RU2041576C1 - Способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий - Google Patents
Способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2041576C1 RU2041576C1 SU5027946A RU2041576C1 RU 2041576 C1 RU2041576 C1 RU 2041576C1 SU 5027946 A SU5027946 A SU 5027946A RU 2041576 C1 RU2041576 C1 RU 2041576C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrates
- cleaning
- articles
- pressure
- processing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к очистке радиоэлектронных изделий перед герметизацией. Сущность изобретения: способ включает обработку изделий растворителем в виде сжиженного газа из ряда метан, этан, пропан, бутан, двуокись углерода, аммиак или их смесь. Способ позволяет повысить надежность изделий, упростить технологию, улучшить условия труда и повысить адгезию к поверхности обработанных изделий за счет исключения набухания, улучшения смачиваемости и удаления всех видов загрязнений.
Description
Изобретение относится к технологии повышения эксплуатационной надежности радиоэлектронного оборудования, в частности к очистке поверхностей подложек перед герметизацией.
Известен способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий, включающий их обработку жидким растворителем из ряда: метиловый спирт, этиловый спирт, хлороформ, хлористый метилен, трихлорэтилен, трихлорэтан, перхлорэтилен, тетрахлорэтан, трихлорметан, вода, ацетон, окттанэтил, бензол, ксилол, бензин, трихлорфторэтан, трихлорфторметан, трихлортрифторэтан, растворы фреонов в перечисленных растворителях или их смесей и сушку подложек.
Недостатками этого способа являются набухание некоторых материалов радиоэлектронных изделий, в частности полимерных, и снижение к ним адгезии, а также токсичность и/или пожароопасность и/или взрывоопасность сушки из-за химического состава растворителей.
Наиболее близким к предлагаемому является способ очистки поверхностей подложек радиоэлектронных изделий, включающий их обработку сжиженным газом из ряда фреонов и сушку подложек.
Этот способ позволяет исключить ряд недостатков предыдущего, но сохраняет высокую токсичность используемых растворителей и их экологическую вредность за счет влияния на озоновый слой атмосферы.
В предлагаемом способе очистки поверхностей подложек радиоэлектронных изделий, включающем их обработку сжиженным газом и сушку подложек, согласно изобретению в качестве сжиженного газа используют газ из ряда: метан, этан, пропан, бутан, двуокись углерода, аммиак или их смесь, причем обработку проводят при давлении выше атмосферного.
Это позволяет снизить токсичность используемых растворителей и исключить экологически вредные выбросы.
Способ реализуется следующим образом.
Радиоэлектронные изделия, требующие очистки, загружают в герметичную емкость и обрабатывают сжиженным газом из ряда: метан, этан, пропан, бутан, двуокись углерода, аммиак или их смесью. Обработку осуществляют заливкой или непрерывным потоком растворителя при температуре, близкой к температуре окружающей среды, и давлении выше атмосферного, которое обеспечивает жидкое состояние используемого растворителя при температуре обработки. Верхний предел давления с точки зрения достижения технического результата не может быть ограничен каким-либо конкретным значением. Разумным пределом давления является предел прочности обрабатываемых подложек при трехстороннем сжатии. Сочетание температуры и давления обработки выбирается также с учетом известных уравнений теплового баланса, по которым определяют нижний предел температуры обработки, исключающий переход остатков растворителя при сбросе давления в твердое фазовое состояние, который может вызвать коробление изделия. Практически получаемые по этим уравнениям значения нижнего предела температуры обработки при технически достижимых максимальных величинах давления лежат в области отрицательных температур или в области температур, близких к 0оС, поэтому при проведении обработки подложек в производственных помещениях, температурные условия в которых соответствуют комфортным, проведение такого расчета нецелесообразно. Используемые растворители легко смывают жирорастворимые загрязнения, синтетические и минеральные масла. Нерастворимые загрязнения легко пропитываются используемыми растворителями. Элементы радиоэлектронных изделий используемые растворители не впитывают и не набухают. После завершения обработки растворитель удаляют из емкости и сбрасывают давление до атмосферного, после чего растворитель, оставшийся на изделиях и впитавшийся в нерастворимые загрязнения, вскипает при падении давления до атмосферного, поскольку при нормальных условиях имеет газовое фазовое состояние. Вскипание растворителя, происходящее с резким увеличением объема приводит к удалению с подложек нерастворимых загрязнений типа окисных соединений и высушиванию изделий без дополнительного энерговвода и температурного воздействия, способного вызвать их коробление. Подложки радиоэлектронных изделий после такой обработки очищаются от всех видов загрязнений. Предельно допустимые концентрации используемых растворителей в производственных помещениях по санитарным нормам и правилам больше, чем растворителей, используемых по известному способу в 10-500 раз, причем они не оказывают влияния на озоновый слой атмосферы и экологически безвредны.
П р и м е р 1. Блок кварцевого резонатора с резонансной частотой 75 МГц после монтажа перед герметизацией обрабатывают в герметичной емкости потоком жидкой двуокиси углерода при температуре 20оС и давлении 6,5 МПа. После герметизации резонатор отработал без сбоев на 3% дольше, чем после обработки по известному способу.
П р и м е р 2. Проведена очистка той же подложки аналогично примеру 1, но с использованием жидкого этана при температуре 18оС и давлении 5,9 МПа. Результат тот же.
П р и м е р 3. Проведены технологические операции с тем же изделием аналогично примеру 1, но с использованием жидкого метана при давлении 15 МПа и температуре 25оС. Результат тот же.
П р и м е р 4. Проведена обработка того же изделия аналогично примеру 1, но с использованием жидкого пропана при давлении 1 МПа и температуре 12оС. После герметизации резонатор отработал без сбоев на 6,1% дольше, чем после обработки по известному способу.
П р и м е р 5. Проведена обработка того же изделия аналогично примеру 1, но с использованием жидкого бутана при давлении 150 кПа и температуре 13оС. Результат аналогичен примеру 1.
П р и м е р 6. Проведена обработка того же изделия аналогично примеру 1, но с использованием жидкого аммиака при давлении 10 МПа и температуре 27оС. После герметизации резонатор отработал без сбоев на 6,3% дольше, чем после обработки по известному способу.
П р и м е р 7. Проведена обработка того же изделия аналогично примеру 1, но с использованием смеси жидкой двуокиси углерода с жидким аммиаком в соотношении по массе 4:5 при давлении 100 МПа и температуре 21оС. После герметизации резонатор отработал без сбоев на 10,9% дольше, чем после обработки по известному способу.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет очистить подложки радиоэлектронных изделий с использованием менее токсичных и экологически безвредных растворителей без снижения эксплуатационной надежности очищаемых изделий.
Claims (1)
- СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ, включающий их обработку сжиженным газом и сушку, отличающийся тем, что в качестве сжиженного газа используют газ из ряда метан, этан, пропан, бутан, диоксид углерода, аммиак или их смесь, причем обработку проводят при давлении выше атмосферного.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5027946 RU2041576C1 (ru) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5027946 RU2041576C1 (ru) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2041576C1 true RU2041576C1 (ru) | 1995-08-09 |
Family
ID=21597206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5027946 RU2041576C1 (ru) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2041576C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2807567C1 (ru) * | 2023-04-21 | 2023-11-16 | Акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон" | Способ очистки водосмываемого флюса с плат с монтажом безвыводных микросхем |
-
1992
- 1992-02-17 RU SU5027946 patent/RU2041576C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Виды и особенности соединительных материалов, Добаси Иосикадзу Денси Гидзюцу, ELEKTRON ENG, 1986, 28, N 16 р.107-117. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2807567C1 (ru) * | 2023-04-21 | 2023-11-16 | Акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон" | Способ очистки водосмываемого флюса с плат с монтажом безвыводных микросхем |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1224351B1 (en) | Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent | |
US5759209A (en) | Cleaning with liquid gases | |
EP0572913A1 (en) | Continuous operation supercritical fluid treatment process and system. | |
CA2002066A1 (en) | Cleaning process using phase shifting of dense phase gases | |
US6051421A (en) | Continuous processing apparatus and method for cleaning articles with liquified compressed gaseous solvents | |
WO1984002291A1 (en) | Method of cleaning articles using super-critical gases | |
US5073291A (en) | Novel azeotrope-type solvent mixture of methanol and 1,4-dihydroperfluorobutane and process for cleaning electronic components with the aid of the same | |
US6783602B2 (en) | Multistep single chamber parts processing method | |
RU2041576C1 (ru) | Способ очистки поверхности подложек радиоэлектронных изделий | |
KR960030980A (ko) | 삼불화질소 희석물에 의한 열세정 방법 | |
MXPA05006556A (es) | Composiciones y metodos para limpiar articulos contaminados. | |
US4260510A (en) | Cleaning composition | |
EP0624405A1 (en) | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases | |
US4268407A (en) | Cleaning composition | |
WO1997048788A2 (en) | Azeotrope-like compositions of 1,1,1,3,3-pentafluoropropane and c1-c3 alcohols | |
US5266232A (en) | Azeotrope-like mixture of methanol and 1H-perfluorohexane | |
US5087386A (en) | Fluorine-containing alcohol-based dehydrating agent and method of drying articles | |
JPH04227799A (ja) | 1,1,1,2,2−ペンタフルオロ−3,3−ジクロルプロパンおよびメチルt−ブチルエーテルに基づく清浄用組成物 | |
AU726709B2 (en) | Cleaning or drying compositions based on 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-decafluoropentane | |
KR20070042157A (ko) | 증착, 세정, 탈지 및 건조 적용에 이용되는,1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄으로 만들어진 조성물 | |
AU710688B2 (en) | Decafluoropentane compositions | |
WO1994020601A1 (en) | Process for producing clean article | |
US4965011A (en) | Azeotrope-like compositions of 1,1-dichloro-1-fluoroethane, dichlorotrifluoroethane, and nitromethane | |
GB2046292A (en) | Cleaning composition | |
GB2033422A (en) | Solvent Cleaning Composition |