RU2017122438A - Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля - Google Patents

Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля Download PDF

Info

Publication number
RU2017122438A
RU2017122438A RU2017122438A RU2017122438A RU2017122438A RU 2017122438 A RU2017122438 A RU 2017122438A RU 2017122438 A RU2017122438 A RU 2017122438A RU 2017122438 A RU2017122438 A RU 2017122438A RU 2017122438 A RU2017122438 A RU 2017122438A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
submodule
power
rows
semiconductor elements
power semiconductor
Prior art date
Application number
RU2017122438A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017122438A3 (ru
RU2677253C2 (ru
Inventor
Олег Анатольевич Данилов
Иван Владимирович Викторов
Анатолий Леонидович Иванов
Виктор Александрович Карпеев
Владимир Николаевич Никитин
Андрей Николаевич Семенов
Дмитрий Анатольевич Токмаков
Александр Витальевич Шепелин
Андрей Витальевич Шепелин
Вячеслав Юрьевич Семенов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "ЧЭАЗ-ЭЛПРИ"
Priority to RU2017122438A priority Critical patent/RU2677253C2/ru
Publication of RU2017122438A publication Critical patent/RU2017122438A/ru
Publication of RU2017122438A3 publication Critical patent/RU2017122438A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2677253C2 publication Critical patent/RU2677253C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Claims (1)

  1. Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля, содержащий электроизоляционную теплопроводящую подложку с двумя токоведущими слоями: нижним слоем, который выполнен сплошным силовым полигоном и является частью одного из DC-тоководов, и верхним слоем, который разделен на силовые полигоны АС и DC+, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, образующие плечи полумоста; два силовых полигона, электрически связанных с нижним силовым токоведущим слоем и расположенных вдоль упомянутых полигонов, причем один из них расположен за пределами рядов кристаллов подмодуля; три максимально широких полосковых силовых вывода AC, DC+ и DC- подмодуля, расположенных параллельно рядам полупроводниковых элементов и подсоединенных по всей своей ширине к соответствующим полигонам, причем выводы DC+ и DC- подмодуля подсоединены к соответствующим полигонам, находящимся за пределами рядов кристаллов подмодуля, и находятся друг от друга на расстоянии, равном толщине необходимой изоляции, отличающийся тем, что полигоны АС и DC+, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, расположены в непосредственной близости друг от друга; два упомянутых силовых полигона, электрически связанных с нижним силовым токоведущим слоем, расположены за пределами рядов кристаллов подмодуля; вывод АС подмодуля подсоединен к полигону АС между рядами силовых полупроводниковых элементов; а необходимые для образования полумостовой схемы соединения между полигонами и(или) полупроводниковыми элементами выполнены гибкими тоководами, ширина которых обеспечивает максимальное покрытие ими ширины тоководов подмодуля.
RU2017122438A 2017-06-26 2017-06-26 Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля RU2677253C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017122438A RU2677253C2 (ru) 2017-06-26 2017-06-26 Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017122438A RU2677253C2 (ru) 2017-06-26 2017-06-26 Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017122438A true RU2017122438A (ru) 2018-12-26
RU2017122438A3 RU2017122438A3 (ru) 2018-12-26
RU2677253C2 RU2677253C2 (ru) 2019-01-16

Family

ID=64752971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017122438A RU2677253C2 (ru) 2017-06-26 2017-06-26 Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2677253C2 (ru)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2089013C1 (ru) * 1995-03-03 1997-08-27 Акционерное общество закрытого типа Русское общество прикладной электроники "РОПЭ" Полупроводниковый модуль
US7791208B2 (en) * 2007-09-27 2010-09-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor arrangement
US9209176B2 (en) * 2011-12-07 2015-12-08 Transphorm Inc. Semiconductor modules and methods of forming the same
WO2014001079A1 (de) * 2012-06-28 2014-01-03 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichter und betriebsverfahren zum wandeln von spannungen
US10242969B2 (en) * 2013-11-12 2019-03-26 Infineon Technologies Ag Semiconductor package comprising a transistor chip module and a driver chip module and a method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
RU2017122438A3 (ru) 2018-12-26
RU2677253C2 (ru) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105655129B (zh) 平面电容器端子
RU2690021C1 (ru) Компоновка токовых шин
CN105720046B (zh) 半导体模块以及半导体装置
CN105612690B (zh) 半导体装置
US20160351505A1 (en) Power semiconductor module
CN202996831U (zh) 具有冷却装置的功率电子系统
CN206271705U (zh) 包括多个电势面的功率电子开关器件
WO2008086499A3 (en) Thermoelectric device
JP2012182978A5 (ru)
CN105210281B (zh) 变流器设备和用于制造变流器设备的方法
CN102035356A (zh) 变流器系统
TR201906817T4 (tr) En az iki elektrikli bağlantı elemanı ve birleştirme kablosu olan cam.
CN108029161A (zh) 感应加热电源设备
JP6346643B2 (ja) カスコード回路に基づく半導体パッケージ構造
CN106558558A (zh) 用于制造功率电子开关装置的方法以及功率电子开关装置
CN109983554B (zh) 电容器、尤其是用于多相系统的中间电路电容器
JP2015012742A5 (ru)
US20130039103A1 (en) Power-converting apparatus having improved electro-thermal characteristics
CN104134652B (zh) 具有子单元的功率半导体模块及对应的系统
US9258882B2 (en) Electronic devices comprising printed circuit boards
US9755070B2 (en) Semiconductor packaging structure and semiconductor power device thereof
WO2012148299A1 (ru) Вечный двигатель электрический.
RU2017122438A (ru) Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля
KR101795931B1 (ko) 유연 박막 다층형 열전발전장치 및 그 제조방법
JP6824840B2 (ja) ラミネートブスバー

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20200116