камеры 2, длина дуги которой превышает величину диаметра полости 4, а в центральной части этой дуги выполнено сквозное отверстие 16, соединенное с вакуумной системой. The surface of the
Следовательно, при повороте крышки 3 происходит совмещение полости 4 с отверстием 16, что обеспечивает удаление атмосферного воздуха из полости 4. Therefore, when the
Затем включают пневмопривод 7 и опускают столик 5 в камеру нанесения 1. При этом подложка 6 образует зазор с поверхностью находящегося там фоторезиста, после чего включают вращение столика 5 со скоростью 200 об/мин. Одновременно формируют команду на сжатие гофрированной емкости 2 путем подачи сжатого воздуха в пневмопривод 15. Конический клапан 10, установленный на пружине 9, перемещается вверх и фиксируется в седле 17, изолируя друг от друга объемы камеры нанесения 1 и гофрированной емкости 2. При этом горизонтальная площадка 12 конического клапана 10 образуют с рабочей поверхностью подложки 6 зазор 18 высотой 0,5 мм. Закрытие конического клапана 10 и дальнейшее сжатие гофрированной емкости 2 ведут к возрастанию давления на входе фильтра 11. Под действием этого давления струя фоторезиста поступает по каналу 13 на вращающуюся поверхность кремниевой подложки 6, заполняя зазор 18. Наличие зазора в сочетании со скоростью подачи фоторезиста и вращением подложки обеспечивают ламинарный поток фоторезиста в зазоре, оптимальное смачивание поверхности и удаление с рабочей поверхности частиц, захваченных ею при контактах с окружающей средой до момента поступления в камеру нанесения. При достижении заданного предела сжатия гофрированной емкости 2 отключают сжатый воздух от пневмопривода 15, и под действием сжатой пружины 9 и веса находящегося в гофрированной емкости 2 фоторезиста, гофрированная емкость 2 возвращается в исходное положение, что ведет к опусканию конического клапана 10 с горизонтальной площадкой 12. При этом фоторезист, скопившийся на дне камеры нанесения 1, через зазор между клапаном 10 и стенкой камеры нанесения сбрасывается в гофрированную емкость с тем, чтобы впоследствии через фильтр 11 подаваться на повторные циклы нанесения фоторезиста. После этого переключают вращение столика 5 на скорость 2100 об/мин и в течение 15 с формируют пленку. После этого прекращают вращение столика 5 и с помощью пневмопривода 7 возвращают столик 5 в полость 4 крышки 3. Затем включают электропривод 8 на реверс и поворачивают цилиндрическую крышку 3 на 180о в обратном направлении. При совмещении полости 4 с отверстием 18 происходит удаление летучих компонентов фоторезиста из полости 4 крышки 3. После этого включают пневмопривод 7 и столик 5 поднимают в зону загрузки, где происходит смена подложек, и цикл формирования пленки повторяется.Then the
В описанном выше примере изобретение описано на примере нанесения на кремниевую подложку фоторезиста. Однако изобретение не ограничивается нанесением только фоторезиста. Аналогичным образом на этом устройстве могут быть сформированы тонкие пленки и других материалов, например пленки полиимидов. При этом, исходя из свойств наносимых материалов, будут меняться зазор между подложкой и поверхностью горизонтальной площадки конического клапана, скорость вращения подложки, величина дозы и скорость подачи наносимой жидкости без изменения сущности способа. In the example described above, the invention is described by applying a photoresist to a silicon substrate. However, the invention is not limited to applying only a photoresist. Likewise, thin films of other materials, for example polyimide films, can be formed on this device. In this case, based on the properties of the applied materials, the gap between the substrate and the surface of the horizontal platform of the conical valve, the rotation speed of the substrate, the dose rate and the feed rate of the applied liquid will change without changing the essence of the method.
Способ и устройство позволяют наносить на подложки из различных материалов пленки высокого качества, не имеющие загрязнений, при пониженном расходе наносимого материала и устранении загрязнения окружающей среды летучими компонентами наносимых материалов. The method and device allows to apply high-quality films without pollution to substrates of various materials with a reduced consumption of the applied material and the elimination of environmental pollution by the volatile components of the applied materials.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5056720 RU2046450C1 (en) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | Process of formation of thin films on semiconductor substrate and device for its implementation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5056720 RU2046450C1 (en) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | Process of formation of thin films on semiconductor substrate and device for its implementation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2046450C1 true RU2046450C1 (en) | 1995-10-20 |
Family
ID=21610577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5056720 RU2046450C1 (en) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | Process of formation of thin films on semiconductor substrate and device for its implementation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2046450C1 (en) |
-
1992
- 1992-07-27 RU SU5056720 patent/RU2046450C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Заявка Японии N 60-2947, кл. G 03C 1/74, 1981. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2148654C (en) | Method and device for lacquering or coating of a substrate | |
| KR100224463B1 (en) | Coating apparatus and method of controlling the same | |
| US4197000A (en) | Positive developing method and apparatus | |
| EP0488267A2 (en) | Wafer binding method and apparatus | |
| EP0639534A2 (en) | Waste treatment system in a polishing apparatus | |
| WO1987007077A2 (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers | |
| GB2056323A (en) | Applying photoresist onto silicon wafers | |
| CN101414549A (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| EP0047308A1 (en) | Centrifugal wafer processor. | |
| JPH06206027A (en) | Method for meniscus coating | |
| RU2046450C1 (en) | Process of formation of thin films on semiconductor substrate and device for its implementation | |
| AU701991B2 (en) | Process and device for lacquering or coating a substrate | |
| JP3135209B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning equipment | |
| US20050178402A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning and drying a work piece | |
| JP2000140505A (en) | Apparatus and method for degassing | |
| US5711876A (en) | Apparatus for removing bubbles in filter housing of coating equipment | |
| US5470394A (en) | Method and apparatus for treating and cleaning plates by means of a central reactor | |
| CN109333335A (en) | Mobile arm, chemical mechanical grinding trimmer and milling apparatus | |
| JPH0226668A (en) | Coating apparatus | |
| CN114334608A (en) | Automatic photoresist stripping process | |
| JPH02122520A (en) | Application of resist | |
| KR100661391B1 (en) | Apparatus for depositing particles for manufacturing a standard wafer | |
| JPH02122819A (en) | Viscous liquid degassing and discharging apparatus, and its method | |
| CN219233081U (en) | Adsorption resin pretreatment device | |
| KR100450660B1 (en) | Receptacle for storing materials used for semiconductor fabrication process |