RU2039852C1 - Устройство для выращивания монокристаллов из расплава - Google Patents
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава Download PDFInfo
- Publication number
- RU2039852C1 RU2039852C1 SU5008541A RU2039852C1 RU 2039852 C1 RU2039852 C1 RU 2039852C1 SU 5008541 A SU5008541 A SU 5008541A RU 2039852 C1 RU2039852 C1 RU 2039852C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- container
- heater
- holder
- nut
- drive
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Использование: в области выращивания монокристаллов, преимущественно методом направленной кристаллизации. Сущность изобретения: устройство содержит камеру роста, размещенный в ней один или несколько нагреватель
Description
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплава, преимущественно методом направленной кристаллизации.
Наиболее близким к заявляемому по технической сущности является устройство для выращивания монокристаллов из расплава, содержащее камеру роста, в которой установлен нагреватель, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт и ходовую гайку. Нагреватель выполнен в виде верхних и нижних полувитков, полностью охватывающих контейнер с держателем, установленным на направляющих роликах, закрепленных относительно нагревателя и расположенных в горячей зоне.
Недостаток известного устройства наличие роликов в направлении перемещения контейнера, расположенных в горячей зоне, которое приводит к снижению равномерности перемещения контейнера вследствие прихватывания роликов к направляющим, что резко снижает качество выращиваемых кристаллов.
Цель изобретения повышение качества выращиваемых кристаллов.
Указанная цель достигается тем, что в устройстве для выращивания монокристаллов из расплава, содержащем кристаллизационную камеру, в корпусе которой установлен нагреватель, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт и ходовую гайку, нагреватель имеет Ω -образную форму, а держатель контейнера закреплен на ходовой гайке и размещен в прорези нагревателя. Другим отличием устройства является то, что оно дополнительно снабжено, по меньшей мере, одним нагревателем, имеющем Ω-образную форму и установленным вдоль направления движения контейнера.
На фиг.1 схематически изображено заявляемое устройство; на фиг. 2 разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 разрез Б-Б на фиг. 1.
Устройство содержит кристаллизационную камеру, корпус которой состоит из двух частей: нижней стационарной 1 и верхней съемной 2. В нижней части 2 корпуса камеры установлен нагреватель 3, помещенный в экранную теплоизоляцию 4. Пластинчатый держатель 5 несет на себе контейнер 6 с шихтой.
Держатель 5 закреплен через керамическую тепловую и электрическую развязку 7 и пальцы 8 на ходовой гайке 9, перемещаемой ходовым винтом 10. Ограничение от вращения ходовой гайки 9 относительно оси винта 10, а следовательно, и контейнера 6 производится направляющими планками 11, закрепленными на две нижней части корпуса 1 рабочей камеры. Привод вращения ходового винта 10 осуществляется от двигателя 12 через червячную пару 13 и 14.
Предлагаемая схема кристаллизационной камеры позволяет также использовать несколько нагревателей Ω -образной формы, устанавливаемых вдоль направления движения контейнера. В этом случае кроме выращивания кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации могут быть реализованы варианты многозонной очистки кристаллов и выращивание кристаллов с последующим отжигом.
Устройство работает следующим образом.
Верхняя съемная часть 2 корпуса кристаллизационной камеры поднимается при помощи подъемника (не показан). Снимаются крышки экранной теплоизоляции 4, и контейнер 6 с шихтой устанавливается на держатель 5, который предварительно должен быть помещен в исходное положение (на фиг. 1 крайнее левое) установки контейнера 6 на держателе 5. Крышки экранной теплоизоляции 4 возвращаются на место, и съемная часть 2 корпуса кристаллизационной камеры опускается подъемником на стационарную часть 1 корпуса камеры и крепится к последней специальными замками (не показаны).
После герметизации корпуса кристаллизационной камеры осуществляется откачка вакуума либо напуск газа (в зависимости от технологического процесса).
Включается питание нагревателя 3, и после выхода тепловой зоны кристаллизационной камеры на заданный режим включается двигатель 12 привода перемещения контейнера 6. Вращающий момент от двигателя 12 через червячную пару 13 и 14 передается на ходовой винт 10, который, вращаясь, перемещает ходовую гайку 9.
Ходовая гайка 9 при помощи пальцев 8 и развязки 7 перемещает держатель 5, несущий на себе контейнер 6 с шихтой, который, перемещаясь вдоль оси кристаллизационной камеры, вводится в зону нагревателя 3 и шихта расплавляется. Планки 11 направляют пальцы 8 и препятствуют боковому перемещению контейнера 6.
Дальнейшее перемещение контейнера 6 с расплавленной шихтой вдоль оси кристаллизационной камеры на рабочей скорости приводит к выводу контейнера 6 из рабочей зоны нагревателя 3, и в результате постепенного снижения температуры расплава при выходе контейнера 6 из нагревателя 3 происходит кристаллизация монокристалла. Выращенный монокристалл остывает в приемной части экранной теплоизоляции 4.
После полного остывания до комнатной температуры выращенный монокристалл вместе с контейнером извлекается из кристаллизационной камеры при помощи подъема счетной части 2 корпуса кристаллизационной камеры.
Изобретение обеспечило повышение качества выращиваемых кристаллов. Как показали испытания, использование изобретения приводит к улучшению качества монокристаллов за счет повышения равномерности перемещения контейнера, благодаря отсутствию в горячей зоне роликов, на которых в прототипе осуществлялось перемещение держателя контейнера.
Claims (2)
1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА, содержащее камеру роста, размещенные в ней нагреватель и контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт с гайкой, отличающееся тем, что нагреватель имеет Ω -образную форму, а держатель контейнера закреплен на гайке привода перемещения контейнера и размещен в прорези нагревателя.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно снабжено по меньшей мере одним нагревателем, имеющим W -образную форму и установленным вдоль направления движения контейнера.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5008541 RU2039852C1 (ru) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Устройство для выращивания монокристаллов из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5008541 RU2039852C1 (ru) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Устройство для выращивания монокристаллов из расплава |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2039852C1 true RU2039852C1 (ru) | 1995-07-20 |
Family
ID=21588494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5008541 RU2039852C1 (ru) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Устройство для выращивания монокристаллов из расплава |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2039852C1 (ru) |
-
1991
- 1991-11-11 RU SU5008541 patent/RU2039852C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 1031256, кл. C 30B 11/00, 1989. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4650540A (en) | Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements | |
US3953281A (en) | Method and system for growing monocrystalline ingots | |
WO2008086705A1 (fr) | Système de production de cristaux utilisé dans un procédé à gradient thermique par rotation de plusieurs creusets | |
CN113106548B (zh) | 一种pzn基大尺寸三元高性能单晶、生长方法及熔盐炉 | |
SU1168087A3 (ru) | Устройство дл электромагнитного лить полосы (его варианты) | |
WO1993017158A1 (en) | Method and apparatus for growing shaped crystals | |
EP0400995B1 (en) | Single crystal pulling apparatus and method | |
US5330729A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
RU2039852C1 (ru) | Устройство для выращивания монокристаллов из расплава | |
CN113638042A (zh) | 一种低应力碳化硅单晶的生长装置和生长工艺 | |
US4784715A (en) | Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements | |
CN106676630A (zh) | 硅片提拉装置及其控制方法 | |
US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
US4018566A (en) | Light responsive measuring device for heater control | |
CN219772329U (zh) | 一种掺铬铥钬钇铝石榴石激光晶体生长温场结构 | |
KR100485023B1 (ko) | SiC 단결정 성장장치 | |
RU1649852C (ru) | Способ синтеза и наплавлени шихты германоэвлинита и устройство дл его осуществлени | |
CN216039935U (zh) | 一种低应力碳化硅单晶的生长装置 | |
US6797058B2 (en) | Process and device for growing single crystals, especially of CaF2 | |
KR100309509B1 (ko) | 냉각시스템을 구비한 단결정 성장장치 | |
EP0416799B1 (en) | A single crystal pulling apparatus | |
US3539305A (en) | Zone refining method with plural supply rods | |
KR0127921Y1 (ko) | 다중도가니 장착용 단결정 제조장치 | |
US6033472A (en) | Semiconductor single crystal manufacturing apparatus | |
WO1986006109A1 (en) | Method and apparatus for growing single crystal bodies |