RU2020116409A - Определение количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика - Google Patents
Определение количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика Download PDFInfo
- Publication number
- RU2020116409A RU2020116409A RU2020116409A RU2020116409A RU2020116409A RU 2020116409 A RU2020116409 A RU 2020116409A RU 2020116409 A RU2020116409 A RU 2020116409A RU 2020116409 A RU2020116409 A RU 2020116409A RU 2020116409 A RU2020116409 A RU 2020116409A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sensor material
- radiation
- combination
- predetermined type
- monoatomic
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims 17
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 17
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 9
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 claims 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 claims 2
- -1 alkali metal cation Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001519 atomic cations Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/20—Silicates
- C01B33/26—Aluminium-containing silicates, i.e. silico-aluminates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/10—Luminescent dosimeters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/10—Luminescent dosimeters
- G01T1/11—Thermo-luminescent dosimeters
- G01T1/115—Read-out devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/20—Silicates
- C01B33/32—Alkali metal silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
- C09K11/676—Aluminates; Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K9/00—Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/48—Photometry, e.g. photographic exposure meter using chemical effects
- G01J1/50—Photometry, e.g. photographic exposure meter using chemical effects using change in colour of an indicator, e.g. actinometer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/10—Luminescent dosimeters
- G01T1/11—Thermo-luminescent dosimeters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Claims (46)
1. Способ определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, включающий:
a) обеспечение наличия материала датчика;
b) облучение материала датчика излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени;
c) подвергание материала датчика, который был облучен излучением заранее заданного типа, термической обработке и/или оптическому возбуждению; и
d) определение количества видимого света, излучаемого материалом датчика в результате того, что он был подвергнут термической обработке и/или оптическому возбуждению;
при этом материал датчика представлен следующей формулой (I)
где
М' представляет моноатомный катион щелочного металла, выбранного из первой группы периодической таблицы элементов Международного союза теоретической и прикладной химии (IUРАС), или любую комбинацию таких катионов;
М'' представляет трехвалентный моноатомный катион элемента, выбранного из группы 13 периодической таблицы элементов IUРАС, или переходного элемента, выбранного из любой из групп 3-12 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких катионов;
М''' представляет моноатомный катион элемента, выбранного из группы 14 периодической таблицы элементов IUРАС, или элемента, выбранного из любой из групп 13 и 15 периодической таблицы элементов IUРАС, или цинка, или любую комбинацию таких катионов;
X представляет анион элемента, выбранного из группы 17 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких анионов, или X отсутствует;
X' представляет анион элемента, выбранного из группы 16 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких анионов, или X' отсутствует; и
М'''' представляет легирующий катион элемента, выбранного из переходных металлов периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких катионов, или М'''' отсутствует;
при условии, что по меньшей мере один из X и X' присутствует.
2. Способ по п. 1, в котором излучение заранее заданного типа - это электромагнитное излучение, имеющее длину волны больше 0 нм до 590 нм, или больше 0 нм до 560 нм, или больше 0 нм до 500 нм, или больше 0 нм до 400 нм, или больше 0 нм до 300 нм, или 0,000001-590 нм, или 0,000001- 560 нм, или 0,000001-500 нм, или 10-590 нм, или 10-560 нм, или 10-500 нм, или 0,000001-400 нм, или 0,000001-300 нм, или 0,000001-10 нм, или 10-400 нм, или 10-300 нм, или 0,01-10 нм.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором термическая обработка включает повышение температуры материала датчика.
4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором оптическое возбуждение материала датчика включает облучение материала датчика электромагнитным излучением, имеющим длину волны 310-1400 нм.
5. Способ по любому из пп. 1-4, дополнительно включающий е) сравнение измеренного количества видимого света, излучаемого материалом датчика, со справочной информацией, указывающей зависимость количества излучаемого видимого света от количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика.
6. Способ по любому из пп. 1-5, в котором М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы 1 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких катионов, при условии, что М' не представляет собой моноатомный катион одного только Na.
7. Способ по любому из пп. 1-6, в котором М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы 1 периодической таблицы элементов IUРАС.
8. Способ по любому из пп. 1-7, в котором М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы, содержащей Li, Na, K и Rb.
9. Способ по любому из пп. 1-8, в котором М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы, содержащей Li, K и Rb, или любую комбинацию таких катионов.
10. Способ по любому из пп. 1-9, в котором М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Na с моноатомным катионом Li, моноатомным катионом K и/или моноатомным катионом Rb.
11. Способ по любому из пп. 1-10, в котором М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион металла, выбранный из группы, содержащей Аl и Ga, или комбинацию таких катионов.
12. Способ по любому из пп. 1-10, в котором М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион В.
13. Способ по любому из пп. 1-12, в котором М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Si и Ge, или комбинацию таких катионов.
14. Способ по любому из пп. 1-12, в котором М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Al, Ga, N, Р и As, или любую комбинацию таких катионов.
15. Способ по любому из пп. 1-14, в котором X представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей F, О, Вr и I, или любую комбинацию таких анионов.
16. Способ по любому из пп. 1-15, в котором X' представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей О, S, Se и Те, или любую комбинацию таких анионов.
17. Способ по любому из пп. 1-16, в котором М'''' представляет собой катион элемента, выбранного из группы, содержащей Ti, V, Cr, Mn, Fe, Со, Ni, Сu и Zn, или любую комбинацию таких катионов.
18. Детекторное устройство (1) для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, содержащее:
- материал (2) датчика, представленный формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17;
- нагревательный элемент (4), сконфигурированный так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, термической обработке, и/или блок (5) возбуждения, сконфигурированный так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, оптическому возбуждению; и
- измерительное устройство (6), сконфигурированное для измерения количества видимого света, излучаемого материалом датчика в результате того, что он был подвергнут термической обработке и/или оптическому возбуждению.
19. Детекторное устройство по п. 18, в котором нагревательный элемент (4) сконфигурирован для повышения температуры материала датчика.
20. Детекторное устройство по п. 18 или 19, в котором блок (5) возбуждения сконфигурирован так, чтобы облучать материал датчика электромагнитным излучением с длиной волны 310-1400 нм.
21. Детекторное устройство по любому из пп. 18-20, в котором блок (5) возбуждения представляет собой лазер, светодиод (LED), органический светодиод (OLED), активно-матричный органический светодиод (AMOLED), лампу накаливания, галогенную лампу или любую их комбинацию.
22. Система (7) для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, содержащая:
- блок (3) облучения, сконфигурированный для облучения материала датчика излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия этого излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени; и
- детекторное устройство по любому из пп. 18-21.
23. Система по п. 22, в которой блок (3) облучения сконфигурирован так, чтобы облучать материал датчика электромагнитным излучением с длиной волны больше 0 нм до 590 нм, или больше 0 нм до 560 нм, или больше 0 нм до 500 нм, или больше 0 нм до 400 нм, или больше 0 нм до 300 нм, или 0,000001-590 нм, или 0,000001- 560 нм, или 0,000001-500 нм, или 10-590 нм, или 10-560 нм, или 10-500 нм, или 0,000001-400 нм, или 0,000001-300 нм, или 0,000001-10 нм, или 10-400 нм, или 10-300 нм, или 0,01-10 нм.
24. Система по любому из пп. 22, 23, содержащая справочную информацию для указания зависимости измеренного количества света, излучаемого материалом датчика, и количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика.
25. Применение термической обработки и/или оптического возбуждения для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, представленного формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17.
26. Применение материала датчика, представленного формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17, для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, при этом материал датчика облучают излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия этого излучение заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени, а после этого подвергают термической обработке и/или оптическому возбуждению.
27. Применение материала датчика, представленного формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17, в термолюминесцентном дозиметре или в люминесцентном дозиметре с оптическим возбуждением.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20175992A FI20175992A1 (en) | 2017-11-07 | 2017-11-07 | Determination of the amount of radiation of a predetermined type irradiated on a sensor material |
| FI20175992 | 2017-11-07 | ||
| PCT/FI2018/050761 WO2019092308A1 (en) | 2017-11-07 | 2018-10-17 | Determining the amount of a predetermined type of radiation irradiated on a sensor material |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2020116409A true RU2020116409A (ru) | 2021-12-08 |
| RU2020116409A3 RU2020116409A3 (ru) | 2022-03-04 |
| RU2773276C2 RU2773276C2 (ru) | 2022-06-01 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA3081148A1 (en) | 2019-05-16 |
| BR112020008961A2 (pt) | 2020-10-20 |
| EP3707533A1 (en) | 2020-09-16 |
| TW201928399A (zh) | 2019-07-16 |
| WO2019092308A1 (en) | 2019-05-16 |
| US20200386899A1 (en) | 2020-12-10 |
| CN111316131A (zh) | 2020-06-19 |
| CN111316131B (zh) | 2021-07-02 |
| EP3707533B1 (en) | 2021-12-01 |
| KR20200081414A (ko) | 2020-07-07 |
| JP7003250B2 (ja) | 2022-01-20 |
| AU2018363225A1 (en) | 2020-05-28 |
| FI20175992A1 (en) | 2019-05-08 |
| US11079498B2 (en) | 2021-08-03 |
| RU2020116409A3 (ru) | 2022-03-04 |
| JP2021501881A (ja) | 2021-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3707533B1 (en) | Determining the amount of a predetermined type of radiation irradiated on a sensor material | |
| ES2868300T3 (es) | Sistema de iluminación de carne con eficiencia mejorada y sobresaturación roja | |
| Okada et al. | Samarium‐doped oxyfluoride glass‐ceramic as a new fast erasable dosimetric detector material for microbeam radiation cancer therapy applications at the Canadian synchrotron | |
| Belev et al. | Valency conversion of samarium ions under high dose synchrotron generated X‐ray radiation | |
| Yukihara et al. | BeO optically stimulated luminescence dosimetry using automated research readers | |
| Ignat’Ev et al. | Influence of UV irradiation and heat treatment on the luminescence of molecular silver clusters in photo-thermo-refractive glasses | |
| Oliveira et al. | Development and characterization of MgO: Nd, Li synthesized by solution combustion synthesis for 2D optically stimulated luminescence dosimetry | |
| JP6748435B2 (ja) | 蛍光ガラス線量計用ガラス | |
| US9121948B2 (en) | Optically stimulated luminescence dosimetry using doped lithium fluoride crystals | |
| Bulur et al. | Phototransferred thermoluminescence from α-Al2O3: C using blue light emitting diodes | |
| Babkina et al. | The effect of temperature on the luminescence spectra of potassium-aluminum borate and silicate glasses with copper (I) and silver ions | |
| RU2016106009A (ru) | Улучшенный гранатовый светосостав и технология для его приготовления, а также источник света | |
| RU2773276C2 (ru) | Определение количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика | |
| JP5846364B2 (ja) | 水質評価方法及び水質評価装置 | |
| Dresvyanskiy et al. | SPATIAL DISTRIBUTION OF THE STORED LIGHT SUM OF FEMTOSECOND LASER RADIATION IN LiF: Mg, Ti | |
| Zhao et al. | Temperature-dependent upconversion luminescence of NaYF4: Yb3+, Er3+ nanoparticles | |
| RU2583967C1 (ru) | Фотохромное люминесцентное стекло | |
| JP2012052070A (ja) | 熱蛍光体及びその製造方法 | |
| RU2617662C1 (ru) | Люминесцентное фосфатное стекло | |
| Cao et al. | Intense red and cyan luminescence in europium doped silicate glasses | |
| Agafonova et al. | The effect of temperature on the luminescence of molecular clusters of silver in photothermorefractive glasses | |
| RU2694592C2 (ru) | Устройство определения характеристик для определения характеристик сцинтилляционного материала | |
| JP2020186966A5 (ja) | 光学測定装置、光源装置 | |
| RU2011102403A (ru) | Устройство и способ биотестирования токсичности вод и водных растворов | |
| JP2017143782A (ja) | 集魚灯装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |