RU202751U1 - Diode assembly - Google Patents
Diode assembly Download PDFInfo
- Publication number
- RU202751U1 RU202751U1 RU2020126783U RU2020126783U RU202751U1 RU 202751 U1 RU202751 U1 RU 202751U1 RU 2020126783 U RU2020126783 U RU 2020126783U RU 2020126783 U RU2020126783 U RU 2020126783U RU 202751 U1 RU202751 U1 RU 202751U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- diodes
- substrate
- diode assembly
- terminals
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Abstract
Полезная модель относится к области электротехники, в частности, к высоковольтным выпрямительным диодным сборкам, предназначенным для работы в радиотехнических устройствах. Диодная сборка содержит подложку с расположенными на ней диодами, представляющими собой кремниевые кристаллы, соединяющие пары электродов и залитые компаундом, при этом свободные концы электродов представляют собой выводы диодов, расположенные симметрично и в одной плоскости с подложкой. Согласно заявляемому техническому решению, выводы диодов выполнены цилиндрическими, из сплавов с содержанием серебра. Диаметр каждого вывода диода может составлять не более 0,35 мм. Расстояние между наиболее отдаленными точками выводов диода может составлять не менее 32 мм. Расстояние между выводами двух соседних диодов может составлять 0,67 мм. Подложка с диодами могут быть размещены в корпусе. Ширина корпуса может составлять не более 2,5 мм. Диоды на подложке могут быть расположены встречно, без электрических соединений. Технический результат заявляемого технического решения проявляется в повышении технологичности при производстве и монтаже диодной сборки, достижении ее микроминиатюризации.The utility model relates to the field of electrical engineering, in particular, to high-voltage rectifier diode assemblies intended for operation in radio engineering devices. The diode assembly contains a substrate with diodes located on it, which are silicon crystals that connect pairs of electrodes and are filled with a compound, while the free ends of the electrodes are diode leads located symmetrically and in the same plane with the substrate. According to the claimed technical solution, the outputs of the diodes are cylindrical, made of alloys with a silver content. The diameter of each diode terminal can be no more than 0.35 mm. The distance between the most distant points of the diode terminals can be at least 32 mm. The distance between the terminals of two adjacent diodes can be 0.67 mm. A substrate with diodes can be placed in the housing. The case width can be up to 2.5 mm. Diodes on the substrate can be located opposite, without electrical connections. The technical result of the proposed technical solution is manifested in an increase in manufacturability during the production and installation of a diode assembly, in achieving its microminiaturization.
Description
Полезная модель относится к области электротехники, в частности, к высоковольтным выпрямительным диодным сборкам, предназначенным для работы в радиотехнических устройствах.The utility model relates to the field of electrical engineering, in particular, to high-voltage rectifier diode assemblies intended for operation in radio engineering devices.
Из уровня техники известно решение, представляющее полупроводниковый выпрямитель, состоящий из четырех кремниевых диодов, выполненных на единой изоляционной подложке, закрытых пластиковым герметизирующим слоем. Выводы диодов имеют плоскую структуру и могут быть расположены с одной стороны от корпуса или с обеих его сторон симметрично. Патент на изобретение № CN 101916755, МПК H01L23/495; H01L25/07; H01L29/06; H01L29/417; опубликован 22.08.2012. A solution is known from the prior art, representing a semiconductor rectifier consisting of four silicon diodes, made on a single insulating substrate, covered with a plastic sealing layer. The diode leads have a flat structure and can be symmetrically located on one side of the case or on both sides. Patent for invention No. CN 101916755, IPC H01L23 / 495; H01L25 / 07; H01L29 / 06; H01L29 / 417; published on August 22, 2012.
Известно техническое решение, выбранное в качестве ближайшего аналога, представляющее собой диодную сборку, состоящую из восьми выпрямительных диодов, выполненных на кремниевых кристаллах и закрепленных в едином корпусе. Полость корпуса с диодами заполнена клеем, содержащим эпоксидную смолу. Выводы диодов расположены симметрично относительно корпуса, в одной с ним плоскости, и представляют собой пластинчатые удлиненные элементы. Патент на полезную модель № CN 204538019, МПК H01L23/31; H01L25/07; опубликован 05.08.2015.Known technical solution, selected as the closest analogue, representing a diode assembly, consisting of eight rectifier diodes made on silicon crystals and fixed in a single housing. The cavity of the housing with diodes is filled with glue containing epoxy resin. The leads of the diodes are located symmetrically relative to the case, in the same plane, and are plate-like elongated elements. Utility model patent No. CN 204538019, IPC H01L23 / 31; H01L25 / 07; published on 08/05/2015.
Главным отличительным признаком заявляемого технического решения является выполнение диодов цилиндрическими, из сплавов с содержанием серебра.The main distinguishing feature of the proposed technical solution is the implementation of cylindrical diodes, made of alloys with a silver content.
В известных технических решениях выводы диодов выполнены плоскими. Такое исполнение характеризуется сложным формированием выводов диодов, а также монтажом диодной сборки и длительным временем ее срабатывания.In the known technical solutions, the leads of the diodes are made flat. This design is characterized by a complex formation of diode leads, as well as the installation of a diode assembly and a long response time.
Технический результат заявляемого технического решения проявляется в повышении технологичности при производстве и монтаже диодной сборки, достижении ее микроминиатюризации.The technical result of the proposed technical solution is manifested in an increase in manufacturability during the production and installation of a diode assembly, in achieving its microminiaturization.
Технический результат достигается тем, что диодная сборка содержит подложку с расположенными на ней диодами, представляющими собой кремниевые кристаллы, соединяющие пары электродов и залитые компаундом, при этом свободные концы электродов представляют собой выводы диодов, расположены симметрично и в одной плоскости с подложкой, выводы диодов выполнены цилиндрическими, из сплавов с содержанием серебра. Диаметр каждого вывода диода может составлять не более 0,35 мм. Расстояние между наиболее отдаленными точками выводов диода может составлять не менее 32 мм. Расстояние между выводами двух соседних диодов может составлять 0,67 мм. Подложка с диодами могут быть размещены в корпусе. Ширина корпуса может составлять не более 2,5 мм. Диоды на подложке могут быть расположены встречно, без электрических соединений.The technical result is achieved by the fact that the diode assembly contains a substrate with diodes located on it, which are silicon crystals that connect pairs of electrodes and are filled with a compound, while the free ends of the electrodes are the leads of the diodes, are located symmetrically and in the same plane with the substrate, the leads of the diodes are made cylindrical, made of alloys with a silver content. The diameter of each diode terminal can be no more than 0.35 mm. The distance between the most distant points of the diode terminals can be at least 32 mm. The distance between the terminals of two adjacent diodes can be 0.67 mm. A substrate with diodes can be placed in the housing. The case width can be up to 2.5 mm. Diodes on the substrate can be located opposite, without electrical connections.
Заявляемая диодная сборка, выполненная на базе кремния, является сборкой типа КЦ, предназначенной для работы в схемах выпрямления с умножением напряжения.The claimed diode assembly, made on the basis of silicon, is an assembly of the KTs type, intended for operation in rectification circuits with voltage multiplication.
Выводы диодов, выполненные цилиндрическими, из сплавов с содержанием серебра, легко формуются за счет физических свойств материала и не нагружают контакт с проводником за счет своей формы. Исполнение выводов из материалов с включениями серебра позволяет осуществить их надежное соединение пайкой свинцово-оловянными припоями, что позволяет иметь широкий диапазон температур эксплуатации конечного изделия. Такое исполнение выводов обуславливает их низкое удельное сопротивление (0,016 Ом×мм2/м), обеспечивающее снижение потерь напряжения. The leads of the diodes, made of cylindrical alloys with a silver content, are easily formed due to the physical properties of the material and do not load the contact with the conductor due to their shape. The design of the leads made of materials with silver inclusions allows their reliable connection by soldering with lead-tin solders, which allows a wide range of operating temperatures of the final product. This design of the terminals determines their low specific resistance (0.016 Ohm × mm 2 / m), which ensures a decrease in voltage losses.
Симметричное встречное расположение выводов диодов, в одной плоскости с подложкой, с противоположных ее сторон, позволяет производить монтаж сборки на контактные площадки высоковольтных керамических конденсаторов без применения дополнительных печатных плат.The symmetrical opposite arrangement of the diode leads, in the same plane with the substrate, from opposite sides, allows the assembly to be mounted on the contact pads of high-voltage ceramic capacitors without the use of additional printed circuit boards.
В предпочтительном варианте исполнения, диаметр каждого вывода диода составляет не более 0,35 мм, что дополнительно способствует упрощению формования сборки и ее монтажа.In a preferred embodiment, the diameter of each diode terminal is no more than 0.35 mm, which further contributes to simplifying assembly molding and assembly.
В предпочтительном варианте исполнения, расстояние между наиболее отдаленными точками выводов диода составляет не менее 32 мм. In a preferred embodiment, the distance between the outermost points of the diode leads is at least 32 mm.
В предпочтительном варианте подложка, с диодами размещена в корпусе, преимущественно, ширина корпуса при этом составляет не более 2,5 мм, а расстояние между выводами соседних диодов составляет 0,67 мм, что характеризует изделие компактностью, возможностью установки в устройствах различного спектра. In a preferred embodiment, the substrate with diodes is placed in the housing, preferably, the housing width is not more than 2.5 mm, and the distance between the terminals of adjacent diodes is 0.67 mm, which characterizes the product by its compactness and the possibility of installation in devices of different spectrum.
Все признаки заявленной диодной сборки, в том числе ее габаритные параметры, способствуют ее миниатюризации, характеризующейся достижением компактности и повышением быстродействия. Представленные диапазоны значений размеров были определены как оптимальные для удобного и качественного монтажа сборки с сохранением ее функциональных характеристик.All the features of the claimed diode assembly, including its overall parameters, contribute to its miniaturization, characterized by the achievement of compactness and increased performance. The presented ranges of size values were determined as optimal for convenient and high-quality assembly of the assembly while maintaining its functional characteristics.
Заявляемое техническое решение далее поясняется с помощью фигур, на которых условно представлен один из возможных вариантов исполнения диодной сборки. The claimed technical solution is further explained with the help of figures, which conditionally represent one of the possible versions of the diode assembly.
На фиг. 1 представлен вид диодной сборки сверху.FIG. 1 is a top view of the diode assembly.
На фиг. 2 представлена схема диодной сборки.FIG. 2 shows a diagram of a diode assembly.
На фиг. 3 представлена схема одного из вариантов подключения диодной сборки к конденсаторам.FIG. 3 shows a diagram of one of the options for connecting a diode assembly to capacitors.
На фиг. 1-3 представлена диодная сборка (1), включающая корпус (4), в котором размещены подложка с расположенными на ней диодами, представляющими собой кремниевые кристаллы, соединяющие пары электродов (3) и залитые компаундом, при этом свободные концы электродов представляют собой выводы (2) диодов. На фиг. 3 схематично представлено подключение диодной сборки выводами (2.1), (2.2), (2.3), (2.4), (2.5), (2.6), (2.7), (2.8), электродов (3) к конденсаторам (5) и (6). FIG. 1-3 shows a diode assembly (1), including a housing (4), in which a substrate is placed with diodes located on it, which are silicon crystals connecting pairs of electrodes (3) and filled with a compound, while the free ends of the electrodes are terminals ( 2) diodes. FIG. 3 schematically shows the connection of the diode assembly by the terminals (2.1), (2.2), (2.3), (2.4), (2.5), (2.6), (2.7), (2.8), electrodes (3) to capacitors (5) and ( 6).
Далее, со ссылками на фигуры описана конструкция диодной сборки (1). Next, with reference to the figures, the structure of the diode assembly (1) is described.
Одна сборка (1) может включать от двух до восьми диодов.One assembly (1) can include from two to eight diodes.
Преимущественно, диоды на подложке расположены встречно, без электрических соединений.Advantageously, the diodes on the substrate are located opposite, without electrical connections.
Выводы (2) диодов расположены симметрично и в одной плоскости с подложкой, то есть, с противоположных сторон корпуса (4), с определенным шагом, преимущественно равным 0,67 мм. Данный шаг обусловлен расстоянием между выводами (2) соседних диодов.The terminals (2) of the diodes are located symmetrically and in the same plane with the substrate, that is, on opposite sides of the housing (4), with a certain pitch, preferably 0.67 mm. This step is due to the distance between the terminals (2) of adjacent diodes.
Выводы (2) диодов выполнены цилиндрическими, преимущественно, с диаметром не более 0,35 мм, из сплавов с содержанием серебра.The conclusions (2) of the diodes are made cylindrical, mainly with a diameter of not more than 0.35 mm, from alloys with a silver content.
Предпочтительно, расстояние между наиболее отдаленными точками выводов (2) диода составляет не менее 32 мм.Preferably, the distance between the most distant points of the terminals (2) of the diode is at least 32 mm.
Ширина корпуса (4), преимущественно, составляет не более 2,5 мм, его длина зависит от количества размещенных в нем диодов.The width of the housing (4) is mainly not more than 2.5 mm, its length depends on the number of diodes placed in it.
Один из предпочтительных вариантов использования диодной сборки (1) продемонстрирован далее на примере.One of the preferred options for using the diode assembly (1) is demonstrated below by example.
Формирование диодной сборки (1) производится любым известным для специалиста в уровне техники способом. The formation of the diode assembly (1) is performed by any method known to a person skilled in the art.
В умножитель с выпрямлением напряжения диодные сборки (1) устанавливаются на электроды керамических конденсаторов (5) и (6) и закрепляются пайкой. При этом анод (вывод (2.1)) первого диода подключается к общему проводу секций первого конденсатора (5), катод (вывод (2.2)) первого диода с анодом (вывод (2.3)) второго диода к первой секции второго конденсатора (6). Катод (вывод (2.4)) второго диода с анодом (вывод (2.5)) третьего диода подключаются к первой секции первого конденсатора (5) и катод (вывод (2.6)) с анодом (вывод (2.7)) подключаются к второй секции конденсатора (6). Выходное умноженное напряжение снимается с катода (вывод (2.8)) последнего диода диодной сборки (1).In a multiplier with voltage rectification, diode assemblies (1) are installed on the electrodes of ceramic capacitors (5) and (6) and secured by soldering. In this case, the anode (terminal (2.1)) of the first diode is connected to the common wire of the sections of the first capacitor (5), the cathode (terminal (2.2)) of the first diode with the anode (terminal (2.3)) of the second diode to the first section of the second capacitor (6). The cathode (terminal (2.4)) of the second diode with the anode (terminal (2.5)) of the third diode is connected to the first section of the first capacitor (5) and the cathode (terminal (2.6)) with the anode (terminal (2.7)) is connected to the second section of the capacitor ( 6). The output multiplied voltage is removed from the cathode (terminal (2.8)) of the last diode of the diode assembly (1).
Исполнение заявленной диодной сборки способствует улучшению ее функциональных характеристик, в частности, достижению низких значений обратных токов, что позволяет производить компактные устройства в десятки тысяч вольт, применяемые в источниках питания для приборов ночного видения, в источниках питания для электронно-оптических преобразователях.The implementation of the claimed diode assembly contributes to the improvement of its functional characteristics, in particular, to the achievement of low values of reverse currents, which makes it possible to produce compact devices of tens of thousands of volts used in power supplies for night vision devices, in power supplies for electro-optical converters.
Представленные фигуры, описание конструкции и использования не исчерпывают возможные варианты исполнения и не ограничивают каким-либо образом объем заявляемого технического решения. Возможны иные варианты исполнения и использования в объеме заявляемой формулы. В зависимости от назначения, диодной сборка может быть изготовлена разных конфигураций, с различным количеством диодов.The presented figures, the description of the design and use do not exhaust the possible options for execution and do not in any way limit the scope of the proposed technical solution. Other variants of execution and use are possible within the scope of the claimed formula. Depending on the purpose, the diode assembly can be made in different configurations, with a different number of diodes.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020126783U RU202751U1 (en) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | Diode assembly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020126783U RU202751U1 (en) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | Diode assembly |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU202751U1 true RU202751U1 (en) | 2021-03-04 |
Family
ID=74857338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020126783U RU202751U1 (en) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | Diode assembly |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU202751U1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU134286U1 (en) * | 2013-04-05 | 2013-11-10 | Сергей Александрович Панин | LED WHITE LIGHT SOURCE |
| CN104704407A (en) * | 2012-08-13 | 2015-06-10 | 拜耳材料科技股份有限公司 | Light guide plate comprising decoupling elements |
| RU2604568C2 (en) * | 2012-04-02 | 2016-12-10 | Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн | Optical substrate, semiconductor light-emitting unit and method of making semiconductor light-emitting unit |
| RU2690165C2 (en) * | 2014-05-21 | 2019-05-31 | Нитиа Корпорейшн | Light-emitting device |
-
2020
- 2020-08-11 RU RU2020126783U patent/RU202751U1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2604568C2 (en) * | 2012-04-02 | 2016-12-10 | Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн | Optical substrate, semiconductor light-emitting unit and method of making semiconductor light-emitting unit |
| CN104704407A (en) * | 2012-08-13 | 2015-06-10 | 拜耳材料科技股份有限公司 | Light guide plate comprising decoupling elements |
| RU134286U1 (en) * | 2013-04-05 | 2013-11-10 | Сергей Александрович Панин | LED WHITE LIGHT SOURCE |
| RU2690165C2 (en) * | 2014-05-21 | 2019-05-31 | Нитиа Корпорейшн | Light-emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900000206B1 (en) | Semiconductor device | |
| US6625009B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of making the same | |
| JP4640988B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| KR19990029533A (en) | Multi-Device Capacitors | |
| JP2004311685A (en) | Semiconductor device for power | |
| JP2002119069A (en) | Power converter | |
| RU202751U1 (en) | Diode assembly | |
| US6282077B1 (en) | Ceramic capacitor mounting structure | |
| EP3770962A1 (en) | Semiconductor module arrangement | |
| CN113097186A (en) | Power chip crimping packaging structure and manufacturing method thereof | |
| JP4462831B2 (en) | Capacitor device manufacturing method | |
| JP2005158903A (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| CN214588842U (en) | Power chip crimping packaging structure | |
| CN212113704U (en) | Chip packaging structure capable of improving current-carrying capacity | |
| CN111564434B (en) | Integrated chip structure and power module | |
| RU201058U1 (en) | Printed circuit board with electronic component | |
| US6713937B2 (en) | Minitab rectifier for alternators | |
| US20030183841A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN117729692A (en) | High-power semiconductor module with low stray inductance | |
| KR950021432A (en) | Semiconductor package | |
| CN115274631A (en) | SMD high-power rectifier bridge | |
| KR100728857B1 (en) | Method of manufacturing a capacitor device, and semiconductor device | |
| CN116053233A (en) | Crimping type sub-module and crimping type IGBT module | |
| RU92014595A (en) | POWERFUL MICROWAVE TRANSISTOR (OPTIONS) | |
| RU66606U1 (en) | HIGH VOLTAGE RECTIFIER MODULE |