RU2039852C1 - Устройство для выращивания монокристаллов из расплава - Google Patents

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава Download PDF

Info

Publication number
RU2039852C1
RU2039852C1 SU5008541A RU2039852C1 RU 2039852 C1 RU2039852 C1 RU 2039852C1 SU 5008541 A SU5008541 A SU 5008541A RU 2039852 C1 RU2039852 C1 RU 2039852C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
container
heater
holder
nut
drive
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Э.Я. Станишевский
Ю.В. Семенков
Б.П. Соболев
Л.Л. Вистинь
М.П. Кисельков
Original Assignee
Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН filed Critical Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН
Priority to SU5008541 priority Critical patent/RU2039852C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2039852C1 publication Critical patent/RU2039852C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Использование: в области выращивания монокристаллов, преимущественно методом направленной кристаллизации. Сущность изобретения: устройство содержит камеру роста, размещенный в ней один или несколько нагреватель

Description

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплава, преимущественно методом направленной кристаллизации.
Наиболее близким к заявляемому по технической сущности является устройство для выращивания монокристаллов из расплава, содержащее камеру роста, в которой установлен нагреватель, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт и ходовую гайку. Нагреватель выполнен в виде верхних и нижних полувитков, полностью охватывающих контейнер с держателем, установленным на направляющих роликах, закрепленных относительно нагревателя и расположенных в горячей зоне.
Недостаток известного устройства наличие роликов в направлении перемещения контейнера, расположенных в горячей зоне, которое приводит к снижению равномерности перемещения контейнера вследствие прихватывания роликов к направляющим, что резко снижает качество выращиваемых кристаллов.
Цель изобретения повышение качества выращиваемых кристаллов.
Указанная цель достигается тем, что в устройстве для выращивания монокристаллов из расплава, содержащем кристаллизационную камеру, в корпусе которой установлен нагреватель, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт и ходовую гайку, нагреватель имеет Ω -образную форму, а держатель контейнера закреплен на ходовой гайке и размещен в прорези нагревателя. Другим отличием устройства является то, что оно дополнительно снабжено, по меньшей мере, одним нагревателем, имеющем Ω-образную форму и установленным вдоль направления движения контейнера.
На фиг.1 схематически изображено заявляемое устройство; на фиг. 2 разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 разрез Б-Б на фиг. 1.
Устройство содержит кристаллизационную камеру, корпус которой состоит из двух частей: нижней стационарной 1 и верхней съемной 2. В нижней части 2 корпуса камеры установлен нагреватель 3, помещенный в экранную теплоизоляцию 4. Пластинчатый держатель 5 несет на себе контейнер 6 с шихтой.
Держатель 5 закреплен через керамическую тепловую и электрическую развязку 7 и пальцы 8 на ходовой гайке 9, перемещаемой ходовым винтом 10. Ограничение от вращения ходовой гайки 9 относительно оси винта 10, а следовательно, и контейнера 6 производится направляющими планками 11, закрепленными на две нижней части корпуса 1 рабочей камеры. Привод вращения ходового винта 10 осуществляется от двигателя 12 через червячную пару 13 и 14.
Предлагаемая схема кристаллизационной камеры позволяет также использовать несколько нагревателей Ω -образной формы, устанавливаемых вдоль направления движения контейнера. В этом случае кроме выращивания кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации могут быть реализованы варианты многозонной очистки кристаллов и выращивание кристаллов с последующим отжигом.
Устройство работает следующим образом.
Верхняя съемная часть 2 корпуса кристаллизационной камеры поднимается при помощи подъемника (не показан). Снимаются крышки экранной теплоизоляции 4, и контейнер 6 с шихтой устанавливается на держатель 5, который предварительно должен быть помещен в исходное положение (на фиг. 1 крайнее левое) установки контейнера 6 на держателе 5. Крышки экранной теплоизоляции 4 возвращаются на место, и съемная часть 2 корпуса кристаллизационной камеры опускается подъемником на стационарную часть 1 корпуса камеры и крепится к последней специальными замками (не показаны).
После герметизации корпуса кристаллизационной камеры осуществляется откачка вакуума либо напуск газа (в зависимости от технологического процесса).
Включается питание нагревателя 3, и после выхода тепловой зоны кристаллизационной камеры на заданный режим включается двигатель 12 привода перемещения контейнера 6. Вращающий момент от двигателя 12 через червячную пару 13 и 14 передается на ходовой винт 10, который, вращаясь, перемещает ходовую гайку 9.
Ходовая гайка 9 при помощи пальцев 8 и развязки 7 перемещает держатель 5, несущий на себе контейнер 6 с шихтой, который, перемещаясь вдоль оси кристаллизационной камеры, вводится в зону нагревателя 3 и шихта расплавляется. Планки 11 направляют пальцы 8 и препятствуют боковому перемещению контейнера 6.
Дальнейшее перемещение контейнера 6 с расплавленной шихтой вдоль оси кристаллизационной камеры на рабочей скорости приводит к выводу контейнера 6 из рабочей зоны нагревателя 3, и в результате постепенного снижения температуры расплава при выходе контейнера 6 из нагревателя 3 происходит кристаллизация монокристалла. Выращенный монокристалл остывает в приемной части экранной теплоизоляции 4.
После полного остывания до комнатной температуры выращенный монокристалл вместе с контейнером извлекается из кристаллизационной камеры при помощи подъема счетной части 2 корпуса кристаллизационной камеры.
Изобретение обеспечило повышение качества выращиваемых кристаллов. Как показали испытания, использование изобретения приводит к улучшению качества монокристаллов за счет повышения равномерности перемещения контейнера, благодаря отсутствию в горячей зоне роликов, на которых в прототипе осуществлялось перемещение держателя контейнера.

Claims (2)

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА, содержащее камеру роста, размещенные в ней нагреватель и контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт с гайкой, отличающееся тем, что нагреватель имеет Ω -образную форму, а держатель контейнера закреплен на гайке привода перемещения контейнера и размещен в прорези нагревателя.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно снабжено по меньшей мере одним нагревателем, имеющим W -образную форму и установленным вдоль направления движения контейнера.
SU5008541 1991-11-11 1991-11-11 Устройство для выращивания монокристаллов из расплава RU2039852C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5008541 RU2039852C1 (ru) 1991-11-11 1991-11-11 Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5008541 RU2039852C1 (ru) 1991-11-11 1991-11-11 Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2039852C1 true RU2039852C1 (ru) 1995-07-20

Family

ID=21588494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5008541 RU2039852C1 (ru) 1991-11-11 1991-11-11 Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2039852C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 1031256, кл. C 30B 11/00, 1989. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4650540A (en) Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
US3953281A (en) Method and system for growing monocrystalline ingots
WO2008086705A1 (fr) Système de production de cristaux utilisé dans un procédé à gradient thermique par rotation de plusieurs creusets
CN113106548B (zh) 一种pzn基大尺寸三元高性能单晶、生长方法及熔盐炉
SU1168087A3 (ru) Устройство дл электромагнитного лить полосы (его варианты)
WO1993017158A1 (en) Method and apparatus for growing shaped crystals
EP0400995B1 (en) Single crystal pulling apparatus and method
US5330729A (en) Single crystal pulling apparatus
RU2039852C1 (ru) Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
CN113638042A (zh) 一种低应力碳化硅单晶的生长装置和生长工艺
US4784715A (en) Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
CN106676630A (zh) 硅片提拉装置及其控制方法
US3360405A (en) Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt
US4018566A (en) Light responsive measuring device for heater control
CN219772329U (zh) 一种掺铬铥钬钇铝石榴石激光晶体生长温场结构
KR100485023B1 (ko) SiC 단결정 성장장치
RU1649852C (ru) Способ синтеза и наплавлени шихты германоэвлинита и устройство дл его осуществлени
CN216039935U (zh) 一种低应力碳化硅单晶的生长装置
US6797058B2 (en) Process and device for growing single crystals, especially of CaF2
KR100309509B1 (ko) 냉각시스템을 구비한 단결정 성장장치
EP0416799B1 (en) A single crystal pulling apparatus
US3539305A (en) Zone refining method with plural supply rods
KR0127921Y1 (ko) 다중도가니 장착용 단결정 제조장치
US6033472A (en) Semiconductor single crystal manufacturing apparatus
WO1986006109A1 (en) Method and apparatus for growing single crystal bodies