RU2018127434A - Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя - Google Patents
Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2018127434A RU2018127434A RU2018127434A RU2018127434A RU2018127434A RU 2018127434 A RU2018127434 A RU 2018127434A RU 2018127434 A RU2018127434 A RU 2018127434A RU 2018127434 A RU2018127434 A RU 2018127434A RU 2018127434 A RU2018127434 A RU 2018127434A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sublayer
- galvanic
- electrolyte
- transparent conductive
- copper
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- -1 silver or platinum Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Claims (18)
1. Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя (ФЭП), включающий нанесение на ФЭП подслоя прозрачного проводящего оксида, отличающийся тем, что последовательно:
- на подслой прозрачного проводящего оксида осуществляют нанесение диэлектрической маски или диэлектрического слоя и формируют рисунок сетки;
- помещают пластину в ванну с растворами солей вещества-активатора, для активации поверхности платины в области рисунка сетки;
- на области активированной поверхности осуществляют нанесение металлического подслоя;
- на металлическом подслое осуществляют гальваническое наращивание слоя меди;
- на медный слой осуществляют нанесение защитного покрытия.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подслой прозрачного проводящего оксида выполняют из оксида индия-олова или оксида олова.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что подслой прозрачного проводящего оксида выполненный из оксида индия-олова наносят методом атомно-молекулярного наслаивания при температуре меньше 200°С или осаждением из газовой фазы при пониженном давлении.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что подслой прозрачного проводящего оксида выполненный из оксида олова наносят методом магнетронного распыления.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение диэлектрической маски осуществляют способом фотолитографии или трафаретной печатью, или импринт литографией.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение диэлектрического слоя осуществляют газофазным методом или магнетронным распылением с последующим вскрытием окон в нанесенном слое с помощью лазера.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что рисунком сетки является область в которой происходит активация поверхности и дальнейшее осаждение слоев.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве вещества-активатора применяют соли благородных металлов, таких как серебро или платина, или палладий.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение металлического подслоя выполняют из меди или никеля путем химического осаждения.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что химическое осаждение выполняют путем выдерживания ФЭП в ванне с раствором с последующей их отмывкой, для исключения попадания раствора в электролит применяемый на следующем этапе.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что гальваническое наращивание меди осуществляют путем гальванического осаждения меди в ванне с электролитом с последующей отмывкой ФЭП, для исключения попадания электролита в электролит, применяемый на следующем этапе.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что защитное покрытие выполняют из олова или сплава олова методом гальванического или химического осаждения путем выдерживания ФЭП в ванне с раствором электролита с последующей отмывкой ФЭП.
13. Способ по 12, отличающийся тем, что при нанесении защитного покрытия гальваническим способом в состав электролита добавляют висмут.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018127434A RU2018127434A (ru) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018127434A RU2018127434A (ru) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2018127434A true RU2018127434A (ru) | 2020-01-27 |
Family
ID=69183908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018127434A RU2018127434A (ru) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2018127434A (ru) |
-
2018
- 2018-07-26 RU RU2018127434A patent/RU2018127434A/ru unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100764362B1 (ko) | 태양전지용 투명 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는반도체 전극 | |
| US3356538A (en) | Electrodeposited ion exchange membrane and method of forming | |
| US9064985B2 (en) | Nickel-cobalt alloys as current collectors and conductive interconnects and deposition thereof on transparent conductive oxides | |
| KR20080024988A (ko) | 전해용 전극 및 그것을 이용한 전해 방법 및 그것을 이용한전해 장치 | |
| WO2005041216A1 (ja) | 透明導電性基板、色素増感型太陽電池用電極及び色素増感型太陽電池 | |
| JP2004128267A (ja) | 光電変換素子用の導電性ガラス基板並びにその製造方法 | |
| JP2010508636A5 (ru) | ||
| KR101502807B1 (ko) | 색소 증감형 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| WO2015200008A1 (en) | Method of patterning a metal on a transparent conductor | |
| CN106653994A (zh) | 一种单层电极型ipmc结构及其制备工艺 | |
| KR20170063444A (ko) | 막을 구비한 유리판, 터치 센서, 막 및 막을 구비한 유리판의 제조 방법 | |
| KR101534941B1 (ko) | 도전성 전극패턴의 형성방법 및 이를 포함하는 태양전지의 제조방법 | |
| JP4578786B2 (ja) | 色素増感太陽電池の製造方法 | |
| JP2007149633A (ja) | 透光性導電膜基板の製造方法 | |
| RU2018127434A (ru) | Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя | |
| EP3413364A1 (en) | Method of fabricating solar cell | |
| JP2970534B2 (ja) | 参照電極の製造方法 | |
| JP6652706B2 (ja) | 光化学電極、及びその製造方法 | |
| JP5511809B2 (ja) | 非電気堆積法 | |
| US20140060612A1 (en) | Photovoltaic cell | |
| JPS595674B2 (ja) | 電極構造体 | |
| Kanta et al. | Stainless steel electrode characterizations by electrochemical impedance spectroscopy for dye-sensitized solar cells | |
| JP2009117337A (ja) | 電極基板、光電変換素子および色素増感太陽電池 | |
| JP4635518B2 (ja) | 色素増感型太陽電池用電極及び色素増感型太陽電池 | |
| US10428435B2 (en) | Method for modifying an electrically conductive oxide surface, use for electrodeposition of copper on said surface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA91 | Application withdrawn (on applicant's request) |
Effective date: 20200930 |