RU2038643C1 - Process of generation of ion beam - Google Patents
Process of generation of ion beam Download PDFInfo
- Publication number
- RU2038643C1 RU2038643C1 SU5024091A RU2038643C1 RU 2038643 C1 RU2038643 C1 RU 2038643C1 SU 5024091 A SU5024091 A SU 5024091A RU 2038643 C1 RU2038643 C1 RU 2038643C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- discharge
- grid
- cavity
- chamber
- gas
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике получения сильноточных ионных пучков большого сечения. The invention relates to techniques for producing high-current ion beams of large cross section.
Известен способ генерирования ионного пучка посредством ионных источников Кауфмана (1). Согласно данному способу накаляемый катод, эмиттирующий электроны, располагают на оси цилиндрической разрядной камеры, которую, в свою очередь, помещают в слабое магнитное поле. Анодом в данном случае служит часть цилиндра. При этом способе генерирования ионного пучка электроны движутся в скрещенных магнитных и электрических полях по спиральным траекториям вокруг оси. В результате чего увеличивается длина их пробега и вероятность ионизации рабочего газа. Ионы вытягиваются, ускоряются и фокусируются ионно-оптической системой. Существенным недостатком генерирования ионного пучка по способу, реализованному в источниках Кауфмана, является относительно небольшой срок службы накаливаемых катодов (несколько десятков часов). A known method of generating an ion beam through ion sources of Kaufman (1). According to this method, a heated cathode emitting electrons is placed on the axis of a cylindrical discharge chamber, which, in turn, is placed in a weak magnetic field. In this case, the anode is part of the cylinder. With this method of generating an ion beam, electrons move in crossed magnetic and electric fields along spiral paths around an axis. As a result, their path length and the probability of ionization of the working gas increase. Ions are pulled, accelerated and focused by the ion-optical system. A significant drawback of ion beam generation by the method implemented in Kaufman sources is the relatively short service life of incandescent cathodes (several tens of hours).
Наиболее близким к предлагаемому является способ генерирования ионного пучка [2] включающий возбуждение в замкнутой разрядной полости вакуумной камеры между катодом и анодом электрического газового разряда, подачу на электрически изолированную от вакуумной камеры эмиссионную сетку отрицательного потенциала для формирования границы плазмы между разрядной полостью и сообщающейся с ней изолированной рабочей полостью вакуумной камеры, а также подачу ускоряющего отрицательного потенциала в зону изолированной рабочей полости вакуумной камеры. Closest to the proposed one is a method of generating an ion beam [2] comprising excitation of a vacuum gas chamber between the cathode and anode of an electric gas discharge in a closed discharge cavity, supplying a negative potential emission grid to the plasma electrically isolated from the vacuum chamber to form a plasma boundary between the discharge cavity and the communicating cavity the isolated working cavity of the vacuum chamber, as well as the supply of an accelerating negative potential to the zone of the isolated working cavity of the vacuum cameras.
При генерировании ионного пучка согласно данному способу, например, в установке с площадью эмиссионной сетки 1000 см2 величина ионного тока составляет 1 А. Таким образом, плотность ионного тока составляет 1 mA/см2. Увеличение плотности ионного тока может быть достигнуто за счет разветвления поверхности катода, а это усложняет конструкцию и, соответственно, уменьшает надежность установки.When generating an ion beam according to this method, for example, in an installation with an emission grid area of 1000 cm 2, the ion current is 1 A. Thus, the ion current density is 1 mA / cm 2 . An increase in the ion current density can be achieved by branching the cathode surface, and this complicates the design and, accordingly, reduces the reliability of the installation.
Цель изобретения повышение плотности ионного тока при повышении надежности установки в целом. The purpose of the invention is to increase the ion current density while increasing the reliability of the installation as a whole.
Цель достигается за счет того, что в способе генерирования ионного пучка, включающем возбуждение в замкнутой разрядной полости вакуумной камеры между катодом и анодом газового разряда, подачу на электрически изолированную от вакуумной камеры эмиссионную сетку отрицательного потенциала для формирования границы плазмы между разрядной полостью и сообщающейся с ней изолированной рабочей полостью вакуумной камеры и ускорения ионов в разрядной полости возбуждают двухступенчатый вакуумно-дуговой разряд с интегрально-холодным катодом, включающий разделенные металлогазовую и газовую ступени, первую из которых отделяют от рабочей полости камеры, сетку располагают в зоне газовой ступени разряда, при этом в зоне столба газовой плазмы создают магнитное поле, силовые линии которого расположены в плоскостях, перпендикулярных направлению тока разряда и имеют направление, обеспечивающее смещение тока разряда в сторону сетки. Сетка может быть расположена в зоне газовой ступени по замкнутому контуру симметрично относительно оси разрядной полости камеры, а магнитное поле создают посредством установки по оси сетки изолированного от плазмы проводника, по которому пропускают ток. Сетку можно располагать в зоне газовой ступени в плоскости раздела разрядной и рабочей полостей, а магнитное поле создают посредством установки оппозитно сетке со стороны разрядной полости и за ее пределами проводника в виде плоской пластины из электропроводного материала, расположенной параллельно сетке, при этом по пластине пропускают ток. The goal is achieved due to the fact that in the method of generating an ion beam, which includes excitation in a closed discharge cavity of a vacuum chamber between the cathode and the anode of a gas discharge, supplying a negative potential emission grid to the plasma electrically isolated from the vacuum chamber to form a plasma boundary between the discharge cavity and communicating with it an isolated working cavity of the vacuum chamber and ion acceleration in the discharge cavity, a two-stage vacuum-arc discharge with an integrated cold cathode is excited, including yielding separated metal-gas and gas stages, the first of which is separated from the working cavity of the chamber, the grid is placed in the zone of the gas stage of the discharge, while in the zone of the column of the gas plasma a magnetic field is created, the lines of force of which are located in planes perpendicular to the direction of the discharge current and have a direction, providing displacement of the discharge current towards the grid. The grid can be located in the zone of the gas stage in a closed loop symmetrically with respect to the axis of the discharge cavity of the chamber, and a magnetic field is created by installing a conductor isolated from the plasma along the grid axis, through which a current is passed. The grid can be placed in the zone of the gas stage in the plane of separation of the discharge and working cavities, and a magnetic field is created by installing an oppositely placed grid on the side of the discharge cavity and outside the conductor in the form of a flat plate of electrically conductive material parallel to the grid, while a current is passed through the plate .
Разрядную полость камеры разделяют на две симметричные части перегородкой, один конец которой располагают с зазором относительно стенки разрядной полости камеры, расположенной противоположно катоду, анод и катод размещают со стороны второго закрепляемого на стенке камеры, конца перегородки по разные стороны от нее, а сетку располагают с охватом перегородки по всей ее поверхности расположенной в зоне газовой ступени разряда. Концы проводника можно подключать к автономному источнику питания. Один конец проводника можно подключать к положительному полюсу источника питания дугового разряда, а второй к аноду. Устанавливаемую перегородку выполняют преимущественно из неэлектропроводного материала. The discharge cavity of the chamber is divided into two symmetric parts by a partition, one end of which is positioned with a gap relative to the wall of the discharge cavity of the chamber located opposite the cathode, the anode and cathode are placed on the side of the second end of the partition fixed to the chamber wall, and the grid is placed on coverage of the partition along its entire surface located in the gas discharge stage. The ends of the conductor can be connected to an autonomous power source. One end of the conductor can be connected to the positive pole of the arc discharge power source, and the other to the anode. The installed partition is made mainly of non-conductive material.
Цель (в части повышения плотности ионного тока) достигается за счет использования для создания плазмы, из которой генерируются ионы, более сильноточного вакуумно-дугового разряда, от величины которого зависит степень ионизации плазмы, и, следовательно, извлекаемый из нее ионный ток не зависит от геометрических размеров катода и определяется его теплофизическими свойствами. Вторым фактором, повышающим плотность тока в предложенном способе, является создание в зоне столба газовой плазмы магнитного поля, силовые линии которого нормальны по направлению электрического поля и направлены в определенную сторону, с возможностью создания усилия, смещающего электронный ток разряда в направлении сетки. При этом плотность электронного тока разряда становится неоднородной и имеет максимальную величину плотности вблизи сетки. При этом возрастает плотность ионного тока, извлекаемого отрицательно зараженной сеткой, поскольку в районе сетки возрастает степень ионизации плазмы. The goal (in terms of increasing the ion current density) is achieved by using a more high-current vacuum-arc discharge to create the plasma from which the ions are generated, the magnitude of which determines the degree of plasma ionization, and, therefore, the ion current extracted from it does not depend on geometric dimensions of the cathode and is determined by its thermophysical properties. The second factor that increases the current density in the proposed method is the creation in the zone of the column of gas plasma of a magnetic field, the lines of force of which are normal in the direction of the electric field and directed in a certain direction, with the possibility of creating a force that biases the discharge current in the direction of the grid. In this case, the density of the electron discharge current becomes inhomogeneous and has a maximum density near the grid. In this case, the density of the ion current extracted by the negatively infected network increases, since the degree of plasma ionization in the region of the network increases.
Для создания аксиально симметричного потока ионов внутри вакуумной камеры сетку располагают в зоне газовой ступени по замкнутому контуру симметрично оси разрядной полости камеры, и в виде полого цилиндра, образующей поверхностью которого является сетка, а магнитное поле создают посредством установки по оси цилиндра, изолированного от плазмы проводника с током. Направление тока в проводнике выбирают противоположным направлению тока разряда. При таком направлении токов, круговое магнитное поле, возникающее в проводнике, создает на движущиеся электроны силу Лоренца, вынуждающую электроны смещаться в направлении сетки и, тем самым, повышая плотность ионного тока, извлекаемого эмиссионной сеткой. To create an axially symmetric ion flow inside the vacuum chamber, the grid is placed in the gas stage zone in a closed loop symmetrically to the axis of the discharge chamber cavity, and in the form of a hollow cylinder, the grid forming the surface of which, and a magnetic field is created by installing a cylinder isolated from the plasma of the conductor along the axis with current. The direction of the current in the conductor is chosen opposite to the direction of the discharge current. With this direction of currents, a circular magnetic field arising in the conductor creates a Lorentz force on moving electrons, forcing the electrons to move in the direction of the network and, thereby, increasing the density of the ion current extracted by the emission network.
При необходимости создания параллельного ионного потока сетку располагают по плоскости раздела разрядной и рабочей полостей камеры, а за пределами разрядной полости оппозитно сетке и параллельно ей устанавливают пластину из электропроводного материала по которому пропускают ток. Направление тока в пластине противоположно направлению тока разряда. Вокруг пластины образуется магнитное поле силовые линии которого нормальны току разряда и вынуждают поток электронов сместиться в направлении сетки, увеличивая плотность извлекаемого с помощью сетки ионного тока. If it is necessary to create a parallel ion flow, the grid is placed along the interface between the discharge and working cavities of the chamber, and outside the discharge cavity, a plate of electrically conductive material is passed along the grid and parallel to it, through which current is passed. The direction of current in the plate is opposite to the direction of discharge current. A magnetic field is formed around the plate, the lines of force of which are normal to the discharge current and force the electron flow to shift in the direction of the grid, increasing the density of the ion current extracted using the grid.
Целесообразно в вышеуказанных вариантах реализации способа проводник или пластину подключать к автономному регулируемому источнику питания. В этом случае изменяя величину тока в проводнике можно изменять плотность ионного тока. It is advisable in the above embodiments of the method to connect the conductor or plate to an autonomous regulated power source. In this case, changing the magnitude of the current in the conductor, you can change the density of the ion current.
Для упрощения установки для реализации способа возможно проводник использовать в качестве токопровода к аноду, используя для регулировки плотности ионного тока любые известные способы. Для получения противоположно направленных параллельных ионных потоков разрядную полость камеры разделяют на две симметричные части перегородкой, один конец которой располагают с зазором относительно стенки разрядной полости камеры, расположенной противоположно катоду, анод и катод размещают со стороны второго, закрепляемого на стенке камеры конца перегородки по разные стороны от нее, а сетку располагают с охватом перегородки по всей ее поверхности, расположенной в зоне газовой ступени разряда. В этом способе электронный ток проходит в положительном столбе газовой плазмы по обе стороны перегородки в противоположных направлениях. Магнитные поля этих токов создают силы вынуждающие токи, текущие в плазме сместиться в направлении сетки. To simplify the installation for implementing the method, it is possible to use the conductor as a current lead to the anode, using any known methods to adjust the ion current density. To obtain oppositely directed parallel ion flows, the discharge chamber cavity is divided into two symmetric parts by a partition, one end of which is positioned with a gap relative to the chamber cavity wall located opposite the cathode, the anode and cathode are placed on the side of the second end of the partition wall fixed to the chamber wall on opposite sides from it, and the grid is located with the coverage of the partition along its entire surface located in the zone of the gas discharge stage. In this method, an electron current flows in a positive column of gas plasma on both sides of the septum in opposite directions. The magnetic fields of these currents create forces driving the currents flowing in the plasma to shift in the direction of the grid.
На фиг.1, 2, 3 и 4 изображены варианты установок для реализации способа; на фиг.5 вид А фиг.4. Figure 1, 2, 3 and 4 depict options for the installation of the method; figure 5, view A of figure 4.
Ионный источник для реализации способа (фиг.1) содержит вакуумную камеру 1, внутри камеры 1 на ее верхнем торце установлен угловой патрубок 2, угловой патрубок 2 изолирован от фланца камеры 1 изолятором 3. На глухом торце углового патрубка 2 установлен интегрально-холодный катод 4 вакуумно-дугового разряда, внутри вакуумной камеры, по ее оси установлена эмиссионная сетка 5 в виде полого цилиндра. Вблизи наиболее удаленного от катода торца сетки, противоположно ему установлен анод 6. Токоподвод к аноду 6 проходит внутри сетки 5 по ее оси внутри термоизоляционной трубки 8. Электропитание вакуумно-дугового разряда осуществляется от источника 9 постоянного тока. Экстракция и ускорение ионов с помощью эмиссионной сетки производится высоковольтным источником 10, подключаемым к сетке через ключ 11. На нижнем фланце камеры расположен катод 12 вакуумно-дугового разряда с экраном 13 и источником питания 14, предназначенным для нейтрализации объемного положительного заряда, возникающего в вакуумной камере, электронами дугового разряда. В рабочей полости вакуумной камеры устанавливаются обрабатываемые изделия 15. The ion source for implementing the method (Fig. 1) contains a
Установка (фиг. 2) содержит вакуумную камеру 1 с установленной в ней изолированной разрядной камерой (полостью) 16. На торце разрядной камеры 16 установлены катод 4 и анод 6 вакуумно-дугового разряда, между которыми расположена перегородка 17. Перегородка 17 образует зазор 18 с торцевой стенкой разрядной камеры. Вблизи катода 4 установлены оптически непрозрачный, но проницаемый для электронов экран 19. Параллельно перегородке установлена эмиссионная сетка 5. Напротив сетки расположены обрабатываемые изделия 15. Катод и анод двухступенатого вакуумно-дугового разряда подключены к источнику питания 9. Эмиссионная сетка подключена к источнику питания 10. The installation (Fig. 2) contains a
Ионный источник (фиг. 3 и 4) содержит вакуумную камеру 1, состоящую из рабочей 20 и разрядной 21 полостей. В разрядной полости вблизи одного из оснований с размерами а и b установлен катод 4 и непроницаемый для ионов, но проницаемый для электронов разряда экран 19. У противоположного основания с теми же размерами установлен анод 6 вакуумно-дугового разряда. Экран 19 делит разрядную полость на катодную и анодную части. В анодной части разрядной полости имеется прямоугольное отверстие, через которое разрядная полость сообщается с рабочей полостью вакуумной камеры 1. Разрядная и рабочая полости сообщаются между собой через изолирующую прокладку 3. В прямоугольном отверстии установлена эмиссионная сетка 5. Снаружи разрядной полости со стороны ее основания с размерами b˙c установлена металлическая пластина 22 по всей длине анодной части разрядной полости. Размер сечения пластины, по крайней мере не менее размера b в разрядной полости. Электропитание вакуумно-дугового разряда осуществляется от источника питания 9 постоянного тока. Извлечение ионного потока из плазмы газового разряда анодной части в разрядной полости производится с помощью отрицательного потенциала на эмиссионной сетке 5 от высоковольтного источника 10. Магнитное поле от пластины 22 образуется с помощью источника 23. На фиг.4 и 5 также показан штриховкой столб плазмы. The ion source (Fig. 3 and 4) contains a
Осуществляется заявленный способ следующим образом. The claimed method is carried out as follows.
В разрядной полости вакуумной камеры 1 между катодом 4 и анодом 6 при парциальном давлении рабочего газа (аргон, азот, кислород, углеводородсодержащие газы) 10-1-10 Па возбуждается двухступенчатый вакуумно-дуговой разряд. В разрядной полости 21 образуются две области катодная и анодная, границей которых служит оптически непрозрачная, но проницаемая для электронов перегородка 19 (шеврон). Катодная часть разрядной полости 3 заполнена металлогазовой плазмой, анодная часть чисто газовой плазмой. Газовая плазма равномерно заполняет все пространство анодной части, поэтому ток ионов в направлении прямоугольного отверстия составляет Sок/Sач, где Sок площадь прямоугольного окна, Sач площадь анодной части разрядной камеры. Если по пластине 22, пропустить электрический ток от источника 9 (фиг.3) или источника 23 (фиг.4) постоянного тока в направлении, при котором разрядный ток Iр направлен во встречном направлении, то вокруг пластины образуется магнитное поле. Такое же магнитное поле образуется вокруг плазменного токового шнура в анодной части разрядной камеры. Между магнитными полями возникает силовое взаимодействие, которое вынуждает плазменный токовый шнур отжиматься в направлении сетки 5. Таким образом, повышается поток ионов на сетку и снижается поток ионов на стенки анодной части разрядной камеры. При подаче высоковольтного отрицательного потенциала на сетку, относительно газовой плазмы, заполняющей анодную часть разрядной камеры, вблизи сетки появляется двойной электрический слой, из которого извлекаются ионы газовой плазмы. В электрическом поле двойного слоя ионы ускоряются и проникают в рабочее пространство вакуумной камеры, в котором установлены обрабатываемые изделия 15. Для нейтрализации объемного положительного заряда ионов, в рабочей части вакуумной камеры располагают нейтрализатор (фиг.1). Им может быть накаляемая вольфрамовая спираль, обеспечивающая эмиссию электронов, для нейтрализации ионного потока ионного источника.In the discharge cavity of the
Расстояние между элементами сетки d должно быть таким, чтобы выполнялось соотношение
2d< где d ширина слоя ионного объемного заряда, отделяющего коллектор ионов (сетку) от границы плазмы;
М масса иона рабочего газа;
U напряжение на сетке;
j плотность тока положительных ионов на сетку.The distance between the grid elements d must be such that the relation
2d < where d is the width of the layer of ionic space charge separating the ion collector (grid) from the plasma boundary;
M is the mass of the working gas ion;
U voltage on the grid;
j current density of positive ions on the grid.
Проверка работоспособности способа производилась на источнике ионов (фиг. 3). Был изготовлен макет, который имел следующие рабочие характеристики: а расстояние от основания разрядной полости до сетки 30 мм; b ширина разрядной полости 150 мм; с длина разрядной полости 900 мм; размер окна, в котором установлена сетка 720х150 мм; размер сетки 700х140 мм; напряжение на сетке 1000 В; размер ячеек сетки 3х3; диаметр проволоки сетки 0,5 мм; прозрачность сетки 0,7; ток сетки 2,3 А; ток ионов на зонд, установленный в 20 мм от сетки 5,5 А; ток разряда 50 А; катод из алюминия, пластина включена последовательно с анодом; напряжение между анодом и катодом 80 В. При подключении положительного полюса источника питания непосредственно к аноду, минуя пластину, ионный ток составляет 2 А вместо 5,5 А по предлагаемому способу. Check the efficiency of the method was carried out at the source of ions (Fig. 3). A layout was made that had the following performance characteristics: and the distance from the base of the discharge cavity to the grid was 30 mm; b width of the discharge cavity 150 mm; with the length of the discharge cavity 900 mm; the size of the window in which the grid is installed 720x150 mm; mesh size 700x140 mm; grid voltage 1000 V; mesh size 3x3; mesh wire diameter 0.5 mm; mesh transparency 0.7; grid current 2.3 A; the ion current to the probe installed at 20 mm from the 5.5 A grid; discharge current 50 A; the cathode is made of aluminum, the plate is connected in series with the anode; the voltage between the anode and cathode is 80 V. When you connect the positive pole of the power source directly to the anode, bypassing the plate, the ion current is 2 A instead of 5.5 A according to the proposed method.
Claims (7)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5024091 RU2038643C1 (en) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Process of generation of ion beam |
PCT/RU1992/000204 WO1993010552A1 (en) | 1991-11-11 | 1992-11-10 | Method and device for generation of ion beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5024091 RU2038643C1 (en) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Process of generation of ion beam |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2038643C1 true RU2038643C1 (en) | 1995-06-27 |
Family
ID=21595320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5024091 RU2038643C1 (en) | 1991-11-11 | 1992-01-28 | Process of generation of ion beam |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2038643C1 (en) |
-
1992
- 1992-01-28 RU SU5024091 patent/RU2038643C1/en active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
А.С.Метель. Источники пучков заряженных частиц большого сечения на основе тлеющего разряда с холодным полым катодом. Сб. Плазменная эмиссионная электроника. Тезисы докладов. Первое Всесоюзное совещание по плазменной эмиссионной электронике, Улан-Удэ, Бурятский институт естественных наук, СО АН СССР, июнь 1991, с.77-81, рис.2. * |
М.Д. Габович и др. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. М.: Энергоатомиздат, 1986, с.135-136. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Schoenbach et al. | Microhollow cathode discharges | |
JP2648235B2 (en) | Ion gun | |
SU682150A3 (en) | Ionic motor | |
US5241244A (en) | Cyclotron resonance ion engine | |
US5537005A (en) | High-current, low-pressure plasma-cathode electron gun | |
JP4741245B2 (en) | Ion accelerator | |
US4760262A (en) | Ion source | |
US4466242A (en) | Ring-cusp ion thruster with shell anode | |
US7009342B2 (en) | Plasma electron-emitting source | |
RU2038643C1 (en) | Process of generation of ion beam | |
RU187270U1 (en) | PULSE NEUTRON GENERATOR | |
Lejeune | Theoretical and experimental study of the duoplasmatron ion source: Part II: Emisive properties of the source | |
US3275867A (en) | Charged particle generator | |
JP2913186B2 (en) | Ion source device | |
US4135093A (en) | Use of predissociation to enhance the atomic hydrogen ion fraction in ion sources | |
RU2002334C1 (en) | Method of generation of ion beam | |
Kovarik et al. | Initiation of hot cathode arc discharges by electron confinement in Penning and magnetron configurations | |
RU209633U1 (en) | Vacuum neutron tube | |
RU2002333C1 (en) | Ion source | |
JPS5740845A (en) | Ion beam generator | |
RU2003196C1 (en) | Plant for generation of ion beam of large section | |
RU2082255C1 (en) | Method and device for producing ion beam | |
RU2091991C1 (en) | Secondary-emission electron accelerator | |
RU2205467C2 (en) | Ion source | |
RU2084986C1 (en) | Beam-plasma microwave device |