RU2019144433A - Способ размещения наноалмазов с nv-центрами на нитриде кремния - Google Patents
Способ размещения наноалмазов с nv-центрами на нитриде кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2019144433A RU2019144433A RU2019144433A RU2019144433A RU2019144433A RU 2019144433 A RU2019144433 A RU 2019144433A RU 2019144433 A RU2019144433 A RU 2019144433A RU 2019144433 A RU2019144433 A RU 2019144433A RU 2019144433 A RU2019144433 A RU 2019144433A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanodiamonds
- windows
- solution
- resist
- centers
- Prior art date
Links
- 239000002113 nanodiamond Substances 0.000 title claims 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Claims (3)
1. Способ размещения наноалмазов с NV-центрами на поверхности кремниевой подложки, покрытой слоем оксида кремния и слоем нитрида кремния, в виде упорядоченного массива с малым размером агломератов наноалмазов, отличающийся тем, что перед нанесением раствора наноалмазов на поверхности нитрида кремния наносится слой позитивного резиста РММА 3%, в котором методом электронно-лучевой литографии формируется массив «окон» (отверстий) в резисте диаметром 200 нм, поверх которого наносится раствор наноалмазов, содержащих NV-центры в виде капли, распределенной по поверхности пластины в области сформированных «окон», которая, растекаясь, заполняет раствором наноалмазов «окна» в резисте, попавшие в «окна» наноалмазы остаются на поверхности нитрида кремния, а наноалмазы не попавшие в «окна» остаются на поверхности слоя резиста, при этом количество агломератов, оставшихся на поверхности, определяется степенью однородности раствора и диаметром «окон» в резисте, сама жидкость раствора испаряется с поверхности пластины путем медленного нагрева пластины на нагревательной плите 25-70°С до полного испарения капли, то есть в течение 10-15 мин, при этом есть риск, что резист перегреется, и его будет в дальнейшем невозможно удалить с помощью взрывной литографии вместе с остатками высохшего раствора.
2. Способ размещения наноалмазов с NV-центрами на структурах из Si3N4 по п. 1, отличающийся тем, что пластина с нанесенным на нее раствором наноалмазов, поддерживается при постоянной температуре 20-24°С в течение 2-3 часов до полного испарения капли, после чего при взрывной литографии остатки наноалмазов и резиста в местах без «окон» полностью удаляются.
3. Способ размещения наноалмазов с NV-центрами на структурах из Si3N4 по п. 1, отличающийся тем, что после нанесения капли раствора наноалмазов на образец с проявленными «окнами» сверху наносят 20 мкл изопропанола, достигая большего распространения капли в связи с лучшей адгезией к подложке.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019144433A RU2761426C2 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Способ размещения наноалмазов с nv-центрами на нитриде кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019144433A RU2761426C2 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Способ размещения наноалмазов с nv-центрами на нитриде кремния |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019144433A3 RU2019144433A3 (ru) | 2021-06-29 |
| RU2019144433A true RU2019144433A (ru) | 2021-06-29 |
| RU2761426C2 RU2761426C2 (ru) | 2021-12-08 |
Family
ID=76742359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019144433A RU2761426C2 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Способ размещения наноалмазов с nv-центрами на нитриде кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2761426C2 (ru) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI279880B (en) * | 2005-02-04 | 2007-04-21 | Yamaha Corp | Manufacture method for semiconductor device having field oxide film |
| WO2010001686A1 (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | 日本電気株式会社 | グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法 |
| US20100147369A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Chien-Min Sung | Solar cell having nanodiamond quantum wells |
| RU2455724C1 (ru) * | 2010-11-13 | 2012-07-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий |
| CN103748699B (zh) * | 2011-08-31 | 2017-03-15 | 旭化成株式会社 | 光学用基材以及半导体发光元件 |
| CN105683411A (zh) * | 2013-09-23 | 2016-06-15 | 阿科玛股份有限公司 | 用于太阳能电池的纳米金刚石涂料 |
| US20170037534A1 (en) * | 2015-08-07 | 2017-02-09 | North Carolina State University | Direct conversion of h-bn into c-bn and structures for a variety of applications |
| KR20190023050A (ko) * | 2016-05-06 | 2019-03-07 | 알토 유니버시티 파운데이션 | 데토네이션 나노다이아몬드들 및 다이아몬드형 탄소를 기판 상에 공증착시키기 위한 방법 및 데토네이션 나노다이아몬드들 및 다이아몬드형 탄소를 포함하는 복합 필름 |
| RU2685665C1 (ru) * | 2017-11-17 | 2019-04-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" | Способ получения тонких алмазных пленок |
-
2019
- 2019-12-27 RU RU2019144433A patent/RU2761426C2/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2761426C2 (ru) | 2021-12-08 |
| RU2019144433A3 (ru) | 2021-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0161279B1 (ko) | 동결 및 승화에 의한 액체제거를 사용한 미세구조물의 형성 | |
| CN103985664B (zh) | 硅基氮化镓外延层剥离转移的方法 | |
| JP2008520370A5 (ru) | ||
| US9607854B2 (en) | Methods to reduce debonding forces on flexible semiconductor films disposed on vapor-releasing adhesives | |
| US10083850B2 (en) | Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier | |
| JP2020501372A (ja) | ホットワイヤ化学気相堆積を介して、センサ用途のためにポリマー層を堆積するための方法 | |
| JP5199069B2 (ja) | Ｐｖｄｆ膜 | |
| RU2019144433A (ru) | Способ размещения наноалмазов с nv-центрами на нитриде кремния | |
| RU2419178C1 (ru) | Способ изготовления индиевых столбиков | |
| CN103576445B (zh) | 作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法 | |
| CN111082307B (zh) | 一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法 | |
| KR20070067442A (ko) | 기판으로부터 포토레지스트 막을 분리하는 방법 및 상기포토레지스트 막을 이차 기판과 접합하는 방법 | |
| US11056339B1 (en) | Thin film electrode separation method using thermal expansion coefficient | |
| Johari et al. | The effect of softbaking temperature on SU-8 photoresist performance | |
| TW200301926A (en) | Forming a structure on a wafer | |
| KR20230159456A (ko) | 가교성 코폴리머 필름을 사용한 나노구조체의 전사 | |
| CN112490362A (zh) | 一种基于图案化衬底的有机场效应晶体管制备方法 | |
| JPWO2019150547A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW202103219A (zh) | 轉移微型元件的方法 | |
| RU2400790C1 (ru) | Способ взрывной литографии пленочных островковых структур | |
| RU2671543C1 (ru) | Способ создания двустороннего топологического рисунка в металлизации на подложках со сквозными металлизированными микроотверстиями | |
| RU2610843C1 (ru) | Способ взрывной фотолитографии | |
| TWI762755B (zh) | 可分離結構及應用所述結構之分離方法 | |
| Mohammed et al. | Nanomechanical Analysis of Polydimethylglutarimide Based Lift Off Resist Used for Temporary Bonding and Film Transfers | |
| TW511140B (en) | Recycle handling method of the monitor wafer |